JPS60231325A - マスクの検査方法 - Google Patents
マスクの検査方法Info
- Publication number
- JPS60231325A JPS60231325A JP59086323A JP8632384A JPS60231325A JP S60231325 A JPS60231325 A JP S60231325A JP 59086323 A JP59086323 A JP 59086323A JP 8632384 A JP8632384 A JP 8632384A JP S60231325 A JPS60231325 A JP S60231325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- scanning
- mask
- reticle
- minimum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａ） 発明の技術分野
本発明はマスクの検査方法に係り、特にフォトマスク又
はウェハーチップのパターン面の欠陥の検出方法に関す
る。
はウェハーチップのパターン面の欠陥の検出方法に関す
る。
山）技術の背景
近年、半導体装置や半導体集積回路の高性能化と高集積
化により、パターン図形の緻密化が進み、これに使用さ
れるマスクや、ウェハーチップも一段と精度の向上が必
要とされる。
化により、パターン図形の緻密化が進み、これに使用さ
れるマスクや、ウェハーチップも一段と精度の向上が必
要とされる。
特に半導体装置の場合には、製造における多くの工程で
光によりパターニングをするフォトリソグラフィーの技
術が採用されていて、これに使用されるフォトマスクの
種類も極めて多い。
光によりパターニングをするフォトリソグラフィーの技
術が採用されていて、これに使用されるフォトマスクの
種類も極めて多い。
このフォトマスクのパターン図形面に、何等かの原因で
、黒のボジテブパターン図形の外部に、有ってはならな
い黒の図形があると、パターニングされた半導体ウェハ
ー面上にそのままフォトマスクの欠陥の部分が顕れるた
め、フォトマスクの検査には特に入念にする必要がある
。
、黒のボジテブパターン図形の外部に、有ってはならな
い黒の図形があると、パターニングされた半導体ウェハ
ー面上にそのままフォトマスクの欠陥の部分が顕れるた
め、フォトマスクの検査には特に入念にする必要がある
。
然しなから、半導体集積回路の高性能化と高集積度の増
大によりフォトマスクのパターニングされた図形も精緻
であるため、従来の顕微鏡のみによる検査については時
間を要するのと、パターン図形面の欠陥をも見落とすと
いう欠点があり、検査方法の改善が要望されている。
大によりフォトマスクのパターニングされた図形も精緻
であるため、従来の顕微鏡のみによる検査については時
間を要するのと、パターン図形面の欠陥をも見落とすと
いう欠点があり、検査方法の改善が要望されている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
従来行っているフォトマスクの検査方法は、レティクル
といわれるマスクを検査するものであって、このレティ
クルの大きさは実際に使用されるフォトマスクより、−
辺の長さが約ＩＯ倍程度の大きさの原板であって、この
レティクルに欠陥がなく完全なものあれば縮刷されて実
用のフォトマスクが製作される。
といわれるマスクを検査するものであって、このレティ
クルの大きさは実際に使用されるフォトマスクより、−
辺の長さが約ＩＯ倍程度の大きさの原板であって、この
レティクルに欠陥がなく完全なものあれば縮刷されて実
用のフォトマスクが製作される。
このレティクルのパターン面の欠陥の検査方法には主に
２種類があり、第１はレティクル表面にパターニングさ
れたパターンが繰り返えされてパターニングされている
ことを利用して複数個のパターニングされた同一のレテ
ィクルを重合わせて比較し、パターニング図形の検査を
する方法である。
２種類があり、第１はレティクル表面にパターニングさ
れたパターンが繰り返えされてパターニングされている
ことを利用して複数個のパターニングされた同一のレテ
ィクルを重合わせて比較し、パターニング図形の検査を
する方法である。
この場合は、レティクルの表面上を拡大鏡で走査し、そ
の映像をイメージセンサ−で電気信号に変換して映像装
置に入力してグラフィク化するもので、検査はこのグラ
フィク面のパターニングを目視で行われる。
の映像をイメージセンサ−で電気信号に変換して映像装
置に入力してグラフィク化するもので、検査はこのグラ
フィク面のパターニングを目視で行われる。
第２はコンピューターに入力されたデータパターンと比
較する方法である。
較する方法である。
この方法では、検査するレティクルをビデオカメラで走
査して、そのビデオ信号をデジタル信号に変換した後に
磁気テープＭＴに入力し、このデータと設計時のＭＴを
比較する方法である。
査して、そのビデオ信号をデジタル信号に変換した後に
磁気テープＭＴに入力し、このデータと設計時のＭＴを
比較する方法である。
然しながら、この両者のいずれにも欠点があって、第１
のパターニングの繰り返えし性を利用した比較方法では
、重合わせた複数のレティクルのパターン面に共通の欠
陥が存在する時には、その欠陥を摘出することが不可能
であり、第２のデータパターンと比較する方法では、デ
ータパターンを製作する煩雑さと、実パターン面に全く
同様にデータを製作することが困難であるという欠点が
ある。
のパターニングの繰り返えし性を利用した比較方法では
、重合わせた複数のレティクルのパターン面に共通の欠
陥が存在する時には、その欠陥を摘出することが不可能
であり、第２のデータパターンと比較する方法では、デ
ータパターンを製作する煩雑さと、実パターン面に全く
同様にデータを製作することが困難であるという欠点が
ある。
ｆｄ＋ 発明の目的
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、半導体装置等に使用
されるフォトマスクのパターン面の欠陥を検出するため
に、レティクルにパターニングされたパターン面を最小
パターン図形に分解して、その最小パターン図形以下の
ネガティブパターン面が在るときには、その図形を欠陥
として検出する新たな検査方法により、フォトマスクの
精度向−１−と、レティクルのパターン面の検査が容易
に実施できる方法を提供することを目的とする。
されるフォトマスクのパターン面の欠陥を検出するため
に、レティクルにパターニングされたパターン面を最小
パターン図形に分解して、その最小パターン図形以下の
ネガティブパターン面が在るときには、その図形を欠陥
として検出する新たな検査方法により、フォトマスクの
精度向−１−と、レティクルのパターン面の検査が容易
に実施できる方法を提供することを目的とする。
ｔｅｌ 発明の構成
この目的は、本発明によれば、所定寸法の四角形のポジ
ティブパターン図形をデジタル化してマスク検査装置に
入力しておき、該検査装置で、パターン図形を有するマ
スク面のポジティブパターン図形を検査する際に、上記
所定寸法の四角形のネガティブパターン図形より小なる
上記マスクのポジティブパターン図形を検出することを
特徴とするマスクの検査方法を提供することによって達
成できる。
ティブパターン図形をデジタル化してマスク検査装置に
入力しておき、該検査装置で、パターン図形を有するマ
スク面のポジティブパターン図形を検査する際に、上記
所定寸法の四角形のネガティブパターン図形より小なる
上記マスクのポジティブパターン図形を検出することを
特徴とするマスクの検査方法を提供することによって達
成できる。
ｆｆ） 発明の実施例
本発明は、レチクルマスクのポジティブパターン図形の
外部に存在する余分の図形部を検査してその部分を検出
する方法である。
外部に存在する余分の図形部を検査してその部分を検出
する方法である。
そして一般にポジティブパターンは最小矩形パターンの
集合、つまり繰り返しであるため、検査において、その
最小四角形パターンより小なる黒のポジティブパターン
があれば、それを欠陥として出力するようにしている。
集合、つまり繰り返しであるため、検査において、その
最小四角形パターンより小なる黒のポジティブパターン
があれば、それを欠陥として出力するようにしている。
即ち、マスクの黒のポジティブパターン図形の外部に、
余分の図形が黒として存在するから、この余分の図形部
を許容出来る所定の四角形を検査器に入力しておくこと
によって、検査するマスクのポジティブパターン図形の
外部にある黒の図形部が上記の所定の最小四角形に比較
して大なる時には欠陥がないと判断され、反対に所定の
四角形に比較して小なる時には欠陥部と判断される。
余分の図形が黒として存在するから、この余分の図形部
を許容出来る所定の四角形を検査器に入力しておくこと
によって、検査するマスクのポジティブパターン図形の
外部にある黒の図形部が上記の所定の最小四角形に比較
して大なる時には欠陥がないと判断され、反対に所定の
四角形に比較して小なる時には欠陥部と判断される。
これは一般にマスクの黒のパターン以外の部分は白であ
り、この白の部分に焦が存在する場合は、正規のパター
ンか又は異常部分であるが、通学用のパターンは最小矩
形パターンを組み合わせたものであるから、最小矩形パ
ターンより小なるパターンは異常とする考えにもとすく
ものである。
り、この白の部分に焦が存在する場合は、正規のパター
ンか又は異常部分であるが、通学用のパターンは最小矩
形パターンを組み合わせたものであるから、最小矩形パ
ターンより小なるパターンは異常とする考えにもとすく
ものである。
第Ｆ図は本発明による検査装置のブロック図であるが、
１は被検査体のレチクルマスクであり、２は被検査体を
照明する照明系であり、３は光学系であってマスクのパ
ターン図形を読み取るように設定され、４は受光系でイ
メージセンサ−等で光信号に変換される。
１は被検査体のレチクルマスクであり、２は被検査体を
照明する照明系であり、３は光学系であってマスクのパ
ターン図形を読み取るように設定され、４は受光系でイ
メージセンサ−等で光信号に変換される。
この光信号は受光信号器５で受光され、６のＡ−り変換
器で波形成形がなされて、７のビットメモリーに転換さ
れ、８の画像処理装置に入力されるが、この画像処理に
は予め所定の四角形の画像信号装置９からの信号が入力
されているために、これら両者が比較されて比較結果が
検出袋Ｗ１０に表示される。
器で波形成形がなされて、７のビットメモリーに転換さ
れ、８の画像処理装置に入力されるが、この画像処理に
は予め所定の四角形の画像信号装置９からの信号が入力
されているために、これら両者が比較されて比較結果が
検出袋Ｗ１０に表示される。
第２図は画像処理装置における検出方法のブロック図で
あるが、１１はレチクルマスク上を複数の走査線で走査
する走査信号であり、１２は一定のパルス波の基準信号
であって、１３のＡＮＤ回路で１１の走査信号がパルス
化される。
あるが、１１はレチクルマスク上を複数の走査線で走査
する走査信号であり、１２は一定のパルス波の基準信号
であって、１３のＡＮＤ回路で１１の走査信号がパルス
化される。
１４はカウンターであって、走査したパルス数を走査線
毎にカウントして第１のメモリー１５にメモリーするが
、このメモリーには同時に走査信号からのトリガーによ
って、走査開始時と走査終了時のパルスが入力される。
毎にカウントして第１のメモリー１５にメモリーするが
、このメモリーには同時に走査信号からのトリガーによ
って、走査開始時と走査終了時のパルスが入力される。
１６は最初に設定される所定の四角形のパターン図形レ
ジスターであり、信号は所定の寸法（例えば最小矩形の
寸法）に相当してパルス化されている。
ジスターであり、信号は所定の寸法（例えば最小矩形の
寸法）に相当してパルス化されている。
１７は第２のメモリー回路であって、ここでは、カウン
ター１４から初期値のみが書き込まれる。
ター１４から初期値のみが書き込まれる。
１８は比較回路であって、第１のメモリー１５と第２の
メモリー回１７と所定の四角形のパターン図形レジスタ
ー１６とが比較されて異常値の検出装置１９に出力され
るが、同時にＸ−Ｙステージの位置情報２０とｘｙの重
なり座標の情報２１がＡＮＤ回路２２を介して入力され
る。
メモリー回１７と所定の四角形のパターン図形レジスタ
ー１６とが比較されて異常値の検出装置１９に出力され
るが、同時にＸ−Ｙステージの位置情報２０とｘｙの重
なり座標の情報２１がＡＮＤ回路２２を介して入力され
る。
又この際に異常値と判断するために成る程度のマージン
をもって判断することが必要なため、２３のマージン設
定信号が入力され、マージンが加味された検査結果が出
力として検出される。
をもって判断することが必要なため、２３のマージン設
定信号が入力され、マージンが加味された検査結果が出
力として検出される。
第３図は上記実施例の波形であるが、第２図のフローチ
ャー１・の記号に対応させてそれぞれを示している。
ャー１・の記号に対応させてそれぞれを示している。
第４図（１）はレチクルマスク２５に、正規のパターン
図形の外部に欠陥部である黒の図形２６があるものとし
、この図形が所定の最小四角形２７より小の場合の具体
的な走査例を示している。
図形の外部に欠陥部である黒の図形２６があるものとし
、この図形が所定の最小四角形２７より小の場合の具体
的な走査例を示している。
走査は図のようにレチクルマスクを複数の区域に分割し
て、それぞれの区域を走査するが、例えば走査区域をａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと分割して走査をすると、所定の最小
四角形２７の走査信号は第４図（２）のようになり、第
４図（１）の走査区域に対応する記号で表示されている
。
て、それぞれの区域を走査するが、例えば走査区域をａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと分割して走査をすると、所定の最小
四角形２７の走査信号は第４図（２）のようになり、第
４図（１）の走査区域に対応する記号で表示されている
。
各ａ、ｂ、ｄ、ｅの走査信号はレチクルマスクの長さ方
向は正規図形のため連続であるが、Ｃの走査信号には、
正規パターン図形の外部に余分の焦の図形があるため、
余分図形の長さ分だけが不連続で長くなる。
向は正規図形のため連続であるが、Ｃの走査信号には、
正規パターン図形の外部に余分の焦の図形があるため、
余分図形の長さ分だけが不連続で長くなる。
基準信号は第５図にしめしてあり、第４図（２）にしめ
ず波形とのＡＮＤをとることによって信号はパルス化で
きることになる。
ず波形とのＡＮＤをとることによって信号はパルス化で
きることになる。
（ｇｌ 発明の効果
以上ｘｙ細に説明したように、本発明のレチクルマスク
の検査装置を採用することにより、パターン図形の欠陥
を容易且つ確実に検出する方法に供しくυるという効果
大なるものがある。
の検査装置を採用することにより、パターン図形の欠陥
を容易且つ確実に検出する方法に供しくυるという効果
大なるものがある。
第１図は本発明の検査装置のブロックＰＩ。
第２図は画像処理の検１１１回路のブロック図。
第３図は走査図。
第４図は波形信号図。
第５図は基準信号図。
図において、
１はレチクルマスク、２は照明、
３は光学系、 ４は受光系、
５は受光信号、 ６はＡ−Ｄ変換器、
７はビットメモリー、８は画像処理装置、９は画像信号
装置、 １０は検出装置、１１は走査信号、 １２は基
準信号、 １３はＡＮＤ回路、１４ばカウンター、１５は第１のメ
モリー回１？８． １６は所定の四角形のパターン図形レジスター、１７は
第２のメモリー回路、 １８は比較回路、 １９は検出装置、 ２０はＸ−Ｙステージの位置情報装置、２１はｘｙの重
なり座標の情報装置、 ０ ２２はＡＮＤ回路、２３はマージン設定装置、２５はレ
チクルマスク、２６は余分部分、２７は所定の最小四角
形パターンである。 代理人 弁理士 松 岡 宏 四 部 １
装置、 １０は検出装置、１１は走査信号、 １２は基
準信号、 １３はＡＮＤ回路、１４ばカウンター、１５は第１のメ
モリー回１？８． １６は所定の四角形のパターン図形レジスター、１７は
第２のメモリー回路、 １８は比較回路、 １９は検出装置、 ２０はＸ−Ｙステージの位置情報装置、２１はｘｙの重
なり座標の情報装置、 ０ ２２はＡＮＤ回路、２３はマージン設定装置、２５はレ
チクルマスク、２６は余分部分、２７は所定の最小四角
形パターンである。 代理人 弁理士 松 岡 宏 四 部 １
Claims (1)
- 所定寸法の四角形のポジティブパターン図形をデジタル
化してマスク検査装置に入力しておき、該検査装置で、
パターン図形を有するマスク面のポジティブパターン図
形を検査する際に、上記所定寸法の四角形のポジティブ
パターン図形より小なる上記マスクのポジティブパター
ン図形を検出することを特徴とするマスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086323A JPS60231325A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | マスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086323A JPS60231325A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | マスクの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231325A true JPS60231325A (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=13883625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59086323A Pending JPS60231325A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | マスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231325A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254483A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Hitachi Ltd | Method of inspecting photo mask patterns, etc. |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP59086323A patent/JPS60231325A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254483A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Hitachi Ltd | Method of inspecting photo mask patterns, etc. |
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