JPS60233621A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
- Publication number
- JPS60233621A JPS60233621A JP59089989A JP8998984A JPS60233621A JP S60233621 A JPS60233621 A JP S60233621A JP 59089989 A JP59089989 A JP 59089989A JP 8998984 A JP8998984 A JP 8998984A JP S60233621 A JPS60233621 A JP S60233621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- liquid crystal
- polarizing plate
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１上１
本発明は、画像形成装置、特に表示機能と電子写真の写
し込み用原稿とを兼用できる画像形成装置に関するもの
である。
し込み用原稿とを兼用できる画像形成装置に関するもの
である。
１１盈遺
従来、上記したような機能を有する画像形成装置におい
て、多数の透明なストライプ電極を縦横に対向させ、液
晶を挾持した単純なマトリックス構成を用いてきた。し
かしながら、この型の液晶パネルでは、液晶の動作条件
での限界から表示情報量を充分大きくすることができな
い欠点を有していた。一方、表示情報量を多くするため
の手段として、近年、各絵素毎に薄膜トランジスタ（Ｔ
ＰＴ）を設け、マトリックス構成とするものが開発され
ている。
て、多数の透明なストライプ電極を縦横に対向させ、液
晶を挾持した単純なマトリックス構成を用いてきた。し
かしながら、この型の液晶パネルでは、液晶の動作条件
での限界から表示情報量を充分大きくすることができな
い欠点を有していた。一方、表示情報量を多くするため
の手段として、近年、各絵素毎に薄膜トランジスタ（Ｔ
ＰＴ）を設け、マトリックス構成とするものが開発され
ている。
ところで、このようなＴＰＴを有する基板（ＴＰＴ基板
）において、トランジスタの半導体部分は不透明であり
、且つ光導電性を持つものが用いられることから、従来
、この半導体部の光遮蔽材としての機能を兼用して、ゲ
ート電極部とゲート配線部は金属によって構成されてき
た。このような液晶パネルを用いて反射光学系で、表示
ならびに電子写真の写し込みを行なうときには、このよ
うな金属は、反射板に表示電位を低下させる影を与える
欠点があった。この金属電極からは散乱光が放射されず
、複写された記録媒体上には、黒色部として写し出され
てしまう欠点があった。また、このような金属電極の存
在は、液晶パネルを表示パネルとして使用するに際して
も、反射面として働らいて表示を見づらくする欠点があ
った。
）において、トランジスタの半導体部分は不透明であり
、且つ光導電性を持つものが用いられることから、従来
、この半導体部の光遮蔽材としての機能を兼用して、ゲ
ート電極部とゲート配線部は金属によって構成されてき
た。このような液晶パネルを用いて反射光学系で、表示
ならびに電子写真の写し込みを行なうときには、このよ
うな金属は、反射板に表示電位を低下させる影を与える
欠点があった。この金属電極からは散乱光が放射されず
、複写された記録媒体上には、黒色部として写し出され
てしまう欠点があった。また、このような金属電極の存
在は、液晶パネルを表示パネルとして使用するに際して
も、反射面として働らいて表示を見づらくする欠点があ
った。
及Ｊ」Ｌ１透
本発明の主要な目的は、上述従来例の欠点を除去し、そ
れ自体で表示パネルとして見易い表示面を与えるととも
に、複写用原稿としても良好な機能を有する薄膜トラン
ジスタ駆動の液晶画像形成装置を提供することにある。
れ自体で表示パネルとして見易い表示面を与えるととも
に、複写用原稿としても良好な機能を有する薄膜トラン
ジスタ駆動の液晶画像形成装置を提供することにある。
免豆立１１
本発明の画像形成装置は、上記目的を達成するために開
発されたものであり、より詳しくは、入射光側より、第
１の偏光板、マトリクス配置したスイッチング用薄膜ト
ランジスタを備えた基板、液晶層、対向電極を有する基
板、第２の偏光板、および散乱反射部材を順次積層配設
してなる液晶パネルであって、前記薄膜トランジスタを
備えた基板上の半導体層形成部に設けられたものを除く
全ての電極が、透明電極で構成されていることを特徴と
するものである。
発されたものであり、より詳しくは、入射光側より、第
１の偏光板、マトリクス配置したスイッチング用薄膜ト
ランジスタを備えた基板、液晶層、対向電極を有する基
板、第２の偏光板、および散乱反射部材を順次積層配設
してなる液晶パネルであって、前記薄膜トランジスタを
備えた基板上の半導体層形成部に設けられたものを除く
全ての電極が、透明電極で構成されていることを特徴と
するものである。
以下に、本発明による画像形成装置（液晶、＜ネル）を
表示器として、また複写機の原稿として使用する装置系
の基本的な構成を説明する。第１図（ａ）は、その装置
系の表示状態における側面図、第１図（ｂ）は複写状態
における一部切欠き正面図である。
表示器として、また複写機の原稿として使用する装置系
の基本的な構成を説明する。第１図（ａ）は、その装置
系の表示状態における側面図、第１図（ｂ）は複写状態
における一部切欠き正面図である。
第１図において、一般的な複写機本体ｌの上面には、原
稿台２が設けられ、少なくともその原稿対応面２ａはガ
ラス等の透明部材で構成される。
稿台２が設けられ、少なくともその原稿対応面２ａはガ
ラス等の透明部材で構成される。
この原稿台２上には、本発明によるパネル３が、立て伏
せ自在に取付けられている。このパネル３は、第１図（
＆）に示す様に立て起こすことにより表示器として使用
される。即ち従来の液晶層表示器と同様に、外光りある
いは別に設けた照明により反射型表示を行なうことがで
きる。一方、表示された画像のハードコピーが欲しい場
合に′１「第１図（ｂ）に示す様に、表示パネル３を原
稿台２の原稿対応面２ａに対応させて伏せ、通常原稿と
同様に複写する。第１図において、４は紙カセット、５
は排紙トレイ、１３はコピー用紙であり、６〜１２は一
般的な複写機内部構造で、６は感光ドラム、７は帯電器
、８は現像器、９は転写用帯電器、１０はクリーナー、
１１は原稿照明ランプ、１２はセルフォックレンズアレ
イである。
せ自在に取付けられている。このパネル３は、第１図（
＆）に示す様に立て起こすことにより表示器として使用
される。即ち従来の液晶層表示器と同様に、外光りある
いは別に設けた照明により反射型表示を行なうことがで
きる。一方、表示された画像のハードコピーが欲しい場
合に′１「第１図（ｂ）に示す様に、表示パネル３を原
稿台２の原稿対応面２ａに対応させて伏せ、通常原稿と
同様に複写する。第１図において、４は紙カセット、５
は排紙トレイ、１３はコピー用紙であり、６〜１２は一
般的な複写機内部構造で、６は感光ドラム、７は帯電器
、８は現像器、９は転写用帯電器、１０はクリーナー、
１１は原稿照明ランプ、１２はセルフォックレンズアレ
イである。
また、原稿台２は移動型、または固定型のいずれでもよ
いが、パネル３は必ず原稿対応面ｚａ上に固定される。
いが、パネル３は必ず原稿対応面ｚａ上に固定される。
特に第１図（ｂ）には簡単のため原稿台移動型の例を挙
げたが、原稿台固定型の場合には、原稿照明、ドラム露
光光学系（ここでは１１．１２）を、可動光学系とすれ
ばよい。
げたが、原稿台固定型の場合には、原稿照明、ドラム露
光光学系（ここでは１１．１２）を、可動光学系とすれ
ばよい。
ここで以上の様な光学系において照明ランプ１１によっ
て通常のシート、ブック等の原稿を照明する場合、通常
はセルフォックレンズ１２が原稿による鏡面反射光（第
１図（ｂ）中に１４で示す）を取り入れない様な光学系
の構造とする。なぜならば鏡面反射光を取り入れると、
原稿台自身による反射光をも取り入れてしまい、充分良
質なコピー画像が得られなくなってしまうからである。
て通常のシート、ブック等の原稿を照明する場合、通常
はセルフォックレンズ１２が原稿による鏡面反射光（第
１図（ｂ）中に１４で示す）を取り入れない様な光学系
の構造とする。なぜならば鏡面反射光を取り入れると、
原稿台自身による反射光をも取り入れてしまい、充分良
質なコピー画像が得られなくなってしまうからである。
すなわちドラム６上に結像されるのは原稿面からの散乱
反射光である様にする。
反射光である様にする。
次に、この発明で用いるパネル３の構成を説明する。
第２図は、パネルの構成要素の一つである、薄膜トラン
ジスタをマトリクス配置した半導体駆動回路を有する基
板の斜視図であり、これを組込んで液晶表示パネルとし
て構成した例を第３図に部分断面図として示す、即ち、
第２図の基板は１表示用パネルを構成するガラス等から
なる基板２１上に、２〜１０本／ ｍ ｍ程度の密度で
、駆動用薄膜トランジスタ（本明細書では、しばしば単
にｒＴＦＴＪと称する）をマトリクス配置したものであ
る。ＴＰＴは、基板２１上に形成されたゲート配線２２
ａａ及び２２ａｂの透明溝側１該ゲート配線の上、もし
くはこれと電気的に接続して設けたゲート電極２２ａ、
２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを有し、この部分はＡ１．Ｍｏ
、Ｃｒ等の金属からなる不透光性の電極が用いられる。
ジスタをマトリクス配置した半導体駆動回路を有する基
板の斜視図であり、これを組込んで液晶表示パネルとし
て構成した例を第３図に部分断面図として示す、即ち、
第２図の基板は１表示用パネルを構成するガラス等から
なる基板２１上に、２〜１０本／ ｍ ｍ程度の密度で
、駆動用薄膜トランジスタ（本明細書では、しばしば単
にｒＴＦＴＪと称する）をマトリクス配置したものであ
る。ＴＰＴは、基板２１上に形成されたゲート配線２２
ａａ及び２２ａｂの透明溝側１該ゲート配線の上、もし
くはこれと電気的に接続して設けたゲート電極２２ａ、
２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを有し、この部分はＡ１．Ｍｏ
、Ｃｒ等の金属からなる不透光性の電極が用いられる。
前記ゲート電極上に絶縁膜２３を介して形成した薄膜状
の半導体２４．２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、半導体の一端
に接して設けたソース線（導電膜からなる）２５ａ、２
５ｂ及び半導体の他端に設けたドレイン電極２６ａ、２
６ｂ、２６ｃ、２６ｄ等から構成されている。
の半導体２４．２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、半導体の一端
に接して設けたソース線（導電膜からなる）２５ａ、２
５ｂ及び半導体の他端に設けたドレイン電極２６ａ、２
６ｂ、２６ｃ、２６ｄ等から構成されている。
又、第３図は、第２図に示す電極板に、本発明に従い散
乱反射膜等を付加した後、対向基板と組合わせて構成し
た液晶表示パネルを示している。
乱反射膜等を付加した後、対向基板と組合わせて構成し
た液晶表示パネルを示している。
第３図に於て、３１及び２１はガラス、プラスチック等
の透明基板、２６ｂ及び２６ｄは前述の表示単位となる
ドレイン電極、３２は対向電極である。２６ｃ、２６ｄ
等には、Ｉｎ２０Ｂ、ＳｎＯ２等の透明導電膜が使用さ
れる。２５ａ、２５ｂはそれぞれソース線であって、本
発明においてはこれもＩ ｎ２０３．３ｎ０２等の透明
導電膜により構成される。３３ａ、３３ｂは絶縁膜を２
２ａ、２２ｂ等のゲート上のみに形成した例を特別に示
してあり、又３４は必要に応じて設けられる絶縁膜であ
り、２４ｃ、２４ｄはＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｔｅ、アモル
ファスシリコン等の半導体、３５はスペーサー、３６は
液晶層である。
の透明基板、２６ｂ及び２６ｄは前述の表示単位となる
ドレイン電極、３２は対向電極である。２６ｃ、２６ｄ
等には、Ｉｎ２０Ｂ、ＳｎＯ２等の透明導電膜が使用さ
れる。２５ａ、２５ｂはそれぞれソース線であって、本
発明においてはこれもＩ ｎ２０３．３ｎ０２等の透明
導電膜により構成される。３３ａ、３３ｂは絶縁膜を２
２ａ、２２ｂ等のゲート上のみに形成した例を特別に示
してあり、又３４は必要に応じて設けられる絶縁膜であ
り、２４ｃ、２４ｄはＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｔｅ、アモル
ファスシリコン等の半導体、３５はスペーサー、３６は
液晶層である。
ＴＮモードで用いるときには絶縁層３４および３７の表
面に配向処理を行なう。配向処理としては、これら絶縁
層そのものが斜め蒸着されたものか、微細な溝を一方向
にもったものが用いられるが、他の方法としては、この
絶縁層の表面に高分子膜を設はラビングすることによっ
て達成することもできる。
面に配向処理を行なう。配向処理としては、これら絶縁
層そのものが斜め蒸着されたものか、微細な溝を一方向
にもったものが用いられるが、他の方法としては、この
絶縁層の表面に高分子膜を設はラビングすることによっ
て達成することもできる。
３７は第２図に示すようにＴＰＴを構成した後、更に設
けた第２の絶縁膜であり、３８ａ、３８ｂは、半導体が
光導電性を有するときに設ける光遮蔽膜であり、任意の
金属や光吸収性の材料（染色層や顔料層）が用いられる
。この発明では、この半導体２４ｃ、２４ｄ・・等の光
導電性を阻止するためにその上下に設けた光遮蔽層３８
ａ、３８ｂ−−ならびにゲート電極２２ａ、２２ｂ、２
２ｃ・・等を除く全ての電極、配線部分が透明部材で構
成されていることを特徴としている。
けた第２の絶縁膜であり、３８ａ、３８ｂは、半導体が
光導電性を有するときに設ける光遮蔽膜であり、任意の
金属や光吸収性の材料（染色層や顔料層）が用いられる
。この発明では、この半導体２４ｃ、２４ｄ・・等の光
導電性を阻止するためにその上下に設けた光遮蔽層３８
ａ、３８ｂ−−ならびにゲート電極２２ａ、２２ｂ、２
２ｃ・・等を除く全ての電極、配線部分が透明部材で構
成されていることを特徴としている。
次に、このＴＰＴマトリクスを使用した表示パネルの駆
動方法を概説する。例えばゲート線２２ａａ、２２ａｂ
に駆動用電圧を、ソース線２５ａ、２５ｂには、画像用
信号を走査して印加すると（ゲート線に信号が入力され
ている間に限って）、これ等の電極の交点のうちの選択
された個所でソース（２５ａ、２５ｂ）−ドレイン（２
６Ｃ１２６ｄ）間が導通して、ドレイン電極と対向電極
との間で３２で電場が生じ液晶層３６の液晶分子の配列
状態が変化することにより表示が行なわれる。
動方法を概説する。例えばゲート線２２ａａ、２２ａｂ
に駆動用電圧を、ソース線２５ａ、２５ｂには、画像用
信号を走査して印加すると（ゲート線に信号が入力され
ている間に限って）、これ等の電極の交点のうちの選択
された個所でソース（２５ａ、２５ｂ）−ドレイン（２
６Ｃ１２６ｄ）間が導通して、ドレイン電極と対向電極
との間で３２で電場が生じ液晶層３６の液晶分子の配列
状態が変化することにより表示が行なわれる。
この表示パネルでは、ねじれ配列ネマティック（Ｔ Ｎ
）表示モードを利用することができる。この発明表示パ
ネルへの、入射光Ｉｔｌは、第１の直線偏光板４０によ
って直線偏光となり液晶層に入り、電圧無印加状態゛で
はこの偏光面が９０度回転し、第２の偏光板４１に達す
る。第２の偏光板はこの偏光を透過するよう偏光面を配
置しである。
）表示モードを利用することができる。この発明表示パ
ネルへの、入射光Ｉｔｌは、第１の直線偏光板４０によ
って直線偏光となり液晶層に入り、電圧無印加状態゛で
はこの偏光面が９０度回転し、第２の偏光板４１に達す
る。第２の偏光板はこの偏光を透過するよう偏光面を配
置しである。
即ち第１の偏光板と第２の偏光板は偏光面が直交する配
置となっている。続いて光は４２の散乱反射板によって
反射し、入射光側へ再び戻って来るが、方向は散乱反射
板によってまちまちとなり、表示としては明るい状態を
呈する。上下電極間に電圧が印加された部分では、入射
光は第１の偏光板による偏光面が変化することなく第２
の偏光板に達し、光はそこで通過しなくなり、暗状態を
呈する。
置となっている。続いて光は４２の散乱反射板によって
反射し、入射光側へ再び戻って来るが、方向は散乱反射
板によってまちまちとなり、表示としては明るい状態を
呈する。上下電極間に電圧が印加された部分では、入射
光は第１の偏光板による偏光面が変化することなく第２
の偏光板に達し、光はそこで通過しなくなり、暗状態を
呈する。
第４図は、本発明によるＴＰＴ構成の別の一例を示す平
面図であり、第５図（ａ）、（ｂ）には、それぞれ第４
図のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線矢視方向の断面図を示す。
面図であり、第５図（ａ）、（ｂ）には、それぞれ第４
図のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線矢視方向の断面図を示す。
配置等は第２図、第３図の例と多少異るが、前回と同じ
番号については同じ機能の部分を示す。
番号については同じ機能の部分を示す。
これらの図において表示に寄与する部分は２６ａ、２６
ｂ、２６ｄ等であり、その他の半導体部や配線部は表示
に寄与しない部分である。このような構成において、表
示部が透明部材で構成されていることは云うまでもない
が、今２５ａ、２５ｂ、２５ｃのソース配線電極や、２
２ａａ、２２ａｂのゲート配線電極が金属で構成しであ
ると、これ等は表示部の動作、非動作状態にかかわらず
、光不透過となり、第３図の反射構成セルでは反射板に
影を生じたり、散乱反射光として観視者もしくは光学的
検出部へ所定の光１１を送らない場合が生じる。云い換
えれば、この部分による光の不透過部が画面を暗くする
こととなる。ところで前述した如く半導体部に光導電性
材料を用いる時には半導体部を遮光したい。この発明で
はこれを実施するため半導体＠ ２４ ａ、２４ｂ、２
４ｄ等に対しては光遮光部材を付与するが、他の非表示
部は透明部材を用いることによって、この不要な影を減
少させたものである。第５図（ａ’）では２２ａａのゲ
ート配線部に、ＴＦＴ部のみに金属層１２２−を重ねて
設け、他を透明電極とするものを示し、また（ｂ）で示
すソース配線やドレイン電極（表示電極２６ａ、２６ｂ
、２６ｄ）も透明電極とした例を示した。
ｂ、２６ｄ等であり、その他の半導体部や配線部は表示
に寄与しない部分である。このような構成において、表
示部が透明部材で構成されていることは云うまでもない
が、今２５ａ、２５ｂ、２５ｃのソース配線電極や、２
２ａａ、２２ａｂのゲート配線電極が金属で構成しであ
ると、これ等は表示部の動作、非動作状態にかかわらず
、光不透過となり、第３図の反射構成セルでは反射板に
影を生じたり、散乱反射光として観視者もしくは光学的
検出部へ所定の光１１を送らない場合が生じる。云い換
えれば、この部分による光の不透過部が画面を暗くする
こととなる。ところで前述した如く半導体部に光導電性
材料を用いる時には半導体部を遮光したい。この発明で
はこれを実施するため半導体＠ ２４ ａ、２４ｂ、２
４ｄ等に対しては光遮光部材を付与するが、他の非表示
部は透明部材を用いることによって、この不要な影を減
少させたものである。第５図（ａ’）では２２ａａのゲ
ート配線部に、ＴＦＴ部のみに金属層１２２−を重ねて
設け、他を透明電極とするものを示し、また（ｂ）で示
すソース配線やドレイン電極（表示電極２６ａ、２６ｂ
、２６ｄ）も透明電極とした例を示した。
このように構成することで、光を本質的に不透過にして
おく半導体部のみは常時入反射光をカットするが、面積
的には小さく無視でき他は動作部の画素電極を除いて明
状態にあり、従って画面を明るい状態にしておくのに有
効である。このような構成は電子写真の写し込み時に表
示に′不要な黒色のノイズを減じるのに効果的である。
おく半導体部のみは常時入反射光をカットするが、面積
的には小さく無視でき他は動作部の画素電極を除いて明
状態にあり、従って画面を明るい状態にしておくのに有
効である。このような構成は電子写真の写し込み時に表
示に′不要な黒色のノイズを減じるのに効果的である。
第３図〜第５図では説明を単純化するため、半導体部２
４ｂ、２４ｄ等に直接透明電極が接している例を示した
が、変形例としてはこれ等の配線電極部や表示電極部と
半導体部の接触には不純物ドープをした薄膜ｎ十を介し
、更にまた部分的に金属を介して透明電極部へ接続する
こともできる。第６図は、このような変形の一例を示す
、ここで、２１はＴＰＴ（７）基板で、２２ａａがゲー
ト配線部の透明電極、１２２が半導体部直下の光遮蔽効
果を持つゲート部、３３は第１の絶縁層、２６ｂは透明
電極からなる画素電極、半導体部２４ｂにはｎ十層５１
を介して金属ソース電極２５ａと、金属ドレイン電極５
２が電気的に接し、絶縁層３３に設（すたコンタクトホ
ールを介して画素電極２６ｂに接続している。これ等で
構成されるＴＦＴ上に第２の絶縁層３７を設け、半導体
部上部に遮光金属又は光吸収層３８を設けても良い。
４ｂ、２４ｄ等に直接透明電極が接している例を示した
が、変形例としてはこれ等の配線電極部や表示電極部と
半導体部の接触には不純物ドープをした薄膜ｎ十を介し
、更にまた部分的に金属を介して透明電極部へ接続する
こともできる。第６図は、このような変形の一例を示す
、ここで、２１はＴＰＴ（７）基板で、２２ａａがゲー
ト配線部の透明電極、１２２が半導体部直下の光遮蔽効
果を持つゲート部、３３は第１の絶縁層、２６ｂは透明
電極からなる画素電極、半導体部２４ｂにはｎ十層５１
を介して金属ソース電極２５ａと、金属ドレイン電極５
２が電気的に接し、絶縁層３３に設（すたコンタクトホ
ールを介して画素電極２６ｂに接続している。これ等で
構成されるＴＦＴ上に第２の絶縁層３７を設け、半導体
部上部に遮光金属又は光吸収層３８を設けても良い。
なお、以上説明した例では、入射光側にＴＰＴ基板を設
けであるが、共通電極を入射光側に設けても同等の効果
が得られる。
けであるが、共通電極を入射光側に設けても同等の効果
が得られる。
先１立皇１
以上説明したように、本発明によれば、ＴＰＴマトリッ
クスの半導体部以外の部分の電極部を透明電極で構成す
ることによって、表示パネルとして見易い表示面を有す
るとともに、複写用原稿としても不要な黒点部を除いた
薄膜トランジスタ駆動の液晶画像形成装置が提供される
。
クスの半導体部以外の部分の電極部を透明電極で構成す
ることによって、表示パネルとして見易い表示面を有す
るとともに、複写用原稿としても不要な黒点部を除いた
薄膜トランジスタ駆動の液晶画像形成装置が提供される
。
第１図（ａ）は、本発明の画像形成装置（液晶パネル）
を含む表示ならびに複写装置系の表示状態における側面
図、第１図（ｂ）は同装置の複写状態における一部切欠
き正面図、第２図はパネルの構成要素の一つである薄膜
トランジスタをマトリクス配置した半導体駆動回路を有
する基板の斜視図、第３図は第２図に示す電極板と対向
基板とで構成される液晶表示パネルの厚さ方向断面図、
第４図は第２図とは別の実施例にかかるＴＰＴ基板の平
面図、第５図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第４図矢視
方向の断面図、第６図は更に別の実施例のＴＰＴ基板の
第５図Ｃ＆）に対応する断面図である。 ２１・・・ＴＰＴ基板 ２２ａａ、２２ａｂ＊ｅ透明ゲート線 ２４ａ、２４ｂ、、、−−ＴＦＴの薄膜半導体２５ａ、
２５ｂ、、−、透明ソース線 ３１・・φ対向基板 ３６・・拳液晶層 ３８ａ、３８ｂ・・・光遮蔽膜 ４０・・・第１の偏光板 ４１・・・第２の偏光板 ４２・・赤散乱反射板 藤３ 図 ＠４ｔｚ ｗ＆５−図 （Ｑ）（ｂ）
を含む表示ならびに複写装置系の表示状態における側面
図、第１図（ｂ）は同装置の複写状態における一部切欠
き正面図、第２図はパネルの構成要素の一つである薄膜
トランジスタをマトリクス配置した半導体駆動回路を有
する基板の斜視図、第３図は第２図に示す電極板と対向
基板とで構成される液晶表示パネルの厚さ方向断面図、
第４図は第２図とは別の実施例にかかるＴＰＴ基板の平
面図、第５図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第４図矢視
方向の断面図、第６図は更に別の実施例のＴＰＴ基板の
第５図Ｃ＆）に対応する断面図である。 ２１・・・ＴＰＴ基板 ２２ａａ、２２ａｂ＊ｅ透明ゲート線 ２４ａ、２４ｂ、、、−−ＴＦＴの薄膜半導体２５ａ、
２５ｂ、、−、透明ソース線 ３１・・φ対向基板 ３６・・拳液晶層 ３８ａ、３８ｂ・・・光遮蔽膜 ４０・・・第１の偏光板 ４１・・・第２の偏光板 ４２・・赤散乱反射板 藤３ 図 ＠４ｔｚ ｗ＆５−図 （Ｑ）（ｂ）
Claims (1)
- 入射光側より、第１の偏光板、マトリクス配置したスイ
ッチング用１！Ｌ膜トランジスタを備えた基板、液晶層
、対向電極を有する基板、第２の偏光板、および散乱反
射部材を順次積層配設してなる液晶パネルであって、前
記薄膜トランジスタを備えた基板上の半導体層形成部に
設けられたものを除く全ての電極が、透明電極で構成さ
れていることを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089989A JPS60233621A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 画像形成装置 |
| GB08511375A GB2160692B (en) | 1984-05-04 | 1985-05-03 | Lcd matrix elements |
| DE19853515978 DE3515978A1 (de) | 1984-05-04 | 1985-05-03 | Bilderzeugungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089989A JPS60233621A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233621A true JPS60233621A (ja) | 1985-11-20 |
Family
ID=13986045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089989A Pending JPS60233621A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60233621A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308779A (en) * | 1991-03-28 | 1994-05-03 | Honeywell Inc. | Method of making high mobility integrated drivers for active matrix displays |
| US6839098B2 (en) * | 1987-06-10 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP59089989A patent/JPS60233621A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839098B2 (en) * | 1987-06-10 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US6992744B2 (en) | 1987-06-10 | 2006-01-31 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US7196762B2 (en) | 1987-06-10 | 2007-03-27 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US7450210B2 (en) | 1987-06-10 | 2008-11-11 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US5308779A (en) * | 1991-03-28 | 1994-05-03 | Honeywell Inc. | Method of making high mobility integrated drivers for active matrix displays |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI291588B (en) | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device | |
| US6493051B2 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
| JP3270821B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| TWI243934B (en) | Liquid crystal display and manufacturing method and electronic machine thereof | |
| US7167223B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| CN101236319A (zh) | 带输入功能的显示装置 | |
| JP2004109777A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| TW200933275A (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| KR20010031885A (ko) | 액정 패널용 기판, 액정 패널 및 이것을 사용한 전자기기및 액정 패널용 기판의 제조 방법 | |
| US6980270B2 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal display panel of transflective type, and liquid crystal display device of transflective type | |
| US6879360B2 (en) | Reflective liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| JP4049639B2 (ja) | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 | |
| KR100591234B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| JPS60233621A (ja) | 画像形成装置 | |
| TW200844579A (en) | Liquid crystal display device and electronic apparatus | |
| JP4107047B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
| JP2004157148A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| JPS60233620A (ja) | 画像形成装置 | |
| US6822777B2 (en) | Semi-transparent reflective electro-optic apparatus and electronic equipment using the same | |
| JP4110889B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| TWI252945B (en) | Reflective liquid crystal display device | |
| JPH0933945A (ja) | 画像表示装置 | |
| JPS60233619A (ja) | 画像形成装置 | |
| KR100476038B1 (ko) | 액정표시소자및그제조방법 | |
| JP2007071938A (ja) | 液晶装置および電子機器 |