JPS60233801A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS60233801A JPS60233801A JP59088917A JP8891784A JPS60233801A JP S60233801 A JPS60233801 A JP S60233801A JP 59088917 A JP59088917 A JP 59088917A JP 8891784 A JP8891784 A JP 8891784A JP S60233801 A JPS60233801 A JP S60233801A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は酸化亜鉛を主成分とし、電圧非直線性を有する
焼結体中の酸化亜鉛粒界偏析相を主としてチタン酸ビス
マス層状化合物で構成することにより立上り電圧の低電
圧化と熱的安定性を備えた電圧非直線抵抗体に関する。
焼結体中の酸化亜鉛粒界偏析相を主としてチタン酸ビス
マス層状化合物で構成することにより立上り電圧の低電
圧化と熱的安定性を備えた電圧非直線抵抗体に関する。
［発明の技術的前ＪＱＩ
近年、ＩＣ，ｌ−ランジスタ、サイリスタなどの半導体
素子および半導体回路とその応用の急速な発展に伴い、
制御２通信機器および電力機器における半導体および半
導体回路の使用が普及し、これら機器の小形化、高性能
化が急速に進展している。しかし、他方ではこのような
進歩に伴い、これらの機器やその部品の耐電圧、耐サー
ジ、耐ノイズ性は十分とは言えない。このためこれらの
機器や部品を異状なサージやノイズから保護すること、
あるいは回路電圧を安定化することが必要である。これ
らの目的のためこれまではＳｉＣやＳｉバリスタが多用
されてきた。また最近では酸化亜鉛を主成分として、こ
れに添加物を加えたバリスタが開発されている。しかし
最近は半導体および半導体回路の高密度化、高集積化に
伴い半導体および半導体回路の低電圧、化、低電力化が
いっそう促進されている。これらの半導体や半導体回路
を保護するためあるいは＠ＩＢＭ圧を安定化す・るため
にさらに低電圧で働くバリスタが必要となっχきた。
素子および半導体回路とその応用の急速な発展に伴い、
制御２通信機器および電力機器における半導体および半
導体回路の使用が普及し、これら機器の小形化、高性能
化が急速に進展している。しかし、他方ではこのような
進歩に伴い、これらの機器やその部品の耐電圧、耐サー
ジ、耐ノイズ性は十分とは言えない。このためこれらの
機器や部品を異状なサージやノイズから保護すること、
あるいは回路電圧を安定化することが必要である。これ
らの目的のためこれまではＳｉＣやＳｉバリスタが多用
されてきた。また最近では酸化亜鉛を主成分として、こ
れに添加物を加えたバリスタが開発されている。しかし
最近は半導体および半導体回路の高密度化、高集積化に
伴い半導体および半導体回路の低電圧、化、低電力化が
いっそう促進されている。これらの半導体や半導体回路
を保護するためあるいは＠ＩＢＭ圧を安定化す・るため
にさらに低電圧で働くバリスタが必要となっχきた。
バリスタの電圧電流特性は一般につぎの関係式１式％）
で表わされる。ここでＶはバリスタ素体に印加される電
圧であり、■はバリスタ素体を流れる電流である。また
Ｃは与えられた電流を流したときの電圧に対応する定数
である。α−１はオームの法則にしたがう普通の抵抗体
であり、αが大きいほど非直線性は優れている。
圧であり、■はバリスタ素体を流れる電流である。また
Ｃは与えられた電流を流したときの電圧に対応する定数
である。α−１はオームの法則にしたがう普通の抵抗体
であり、αが大きいほど非直線性は優れている。
ここではバリスタ特性をＣとαで表わす代わりに電流を
１ｍ八へｃｆｆｌの電流密度で流したときの立上り電圧
Ｖ １ ｍＡとαで表わす。焼結体自体が電圧非直線性
をもつ代表的なものであるＳｉＣバリスタはＳｉＣ粒子
を磁器結合剤で焼き固めたもので、その非直線性はＳｉ
Ｃ粒子の接触抵抗の電圧依存性に起因している。バリス
タの素体厚さ１ ｍｍの場合電流を１ｍ＾／ ｃＭ流し
たときの立上り電圧をＶ １ ｍＡ／繭とするとＳｉＣ
バリスタはＳｉＣ粒子の粒径と素体厚さを制御すること
によりＶ １ ｍ八が数■のものから数千Ｖのものまで
製造可能であるが、非直線係数αが３〜７と小さいため
十カでない。またＳｉＣバリスタと同様に焼結体自体が
非直線性を有するものに酸化亜鉛系バリスタがある。こ
れは酸化亜鉛を主成分とし添加物として少量の酸化ビス
マス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモンな
どを含むものである。酸化亜鉛系バリスタの非直線係数
は約２０〜５０でありＳｉＣバリスタに比して非常に優
れた非直線性を示す。このため半導体や半導体回路の保
護に非常に適しているが、半導体や半導体回路の使用電
圧がまずます低電圧化の傾向にある。
１ｍ八へｃｆｆｌの電流密度で流したときの立上り電圧
Ｖ １ ｍＡとαで表わす。焼結体自体が電圧非直線性
をもつ代表的なものであるＳｉＣバリスタはＳｉＣ粒子
を磁器結合剤で焼き固めたもので、その非直線性はＳｉ
Ｃ粒子の接触抵抗の電圧依存性に起因している。バリス
タの素体厚さ１ ｍｍの場合電流を１ｍ＾／ ｃＭ流し
たときの立上り電圧をＶ １ ｍＡ／繭とするとＳｉＣ
バリスタはＳｉＣ粒子の粒径と素体厚さを制御すること
によりＶ １ ｍ八が数■のものから数千Ｖのものまで
製造可能であるが、非直線係数αが３〜７と小さいため
十カでない。またＳｉＣバリスタと同様に焼結体自体が
非直線性を有するものに酸化亜鉛系バリスタがある。こ
れは酸化亜鉛を主成分とし添加物として少量の酸化ビス
マス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモンな
どを含むものである。酸化亜鉛系バリスタの非直線係数
は約２０〜５０でありＳｉＣバリスタに比して非常に優
れた非直線性を示す。このため半導体や半導体回路の保
護に非常に適しているが、半導体や半導体回路の使用電
圧がまずます低電圧化の傾向にある。
［背景技術の問題点］
これまでの酸化亜鉛系バリスタでは、上記のような低電
圧化に対応する低電圧バリスタ（ＶｌｍＡが約２０■）
を製造することが非常に困難であった。この理由として
酸化亜鉛系バリスタの微細描造は第１図に示すように低
抵抗の酸化亜鉛結晶粒（１）を非直線性を発揮させる高
抵抗の粒界層（２）で取囲んだものである。図中（３）
は電極、（４）は端子である。このため焼結体厚さ１１
Ｗｎ当たりの■１１Ｉｌ＾／ ｍｍは素体の厚み方向に
存在する粒界層（２）の数により決定される。酸化亜鉛
系バリスタでは１粒界層当たりの立上り電圧は約２．５
■程瓜である。
圧化に対応する低電圧バリスタ（ＶｌｍＡが約２０■）
を製造することが非常に困難であった。この理由として
酸化亜鉛系バリスタの微細描造は第１図に示すように低
抵抗の酸化亜鉛結晶粒（１）を非直線性を発揮させる高
抵抗の粒界層（２）で取囲んだものである。図中（３）
は電極、（４）は端子である。このため焼結体厚さ１１
Ｗｎ当たりの■１１Ｉｌ＾／ ｍｍは素体の厚み方向に
存在する粒界層（２）の数により決定される。酸化亜鉛
系バリスタでは１粒界層当たりの立上り電圧は約２．５
■程瓜である。
酸化亜鉛に酸化ビスマス、酸化コバルト、ｗｉ化マンガ
ンなどを加えたものを１１００〜１３００℃の湿度で焼
結したとき、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒（１）の粒径は
３０〜４０μｍ程度である。このためＶ １ ｍＡ／
ｍｍは４０Ｖ以上となる。こめためＶｌｍＡ−２０Ｖの
バリスタを製造するには厚さ０，５ｍの素体をつくる必
要がある。この揚台微細構造は酸化亜鉛結晶粒（１）が
１０個直列につながり粒子と粒子との間に８個の粒界層
（２）が存在するかたちになる。厚さ０．５ｍｍの素体
を製造する方法として焼結体を研磨しＣ所定の厚さを得
る方法がある。しかし焼結体は酸化亜鉛結晶粒（１）を
主としてビスマス酸化物からなる粒界層（２）が取囲ん
でいるため機械的強度は弱い。このため研磨中に゛ 酸
化亜鉛結晶粒（１）が脱落したりマイクロクラックが発
生し局部的に電圧の低い欠陥部が生ずる。
ンなどを加えたものを１１００〜１３００℃の湿度で焼
結したとき、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒（１）の粒径は
３０〜４０μｍ程度である。このためＶ １ ｍＡ／
ｍｍは４０Ｖ以上となる。こめためＶｌｍＡ−２０Ｖの
バリスタを製造するには厚さ０，５ｍの素体をつくる必
要がある。この揚台微細構造は酸化亜鉛結晶粒（１）が
１０個直列につながり粒子と粒子との間に８個の粒界層
（２）が存在するかたちになる。厚さ０．５ｍｍの素体
を製造する方法として焼結体を研磨しＣ所定の厚さを得
る方法がある。しかし焼結体は酸化亜鉛結晶粒（１）を
主としてビスマス酸化物からなる粒界層（２）が取囲ん
でいるため機械的強度は弱い。このため研磨中に゛ 酸
化亜鉛結晶粒（１）が脱落したりマイクロクラックが発
生し局部的に電圧の低い欠陥部が生ずる。
またもうひとつの方法として焼結体が所定の厚さになる
ように焼結後の収縮率を加味して薄い板状に成型する方
法がある。この場合は収縮率を加味して０．６〜０．７
ｍｍの厚さに成型しなければならない。しかし成型体の
機械的強度は非常に弱いため割れや欠けなどが生じ成型
体の取扱いが非常に困難である。
ように焼結後の収縮率を加味して薄い板状に成型する方
法がある。この場合は収縮率を加味して０．６〜０．７
ｍｍの厚さに成型しなければならない。しかし成型体の
機械的強度は非常に弱いため割れや欠けなどが生じ成型
体の取扱いが非常に困難である。
これらの欠点をなくすためには焼結体の酸化亜鉛結晶粒
（１）の粒径を約１００μｍまで成長させ、素体厚さが
約１．０ａ＊ｒＶ １１１１Ａ＝２０Ｖ（７）ハｊＪス
タができるようにし、成型体強度を強くする必要がある
。最近酸化亜鉛系低電圧バリスタの製造方法として例え
ば特開昭５４−１４０９９５号公報で提案されているよ
うに粒径が１００μｍ程度の酸化亜鉛結晶粒（１）を使
用する方法がある。これは焼結過程で酸化亜鉛結晶粒（
１）を１００μｍ程度の大きさまで成長させることが困
難なため主成分である酸化亜鉛の一部に最初から大きく
成長させた酸化亜鉛結晶粒（１）を使用づ−るものであ
る。
（１）の粒径を約１００μｍまで成長させ、素体厚さが
約１．０ａ＊ｒＶ １１１１Ａ＝２０Ｖ（７）ハｊＪス
タができるようにし、成型体強度を強くする必要がある
。最近酸化亜鉛系低電圧バリスタの製造方法として例え
ば特開昭５４−１４０９９５号公報で提案されているよ
うに粒径が１００μｍ程度の酸化亜鉛結晶粒（１）を使
用する方法がある。これは焼結過程で酸化亜鉛結晶粒（
１）を１００μｍ程度の大きさまで成長させることが困
難なため主成分である酸化亜鉛の一部に最初から大きく
成長させた酸化亜鉛結晶粒（１）を使用づ−るものであ
る。
しかし大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒（１）を得るに
は酸化亜鉛に炭酸バリウムや炭酸ストロンチウムを加え
たものを成型、焼結し、この焼結体を純水中で煮沸する
ことにより酸化亜鉛結晶粒（１）を取囲んだ１３ａやＳ
ｒを水に溶解させ焼結体を分解する必要がある。また酸
化亜鉛結晶粒（１）以外の原料の粒径は数μｍ以下であ
る。このため焼結過程で酸化亜鉛結晶粒（１）部分と他
の原料粉末部分とに収縮率の差が生じ焼結体が多孔質に
なる。
は酸化亜鉛に炭酸バリウムや炭酸ストロンチウムを加え
たものを成型、焼結し、この焼結体を純水中で煮沸する
ことにより酸化亜鉛結晶粒（１）を取囲んだ１３ａやＳ
ｒを水に溶解させ焼結体を分解する必要がある。また酸
化亜鉛結晶粒（１）以外の原料の粒径は数μｍ以下であ
る。このため焼結過程で酸化亜鉛結晶粒（１）部分と他
の原料粉末部分とに収縮率の差が生じ焼結体が多孔質に
なる。
このためＶ １ ｍＡ／ ｍｍが低く緻密な素体を得る
には酸化亜鉛結晶粒（月の焼結温度２粒径、添加割合。
には酸化亜鉛結晶粒（月の焼結温度２粒径、添加割合。
結晶核以外の原料の組成などの条件の選択が複雑となる
。
。
また添加物に酸化ビスマスを含む酸化亜鉛系バリスタの
欠点として焼結体の熱処理条件（電極焼付工程も含む）
により寿命特性が大ぎく変わることがあげられる。これ
は非σ線性を発揮させる粒界層（２）が主として酸化ビ
スマスからなるためである。熱処理前の焼結体中の酸化
ビスマス結晶相はα相、β相、δ相のうちの少なくとも
１種類を含む。この焼結体を熱処理することにより酸化
ビスマスは全てγ相に変わる。このγ相への変化の過程
により寿命特性が大ぎく変動すると考えられる。
欠点として焼結体の熱処理条件（電極焼付工程も含む）
により寿命特性が大ぎく変わることがあげられる。これ
は非σ線性を発揮させる粒界層（２）が主として酸化ビ
スマスからなるためである。熱処理前の焼結体中の酸化
ビスマス結晶相はα相、β相、δ相のうちの少なくとも
１種類を含む。この焼結体を熱処理することにより酸化
ビスマスは全てγ相に変わる。このγ相への変化の過程
により寿命特性が大ぎく変動すると考えられる。
このように酸化亜鉛を主成分として添加物に酸化ビスマ
スを含む組成系で低電圧バリスタを製造づるには工程数
が非常に多（、かつ条件の選択や管理も複雑であるとい
う欠点があった。
スを含む組成系で低電圧バリスタを製造づるには工程数
が非常に多（、かつ条件の選択や管理も複雑であるとい
う欠点があった。
［発明の目的］
本発明は酸化亜鉛を主成分とし酸化亜鉛粒界偏析相が主
として酸化ビスマスに代えチタン酸ビスマス層状化合物
で構成することにより焼結体中の酸化亜鉛結晶粒子を１
００μｍ以上に成長させた低電圧の電圧非直線抵抗体を
提供せんとするものである。
として酸化ビスマスに代えチタン酸ビスマス層状化合物
で構成することにより焼結体中の酸化亜鉛結晶粒子を１
００μｍ以上に成長させた低電圧の電圧非直線抵抗体を
提供せんとするものである。
［発明の概要］
本発明の電圧非直線抵抗体は酸化亜鉛を主成分とし焼結
体自体が電圧非直線性を有する電圧非直線抵抗体１おい
て、焼結体の酸化亜鉛結晶粒界偏析相が主として ２＋。
体自体が電圧非直線性を有する電圧非直線抵抗体１おい
て、焼結体の酸化亜鉛結晶粒界偏析相が主として ２＋。
（Ｂ ｉ ２０２） （Ｂ ＋ ２Ｔ ｉ ３０１０）
”−テ示すれるビスマス層状化合物からなるものであ
る。
”−テ示すれるビスマス層状化合物からなるものであ
る。
［発明の実施例］
以下本発明の詳細について説明する。すなわち酸化亜鉛
粒界偏析相が主としてチタン酸ビスマス層状化合物から
なるバリスタの微細構造は従来の酸化ビスマスからなる
ものと同様であり非直線性を発揮させる粒界層がチタン
酸ビスマス層状化合物からなるものである。これにより
熱処理工程における粒界層の結晶相変化をなくすことが
可能となった。このように本発明は酸化亜鉛結晶粒界偏
析相が主として酸化ビスマスに代えチタン酸ビスマス層
状化合物で構成したことによって得られる高信頼性、低
電圧電圧非直線抵抗体である。
粒界偏析相が主としてチタン酸ビスマス層状化合物から
なるバリスタの微細構造は従来の酸化ビスマスからなる
ものと同様であり非直線性を発揮させる粒界層がチタン
酸ビスマス層状化合物からなるものである。これにより
熱処理工程における粒界層の結晶相変化をなくすことが
可能となった。このように本発明は酸化亜鉛結晶粒界偏
析相が主として酸化ビスマスに代えチタン酸ビスマス層
状化合物で構成したことによって得られる高信頼性、低
電圧電圧非直線抵抗体である。
つぎに本発明の実施例について説明する。酸化亜鉛９、
酸化ビスマス、チタン酸ビスマス層状化合物、酸化コバ
ルト、酸化マンガン、酸化ニッケルを出発原料として第
１表に示す組成割合に秤量。
酸化ビスマス、チタン酸ビスマス層状化合物、酸化コバ
ルト、酸化マンガン、酸化ニッケルを出発原料として第
１表に示す組成割合に秤量。
混合し、乾燥、造粒、成型後１１００〜１３００℃の温
度で焼結し直径１５＃Ｉ、厚さ１．０ａｍの焼結体を得
た。これにオーミンクな接触を示す１．０ｃｄの電極を
形成しＶＩＩＩＩＡ／ｓと非直線係数αを測定した。第
１表にその結果を示す。本発明の実施例はＯ印を付した
組成Ｎｏ、 ５〜８であり、これらは１２２０℃の温度
で２時間焼結したものである。
度で焼結し直径１５＃Ｉ、厚さ１．０ａｍの焼結体を得
た。これにオーミンクな接触を示す１．０ｃｄの電極を
形成しＶＩＩＩＩＡ／ｓと非直線係数αを測定した。第
１表にその結果を示す。本発明の実施例はＯ印を付した
組成Ｎｏ、 ５〜８であり、これらは１２２０℃の温度
で２時間焼結したものである。
（以下余白）
第１表において組成Ｎ（１１〜４は酸化ビスマスの量を
変えた参考例であり、組成Ｎｏ、 ５〜８はチタン酸ビ
スマス化合物のＭを変えた実施例である。
変えた参考例であり、組成Ｎｏ、 ５〜８はチタン酸ビ
スマス化合物のＭを変えた実施例である。
第１表から実施例の組成Ｎｏ、 ５〜８が最もＶ １
ｍＡ／履が低くなり、かつ非直線係数αも高く効果が顕
著であることがわかる。また酸化ビスマス、チタン酸ビ
スマス化合物のそれぞれの添加量に対する焼結体のＶＩ
ＩＩＩＡ／ｍの変化を第２図に、非直線係数αの変化を
第３図に示す。第２図および第３図において曲線Ａは酸
化ビスマス、曲線Ｂはチタン酸ビスマス化合物の場合を
示す。
ｍＡ／履が低くなり、かつ非直線係数αも高く効果が顕
著であることがわかる。また酸化ビスマス、チタン酸ビ
スマス化合物のそれぞれの添加量に対する焼結体のＶＩ
ＩＩＩＡ／ｍの変化を第２図に、非直線係数αの変化を
第３図に示す。第２図および第３図において曲線Ａは酸
化ビスマス、曲線Ｂはチタン酸ビスマス化合物の場合を
示す。
第２図および第３図からチタン酸ビスマス層状化合物を
添加した曲線Ｂの実施例は、酸化ビスマスを添加した曲
線Ａの参考例と比較して非直線係数αをそこなうことな
く酸化亜鉛結晶粒を大きく成長させることがわかる。第
４図は熱処理温度に対する寿命特性、すなわち空気中２
５℃の雰囲気で１ｍ＾／ｄの電流を１０００時間通電し
たときの立上り電圧Ｖ １ ｍＡの変化率ΔＶ ｌ ｍ
Ａを示すもので、曲線Ａ２は組成ＮＱ２の参考例１曲線
Ｂ６は組成Ｎ０６の実施例の場合を示す。第４図から酸
化亜鉛結晶粒界偏析相としてチタン酸ビスマス層状化合
物を含む曲線Ｂ６の実施例は熱処理温度に影響されない
ことがわかる。またチタン酸ヒスマス層状化合物の添加
量が０．０５モル％未満では酸化亜鉛結晶粒を成長させ
るのに十分でなくＶ１１１Ａ／ｍが高くなるため適当で
ない。また３、０モル％を越えると必要量以上となり焼
結体表面に析出し焼結体が融着するなどの弊害が生じ、
かつＶ １ ｍＡ／ ｍｍも高くなり、非直線係数αも
低くなりはじめるので適当でない。
添加した曲線Ｂの実施例は、酸化ビスマスを添加した曲
線Ａの参考例と比較して非直線係数αをそこなうことな
く酸化亜鉛結晶粒を大きく成長させることがわかる。第
４図は熱処理温度に対する寿命特性、すなわち空気中２
５℃の雰囲気で１ｍ＾／ｄの電流を１０００時間通電し
たときの立上り電圧Ｖ １ ｍＡの変化率ΔＶ ｌ ｍ
Ａを示すもので、曲線Ａ２は組成ＮＱ２の参考例１曲線
Ｂ６は組成Ｎ０６の実施例の場合を示す。第４図から酸
化亜鉛結晶粒界偏析相としてチタン酸ビスマス層状化合
物を含む曲線Ｂ６の実施例は熱処理温度に影響されない
ことがわかる。またチタン酸ヒスマス層状化合物の添加
量が０．０５モル％未満では酸化亜鉛結晶粒を成長させ
るのに十分でなくＶ１１１Ａ／ｍが高くなるため適当で
ない。また３、０モル％を越えると必要量以上となり焼
結体表面に析出し焼結体が融着するなどの弊害が生じ、
かつＶ １ ｍＡ／ ｍｍも高くなり、非直線係数αも
低くなりはじめるので適当でない。
なお上記実施例で用いた添加物に加えてさらにＳｂ、Ｃ
ｒ’、Ｓｎ、ＡＩ、ＭＯ，８ａ、Ｂ、Ｓｉ。
ｒ’、Ｓｎ、ＡＩ、ＭＯ，８ａ、Ｂ、Ｓｉ。
Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｒの酸化物を少量添加せしめることによ
り非直線性をいっそう改善できる。
り非直線性をいっそう改善できる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明は酸化亜鉛を主成分とし、酸
化亜鉛結晶粒界偏析相としてチタン酸ビスマス層状化合
物をＢ ｆ ４ Ｔ ｉ ３０１２の形にして１％！算
して０，０５〜３．０モル％含むことによって酸化亜鉛
結晶粒を１００μｍ以上に成長させることができ、かつ
熱処理工程における粒界層の結晶相変化がないため信頼
性が高く特性の安定した電圧非直線抵抗体を提供するこ
とができる。
化亜鉛結晶粒界偏析相としてチタン酸ビスマス層状化合
物をＢ ｆ ４ Ｔ ｉ ３０１２の形にして１％！算
して０，０５〜３．０モル％含むことによって酸化亜鉛
結晶粒を１００μｍ以上に成長させることができ、かつ
熱処理工程における粒界層の結晶相変化がないため信頼
性が高く特性の安定した電圧非直線抵抗体を提供するこ
とができる。
第１図は酸化亜鉛系バリスタの微りＩＩｍ造を示す拡大
断面図、第２図〜第４図は本発明の実施例と参考例との
特性比較を示すもので第２図は添加物の添加量に対する
Ｖ１ｆｆｌＡ／Ｉｒｍの変化を示す曲線図、第３図は同
様に非直線係数αの変化を示す曲線図、第４図は熱処理
温度に対するＶ １ ｍＡの変化率を示す曲線図である
。 （１）・・・・・・酸化亜鉛結晶粒 （２） ・・・・・・粒 界 層 （３）・・・・・・電 極 （４）・・・・・・端 子 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 第１図 第２図 擢 力ｃＩ 畳 （モルそ） 第３図 ０．０３０．０５ ０． Ｓ Ｄ、 ＩＩ ３．０ η
Ｏノに カロ １ｋ （七ｌし％） 第４図 ＠恐埋４ ｇ （−Ｃ）
断面図、第２図〜第４図は本発明の実施例と参考例との
特性比較を示すもので第２図は添加物の添加量に対する
Ｖ１ｆｆｌＡ／Ｉｒｍの変化を示す曲線図、第３図は同
様に非直線係数αの変化を示す曲線図、第４図は熱処理
温度に対するＶ １ ｍＡの変化率を示す曲線図である
。 （１）・・・・・・酸化亜鉛結晶粒 （２） ・・・・・・粒 界 層 （３）・・・・・・電 極 （４）・・・・・・端 子 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 第１図 第２図 擢 力ｃＩ 畳 （モルそ） 第３図 ０．０３０．０５ ０． Ｓ Ｄ、 ＩＩ ３．０ η
Ｏノに カロ １ｋ （七ｌし％） 第４図 ＠恐埋４ ｇ （−Ｃ）
Claims (2)
- （１）酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自体が電圧非直線
性を有する電圧非直線抵抗体において、焼結体の酸化亜
鉛結晶粒界偏析相が主として２＋、 ２−− （Ｂ Ｉ ２０２ ） （Ｂ ｌ ２Ｔ ｆ ３０１ｏ
） でボされるどスマス層状化合物からなることを特徴
どする電圧非直線抵抗体。 - （２）ビスマス層状化合物が８ ！ ４ Ｔ ！ ３０
１２の型にして０．０５〜３，０モル％含まれることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電圧非直線
抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088917A JPS60233801A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088917A JPS60233801A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233801A true JPS60233801A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0249521B2 JPH0249521B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13956270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59088917A Granted JPS60233801A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60233801A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5004713A (en) * | 1989-07-05 | 1991-04-02 | Corning Incorporated | Frequency stable NPO ceramics |
| US5739742A (en) * | 1995-08-31 | 1998-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
| US5770113A (en) * | 1995-03-06 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP59088917A patent/JPS60233801A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5004713A (en) * | 1989-07-05 | 1991-04-02 | Corning Incorporated | Frequency stable NPO ceramics |
| US5770113A (en) * | 1995-03-06 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
| US6146552A (en) * | 1995-03-06 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
| US5739742A (en) * | 1995-08-31 | 1998-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249521B2 (ja) | 1990-10-30 |
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