JPH0249521B2 - - Google Patents
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- JPH0249521B2 JPH0249521B2 JP59088917A JP8891784A JPH0249521B2 JP H0249521 B2 JPH0249521 B2 JP H0249521B2 JP 59088917 A JP59088917 A JP 59088917A JP 8891784 A JP8891784 A JP 8891784A JP H0249521 B2 JPH0249521 B2 JP H0249521B2
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Landscapes
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Description
［発明の技術分野］
本発明は酸化亜鉛を主成分とし、電圧非直線性
を有する焼結体中の酸化亜鉛粒界偏析相を主とし
てチタン酸ビスマス層状化合物で構成することに
より立上り電圧の低電圧化と熱的安定性を備えた
電圧非直線抵抗体に関する。 ［発明の技術的背景］ 近年、IC、トランジスタ、サイリスタなどの
半導体素子および半導体回路とその応用の急速な
発展に伴い、制御、通信機器および電力機器にお
ける半導体および半導体回路の使用が普及し、こ
れら機器の小形化、高性能化が急速に進展してい
る。しかし、他方ではこのような進歩に伴い、こ
れらの機器やその部品の耐電圧、耐サージ、耐ノ
イズ性は十分とは言えない。このためこれらの機
器や部品を異状なサージやノイズから保護するこ
と、あるいは回路電圧を安定化することが必要で
ある。これら目的のためにこれまではSiCやSiバ
リスタが多用されてきた。また最近では酸化亜鉛
を主成分として、これに添加物を加えたバリスタ
が開発されている。しかし最近は半導体および半
導体回路の高密度化、高集積化に伴い半導体およ
び半導体回路の低電圧化、低電力化がいつそう促
進されている。これらの半導体や半導体回路を保
護するためあるいは回路電圧を安定化するために
さらに低電圧で働くバリスタが必要となつてき
た。 バリスタの電圧電流特性は一般につぎの関係式 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 で表わされる。ここでＶはバリスタ素体に印加さ
れる電圧であり、Ｉはバリスタ素体を流れる電流
である。またＣは与えられた電流を流したときの
電圧に対応する定数である。α＝１はオームの法
則にしたがう普通の抵抗体であり、αが大きいほ
ど非直線性は優れている。 ここではバリスタ特性はＣとαで表わす代わり
に電流を１ｍＡ／cm2の電流密度で流したときの立
上り電圧V1ｍＡとαで表わす。焼結体自体が電
圧非直線性をもつ代表的なものであるSiCバリス
タはSiC粒子を磁器結合剤で焼き固めたもので、
その非直線性はSiC粒子の接触抵抗の電圧依存性
に起因している。バリスタの素体厚さ１mmの場合
電流を１ｍＡ／cm2流したときの立上り電圧をV1
ｍＡ／mmとするとSiCバリスタはSiC粒子の粒径
と素体厚さを制御することによりV1ｍＡが数Ｖ
のものから数千Ｖのものまで製造可能であるが、
非直線係数αが３〜７と小さいため十分でない。
またSiCバリスタと同様に焼結体自体が非直線性
を有するものに酸化亜鉛系バリスタがある。これ
は酸化亜鉛を主成分とし添加物として少量の酸化
ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ア
ンチモンなどを含むものである。酸化亜鉛系バリ
スタの非直線係数は約20〜50でありSiCバリスタ
に比して非常に優れた非直線性を示す。このため
半導体や半導体回路の保護に非常に適している
が、半導体が半導体回路の使用電圧がますます低
電圧化の傾向にある。 ［背景技術の問題点］ これまでの酸化亜鉛系バリスタでは、上記のよ
うな低電圧化に対応する低電圧バリスタ（V1ｍ
Ａが約20V）を製造することが非常に困難であつ
た。この理由として酸化亜鉛系バリスタの微細構
造は第１図に示すように低抵抗の酸化亜鉛結晶粒
１を非直線性を発揮させる高抵抗の粒界層２で取
囲んだものである。図中３は電極、４は端子であ
る。このため焼結体厚さ１mm当たりのV1ｍＡ／
mmは素体の厚み方向に存在する粒界層２の数によ
り決定される。酸化亜鉛系バリスタでは１粒界層
当たりの立上り電圧は約2.5V程度である。 酸化亜鉛に酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化
マンガンなどを加えたものを1100〜1300℃の温度
で焼結したとき、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒１の
粒径は30〜40μｍ程度である。このためV1ｍＡ／
mmは40V以上となる。このためV1ｍＡ＝20Vのバ
リスタを製造するには厚さ0.5mmの素体をつくる
必要がある。この場合微細構造は酸化亜鉛結晶粒
１が10個直列につながり粒子と粒子との間に８個
の粒界層２が存在するかたちになる。厚さ0.5mm
の素体を製造する方法として焼結体を研磨して所
定の厚さを得る方法がある。しかし焼結体は酸化
亜鉛結晶粒１を主としてビスマス酸化物からなる
粒界層２が取囲んでいるため機械的強度は弱い。
このため研磨中に酸化亜鉛結晶粒１が脱落したり
マイクロクラツクが発生し局部的に電圧の低い欠
陥部が生ずる。またもうひとつの方法として焼結
体が所定の厚さになるように焼結後の収縮率を加
味して薄い板状に成型する方法がある。この場合
は収縮率を加味して0.6〜0.7mmの厚さに成型しな
ければならない。しかし成型体の機械的強度は非
常に弱いため割れや欠けなどが生じ成型体の取扱
いが非常に困難である。 これらの欠点をなくすためには焼結体の酸化亜
鉛結晶粒１の粒径を約100μｍまで成長させ、素
体厚さが約1.0mmでV1ｍＡ＝20Vのバリスタがで
きるようにし、成型体強度を強くするる必要があ
る。最近酸化亜鉛系低電圧バリスタの製造方法と
して例えば特開昭54−140995号公報で提案されて
いるように粒径が100μｍ程度の酸化亜鉛結晶粒
１を使用する方法がある。これは焼結過程で酸化
亜鉛結晶粒１を100μｍ程度の大きさまで成長さ
せることが困難なため主成分である酸化亜鉛の一
部に最初から大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒１
を使用するものである。しかし大きく成長させた
酸化亜鉛結晶粒１を得るには酸化亜鉛に炭酸バリ
ウムや炭酸ストロンチウムを加えたものを成型、
焼結し、この焼結体を純水中で煮沸することによ
り酸化亜鉛結晶粒１を取囲んだBaやSrを水に溶
解させ焼結体を分解する必要がある。また酸化亜
鉛結晶粒１以外の原料の粒径は数μｍ以下であ
る。このため焼結過程で酸化亜鉛結晶粒１部分と
他の原料粉末部分とに収縮率の差が生じ焼結体が
多孔質になる。このためV1ｍＡ／mmが低く緻密
な素体を得るには酸化亜鉛結晶粒１の焼結温度、
粒径、添加割合、結晶核以外の原料の組成などの
条件の選択が複雑となる。 また添加物に酸化ビスマスを含む酸化亜鉛系バ
リスタの欠点として焼結体の熱処理条件（電極焼
付工程も含む）により寿命特性が大きく変わるこ
とがあげられる。これは非直線性を発揮させる粒
界層２が主として酸化ビスマスからなるためであ
る。熱処理前の焼結体中の酸化ビスマス結晶相は
α相、β相、δ相のうちの少なくとも１種類を含
む。この焼結体を熱処理することにより酸化ビス
マスは全てγ相に変わる。このγ相への変化の過
程により寿命特性が大きく変動すると考えられ
る。このように酸化亜鉛を主成分として添加物に
酸化ビスマスを含む組成系で低電圧バリスタを製
造するには工程数が非常に多く、かつ条件の選択
や管理も複雑であるという欠点があつた。 ［発明の目的］ 本発明は酸化亜鉛を主成分とし酸化亜鉛粒界偏
析相が主として酸化ビスマスに与えチタン酸ビス
マス層状化合物で構成することにより焼結体中の
酸化亜鉛結晶粒子を100μｍ以上に成長させた低
電圧の電圧非直線抵抗体を提供せんとするもので
ある。 ［発明の概要］ 本発明の電圧非直線抵抗体は酸化亜鉛を主成分
とし焼結体自体が電圧非直線性を有する電圧非直
線抵抗体において、焼結体の酸化亜鉛結晶粒界偏
析相が主として（Bi2O2）2+（Bi2Ti3O10）2-で示
されるビスマス層状化合物からなるものである。 ［発明の実施例］ 以下本発明の詳細について説明する。すなわち
酸化亜鉛粒界偏析相が主としてチタン酸ビスマス
層状化合物からなるバリスタの微細構造は従来の
酸化ビスマスからなるものと同様であり非直線性
を発揮させる粒界層がチタン酸ビスマス層状化合
物からなるものである。これにより熱処理工程に
おける粒界層の結晶相変化をなくすことが可能と
なつた。このように本発明は酸化亜鉛結晶粒界偏
析相が主として酸化ビスマスに代えチタン酸ビス
マス層状化合物で構成したことによつて得られる
高信頼性、低電圧非直線抵抗体である。 つぎに本発明の実施例について説明する。酸化
亜鉛、酸化ビスマス、チタン酸ビスマス層状化合
物、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ニツケル
を出発原料として第１表に示す組成割合に秤量、
混合し、乾燥、造粒、成型後1100〜1300℃の温度
で焼結し直径15mm、厚さ1.0mmの焼結体を得た。
これにオーミツクな接触を示す1.0cm2の電極を形
成しV1ｍＡ／mmと非直線係数αを測定した。第
１表にその結果を示す。本発明の実施例は〇印を
付した組成No.５〜８であり、これらは1220℃の温
度で２時間焼結したものである。
を有する焼結体中の酸化亜鉛粒界偏析相を主とし
てチタン酸ビスマス層状化合物で構成することに
より立上り電圧の低電圧化と熱的安定性を備えた
電圧非直線抵抗体に関する。 ［発明の技術的背景］ 近年、IC、トランジスタ、サイリスタなどの
半導体素子および半導体回路とその応用の急速な
発展に伴い、制御、通信機器および電力機器にお
ける半導体および半導体回路の使用が普及し、こ
れら機器の小形化、高性能化が急速に進展してい
る。しかし、他方ではこのような進歩に伴い、こ
れらの機器やその部品の耐電圧、耐サージ、耐ノ
イズ性は十分とは言えない。このためこれらの機
器や部品を異状なサージやノイズから保護するこ
と、あるいは回路電圧を安定化することが必要で
ある。これら目的のためにこれまではSiCやSiバ
リスタが多用されてきた。また最近では酸化亜鉛
を主成分として、これに添加物を加えたバリスタ
が開発されている。しかし最近は半導体および半
導体回路の高密度化、高集積化に伴い半導体およ
び半導体回路の低電圧化、低電力化がいつそう促
進されている。これらの半導体や半導体回路を保
護するためあるいは回路電圧を安定化するために
さらに低電圧で働くバリスタが必要となつてき
た。 バリスタの電圧電流特性は一般につぎの関係式 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 で表わされる。ここでＶはバリスタ素体に印加さ
れる電圧であり、Ｉはバリスタ素体を流れる電流
である。またＣは与えられた電流を流したときの
電圧に対応する定数である。α＝１はオームの法
則にしたがう普通の抵抗体であり、αが大きいほ
ど非直線性は優れている。 ここではバリスタ特性はＣとαで表わす代わり
に電流を１ｍＡ／cm2の電流密度で流したときの立
上り電圧V1ｍＡとαで表わす。焼結体自体が電
圧非直線性をもつ代表的なものであるSiCバリス
タはSiC粒子を磁器結合剤で焼き固めたもので、
その非直線性はSiC粒子の接触抵抗の電圧依存性
に起因している。バリスタの素体厚さ１mmの場合
電流を１ｍＡ／cm2流したときの立上り電圧をV1
ｍＡ／mmとするとSiCバリスタはSiC粒子の粒径
と素体厚さを制御することによりV1ｍＡが数Ｖ
のものから数千Ｖのものまで製造可能であるが、
非直線係数αが３〜７と小さいため十分でない。
またSiCバリスタと同様に焼結体自体が非直線性
を有するものに酸化亜鉛系バリスタがある。これ
は酸化亜鉛を主成分とし添加物として少量の酸化
ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ア
ンチモンなどを含むものである。酸化亜鉛系バリ
スタの非直線係数は約20〜50でありSiCバリスタ
に比して非常に優れた非直線性を示す。このため
半導体や半導体回路の保護に非常に適している
が、半導体が半導体回路の使用電圧がますます低
電圧化の傾向にある。 ［背景技術の問題点］ これまでの酸化亜鉛系バリスタでは、上記のよ
うな低電圧化に対応する低電圧バリスタ（V1ｍ
Ａが約20V）を製造することが非常に困難であつ
た。この理由として酸化亜鉛系バリスタの微細構
造は第１図に示すように低抵抗の酸化亜鉛結晶粒
１を非直線性を発揮させる高抵抗の粒界層２で取
囲んだものである。図中３は電極、４は端子であ
る。このため焼結体厚さ１mm当たりのV1ｍＡ／
mmは素体の厚み方向に存在する粒界層２の数によ
り決定される。酸化亜鉛系バリスタでは１粒界層
当たりの立上り電圧は約2.5V程度である。 酸化亜鉛に酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化
マンガンなどを加えたものを1100〜1300℃の温度
で焼結したとき、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒１の
粒径は30〜40μｍ程度である。このためV1ｍＡ／
mmは40V以上となる。このためV1ｍＡ＝20Vのバ
リスタを製造するには厚さ0.5mmの素体をつくる
必要がある。この場合微細構造は酸化亜鉛結晶粒
１が10個直列につながり粒子と粒子との間に８個
の粒界層２が存在するかたちになる。厚さ0.5mm
の素体を製造する方法として焼結体を研磨して所
定の厚さを得る方法がある。しかし焼結体は酸化
亜鉛結晶粒１を主としてビスマス酸化物からなる
粒界層２が取囲んでいるため機械的強度は弱い。
このため研磨中に酸化亜鉛結晶粒１が脱落したり
マイクロクラツクが発生し局部的に電圧の低い欠
陥部が生ずる。またもうひとつの方法として焼結
体が所定の厚さになるように焼結後の収縮率を加
味して薄い板状に成型する方法がある。この場合
は収縮率を加味して0.6〜0.7mmの厚さに成型しな
ければならない。しかし成型体の機械的強度は非
常に弱いため割れや欠けなどが生じ成型体の取扱
いが非常に困難である。 これらの欠点をなくすためには焼結体の酸化亜
鉛結晶粒１の粒径を約100μｍまで成長させ、素
体厚さが約1.0mmでV1ｍＡ＝20Vのバリスタがで
きるようにし、成型体強度を強くするる必要があ
る。最近酸化亜鉛系低電圧バリスタの製造方法と
して例えば特開昭54−140995号公報で提案されて
いるように粒径が100μｍ程度の酸化亜鉛結晶粒
１を使用する方法がある。これは焼結過程で酸化
亜鉛結晶粒１を100μｍ程度の大きさまで成長さ
せることが困難なため主成分である酸化亜鉛の一
部に最初から大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒１
を使用するものである。しかし大きく成長させた
酸化亜鉛結晶粒１を得るには酸化亜鉛に炭酸バリ
ウムや炭酸ストロンチウムを加えたものを成型、
焼結し、この焼結体を純水中で煮沸することによ
り酸化亜鉛結晶粒１を取囲んだBaやSrを水に溶
解させ焼結体を分解する必要がある。また酸化亜
鉛結晶粒１以外の原料の粒径は数μｍ以下であ
る。このため焼結過程で酸化亜鉛結晶粒１部分と
他の原料粉末部分とに収縮率の差が生じ焼結体が
多孔質になる。このためV1ｍＡ／mmが低く緻密
な素体を得るには酸化亜鉛結晶粒１の焼結温度、
粒径、添加割合、結晶核以外の原料の組成などの
条件の選択が複雑となる。 また添加物に酸化ビスマスを含む酸化亜鉛系バ
リスタの欠点として焼結体の熱処理条件（電極焼
付工程も含む）により寿命特性が大きく変わるこ
とがあげられる。これは非直線性を発揮させる粒
界層２が主として酸化ビスマスからなるためであ
る。熱処理前の焼結体中の酸化ビスマス結晶相は
α相、β相、δ相のうちの少なくとも１種類を含
む。この焼結体を熱処理することにより酸化ビス
マスは全てγ相に変わる。このγ相への変化の過
程により寿命特性が大きく変動すると考えられ
る。このように酸化亜鉛を主成分として添加物に
酸化ビスマスを含む組成系で低電圧バリスタを製
造するには工程数が非常に多く、かつ条件の選択
や管理も複雑であるという欠点があつた。 ［発明の目的］ 本発明は酸化亜鉛を主成分とし酸化亜鉛粒界偏
析相が主として酸化ビスマスに与えチタン酸ビス
マス層状化合物で構成することにより焼結体中の
酸化亜鉛結晶粒子を100μｍ以上に成長させた低
電圧の電圧非直線抵抗体を提供せんとするもので
ある。 ［発明の概要］ 本発明の電圧非直線抵抗体は酸化亜鉛を主成分
とし焼結体自体が電圧非直線性を有する電圧非直
線抵抗体において、焼結体の酸化亜鉛結晶粒界偏
析相が主として（Bi2O2）2+（Bi2Ti3O10）2-で示
されるビスマス層状化合物からなるものである。 ［発明の実施例］ 以下本発明の詳細について説明する。すなわち
酸化亜鉛粒界偏析相が主としてチタン酸ビスマス
層状化合物からなるバリスタの微細構造は従来の
酸化ビスマスからなるものと同様であり非直線性
を発揮させる粒界層がチタン酸ビスマス層状化合
物からなるものである。これにより熱処理工程に
おける粒界層の結晶相変化をなくすことが可能と
なつた。このように本発明は酸化亜鉛結晶粒界偏
析相が主として酸化ビスマスに代えチタン酸ビス
マス層状化合物で構成したことによつて得られる
高信頼性、低電圧非直線抵抗体である。 つぎに本発明の実施例について説明する。酸化
亜鉛、酸化ビスマス、チタン酸ビスマス層状化合
物、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ニツケル
を出発原料として第１表に示す組成割合に秤量、
混合し、乾燥、造粒、成型後1100〜1300℃の温度
で焼結し直径15mm、厚さ1.0mmの焼結体を得た。
これにオーミツクな接触を示す1.0cm2の電極を形
成しV1ｍＡ／mmと非直線係数αを測定した。第
１表にその結果を示す。本発明の実施例は〇印を
付した組成No.５〜８であり、これらは1220℃の温
度で２時間焼結したものである。
【表】
第１表において組成No.１〜４は酸化ビスマスの
量を変えた参考例であり、組成No.５〜８はチタン
酸ビスマス化合物の量を変えた実施例である。 第１表から実施例の組成No.５〜８が最もV1ｍ
Ａ／mmが低くなり、かつ非直線係数αも高く効果
が顕著であることがわかる。また酸化ビスマス、
チタン酸ビスマス化合物のそれぞれの添加量に対
する焼結体のV1ｍＡ／mmの変化を第２図に、非
直線係数αの変化を第３図に示す。第２図および
第３図において曲線Ａは酸化ビスマス、曲線Ｂは
チタン酸ビスマス化合物の場合を示す。 第２図および第３図からチタン酸ビスマス層状
化合物を添加した曲線Ｂの実施例は、酸化ビスマ
スを添加した曲線Ａの参考例と比較して非直線係
数αをそこなうことなく酸化亜鉛結晶粒を大きく
成長させることがわかる。第４図は熱処理温度に
対する寿命特性、すなわち空気中25℃の雰囲気で
１ｍＡ／cm2の電流を1000時間通電したときの立上
り電圧V1ｍＡの変化率ΔV1ｍＡを示すもので、
曲線A2は組成No.２の参考例、曲線B6は組成No.６
の実施例の場合を示す。第４図から酸化亜鉛結晶
粒界偏析相としてチタン酸ビスマス層状化合物を
含む曲線B6の実施例は熱処理温度に影響されな
いことがわかる。またチタン酸ビスマス層状化合
物の添加量が0.05モル％未満では酸化亜鉛結晶粒
を成長させるのに十分でなくV1ｍＡ／mmが高く
なるため適当でない。また3.0モル％を越えると
必要量以上となり焼結体表面に析出し焼結体が融
着するなどの幣害が生じ、かつV1ｍＡ／mmも高
くなり、非直線係数αも低くなりはじめるので適
当でない。 なお上記実施例で用いた添加物に加えてさらに
Sb、Cr、Sn、Al、Mg、Ba、Ｂ、Si、Pb、Fe、
Srの酸化物を少量添加せしめることにより非直
線性をいつそう改善できる。 ［発明の効果］ 以上詳述したように本発明は酸化亜鉛を主成分
とし、酸化亜鉛結晶粒界偏析相としてチタン酸ビ
スマス層状化合物をBi4Ti3O12の形にして換算し
て0.05〜3.0モル％含むことによつて酸化亜鉛結
晶粒を100μｍ以上に成長させることができ、か
つ熱処理工程における粒界層の結晶相変化がない
ため信頼性が高く特性の安定した電圧非直線抵抗
体を提供することができる。
量を変えた参考例であり、組成No.５〜８はチタン
酸ビスマス化合物の量を変えた実施例である。 第１表から実施例の組成No.５〜８が最もV1ｍ
Ａ／mmが低くなり、かつ非直線係数αも高く効果
が顕著であることがわかる。また酸化ビスマス、
チタン酸ビスマス化合物のそれぞれの添加量に対
する焼結体のV1ｍＡ／mmの変化を第２図に、非
直線係数αの変化を第３図に示す。第２図および
第３図において曲線Ａは酸化ビスマス、曲線Ｂは
チタン酸ビスマス化合物の場合を示す。 第２図および第３図からチタン酸ビスマス層状
化合物を添加した曲線Ｂの実施例は、酸化ビスマ
スを添加した曲線Ａの参考例と比較して非直線係
数αをそこなうことなく酸化亜鉛結晶粒を大きく
成長させることがわかる。第４図は熱処理温度に
対する寿命特性、すなわち空気中25℃の雰囲気で
１ｍＡ／cm2の電流を1000時間通電したときの立上
り電圧V1ｍＡの変化率ΔV1ｍＡを示すもので、
曲線A2は組成No.２の参考例、曲線B6は組成No.６
の実施例の場合を示す。第４図から酸化亜鉛結晶
粒界偏析相としてチタン酸ビスマス層状化合物を
含む曲線B6の実施例は熱処理温度に影響されな
いことがわかる。またチタン酸ビスマス層状化合
物の添加量が0.05モル％未満では酸化亜鉛結晶粒
を成長させるのに十分でなくV1ｍＡ／mmが高く
なるため適当でない。また3.0モル％を越えると
必要量以上となり焼結体表面に析出し焼結体が融
着するなどの幣害が生じ、かつV1ｍＡ／mmも高
くなり、非直線係数αも低くなりはじめるので適
当でない。 なお上記実施例で用いた添加物に加えてさらに
Sb、Cr、Sn、Al、Mg、Ba、Ｂ、Si、Pb、Fe、
Srの酸化物を少量添加せしめることにより非直
線性をいつそう改善できる。 ［発明の効果］ 以上詳述したように本発明は酸化亜鉛を主成分
とし、酸化亜鉛結晶粒界偏析相としてチタン酸ビ
スマス層状化合物をBi4Ti3O12の形にして換算し
て0.05〜3.0モル％含むことによつて酸化亜鉛結
晶粒を100μｍ以上に成長させることができ、か
つ熱処理工程における粒界層の結晶相変化がない
ため信頼性が高く特性の安定した電圧非直線抵抗
体を提供することができる。
第１図は酸化亜鉛系バリスタの微細構造を示す
拡大断面図、第２図〜第４図は本発明の実施例と
参考例との特性比較を示すもので第２図は添加物
の添加量に対するV1ｍＡ／mmの変化を示す曲線
図、第３図は同様に非直線係数αの変化を示す曲
線図、第４図は熱処理温度に対するV1ｍＡの変
化率を示す曲線図である。 １……酸化亜鉛結晶粒、２……粒界層、３……
電極、４……端子。
拡大断面図、第２図〜第４図は本発明の実施例と
参考例との特性比較を示すもので第２図は添加物
の添加量に対するV1ｍＡ／mmの変化を示す曲線
図、第３図は同様に非直線係数αの変化を示す曲
線図、第４図は熱処理温度に対するV1ｍＡの変
化率を示す曲線図である。 １……酸化亜鉛結晶粒、２……粒界層、３……
電極、４……端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自体が電圧非
直線性を有する電圧非直線抵抗体において、焼結
体の酸化亜鉛結晶粒界偏析相が主として
（Bi2O2）2+（Bi2Ti3O10）2-で示されるビスマス層状
化合物からなることを特徴とする電圧非直線抵抗
体。 ２ ビスマス層状化合物がBi4Ti3O12の型にして
0.05〜3.0モル％含まれることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088917A JPS60233801A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088917A JPS60233801A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233801A JPS60233801A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0249521B2 true JPH0249521B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13956270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59088917A Granted JPS60233801A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60233801A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5004713A (en) * | 1989-07-05 | 1991-04-02 | Corning Incorporated | Frequency stable NPO ceramics |
| DE69603390T2 (de) * | 1995-03-06 | 1999-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinkoxidkeramiken und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US5739742A (en) * | 1995-08-31 | 1998-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP59088917A patent/JPS60233801A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60233801A (ja) | 1985-11-20 |
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