JPS60234213A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS60234213A JPS60234213A JP9040084A JP9040084A JPS60234213A JP S60234213 A JPS60234213 A JP S60234213A JP 9040084 A JP9040084 A JP 9040084A JP 9040084 A JP9040084 A JP 9040084A JP S60234213 A JPS60234213 A JP S60234213A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書き込まｈだ磁気的情報を、い
わゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出しを行う強磁性
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）を備えた磁
気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）に関する
。
わゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出しを行う強磁性
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）を備えた磁
気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）に関する
。
（従来技術とその問題点）
近年、ＭＲヘッドは、磁気記録における記録密度の向上
に大きく貢献するものとして注目されている。
に大きく貢献するものとして注目されている。
周知の如く、ＭＲ素子を磁気記憶媒体からの信号磁界に
対して、線形応答を呈する高効率の再生ヘッドとして用
いる場合には、ＭＲ水素子流すセンス電流ＩとＭＲ水素
子磁化Ｍの成す角度を所定の値に設定するバイアス手段
が必要である。又、記録密度の増大に対して、その再生
分解能を高める手段も必要とされ梅々の検討がなされて
いる。
対して、線形応答を呈する高効率の再生ヘッドとして用
いる場合には、ＭＲ水素子流すセンス電流ＩとＭＲ水素
子磁化Ｍの成す角度を所定の値に設定するバイアス手段
が必要である。又、記録密度の増大に対して、その再生
分解能を高める手段も必要とされ梅々の検討がなされて
いる。
特に、高記録密度における再生分解能の低下は次の様に
説明されている。今、第１図に示すＭＲ素子１（長さＬ
、幅り、厚みｔＭのストライプ状に形成され、長さＬ
方向にセンス電流■が供給され適当なバイアス磁界によ
って磁化Ｍとθｂの角度を成す）と磁気記憶媒体２の相
対的位置関係において、磁気記憶媒体２からの信号磁界
Ｈ８は低記録密度時においては、ＭＲ素子１の幅り方向
に充分に印加され、ＭＲ素子１全体が抵抗変化に寄与し
大きい再生出力が得られる。しかし高記録密度時には、
ＭＲ素子１に充分な信号磁界Ｈ８が到達しえず、抵抗変
化に寄与するのは、磁気記憶媒体２に最近接する領域の
みとなり、大きく再生出力が低下するとされている。更
に、ＭＲ素子１の磁化Ｍのバイアス状態は一般に、幅り
の中央部で最適となるように設定され（即ちθｂご４５
度となる様に設定されている）でいるが、高記録密度時
に最も抵抗変化に寄与する、磁気記憶媒体２ ＶＣ最近
接する領域では、ＭＲ素子１０幅り方向の反磁界のため
、理想的バイアス状態は実現されておらず（即ちθｂ（
４５度）、再生感度を低下させていた。
説明されている。今、第１図に示すＭＲ素子１（長さＬ
、幅り、厚みｔＭのストライプ状に形成され、長さＬ
方向にセンス電流■が供給され適当なバイアス磁界によ
って磁化Ｍとθｂの角度を成す）と磁気記憶媒体２の相
対的位置関係において、磁気記憶媒体２からの信号磁界
Ｈ８は低記録密度時においては、ＭＲ素子１の幅り方向
に充分に印加され、ＭＲ素子１全体が抵抗変化に寄与し
大きい再生出力が得られる。しかし高記録密度時には、
ＭＲ素子１に充分な信号磁界Ｈ８が到達しえず、抵抗変
化に寄与するのは、磁気記憶媒体２に最近接する領域の
みとなり、大きく再生出力が低下するとされている。更
に、ＭＲ素子１の磁化Ｍのバイアス状態は一般に、幅り
の中央部で最適となるように設定され（即ちθｂご４５
度となる様に設定されている）でいるが、高記録密度時
に最も抵抗変化に寄与する、磁気記憶媒体２ ＶＣ最近
接する領域では、ＭＲ素子１０幅り方向の反磁界のため
、理想的バイアス状態は実現されておらず（即ちθｂ（
４５度）、再生感度を低下させていた。
上述したＭＲヘッドの欠点を解決するため、特開昭５７
−１０９１２１に、ＭＲ素子１の幅り中央部で磁化Ｍを
飽和させ（即ち、θｂ”：９ ｏ度に設定）磁気記憶媒
体２に最近接する領域のバイアス状態を最高に設定（即
ちθｂ”ｌ：’４５度）する方法が開示されている。こ
の手法によれば、低記録密度から高記録密度にわたって
、抵抗変化に寄与するのは、磁気記憶媒体２に最近接す
る領域のみであるので、比較的良好な記録密度特性が得
られる。
−１０９１２１に、ＭＲ素子１の幅り中央部で磁化Ｍを
飽和させ（即ち、θｂ”：９ ｏ度に設定）磁気記憶媒
体２に最近接する領域のバイアス状態を最高に設定（即
ちθｂ”ｌ：’４５度）する方法が開示されている。こ
の手法によれば、低記録密度から高記録密度にわたって
、抵抗変化に寄与するのは、磁気記憶媒体２に最近接す
る領域のみであるので、比較的良好な記録密度特性が得
られる。
しかし、この様なバイアス状態を実現するためには、Ｍ
Ｒ素子１に印加されるバイアス磁界は少なくともＭＲ素
子１の幅り方向の反磁界以上に設定しなければならない
。例えば、ＭＲ＄子１として飽和磁化Ｍ−８００ｅｍｕ
／ｃ ｃ のパーマロイを用い、その寸法をｔｕ−＝０
．０５ｐｍ、ｈ＝５ｐｍに設定した場合、Ｍｒ を消磁
してしまい、磁気記憶システムとして、信頼性にとほし
いものとなっでいた。
Ｒ素子１に印加されるバイアス磁界は少なくともＭＲ素
子１の幅り方向の反磁界以上に設定しなければならない
。例えば、ＭＲ＄子１として飽和磁化Ｍ−８００ｅｍｕ
／ｃ ｃ のパーマロイを用い、その寸法をｔｕ−＝０
．０５ｐｍ、ｈ＝５ｐｍに設定した場合、Ｍｒ を消磁
してしまい、磁気記憶システムとして、信頼性にとほし
いものとなっでいた。
（発明の目的）
本発明は、このような欠点を招来することなく高記録密
度側の特性を向上することのできる磁気抵抗効果ヘッド
を提供することにある。
度側の特性を向上することのできる磁気抵抗効果ヘッド
を提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、強磁性薄膜を含む磁気抵抗効果素子と
前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するだめの二
つの電極が接続された構造を有する磁気抵抗効果ヘッド
においてこの二つの電極の間隔は、磁気記憶媒体に最も
近い部分が磁気記憶媒体に最も遠い部分よりも小さいこ
とを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドが得られる。
前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するだめの二
つの電極が接続された構造を有する磁気抵抗効果ヘッド
においてこの二つの電極の間隔は、磁気記憶媒体に最も
近い部分が磁気記憶媒体に最も遠い部分よりも小さいこ
とを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドが得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにょシ従来技５−
術の問題点を解決した。即ち、本発明では、ＭＲ水素子
接続された二つの電極の間隔を磁気記憶媒体に最近接す
る領域で小さく設定しているため、二つの電極を径由し
てＭＲ水素子流れるセンス電流は、ＭＲ水素子幅方向で
不均一に流り１、特に磁気記憶媒体に最近接する領域に
集中することになる。従って、磁気記憶媒体に最近接す
る領域における抵抗変化が最も再生出力に寄与すること
になる。即ち、１ｖｉＲ素子の高記録密度時に最も抵抗
変化に寄与する領域を常に再生出力として得ているため
、広範囲にわたる記録密度に対し、ｔｌぼ均一な再生出
力を得ることが可能となる。
接続された二つの電極の間隔を磁気記憶媒体に最近接す
る領域で小さく設定しているため、二つの電極を径由し
てＭＲ水素子流れるセンス電流は、ＭＲ水素子幅方向で
不均一に流り１、特に磁気記憶媒体に最近接する領域に
集中することになる。従って、磁気記憶媒体に最近接す
る領域における抵抗変化が最も再生出力に寄与すること
になる。即ち、１ｖｉＲ素子の高記録密度時に最も抵抗
変化に寄与する領域を常に再生出力として得ているため
、広範囲にわたる記録密度に対し、ｔｌぼ均一な再生出
力を得ることが可能となる。
更に、センス電流によって発生する磁界を直接、又は他
の磁性体を径由して間接的に利用してＭＲ水素子バイア
ス状態を実現するＭＲヘッドにおいては、センス電流に
比例したバイアス磁界を得ることができるため、ＭＲ水
素子磁気記憶媒体に最近接する領域を最大感度とするバ
イアス状態が実現される。これは、高記録密度時の再生
出力の低下を補正し、良好な記録密度特性が得られる。
の磁性体を径由して間接的に利用してＭＲ水素子バイア
ス状態を実現するＭＲヘッドにおいては、センス電流に
比例したバイアス磁界を得ることができるため、ＭＲ水
素子磁気記憶媒体に最近接する領域を最大感度とするバ
イアス状態が実現される。これは、高記録密度時の再生
出力の低下を補正し、良好な記録密度特性が得られる。
６−
以下、本発明の構成例について図面を参照してさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は、本発明の第１の例を示す概略斜視図で、短柵
状ＭＲ素子１の長さ方向の両端に、センス電流■を供給
するための電極３及び４がＭＲ素子ｌの幅り方向に対し
、傾斜をもって接続されている。電極３及び４０間隔は
、ＭＲ素子１が磁気記憶媒体２に近接する領域でＷ２、
最も離れた領域でＷｌの値を有し、”＋ ＞ Ｗ、の関
係を満す様に設定されている。
状ＭＲ素子１の長さ方向の両端に、センス電流■を供給
するための電極３及び４がＭＲ素子ｌの幅り方向に対し
、傾斜をもって接続されている。電極３及び４０間隔は
、ＭＲ素子１が磁気記憶媒体２に近接する領域でＷ２、
最も離れた領域でＷｌの値を有し、”＋ ＞ Ｗ、の関
係を満す様に設定されている。
ＭＲ素子１は例えばＮｉＣｏ系合金、Ｎ ｉ Ｆ ｅ系
合金（パーマロイ）等が選定され、その寸法は厚みを数
百Ａ乃至数千Ａ１幅りを数μｍ乃至数十ｐｍに選定され
る。又、電極３及び４はＭＲ素子１よシも固有抵抗の小
さい、例えばＡｎ、ＡＩ、Ｃｕ等が選定される。
合金（パーマロイ）等が選定され、その寸法は厚みを数
百Ａ乃至数千Ａ１幅りを数μｍ乃至数十ｐｍに選定され
る。又、電極３及び４はＭＲ素子１よシも固有抵抗の小
さい、例えばＡｎ、ＡＩ、Ｃｕ等が選定される。
ＭＲ素子ｌの磁化Ｍは、永久磁石等の適当な手段（図示
せず）により、センス電流Ｉに対して、所定の角度θｂ
に設定されている。
せず）により、センス電流Ｉに対して、所定の角度θｂ
に設定されている。
かかる構成により、電極３及び４を経由して、ＭＲ素子
１に供給されるセンス電流■は電極間隔が最も小さな領
域、即ち、磁気記憶媒体２に最近接する領域に集中する
ことになる。
１に供給されるセンス電流■は電極間隔が最も小さな領
域、即ち、磁気記憶媒体２に最近接する領域に集中する
ことになる。
第３図はこのＭＲ累子ｌの幅方向における電流分布を示
す。第３図において、横軸の零目盛は、ＭＲ素子ｌが磁
気記憶媒体２に最近接する側、ｈは最も遠い側を示し、
縦軸の電流密度は、磁気記憶媒体２に最近接する側の電
流密度で規格化したを取っている。
す。第３図において、横軸の零目盛は、ＭＲ素子ｌが磁
気記憶媒体２に最近接する側、ｈは最も遠い側を示し、
縦軸の電流密度は、磁気記憶媒体２に最近接する側の電
流密度で規格化したを取っている。
第３図より、ＭＲ素子１の幅りを一定とした場合、Ｗｔ
−Ｗ、の値が大きくなるほど、センス電流Ｉは、磁気記
憶媒体２に最近接する側に大きく集中することが理解さ
れる。
−Ｗ、の値が大きくなるほど、センス電流Ｉは、磁気記
憶媒体２に最近接する側に大きく集中することが理解さ
れる。
この結果、ＭＲ素子１の磁気記憶媒体２に最近接する領
域における抵抗変化が最も再生出力に寄与することにな
る。即ち、ＭＲ索子１の高記録密度時に最も抵抗変化が
大きい領域を常に再生出力として得ているため、広範囲
にわたる記録密度に対し、良好な再生出力を得ることが
できるｑ第１の実施例では、ＭＲ素子のバイアス状態は
外部からの磁界によって一意的に決定されていたが、本
発明では、センス電流を利用して、ＭＲ素子のバイアス
状態を決定する構成のＭＲヘッドに対して最も効果的で
ある。
域における抵抗変化が最も再生出力に寄与することにな
る。即ち、ＭＲ索子１の高記録密度時に最も抵抗変化が
大きい領域を常に再生出力として得ているため、広範囲
にわたる記録密度に対し、良好な再生出力を得ることが
できるｑ第１の実施例では、ＭＲ素子のバイアス状態は
外部からの磁界によって一意的に決定されていたが、本
発明では、センス電流を利用して、ＭＲ素子のバイアス
状態を決定する構成のＭＲヘッドに対して最も効果的で
ある。
以下、この様な構成を有するＭＲヘッドの例について説
明する。
明する。
第４図は、本発明の第２の例を示す概略斜視図である。
図においては、第２図及び第３図を用いて説明した第１
の例のＭＲ素子に対して、非磁性導体薄膜（例えば、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ等）から成るバイアス導体５が数
百Ｘ乃至数千Ｘの厚みをもって積層された構成を有する
。
の例のＭＲ素子に対して、非磁性導体薄膜（例えば、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ等）から成るバイアス導体５が数
百Ｘ乃至数千Ｘの厚みをもって積層された構成を有する
。
かかる構成において、電極３及び４０間隔が、ＭＲ索子
１及びバイアス導体５の膜厚よシ充分大きければ、電極
３及び４から供給されるセンス電流ＩはＭＲ素子１とバ
イアス導体５とにその固有抵抗及び膜厚に応じて、分流
する。バイアス導体５に分流したセンス電流はＭＲ素子
１の膜面内を９− 通シ幅りの方向にバイアス磁界Ｈｂを発生し、ＭＲ素子
ｌの磁化Ｍをセンス電流に対して、角度θｂだけ回転さ
せる。又、バイアス導体５に分流したセンス電流は、Ｍ
Ｒ素子１と同様、第３図に示した如く、幅り方向に分布
するため、磁気記憶媒体２に最近接する領域に大きなバ
イアス磁界Ｈｂ を発生し、それに応じて、θｂも大き
くなる。
１及びバイアス導体５の膜厚よシ充分大きければ、電極
３及び４から供給されるセンス電流ＩはＭＲ素子１とバ
イアス導体５とにその固有抵抗及び膜厚に応じて、分流
する。バイアス導体５に分流したセンス電流はＭＲ素子
１の膜面内を９− 通シ幅りの方向にバイアス磁界Ｈｂを発生し、ＭＲ素子
ｌの磁化Ｍをセンス電流に対して、角度θｂだけ回転さ
せる。又、バイアス導体５に分流したセンス電流は、Ｍ
Ｒ素子１と同様、第３図に示した如く、幅り方向に分布
するため、磁気記憶媒体２に最近接する領域に大きなバ
イアス磁界Ｈｂ を発生し、それに応じて、θｂも大き
くなる。
第５図に、θｂのＭＲ索子１の幅り方向の分布を示す。
又、診考のため、センス電流が幅り方向に均一に分布す
る従来例におけるθｂの分布を破線で示す。
る従来例におけるθｂの分布を破線で示す。
第５図から明らかな如く、従来例では幅りの中央部で最
大のθｂが得られるのに対し、本実施例では磁気記憶媒
体２に近接する側にθｂの最大値がシフトしている。即
ち、この例では、高記録密度時に最も再生出力として寄
与する領域のバイアス状態を最適に設定（望ましくはθ
ｂ−４５０）することができる。
大のθｂが得られるのに対し、本実施例では磁気記憶媒
体２に近接する側にθｂの最大値がシフトしている。即
ち、この例では、高記録密度時に最も再生出力として寄
与する領域のバイアス状態を最適に設定（望ましくはθ
ｂ−４５０）することができる。
従って、この構成では、高記録密度時においてＭＲ素子
１の磁気記憶媒体２に最近接する領域に１０− おける抵抗変化が最も再生出力寄与するとともに、その
抵抗変化が信号磁界Ｈ８に対して最大感度と成る様に設
定でき、第１の実施例に比較して更に、良好な記録密度
特性が得られる。
１の磁気記憶媒体２に最近接する領域に１０− おける抵抗変化が最も再生出力寄与するとともに、その
抵抗変化が信号磁界Ｈ８に対して最大感度と成る様に設
定でき、第１の実施例に比較して更に、良好な記録密度
特性が得られる。
第４図ではバイアス導体５に分流するセンス電流でＭＲ
素子１にバイアス磁界ＨＢを印加していたが、第６図の
断面図に示す如く、バイアス導体５に更に導電性強磁性
薄膜６を積層しても良い。
素子１にバイアス磁界ＨＢを印加していたが、第６図の
断面図に示す如く、バイアス導体５に更に導電性強磁性
薄膜６を積層しても良い。
かかる構成では、センス電流工はＭＲ素子１１バイアス
導体５及び導電性強磁性薄膜６に、磁気記憶媒体２に近
接する側を最大電流密度となる分布を有して分流するこ
とになる。バイアス導体５及び導電性強磁性薄膜６に分
流したセンス電流■。
導体５及び導電性強磁性薄膜６に、磁気記憶媒体２に近
接する側を最大電流密度となる分布を有して分流するこ
とになる。バイアス導体５及び導電性強磁性薄膜６に分
流したセンス電流■。
及び１．は、第４図で示したと同様なバイアス磁界を与
え、又、導電性強磁性薄膜はＭＲ素子１０幅り方向の反
磁界を大きく軽減する効果がある。
え、又、導電性強磁性薄膜はＭＲ素子１０幅り方向の反
磁界を大きく軽減する効果がある。
従って、第４図に示した構成のＭＲヘッドよプも小さな
センス電流で第５図に示したバイアス状態を実現できる
。
センス電流で第５図に示したバイアス状態を実現できる
。
導電性強磁性薄膜６には、磁気抵抗効果が小さく、固有
抵抗の大きい非晶質軟磁性体が望ましい。
抵抗の大きい非晶質軟磁性体が望ましい。
又、導電性強磁性薄膜６として特開昭５１−２６５１０
号に開始された如く、ＭＲ素子１と全く特性が同一なパ
ーマロイ膜などを用いても良い。この場合は導電性強磁
性薄膜６も、信号磁界Ｈ８に対し抵抗変化を生じ信号再
生に寄与する。
号に開始された如く、ＭＲ素子１と全く特性が同一なパ
ーマロイ膜などを用いても良い。この場合は導電性強磁
性薄膜６も、信号磁界Ｈ８に対し抵抗変化を生じ信号再
生に寄与する。
更に第４図、第６図を用いて説明した例と同様、ＭＲ素
子の磁気記憶媒体に最近接する領域を最大感度とするバ
イアス状態を実現するには、第７図に示した構成を有す
るＭＲヘッドであっても良い。
子の磁気記憶媒体に最近接する領域を最大感度とするバ
イアス状態を実現するには、第７図に示した構成を有す
るＭＲヘッドであっても良い。
第７図は、特開昭５０−５９０２３号に開示された高透
磁率磁性体からなる磁気シールドを具備し、ＭＲ素子部
分に第２図で示した本発明を適用した磁気シールド付Ｍ
Ｒヘッドの断面図である。
磁率磁性体からなる磁気シールドを具備し、ＭＲ素子部
分に第２図で示した本発明を適用した磁気シールド付Ｍ
Ｒヘッドの断面図である。
図において、ＭＲ素子ｌの両側にＳ ｉＯ，、Ａｉ 、
０゜等の絶縁層を介して、磁気シールド７及び８がＭＲ
素子１とＧ１及びＧ、の間隔をもって並設されている。
０゜等の絶縁層を介して、磁気シールド７及び８がＭＲ
素子１とＧ１及びＧ、の間隔をもって並設されている。
かかる構成で、ＭＲ素子１の幅り方向に第３図に示した
如き分布を吃って流れるセンス電流■は、ＭＲ素子１の
周囲に磁界を発生し、その磁界は磁気シールド７及び８
を着磁する。着磁された磁気シールド７及び８の内、最
もＭＲ素子１に近接する磁気シールド（例えば、第７図
ではＧ ＊ ＞ Ｇ ＋であるため、磁気シールド７）
が、最も強いバイアス磁界をＭＲ素子１に与えＭＲ素子
１の磁化Ｍｆｆ：バイアスする。前記バイアス磁界のＭ
Ｒ素子ｌ内での分布は、センス電流Ｉの分布に対応する
ため、第５図に示したと同様なバイアス状態が実現され
る。上述した様な作用を更に顕著するためには、Ｇ、と
Ｇ、の差が大きい方が望ましい。極端な場合、Ｇ、又は
Ｇ１の一方が無限大の大きさ、即ち、ＭＲ素子ｌの一方
の側のみに磁気シールドが具備された構成であっても良
い。
如き分布を吃って流れるセンス電流■は、ＭＲ素子１の
周囲に磁界を発生し、その磁界は磁気シールド７及び８
を着磁する。着磁された磁気シールド７及び８の内、最
もＭＲ素子１に近接する磁気シールド（例えば、第７図
ではＧ ＊ ＞ Ｇ ＋であるため、磁気シールド７）
が、最も強いバイアス磁界をＭＲ素子１に与えＭＲ素子
１の磁化Ｍｆｆ：バイアスする。前記バイアス磁界のＭ
Ｒ素子ｌ内での分布は、センス電流Ｉの分布に対応する
ため、第５図に示したと同様なバイアス状態が実現され
る。上述した様な作用を更に顕著するためには、Ｇ、と
Ｇ、の差が大きい方が望ましい。極端な場合、Ｇ、又は
Ｇ１の一方が無限大の大きさ、即ち、ＭＲ素子ｌの一方
の側のみに磁気シールドが具備された構成であっても良
い。
以上、本発明の構成例について述べたが、本発明で示し
た電極は第２図、及び第４図に示した如く、ＭＲ素子の
幅方向に直線的に広がった構造に限るものではなく、曲
線状に広がった構成であっても良く、本発明の主旨を逸
脱しない限り種々の変形変更をなし得る。
た電極は第２図、及び第４図に示した如く、ＭＲ素子の
幅方向に直線的に広がった構造に限るものではなく、曲
線状に広がった構成であっても良く、本発明の主旨を逸
脱しない限り種々の変形変更をなし得る。
尚、本発明では、磁気記憶媒体上のトラック幅−１３＝
（ＭＲ素子の長さ方向に対して、磁気的情報が書き込ま
れている領域幅）はＭＲ素子の磁気記憶媒体に最近接す
る側の電極間隔より小さいことが望ましい。これは、低
記録密度時に磁気記憶媒体から最も離れたＭＲ素子上の
領域の抵抗変化を最小にするのに有効である。
れている領域幅）はＭＲ素子の磁気記憶媒体に最近接す
る側の電極間隔より小さいことが望ましい。これは、低
記録密度時に磁気記憶媒体から最も離れたＭＲ素子上の
領域の抵抗変化を最小にするのに有効である。
（発明の効果）
以上説明した様に、本発明はＭＲ素子に接続される電極
の間隔を磁気記憶媒体に近接する側で小さく設定して゛
いるため、ＭＲ素子の高記録密度時に最も抵抗変化とし
て寄与する領域を再生出力として得ることができ、更に
この領域が最大感度となる様なバイアス状態も実現でき
、極めて簡単にかつ、磁気記憶媒体を消磁させることな
く、広範囲にわたる記録密度に対し、はぼ均一な再生出
力を得ることができる。
の間隔を磁気記憶媒体に近接する側で小さく設定して゛
いるため、ＭＲ素子の高記録密度時に最も抵抗変化とし
て寄与する領域を再生出力として得ることができ、更に
この領域が最大感度となる様なバイアス状態も実現でき
、極めて簡単にかつ、磁気記憶媒体を消磁させることな
く、広範囲にわたる記録密度に対し、はぼ均一な再生出
力を得ることができる。
第１図は従来の磁気抵抗効果ヘッドの概略斜視図、第２
図は本発明の第１の構成例を示す概略斜１４− 視図、第３図は磁気抵抗効果ヘッドに流れるセンス電流
の分布を示すグラフ、第４図は本発明の第２の構成例を
示す概略斜視図、第５図は磁気抵抗効果ヘッドのバイア
ス状態を示すグラフ、第６図は本発明の第３の構成例を
示す断面図、第７図は本発明の第４の構成例を示す断面
図である。 図において、 １・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２・・・磁気
記憶媒体、３．４・・・電極、５・・・バイアス導体、
６・・・導電性強磁性薄膜、７．８・・・磁気シールド
をそれぞれ示す。 第４図 円ｒ 第５図 ＯＬ ｈ ？ 第６図 第″７図
図は本発明の第１の構成例を示す概略斜１４− 視図、第３図は磁気抵抗効果ヘッドに流れるセンス電流
の分布を示すグラフ、第４図は本発明の第２の構成例を
示す概略斜視図、第５図は磁気抵抗効果ヘッドのバイア
ス状態を示すグラフ、第６図は本発明の第３の構成例を
示す断面図、第７図は本発明の第４の構成例を示す断面
図である。 図において、 １・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２・・・磁気
記憶媒体、３．４・・・電極、５・・・バイアス導体、
６・・・導電性強磁性薄膜、７．８・・・磁気シールド
をそれぞれ示す。 第４図 円ｒ 第５図 ＯＬ ｈ ？ 第６図 第″７図
Claims (6)
- （１） 強磁性薄膜を含む磁気抵抗効果素子と前記磁気
抵抗効果素子にセンス電流を供給する二つの電極が接続
された構造を有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、載皿
つの電極の間隔は磁気記憶媒体に最も近い部分が磁気記
憶媒体に最も遠い部分よりも小さいことを特徴とする磁
気抵抗効果ヘッド。 - （２）磁気抵抗効果素子は非磁性導体薄膜と強磁性薄膜
が積層されている構造である特許請求の範囲第１項記載
の磁気抵抗効果ヘッド。 - （３）磁気抵抗効果素子は強磁性薄膜と非磁性導体薄膜
と導電性強磁性薄膜とがこの順で積層されている構造で
ある特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - （４）非磁性導体薄膜をはさむ強磁性薄膜は同一材料で
ある特許請求の範囲第３項記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - （５）導電性強磁性薄膜が非晶質軟磁性体である特許請
求の範囲第３項記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - （６）磁気抵抗効果素子には絶縁層を介して、高透磁率
磁性体から々る磁気シールドが形成されている特許請求
の範囲第１項又は第２項又は第３項に記載の磁気抵抗効
果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040084A JPS60234213A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040084A JPS60234213A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234213A true JPS60234213A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0572642B2 JPH0572642B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13997534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040084A Granted JPS60234213A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177069U (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-16 | ||
| US5894375A (en) * | 1995-06-06 | 1999-04-13 | Fujitsu Limited | Magnetic disk apparatus and method that reverses sense current in magnetoresistive head |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP9040084A patent/JPS60234213A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177069U (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-16 | ||
| US5894375A (en) * | 1995-06-06 | 1999-04-13 | Fujitsu Limited | Magnetic disk apparatus and method that reverses sense current in magnetoresistive head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572642B2 (ja) | 1993-10-12 |
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