JPS60236119A - 光学式情報記録再生装置 - Google Patents
光学式情報記録再生装置Info
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- JPS60236119A JPS60236119A JP59092441A JP9244184A JPS60236119A JP S60236119 A JPS60236119 A JP S60236119A JP 59092441 A JP59092441 A JP 59092441A JP 9244184 A JP9244184 A JP 9244184A JP S60236119 A JPS60236119 A JP S60236119A
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- fluorescence
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1362—Mirrors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（光明の技術分野）
本発明は光ビームを照９４ Ｌ／て情報の配録・再生を
行う光学式情報記録再生装置に関するものである。
行う光学式情報記録再生装置に関するものである。
レーザ光を光源とし、直径１μｍ程度の光ビームを媒体
面に照射して情報の記録・再生を行う光学式記録媒体が
知られている。この光学式記録媒体は磁気記録媒体等に
比べ、記録密度が高く、大容量メモリーとして注目され
ている。既に光学式記録媒体として、Ｔｅ−Ｃ，ＴｅＯ
ｘ （Ｘ＝１゜１〜１．２）、Ｔｅ−８ｅ−Ｐｂ、Ｔｅ
−ＴｉＡＱＳｅ等が開発されており、文書用ディスクメ
モリー等の分野に実用化されている。現在までに開発さ
れている光学式記録媒体に共通していえるのは、記録時
には高出力のレーザビームを照射して、媒体を局部的に
加熱し記録層に孔をあけるかもしくは相変化を誘起せし
め、再生時には低出力のレーザビームを照射して、孔も
しくは相変化を生じた部分と（記録部）と、孔もしくは
相変化の生じない部分（未記録部）との反射率の違いを
検出する方式をとっていることである。この方式によれ
ば、再生時のレーザビーム出力を記録の閾値以下に抑え
る事が必要不可欠である。一方、再生信号のＳ／Ｎ比は
再生用レーザビームの出力に比例する量であるから、上
記した方式による限り、Ｓ／Ｎ比の値にも上限があり、
現在までに提案されている媒体では高々５５ｄＢ程度と
なっている。故に、このままではアナログ画像ファイル
メモリーや高品位画像メモリー等の高Ｓ／Ｎ値を要求さ
れるメモリー分野への応用は、はなはだ困雌である。
面に照射して情報の記録・再生を行う光学式記録媒体が
知られている。この光学式記録媒体は磁気記録媒体等に
比べ、記録密度が高く、大容量メモリーとして注目され
ている。既に光学式記録媒体として、Ｔｅ−Ｃ，ＴｅＯ
ｘ （Ｘ＝１゜１〜１．２）、Ｔｅ−８ｅ−Ｐｂ、Ｔｅ
−ＴｉＡＱＳｅ等が開発されており、文書用ディスクメ
モリー等の分野に実用化されている。現在までに開発さ
れている光学式記録媒体に共通していえるのは、記録時
には高出力のレーザビームを照射して、媒体を局部的に
加熱し記録層に孔をあけるかもしくは相変化を誘起せし
め、再生時には低出力のレーザビームを照射して、孔も
しくは相変化を生じた部分と（記録部）と、孔もしくは
相変化の生じない部分（未記録部）との反射率の違いを
検出する方式をとっていることである。この方式によれ
ば、再生時のレーザビーム出力を記録の閾値以下に抑え
る事が必要不可欠である。一方、再生信号のＳ／Ｎ比は
再生用レーザビームの出力に比例する量であるから、上
記した方式による限り、Ｓ／Ｎ比の値にも上限があり、
現在までに提案されている媒体では高々５５ｄＢ程度と
なっている。故に、このままではアナログ画像ファイル
メモリーや高品位画像メモリー等の高Ｓ／Ｎ値を要求さ
れるメモリー分野への応用は、はなはだ困雌である。
現在までに開発されている光学式記録媒体に共通してい
える第２の点は、媒体の記録ビット形成層は単一であり
、媒体の記憶容量が、記録・再生用ビームの媒体面上で
のスボッ１へ径と、光ヘツドガイド用溝の幅及びピッチ
と、媒体の面積で規定されていることである。例えば）
皮ｆｉ８３０ｎｍの半導体レーザ光を用い、幅１μｍ、
ピッチ２μｍの光ヘッドガイド用満付きＭ板を用いる場
合、直径３０ｃｍのディスクの記憶容けは２ギガバイト
程度に規定される。故にこのままでは、高Ｉ’ｌ１画像
メモリーや動画メモリーなどの高記憶客層を要求される
メモリー分野への応用は、はなはだ困難である。
える第２の点は、媒体の記録ビット形成層は単一であり
、媒体の記憶容量が、記録・再生用ビームの媒体面上で
のスボッ１へ径と、光ヘツドガイド用溝の幅及びピッチ
と、媒体の面積で規定されていることである。例えば）
皮ｆｉ８３０ｎｍの半導体レーザ光を用い、幅１μｍ、
ピッチ２μｍの光ヘッドガイド用満付きＭ板を用いる場
合、直径３０ｃｍのディスクの記憶容けは２ギガバイト
程度に規定される。故にこのままでは、高Ｉ’ｌ１画像
メモリーや動画メモリーなどの高記憶客層を要求される
メモリー分野への応用は、はなはだ困難である。
上記した様に、従来の光学式記録媒体は、その応用メモ
リー分野を拡張する上では、Ｓ／Ｎ比及び記憶容量とも
不足するという問題がある。
リー分野を拡張する上では、Ｓ／Ｎ比及び記憶容量とも
不足するという問題がある。
本発明は上記の点にかんがみなされたもので、従来とは
原理的に異なる記録、再生方式により、再生のＳ／Ｎ比
の向上を図り、また記録容量の増大を可能とした光学式
情報記録再生装置を提供することを目的とする。
原理的に異なる記録、再生方式により、再生のＳ／Ｎ比
の向上を図り、また記録容量の増大を可能とした光学式
情報記録再生装置を提供することを目的とする。
（光間の概要）
本発明の光学式記録媒体は、少なくとも一方が透明であ
る２居の導電体層の間に、再生用光ビームによって励起
され蛍光を発する蛍光性物質よりなる記録ビット形成層
と、記録用光ビームの照射によって導電性を生じる光導
電層とを挟んで構成されるものである。この基本構成に
おいて、２層の導電層の間に電圧Ｖｅｘを印加するど、
記録ビット形成層には、 ｖｅｘ・ρＦ／（ρｐｉＦ十ρｏｔｐ）なる電界が誘起
される。ここに、ρＦは記録ビット形成層の比抵抗、ｔ
ｐは光導電層の層厚、ρＤは記録光非照射時の光導電層
の比抵抗、ｔｐは光導電層の層厚である。この状態で記
録用レーザビームを記録したい部分に照射すると、照射
部の光導電層が低抵抗化して、照射部の記録ビット形成
層の電界強度は、 Ｖｅｘ−ｏｐ／（ρｐｔｐ十ρｐｔｐ）に上昇する。こ
こにρＦは記録光照射時の光導電層の比抵抗である。す
なわち、記録ビット形成層をなす蛍光性物質の絶縁破壊
電界強度をＥａとする時、 Ｖｅｘ ・Ｄｖ／ （ρＦ ｔｐ ＋ＤＤｔｐ ）＜Ｅ
ＢＶｅＸ ・ＤＦ／ （ＩＱＦ ｔｐ ＋ｐｐ ｔｐ
）＞ＥＢ５− なる条件でＶｅｘを印加しておぎ、記録用光ビームを照
射すれば、照射した部分の蛍光性物質が絶縁破壊を起し
、その蛍光性を失う。蛍光性物質の蛍光性を失った状態
を” １ ” 、蛍光性を維持している状態をＯ″とす
れば２値記録が上述した方法によって達成される。この
２値信号を再生する際には、２層の導電層の間に電圧を
印加せずに、再生用光ビームを照射する。１１１ ＩＩ
の状態にある蛍光性物質に再生用光ビームを照射した時
蛍光性物質からは何等蛍光が発せられないのに対し、Ｏ
”′の状態にある蛍光性物質に再生用光ビームを照射し
た時蛍光が発せられる。即ち、再生光学系において蛍光
スペクトルを検出すれば、蛍光の゛あるＩＺＩＩなし”
によって２値付号ＩＩ Ｑ ＩＩ。
る２居の導電体層の間に、再生用光ビームによって励起
され蛍光を発する蛍光性物質よりなる記録ビット形成層
と、記録用光ビームの照射によって導電性を生じる光導
電層とを挟んで構成されるものである。この基本構成に
おいて、２層の導電層の間に電圧Ｖｅｘを印加するど、
記録ビット形成層には、 ｖｅｘ・ρＦ／（ρｐｉＦ十ρｏｔｐ）なる電界が誘起
される。ここに、ρＦは記録ビット形成層の比抵抗、ｔ
ｐは光導電層の層厚、ρＤは記録光非照射時の光導電層
の比抵抗、ｔｐは光導電層の層厚である。この状態で記
録用レーザビームを記録したい部分に照射すると、照射
部の光導電層が低抵抗化して、照射部の記録ビット形成
層の電界強度は、 Ｖｅｘ−ｏｐ／（ρｐｔｐ十ρｐｔｐ）に上昇する。こ
こにρＦは記録光照射時の光導電層の比抵抗である。す
なわち、記録ビット形成層をなす蛍光性物質の絶縁破壊
電界強度をＥａとする時、 Ｖｅｘ ・Ｄｖ／ （ρＦ ｔｐ ＋ＤＤｔｐ ）＜Ｅ
ＢＶｅＸ ・ＤＦ／ （ＩＱＦ ｔｐ ＋ｐｐ ｔｐ
）＞ＥＢ５− なる条件でＶｅｘを印加しておぎ、記録用光ビームを照
射すれば、照射した部分の蛍光性物質が絶縁破壊を起し
、その蛍光性を失う。蛍光性物質の蛍光性を失った状態
を” １ ” 、蛍光性を維持している状態をＯ″とす
れば２値記録が上述した方法によって達成される。この
２値信号を再生する際には、２層の導電層の間に電圧を
印加せずに、再生用光ビームを照射する。１１１ ＩＩ
の状態にある蛍光性物質に再生用光ビームを照射した時
蛍光性物質からは何等蛍光が発せられないのに対し、Ｏ
”′の状態にある蛍光性物質に再生用光ビームを照射し
た時蛍光が発せられる。即ち、再生光学系において蛍光
スペクトルを検出すれば、蛍光の゛あるＩＺＩＩなし”
によって２値付号ＩＩ Ｑ ＩＩ。
ＩＩ １ ＩＩを識別できる。
本発明によれば、再生用光ビームの記録媒体への照射パ
ワーはいくらでも大きくする事が可能であり、又パワー
を大きくすればそれに比例してｒｒ Ｏ＋＋状態の蛍光
体から発せられる蛍光スペクト−〇− ル強度も強くなり、Ｓ／Ｎの大きい信号再生が可能とな
る。又、記録ビット形成層をなす蛍光性物質として、Ｅ
ｒ付活ＹＦ３ 、Ｔｍ付活ＹＦ３．Ｅｒ付活Ｙ２Ｏ３な
どに代表される赤外可視変換蛍光体を使用すれば、現在
開発されている７８０ｎｍ〜赤外の波長で発振する半導
体レーザーを記録再生用の光源として使用する事が可能
で、システム的に格段に有利となる。
ワーはいくらでも大きくする事が可能であり、又パワー
を大きくすればそれに比例してｒｒ Ｏ＋＋状態の蛍光
体から発せられる蛍光スペクト−〇− ル強度も強くなり、Ｓ／Ｎの大きい信号再生が可能とな
る。又、記録ビット形成層をなす蛍光性物質として、Ｅ
ｒ付活ＹＦ３ 、Ｔｍ付活ＹＦ３．Ｅｒ付活Ｙ２Ｏ３な
どに代表される赤外可視変換蛍光体を使用すれば、現在
開発されている７８０ｎｍ〜赤外の波長で発振する半導
体レーザーを記録再生用の光源として使用する事が可能
で、システム的に格段に有利となる。
又、前記した基本構成を記録媒体の１記録セルとし、該
記録セルを多層、積層し、セル毎に記録ビット形成層を
なす蛍光性物質の蛍光スペクトルを異ならせておけば、
単一の再生用光ビーム照射に対し、各セルから異なるス
ペクトルの蛍光が発せられ、これらの各蛍光スペクトル
を再生用光学系において分離して検出すれば、１記録ピ
ツ１〜の面積が同一でも、セルの数の分だけ記録量を増
加せしむる事が可能となり、格段の高記録密度となる。
記録セルを多層、積層し、セル毎に記録ビット形成層を
なす蛍光性物質の蛍光スペクトルを異ならせておけば、
単一の再生用光ビーム照射に対し、各セルから異なるス
ペクトルの蛍光が発せられ、これらの各蛍光スペクトル
を再生用光学系において分離して検出すれば、１記録ピ
ツ１〜の面積が同一でも、セルの数の分だけ記録量を増
加せしむる事が可能となり、格段の高記録密度となる。
セルを積層した場合には、隣接するビットからの信号（
蛍光スペクトル）がエラーの原因となるが、これについ
ては多セルの光学式記録媒体において、全セルの層厚の
和を記録再生用光ビームの焦点深度以下とすれば全く問
題とはならない。
蛍光スペクトル）がエラーの原因となるが、これについ
ては多セルの光学式記録媒体において、全セルの層厚の
和を記録再生用光ビームの焦点深度以下とすれば全く問
題とはならない。
第１図は、本発明の第１の実施例の光学式記録媒体の構
成図である。第１図において、１はＡｆｆｉサンプル基
板（２０ｍ０．２ｓｔ）、２はスパッタ法で形成したＥ
ｒ付活ＹＦ３蛍光体層（層厚１０００人）、３はプラズ
マＣＶＤ法で形成した非晶質３ｉ光導ｍ１ｌｌ（層厚１
０００人）、４は真空蒸着法で形成したＩＴＯなどの透
明導電層、５はインジウム電極、６はバイアス電源であ
る。上記構成のサンプルにおいて電源６の電圧Ｖｅｘを
０（Ｖ）に設定し、透明導電層４の側から、７８０ｎｍ
の半導体レーザビームを走査して照射した所、サンプル
全域に亘り蛍光体層２から緑色（中心波長５５０ｎｍ、
ＦＷＨＭ 〜５０ｎｍ の蛍光が発せられた。次に、レ
ーザビームをサンプルの中心部に１０ｍＷの照射パワー
で連続照射し、照射部からの蛍光を分光器でモニターし
ながら、電源６の電圧Ｖｅｘを徐々に増加した所、ｖｅ
ｘ≦１（Ｖ）で蛍光が検出されなくなった。次にＶｅｘ
を０（ｖ）に戻して再びレーザビームをサンプル全面に
走査して照射しながら、照射部よりの蛍光をモニターし
た所、サンプル中心部〈前記したＶｅｘを上昇した際に
レーザ照射した部分）からは蛍光は検出されず、他の部
分からは蛍光が検出された。上記した様にレーザ照射と
電圧の印加によって、サンプル中心部に記録ビットが形
成されるのは、光導電層３のレーザ照射部が低抵抗の導
通状態にあり、レーザ非照射部は絶縁状態にあるため、
印加電圧ｖｅｘがレーザ照射部では全てが蛍光体層２に
加わりレーザ非照射部では、光導電層３と蛍光体層２に
分配されて加わる為である。つまり、蛍光体層２の絶縁
破壊強度（＝１００ＫＶ／ａＲ）と蛍光体層２の層厚（
１０００人）の積１Ｖに印加電圧Ｖｅｘが到達した時、
蛍光体層２のレーザ照射部には１００ＫＶ／αの電界が
加わって、絶縁破壊を誘起し、その蛍光体としての特性
を失う。これに対し、蛍光体層２のレーザ非照射部の電
界強度は、１００ＫＶ／ＣＩＲ未満に保たれる９− ので何等破壊を起さないのである。又、記録ビットの再
生時には、電圧ｖｅｘをＯ（Ｖ）としておけば再生用レ
ーザの出力をいくらでも大きくする事ができ、第１図の
試験用サンプルでは記録時と同じｉｏｍｗの照射によっ
て蛍光の検出を行った所、記録部（蛍光の発しない部分
）と未記録部（蛍光を発する部分）の蛍光強度のコント
ラスト比は充分大きいものが得られた。
成図である。第１図において、１はＡｆｆｉサンプル基
板（２０ｍ０．２ｓｔ）、２はスパッタ法で形成したＥ
ｒ付活ＹＦ３蛍光体層（層厚１０００人）、３はプラズ
マＣＶＤ法で形成した非晶質３ｉ光導ｍ１ｌｌ（層厚１
０００人）、４は真空蒸着法で形成したＩＴＯなどの透
明導電層、５はインジウム電極、６はバイアス電源であ
る。上記構成のサンプルにおいて電源６の電圧Ｖｅｘを
０（Ｖ）に設定し、透明導電層４の側から、７８０ｎｍ
の半導体レーザビームを走査して照射した所、サンプル
全域に亘り蛍光体層２から緑色（中心波長５５０ｎｍ、
ＦＷＨＭ 〜５０ｎｍ の蛍光が発せられた。次に、レ
ーザビームをサンプルの中心部に１０ｍＷの照射パワー
で連続照射し、照射部からの蛍光を分光器でモニターし
ながら、電源６の電圧Ｖｅｘを徐々に増加した所、ｖｅ
ｘ≦１（Ｖ）で蛍光が検出されなくなった。次にＶｅｘ
を０（ｖ）に戻して再びレーザビームをサンプル全面に
走査して照射しながら、照射部よりの蛍光をモニターし
た所、サンプル中心部〈前記したＶｅｘを上昇した際に
レーザ照射した部分）からは蛍光は検出されず、他の部
分からは蛍光が検出された。上記した様にレーザ照射と
電圧の印加によって、サンプル中心部に記録ビットが形
成されるのは、光導電層３のレーザ照射部が低抵抗の導
通状態にあり、レーザ非照射部は絶縁状態にあるため、
印加電圧ｖｅｘがレーザ照射部では全てが蛍光体層２に
加わりレーザ非照射部では、光導電層３と蛍光体層２に
分配されて加わる為である。つまり、蛍光体層２の絶縁
破壊強度（＝１００ＫＶ／ａＲ）と蛍光体層２の層厚（
１０００人）の積１Ｖに印加電圧Ｖｅｘが到達した時、
蛍光体層２のレーザ照射部には１００ＫＶ／αの電界が
加わって、絶縁破壊を誘起し、その蛍光体としての特性
を失う。これに対し、蛍光体層２のレーザ非照射部の電
界強度は、１００ＫＶ／ＣＩＲ未満に保たれる９− ので何等破壊を起さないのである。又、記録ビットの再
生時には、電圧ｖｅｘをＯ（Ｖ）としておけば再生用レ
ーザの出力をいくらでも大きくする事ができ、第１図の
試験用サンプルでは記録時と同じｉｏｍｗの照射によっ
て蛍光の検出を行った所、記録部（蛍光の発しない部分
）と未記録部（蛍光を発する部分）の蛍光強度のコント
ラスト比は充分大きいものが得られた。
第２図は本発明の第２の実施例の光学式記録媒体の構成
図である。第２図において、１１はガラスサンプル基板
（２０ｇ＋口、１．５ａｔ）、１２１１１２２．１２３
はスパッタ法で形成した蛍光体層（各層共、層厚５００
人）で、１２１はＥｒ付活Ｙ２Ｏ３，１２２はＴｍ付活
ＹＦ３，１２３はＥｒ付活ＹＦ３．１３ｓ 〜１３３は
プラズマＣＶＤ法で形成した非晶質Ｓｉ光導電層（各層
共、層厚５００人）、１４１〜１４４は真空蒸着法で形
成したＩＴＯなどの透明導電層（各層共２層厚３００人
）、１５１〜１５４はインジウム電極、１６はバイアス
電源、１７ｐはバイアス電源正極１０− 端子、１７Ｎは同負極端子、１８はスイッチングボック
スである。
図である。第２図において、１１はガラスサンプル基板
（２０ｇ＋口、１．５ａｔ）、１２１１１２２．１２３
はスパッタ法で形成した蛍光体層（各層共、層厚５００
人）で、１２１はＥｒ付活Ｙ２Ｏ３，１２２はＴｍ付活
ＹＦ３，１２３はＥｒ付活ＹＦ３．１３ｓ 〜１３３は
プラズマＣＶＤ法で形成した非晶質Ｓｉ光導電層（各層
共、層厚５００人）、１４１〜１４４は真空蒸着法で形
成したＩＴＯなどの透明導電層（各層共２層厚３００人
）、１５１〜１５４はインジウム電極、１６はバイアス
電源、１７ｐはバイアス電源正極１０− 端子、１７Ｎは同負極端子、１８はスイッチングボック
スである。
上記構成のサンプルにおいて、先ずバイアス電源１６の
電圧をＯ６６■に固定し、スイッチングボックス１８を
操作して電１１ｉ １５ ｓ〜１５４とバイアス電源端
子１７Ｐ、１７Ｎの間を全て開放にした状態にセットし
、ガラス基板１１側より７８０ｎｍの半導体レーザビー
ムを照射した。照射部よりの蛍光スペクトルを分光器を
用いて観測した所、Ｅｒ付活ＹＦ３蛍光体Ｎ１２３より
の蛍光スペクトル（中心波長５５０ｎｍ、半値幅５０ｎ
ｍ）と、Ｔｍ付活ＹＦ３蛍光体層１２２よりの蛍光スペ
クトル（中心波長４５０ｎｍ、半値幅５０ｎｍ）と、Ｅ
ｒ付活Ｙ２０３蛍光体層１２１よりの蛍光スペクトル（
中心波長６５０ｎｍ、半値幅５０ｎｍ）が検出された。
電圧をＯ６６■に固定し、スイッチングボックス１８を
操作して電１１ｉ １５ ｓ〜１５４とバイアス電源端
子１７Ｐ、１７Ｎの間を全て開放にした状態にセットし
、ガラス基板１１側より７８０ｎｍの半導体レーザビー
ムを照射した。照射部よりの蛍光スペクトルを分光器を
用いて観測した所、Ｅｒ付活ＹＦ３蛍光体Ｎ１２３より
の蛍光スペクトル（中心波長５５０ｎｍ、半値幅５０ｎ
ｍ）と、Ｔｍ付活ＹＦ３蛍光体層１２２よりの蛍光スペ
クトル（中心波長４５０ｎｍ、半値幅５０ｎｍ）と、Ｅ
ｒ付活Ｙ２０３蛍光体層１２１よりの蛍光スペクトル（
中心波長６５０ｎｍ、半値幅５０ｎｍ）が検出された。
次に、スイッチングホース１８を操作し、電極１５４と
端子１７ｐの間、電極１５３と端子１７Ｎとの間を各々
接続し、レーザビームを基板１１側より１０ｍＷのパワ
ーで照射した。照射部よりの蛍光スペクトルを観測した
所、Ｅｒ付活ＹＦ３蛍光体層１２３からの蛍光スペクｌ
〜ルのみが検出されなくなった。これは、本発明の第１
の実施例で述べた様に電極１５４，１５３間に０．６Ｖ
の電圧がバイアスされている状態においては、レーナ光
照射により光＋１電ＦＩｊｉ １３３が導通状態になっ
た事に伴い、蛍光体層１２３にその絶縁破壊電界強度を
超える電界が印加され、蛍光体層１２３がその蛍光体と
しての特性を失ったためである。同様の実験をスイッチ
ングボックス１８を操作して、電極１５１〜１５４と端
子１７Ｐ、１７Ｎどの接続を切り換えて実行した所、Ｔ
ｍ付活ＹＦ３蛍光体層１２２、Ｅｒ付活Ｙ２０３蛍光体
層１２１についてそれぞれ独立に蛍光体特性の消失が可
能であった。又、絶縁破壊を起した蛍光体層（記録後の
蛍光体層）は、単にその蛍光体としての特性を失うだけ
で、７８０ｎｍの半導体レーザ光及び異なる蛍光体層（
記録前の層）からの蛍光に対しては、透明の状態を維持
する。例えば、第２図の構成においてＴｍ付活ＹＦ３蛍
光体層１２２のみに記録を行った後に配録部よりの蛍光
スペクトルを外部から観測すると、Ｅｒ付活ＹＦ３蛍光
体層１２３と、Ｅｒ付活Ｙ２０３蛍光体層１２１からの
蛍光は充分な強度で検出する事ができる。
端子１７ｐの間、電極１５３と端子１７Ｎとの間を各々
接続し、レーザビームを基板１１側より１０ｍＷのパワ
ーで照射した。照射部よりの蛍光スペクトルを観測した
所、Ｅｒ付活ＹＦ３蛍光体層１２３からの蛍光スペクｌ
〜ルのみが検出されなくなった。これは、本発明の第１
の実施例で述べた様に電極１５４，１５３間に０．６Ｖ
の電圧がバイアスされている状態においては、レーナ光
照射により光＋１電ＦＩｊｉ １３３が導通状態になっ
た事に伴い、蛍光体層１２３にその絶縁破壊電界強度を
超える電界が印加され、蛍光体層１２３がその蛍光体と
しての特性を失ったためである。同様の実験をスイッチ
ングボックス１８を操作して、電極１５１〜１５４と端
子１７Ｐ、１７Ｎどの接続を切り換えて実行した所、Ｔ
ｍ付活ＹＦ３蛍光体層１２２、Ｅｒ付活Ｙ２０３蛍光体
層１２１についてそれぞれ独立に蛍光体特性の消失が可
能であった。又、絶縁破壊を起した蛍光体層（記録後の
蛍光体層）は、単にその蛍光体としての特性を失うだけ
で、７８０ｎｍの半導体レーザ光及び異なる蛍光体層（
記録前の層）からの蛍光に対しては、透明の状態を維持
する。例えば、第２図の構成においてＴｍ付活ＹＦ３蛍
光体層１２２のみに記録を行った後に配録部よりの蛍光
スペクトルを外部から観測すると、Ｅｒ付活ＹＦ３蛍光
体層１２３と、Ｅｒ付活Ｙ２０３蛍光体層１２１からの
蛍光は充分な強度で検出する事ができる。
第２図の構成の記録媒体と、第１図の構成の記録媒体の
記録密度を同一のレーザビームスボッ１へ径、同一のビ
ット間隔で比較すると、第２図の構成の媒体の記録密度
（サンプル単位面積当りの記録ビット数）は第１図のそ
れの３倍である事は明らかである。またこの積層構造の
場合でも、レーザビームの焦点深度を媒体全体の層厚よ
り長くする事によって、隣接するビットからの信号（蛍
光）を誤って検出する事が回避される。
記録密度を同一のレーザビームスボッ１へ径、同一のビ
ット間隔で比較すると、第２図の構成の媒体の記録密度
（サンプル単位面積当りの記録ビット数）は第１図のそ
れの３倍である事は明らかである。またこの積層構造の
場合でも、レーザビームの焦点深度を媒体全体の層厚よ
り長くする事によって、隣接するビットからの信号（蛍
光）を誤って検出する事が回避される。
上記した実施例においては、信号検出に分光器を用いた
が、実際にディスクシステムを構成する際はダイクロイ
ックミラー等を検出系に用いれば、各蛍光体層からの蛍
光スペクトルを簡単に分離することができ、その他の光
学系の構成は現在実用されている光デイスクメモリーと
同一のものが適用できる。
が、実際にディスクシステムを構成する際はダイクロイ
ックミラー等を検出系に用いれば、各蛍光体層からの蛍
光スペクトルを簡単に分離することができ、その他の光
学系の構成は現在実用されている光デイスクメモリーと
同一のものが適用できる。
１３−
以上の様に本発明によれば、蛍光性物質からなる記録ビ
ット形成層からの蛍光の゛ある′、″′なし″を２値付
号゛１′’、”ｏ°′に対応させる事によって、記録部
と未記録部のコントラスト比の充分大きな記録信号を得
る事ができ、さらに異なる蛍光スペクトルを有する蛍光
性物質を積層化する事によって、記録再生用光ビームの
スポット径が同一でも単層記録媒体に比べ高い記録密度
を得ることができる。
ット形成層からの蛍光の゛ある′、″′なし″を２値付
号゛１′’、”ｏ°′に対応させる事によって、記録部
と未記録部のコントラスト比の充分大きな記録信号を得
る事ができ、さらに異なる蛍光スペクトルを有する蛍光
性物質を積層化する事によって、記録再生用光ビームの
スポット径が同一でも単層記録媒体に比べ高い記録密度
を得ることができる。
第１図は、本発明の第１の実施例の光学式記録媒体の構
成図、第２図は本発明の第２の実施例の光学式記録媒体
の構成図である。 １．１１・・・基板、２．１２＋〜１２３・・・蛍光体
層、３．１３＋〜１３３・・・光導電層、４，１４１〜
１４４・・・透明導電層、５．１５１〜１５４・・・電
極、６．１６・・・バイアス電源、１７Ｐ、１７Ｎ・・
・電源端子、１８・・・スイッチングボックス。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １４−
成図、第２図は本発明の第２の実施例の光学式記録媒体
の構成図である。 １．１１・・・基板、２．１２＋〜１２３・・・蛍光体
層、３．１３＋〜１３３・・・光導電層、４，１４１〜
１４４・・・透明導電層、５．１５１〜１５４・・・電
極、６．１６・・・バイアス電源、１７Ｐ、１７Ｎ・・
・電源端子、１８・・・スイッチングボックス。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １４−
Claims (3)
- （１）少なくとも一方が透明である導電体層の間に蛍光
性物質からなる記録ビット形成層と光導電層を挟んで構
成される記録媒体と、この記録媒体の両面に選択的に電
圧を印加する手段と、前記記録媒体に電圧が印加された
状態で光ビームを照射しその位置で低抵抗化した前記光
導電層を介して前記記録ビット形成層に高電界を与える
ことにより情報を記録する手段と、前記記録媒体に電圧
が印加されない状態で光ビームを照射しその位置での蛍
光の発生の有無により情報を再生する手段とを備えたこ
とを特徴とする光学式情報記録再生装置。 - （２）前記記録ビット形成層の蛍光性物質が赤外励起光
に対して可視蛍光を発する赤外可視変換蛍光体である特
許請求の範囲第１項記載の光学式情報記録再生装置。 - （３）蛍光スペクトルの異なる複数の記録媒体が積層さ
れている特許請求の範囲第１項記載の光学式情報記録再
生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092441A JPS60236119A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光学式情報記録再生装置 |
| US06/731,360 US4701880A (en) | 1984-05-09 | 1985-05-07 | Optical system for recording/reproducing information by means of a dielectric breakdown effected by photoswitching of a bias-voltage |
| EP85105695A EP0164577B1 (en) | 1984-05-09 | 1985-05-09 | Optical information recording/reproducing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092441A JPS60236119A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光学式情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236119A true JPS60236119A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14054501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092441A Pending JPS60236119A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光学式情報記録再生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4701880A (ja) |
| EP (1) | EP0164577B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60236119A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183093A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Sony Corp | 記録再生装置 |
| JPWO2004107331A1 (ja) * | 2003-05-30 | 2006-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 光ディスクおよびトラッキング制御を行う装置 |
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| JP4120268B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2008-07-16 | 株式会社日立製作所 | 情報記録媒体および情報記録方法 |
| KR20060067923A (ko) * | 2003-06-11 | 2006-06-20 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광학주사장치 |
| KR20060037359A (ko) * | 2003-07-18 | 2006-05-03 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 스위칭 회로를 구비한 다중층 정보매체 |
| CN107230494B (zh) * | 2016-03-23 | 2020-05-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元 |
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| BE580329A (ja) * | 1958-07-30 | |||
| US3467951A (en) * | 1964-03-18 | 1969-09-16 | Minnesota Mining & Mfg | Electron beam recording and readout process for information storage and retrieval |
| US3303341A (en) * | 1964-05-25 | 1967-02-07 | Minnesota Mining & Mfg | Method and construction for recording and retrieving information with an electron beam |
| US3573753A (en) * | 1968-08-01 | 1971-04-06 | Gen Electric | Information storage and retrieval employing an electron beam |
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| JPS4831967A (ja) * | 1971-08-27 | 1973-04-26 | ||
| US3906462A (en) * | 1973-05-04 | 1975-09-16 | Itek Corp | Optical storage device using piezoelectric read-out |
| US4035774A (en) * | 1975-12-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | Bistable electroluminescent memory and display device |
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-
1984
- 1984-05-09 JP JP59092441A patent/JPS60236119A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-07 US US06/731,360 patent/US4701880A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-09 EP EP85105695A patent/EP0164577B1/en not_active Expired
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| JP4509934B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | 光ディスクおよびトラッキング制御を行う装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4701880A (en) | 1987-10-20 |
| EP0164577B1 (en) | 1989-03-22 |
| EP0164577A1 (en) | 1985-12-18 |
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