JPS60236221A - 液相エピタキシヤル成長法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長法Info
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- JPS60236221A JPS60236221A JP59093186A JP9318684A JPS60236221A JP S60236221 A JPS60236221 A JP S60236221A JP 59093186 A JP59093186 A JP 59093186A JP 9318684 A JP9318684 A JP 9318684A JP S60236221 A JPS60236221 A JP S60236221A
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- Japan
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- gap
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3418—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3442—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3444—P-type
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は液相エピタキシャル成長法に係り、特にＧａＰ
緑色発光素子の製造方法に関する。
緑色発光素子の製造方法に関する。
［発明の技術的背景及びその問題点］
従来、ＧａＰ緑色発光素子の製造に適したＪビタキシャ
ル成長装置が本出願人と同一出願人により特願昭５７−
２２１３０２号明ｆＩｍ＜液相エピタキシＡ・ル成長用
ボート）に提案されている。
ル成長装置が本出願人と同一出願人により特願昭５７−
２２１３０２号明ｆＩｍ＜液相エピタキシＡ・ル成長用
ボート）に提案されている。
この装置によれば、Ｎ型ＱａＰ！ＦＷの低温度コントロ
ールが可能であり、ＧａＰ基板の特性を最大限に活用し
て高輝度化を実現できる。
ールが可能であり、ＧａＰ基板の特性を最大限に活用し
て高輝度化を実現できる。
しかしながら、その信頼性（初期残存率）に於いては、
窒素をコン１〜ロール良く添加し、Ｎ望Ｇａｐ層のキレ
リア濃度を低レベルにコントロールして（窒素が多量に
入って）いるにも拘らずＮ型ＧａＰ層のキャリア濃度が
変動していた頃に比べて向上していない。
窒素をコン１〜ロール良く添加し、Ｎ望Ｇａｐ層のキレ
リア濃度を低レベルにコントロールして（窒素が多量に
入って）いるにも拘らずＮ型ＧａＰ層のキャリア濃度が
変動していた頃に比べて向上していない。
［発明の目的］
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、（の目的は
、接合部近傍のＰ型、Ｎ型ＧａＰ層の−１ヤリア濃度差
を低減し、ＧａＰ緑色光光素了の高輝度化及び高信頼化
を実現できる液相エピタキシャル成長法を提供すること
にある。
、接合部近傍のＰ型、Ｎ型ＧａＰ層の−１ヤリア濃度差
を低減し、ＧａＰ緑色光光素了の高輝度化及び高信頼化
を実現できる液相エピタキシャル成長法を提供すること
にある。
［発明の概要］
本発明は、ＰＮ接合部近傍のＮ型ＧａＰ （ＮＤ２）層
を１ビタキシヤル成長により形成する際、従来Ａｒ＋Ｎ
１−ｈの混合ガスがＱａと反応してできたＧａＮ （２
Ｇａ＋２ＮＨ３ｄ２ ＧａＮ＋３ト１３）中のＮ（窒素
）を添加していたものを、さらに、純粋ＮＨ３ガスとＨ
２ガスを流すことにより、ＧａとＮ ｌ−１３ガスの反
応でできるＧａＮと、石英（ボート）とＨ２ガスの反応
（Ｓｉ ０２ ＋２ ）−１２−８ｉ ４”＋２ Ｈ２
０）ｒｒきるｓｉ ’＋を（−ニーパントとし、キャリ
ア濃度の補償された成長層とするものである。
を１ビタキシヤル成長により形成する際、従来Ａｒ＋Ｎ
１−ｈの混合ガスがＱａと反応してできたＧａＮ （２
Ｇａ＋２ＮＨ３ｄ２ ＧａＮ＋３ト１３）中のＮ（窒素
）を添加していたものを、さらに、純粋ＮＨ３ガスとＨ
２ガスを流すことにより、ＧａとＮ ｌ−１３ガスの反
応でできるＧａＮと、石英（ボート）とＨ２ガスの反応
（Ｓｉ ０２ ＋２ ）−１２−８ｉ ４”＋２ Ｈ２
０）ｒｒきるｓｉ ’＋を（−ニーパントとし、キャリ
ア濃度の補償された成長層とするものである。
また、Ｐ型ＧａＰ層のキャリア濃度は、表面のｍ極形成
に必飲な層のみを従来通り高キャリア溌ｉ （１０１Ｆ
Ｉｃｔｓ ’レベル）とし、内部Ｐ型ＧａＰ （ＰＡ＋
）層は光の透過しやすい低キヤリア濃度（１０１７ｃ
ｍ′３レベル）とすることにより、接合部近傍のＰＮ領
域のキャリア濃度差を低減づるものである。
に必飲な層のみを従来通り高キャリア溌ｉ （１０１Ｆ
Ｉｃｔｓ ’レベル）とし、内部Ｐ型ＧａＰ （ＰＡ＋
）層は光の透過しやすい低キヤリア濃度（１０１７ｃ
ｍ′３レベル）とすることにより、接合部近傍のＰＮ領
域のキャリア濃度差を低減づるものである。
［発明の実施例］
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は本発明に用いる液相エピタキシコル成長用ボート
の長手方向に沿った断面図、第２図は第１図のｘ−ｘ’
線に沿った断面図である。
１図は本発明に用いる液相エピタキシコル成長用ボート
の長手方向に沿った断面図、第２図は第１図のｘ−ｘ’
線に沿った断面図である。
第１図及び第２図に於いて、１１は石英製の収納部材を
示し、その底部にはＧａＰ基板１２．１２・・・が載置
されている。収納部材１１の上部開口には、第３図に示
すような第１間孔部１３．１３・・・と第２開孔部１４
．１４・・・とを有する石英大蓋１５が設けられている
。
示し、その底部にはＧａＰ基板１２．１２・・・が載置
されている。収納部材１１の上部開口には、第３図に示
すような第１間孔部１３．１３・・・と第２開孔部１４
．１４・・・とを有する石英大蓋１５が設けられている
。
これら第２開孔部１４．１４・・・はそれぞれ石英穴′
ｌＡ１５の長手方向に沿いその略中心線上に設けられて
いる。なお、第１図は第３図のＹ−Ｙ’線に対応した断
面図である。また、第３図に於いて、破線で示された部
分はそれぞれＧａＰ基板１２．１２・・・に対応するも
ので、これにより石英大蓋１５（収納部材１１）とＧａ
Ｐ基板１２．１２・・・との平面的な位置関係が示され
る。石英大蓋１５の長手方向に沿ったその略中心線上に
は、スライド自在に設置され、底部に注出口１Ｇ、１６
・・・を有し、内部にＧａ、ＧａＰｆｆ１液１７をそれ
ぞれ収納するＧａ、ＧａＰ溶液溜部材１８が設けられて
いる。
ｌＡ１５の長手方向に沿いその略中心線上に設けられて
いる。なお、第１図は第３図のＹ−Ｙ’線に対応した断
面図である。また、第３図に於いて、破線で示された部
分はそれぞれＧａＰ基板１２．１２・・・に対応するも
ので、これにより石英大蓋１５（収納部材１１）とＧａ
Ｐ基板１２．１２・・・との平面的な位置関係が示され
る。石英大蓋１５の長手方向に沿ったその略中心線上に
は、スライド自在に設置され、底部に注出口１Ｇ、１６
・・・を有し、内部にＧａ、ＧａＰｆｆ１液１７をそれ
ぞれ収納するＧａ、ＧａＰ溶液溜部材１８が設けられて
いる。
次に、上記ボートを用いて、Ｇ ａｐ県根板１２１２・
・・にＧａ、ＧａＰの液相成長を行なう具体例を上記第
１図乃至第３図、更に第４図及び第５図を参照して説明
する。ここに、第４図はＧａ、ＧａＰ溶液をＧａＰ基板
１２．１２・・・上に流し込んだ状態を示すボー１−の
断面図であり、第５図は液相エピタキシャル成長詩の温
度プログラム図を示すものである。
・・にＧａ、ＧａＰの液相成長を行なう具体例を上記第
１図乃至第３図、更に第４図及び第５図を参照して説明
する。ここに、第４図はＧａ、ＧａＰ溶液をＧａＰ基板
１２．１２・・・上に流し込んだ状態を示すボー１−の
断面図であり、第５図は液相エピタキシャル成長詩の温
度プログラム図を示すものである。
（１）先ずボートのＧａ、ＧａＰ溶液溜部材１８にＧａ
とＧａの飽和愚に足るＧａＰを収容し、収納部材１１に
ＧａＰＪｌ板１２．１２・・・を収容し、このボートを
反応炉のうちの主炉にセットする。また、反応炉の補助
炉にはＺｎ用ルツボをセットする。その後、反応炉内を
真空引きし、漏れがないことを！ｉ￥ ＬＲＬ−ｔ：
ＩＵ、１−１２ （水３１％） カスヲｉ％Ｅ！１９０
ｆｆ、／Ｈテ反応炉内に流し込み、主炉の昇温を開始す
る。そし・て、主炉内が均熱（１０００℃）になってか
ら３０分６１過Ｂ１点（第５図のＡ点）で、Ｑａ、Ｑａ
Ｐ溶液溜部（イ１８を第１図の矢印へ方向にスライドし
、当該Ｇａ、ＧａＰｒｇ液溜部材１８の注出口１Ｇ、１
Ｇ ・・・をでれぞれ石英大蓋１５の第２開孔部１４
．１４・・・に合致させて、第４図に示すように当該部
材１８内に収容されているＧａ、ＧａＰ溶液１７を収納
部材１１内に流し込む。続いて、Ｇａ、ＧａＰ溶液溜部
材１８を元の位置に戻した後、主炉を１０００℃で１２
０分間保持し、ＧａＰ基板１２．１２・・・上に流し込
まれた十分に飽和したＱａ温溶液空焼きを行なうと同時
に、Ｈ２の還元作用により、ボートの収納部材１１及び
石英た１５を次のように反応させ３ ｉ ４＋をＧａ中
に溶は込ませる。この場合、３ ｉ ４＋の量は後述の
Ｎ型ＧａＰ （ＮＤｔ ）層のキャリア濃度が１〜４ｘ
１０” ｃｍ ”となるように設定する。
とＧａの飽和愚に足るＧａＰを収容し、収納部材１１に
ＧａＰＪｌ板１２．１２・・・を収容し、このボートを
反応炉のうちの主炉にセットする。また、反応炉の補助
炉にはＺｎ用ルツボをセットする。その後、反応炉内を
真空引きし、漏れがないことを！ｉ￥ ＬＲＬ−ｔ：
ＩＵ、１−１２ （水３１％） カスヲｉ％Ｅ！１９０
ｆｆ、／Ｈテ反応炉内に流し込み、主炉の昇温を開始す
る。そし・て、主炉内が均熱（１０００℃）になってか
ら３０分６１過Ｂ１点（第５図のＡ点）で、Ｑａ、Ｑａ
Ｐ溶液溜部（イ１８を第１図の矢印へ方向にスライドし
、当該Ｇａ、ＧａＰｒｇ液溜部材１８の注出口１Ｇ、１
Ｇ ・・・をでれぞれ石英大蓋１５の第２開孔部１４
．１４・・・に合致させて、第４図に示すように当該部
材１８内に収容されているＧａ、ＧａＰ溶液１７を収納
部材１１内に流し込む。続いて、Ｇａ、ＧａＰ溶液溜部
材１８を元の位置に戻した後、主炉を１０００℃で１２
０分間保持し、ＧａＰ基板１２．１２・・・上に流し込
まれた十分に飽和したＱａ温溶液空焼きを行なうと同時
に、Ｈ２の還元作用により、ボートの収納部材１１及び
石英た１５を次のように反応させ３ ｉ ４＋をＧａ中
に溶は込ませる。この場合、３ ｉ ４＋の量は後述の
Ｎ型ＧａＰ （ＮＤｔ ）層のキャリア濃度が１〜４ｘ
１０” ｃｍ ”となるように設定する。
Ｓｉ ０２ ＋２ Ｈ２ＳＳｉ ’＋４２ Ｈ２０（２
） その後、９７０℃まで徐冷 第５図の８点）すると
、ＧａＰ基板１２．１２・・・上にＳｉ ドナー不純物
が添加されたＮ型ＧａＰ （ＮＤＩ ）層が形成される
。
） その後、９７０℃まで徐冷 第５図の８点）すると
、ＧａＰ基板１２．１２・・・上にＳｉ ドナー不純物
が添加されたＮ型ＧａＰ （ＮＤＩ ）層が形成される
。
（３次いで、８点より、純粋ＮＨ３ガスを流し、下記の
反応をさせる。
反応をさせる。
２ Ｇａ＋２ ＮＨ３１２ＧａＮ＋３８２また、同時に
、Ｈ２ガスを流すことにより、下記の反応をさせる。
、Ｈ２ガスを流すことにより、下記の反応をさせる。
Ｓｉ ０２ ＋２ ＋２ ｓｓｉ ４＋４−２８２０そ
の結果、ＧａＮと３ｉの両ドナー不純物がＧａ中に添加
される。
の結果、ＧａＮと３ｉの両ドナー不純物がＧａ中に添加
される。
（４） この後、主炉内を９３０℃（第５図の０点）ま
ｒ ＋＆冷すると、Ｎ型ＧａＰ （ＮＤ＋ ）ｉｉ上に
ＧＯＮの形でＮ（窒素）が添加され、また、徐冷中の温
度に平衡して溶は込まれたＳｉが補償され、１度に傾斜
（２Ｘ１０１６〜４ Ｘ １０Ｉ７（ＩＪＲ” ）を持
ったＮ型ＧａＰ （ＮＤ２ ）層が形成される。
ｒ ＋＆冷すると、Ｎ型ＧａＰ （ＮＤ＋ ）ｉｉ上に
ＧＯＮの形でＮ（窒素）が添加され、また、徐冷中の温
度に平衡して溶は込まれたＳｉが補償され、１度に傾斜
（２Ｘ１０１６〜４ Ｘ １０Ｉ７（ＩＪＲ” ）を持
ったＮ型ＧａＰ （ＮＤ２ ）層が形成される。
（５） 続いて、補助炉を３５０℃まで昇温さぜ、Ｚｎ
（亜鉛）を蒸気状にし、主炉にアクセプタ不純物として
供給する。一方、主炉を８５０℃まで降温（第５図のＤ
点）し、低キヤリア濃度（１０１’ｍ’レベル）のＰ型
ＧａＰ層（ＰＡ＋ ）を形成する。
（亜鉛）を蒸気状にし、主炉にアクセプタ不純物として
供給する。一方、主炉を８５０℃まで降温（第５図のＤ
点）し、低キヤリア濃度（１０１’ｍ’レベル）のＰ型
ＧａＰ層（ＰＡ＋ ）を形成する。
ここで、この８５０℃までの降温中も純粋ＮＨ３ガスを
流し、ＰＮ接合を形成した後のＰ型ＧａＰ（ＰＡ＋ ）
層中にもＮを添加する。
流し、ＰＮ接合を形成した後のＰ型ＧａＰ（ＰＡ＋ ）
層中にもＮを添加する。
＋６１ Ｄ点になると、純粋ＮＨ３ガスの供給を止め、
補助炉を７２０℃まで昇温し、Ｇａ中に高アクセブタ不
糺物として溶は込ませながら、８キャリア濃度（１０’
ｇｃｍ−３レベル）のＰ望ＧａＰ （ＰＡ２ ）層を形
成する。
補助炉を７２０℃まで昇温し、Ｇａ中に高アクセブタ不
糺物として溶は込ませながら、８キャリア濃度（１０’
ｇｃｍ−３レベル）のＰ望ＧａＰ （ＰＡ２ ）層を形
成する。
上記工程により製造されたＧａＰ緑色発光素子に於いて
は、 ＋ｌ） ＰＮ接合近傍のＰ型ＧａＰ （ＰＡ＋ ＞層は
、Ｎ（窒素）のドナー不純物とＺｎのく亜鉛）アクセプ
タ不純物の補償された層として形成されている。すなわ
ち、ＰＮ接合部のＰ型頭域にＮが添加され、キャリア濃
度が低下する。その結果、Ｎ型ＧａＰ （ＮＤ２ ）層
とＰ型ＧａＰ （ＰＡ＋ ）ｉｉとのキャリア濃度差が
低減され、このため信頼性が向上する。第６図（ａ）、
（ｂ）は、従来方法と本発明の方法により製造された発
光素子を比較して示す濃度プロファイル特性図である。
は、 ＋ｌ） ＰＮ接合近傍のＰ型ＧａＰ （ＰＡ＋ ＞層は
、Ｎ（窒素）のドナー不純物とＺｎのく亜鉛）アクセプ
タ不純物の補償された層として形成されている。すなわ
ち、ＰＮ接合部のＰ型頭域にＮが添加され、キャリア濃
度が低下する。その結果、Ｎ型ＧａＰ （ＮＤ２ ）層
とＰ型ＧａＰ （ＰＡ＋ ）ｉｉとのキャリア濃度差が
低減され、このため信頼性が向上する。第６図（ａ）、
（ｂ）は、従来方法と本発明の方法により製造された発
光素子を比較して示す濃度プロファイル特性図である。
ここに、同図（ａ）は従来の例、同図（ｂ）は本発明の
例を示している。
例を示している。
（２）内部Ｐ型ＧａＰ （ＰＡｌ）層のキャリア濃度が
低くコントロールされているので、光の透過率が改善さ
れる。
低くコントロールされているので、光の透過率が改善さ
れる。
［ざｔ明の効果］
以上のように本発明によれば、ＧａＰ緑色発光素子の製
造に際し、Ｎ型ＧａＰ層の低濃度コントロールが可能で
あり高輝度化が実現できると共に、ＰＮ接合部近傍のＰ
型、Ｎ型ＧａＰ層のキャリア濃度差を低減できるので、
信頼性の向上したＧａＰ緑色発光素子を製造することが
できる。
造に際し、Ｎ型ＧａＰ層の低濃度コントロールが可能で
あり高輝度化が実現できると共に、ＰＮ接合部近傍のＰ
型、Ｎ型ＧａＰ層のキャリア濃度差を低減できるので、
信頼性の向上したＧａＰ緑色発光素子を製造することが
できる。
第１図は本発明の一実施例に係る液相エピタキシャル成
長用ボートの断面図、第２図は第１図のｘ−ｘ’線に沿
った断面図、第３図は第１図のボートに用いられる石英
大蓋の平面図、第４図はＧａ、ＧａＰ溶液をＧａＰ基板
上に流し込んだ後の状態を示すボートの断面図、第５図
は液相エピタキシャル成長時の温度プログラム図、第６
図は従来例と本発明の発光素子を比較して示す濃度プロ
ファイル特性図である。 １１・・・収納部材、１２・・・ＧａＰ基板、１３・・
・第１開口部、１４・・・第２開口部、１５・・・石英
大蓋、１６・・・注出口、１７−Ｇ ａ 、 Ｇ ａ
Ｐ溶液、１８−Ｇ ａ １Ｇ ａ Ｐ溶液溜部材。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 Ａ 第２図 ７ 第３図 飄 第４図
長用ボートの断面図、第２図は第１図のｘ−ｘ’線に沿
った断面図、第３図は第１図のボートに用いられる石英
大蓋の平面図、第４図はＧａ、ＧａＰ溶液をＧａＰ基板
上に流し込んだ後の状態を示すボートの断面図、第５図
は液相エピタキシャル成長時の温度プログラム図、第６
図は従来例と本発明の発光素子を比較して示す濃度プロ
ファイル特性図である。 １１・・・収納部材、１２・・・ＧａＰ基板、１３・・
・第１開口部、１４・・・第２開口部、１５・・・石英
大蓋、１６・・・注出口、１７−Ｇ ａ 、 Ｇ ａ
Ｐ溶液、１８−Ｇ ａ １Ｇ ａ Ｐ溶液溜部材。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 Ａ 第２図 ７ 第３図 飄 第４図
Claims (1)
- Ｎ型ＧａＰＩ板上に第１のＮ型ＧａＰ層をエピタキシャ
ル成長させる工程と、前記第１のＮ型ＧａＰ層上に第２
のＮ型ＧａＰ層をエピタキシャル成長させる共に、同層
中に窒素を添加しかつキャリア濃度に傾斜を持たせる工
程と、前記第２のＮ型ＧａＰ層上に第１のＰ型ＧａＰ層
をエピタキシャル成長させると共に、同層中に窒素を添
加する工程と、前記第１のＰ型ＧａＰ層上に同層よりも
高濃度の第２のＰ型ＧａＰ層をエピタキシャル成長させ
る工程とを具備したことを特徴とする液相エピタキシャ
ル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093186A JPS60236221A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093186A JPS60236221A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236221A true JPS60236221A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14075543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093186A Pending JPS60236221A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236221A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685892A3 (en) * | 1994-05-31 | 1998-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing light-emitting diode |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP59093186A patent/JPS60236221A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685892A3 (en) * | 1994-05-31 | 1998-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing light-emitting diode |
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