JPS60237455A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS60237455A JPS60237455A JP9364684A JP9364684A JPS60237455A JP S60237455 A JPS60237455 A JP S60237455A JP 9364684 A JP9364684 A JP 9364684A JP 9364684 A JP9364684 A JP 9364684A JP S60237455 A JPS60237455 A JP S60237455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- content
- arsenic
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、−ｅレン・砒素系光導電材料からなる感光層
を有する電子写真用感光体に関する。
を有する電子写真用感光体に関する。
セレン・砒素系感光Ｉ―の原子組成としては、ＡｓＳｅ
３合金、丁なわぢ砒素含有皐３８．８重量％のセレンが
知られている。このＡＳ ２ Ｓ ｅ ３からなる蒸着
膜は、５ｅ−Ｔｅ系蒸着膜に比べて蒸着膜の組成が安定
していること、ならびに長波長鎖域で高感度であるとい
う利点を有する。しかし、Ａｓ２Ｓｅ３のガラス転移点
温度は１７５°Ｃと高いため、蒸着の際に感光体基体温
度を高温に保たなければ平滑な面が得られず、そのため
に基体内の吸蔵ガス、吸着ガスが加熱により放出してピ
ンホール等の膜欠陥が発生しやすいという欠点がある。
３合金、丁なわぢ砒素含有皐３８．８重量％のセレンが
知られている。このＡＳ ２ Ｓ ｅ ３からなる蒸着
膜は、５ｅ−Ｔｅ系蒸着膜に比べて蒸着膜の組成が安定
していること、ならびに長波長鎖域で高感度であるとい
う利点を有する。しかし、Ａｓ２Ｓｅ３のガラス転移点
温度は１７５°Ｃと高いため、蒸着の際に感光体基体温
度を高温に保たなければ平滑な面が得られず、そのため
に基体内の吸蔵ガス、吸着ガスが加熱により放出してピ
ンホール等の膜欠陥が発生しやすいという欠点がある。
このような欠陥の発生を防ぐためには、蒸着前に気体の
予備加熱等による脱ガス工程が必要となり、工数がかか
る欠点がある。また蒸着装置も基体の高温加熱のための
能力、高温に耐える設備が必要になるという欠点がある
。
予備加熱等による脱ガス工程が必要となり、工数がかか
る欠点がある。また蒸着装置も基体の高温加熱のための
能力、高温に耐える設備が必要になるという欠点がある
。
一方、感光層を２層とし、基体側の第一層を純セレン、
その上の第二層をＡｓ４ Ｓｅ３またはそれに近い組成
にしたものが、例えば特開昭４８−１０２６２３号公報
により知られている。ところがこのような感光体は、純
セレンと高砒素濃度セレンの熱膨張係数の相違により熱
履歴に弱く、温度変化によって感光層にしわ等の欠陥が
生ずるという欠点がある。また感光層全体としての平均
Ａｓ＃度が少なくなるため、長波長領域の感度も低下す
るという欠点がある。
その上の第二層をＡｓ４ Ｓｅ３またはそれに近い組成
にしたものが、例えば特開昭４８−１０２６２３号公報
により知られている。ところがこのような感光体は、純
セレンと高砒素濃度セレンの熱膨張係数の相違により熱
履歴に弱く、温度変化によって感光層にしわ等の欠陥が
生ずるという欠点がある。また感光層全体としての平均
Ａｓ＃度が少なくなるため、長波長領域の感度も低下す
るという欠点がある。
ｒ発明の目的〕
本発明は、上述の欠点を除去し、ピンホール等の膜欠陥
が少なく、長波長領域で高感度を有し、かつ温度変化に
対しても安定な電子写真用感光体を低コストで提供する
ことを目的とする。
が少なく、長波長領域で高感度を有し、かつ温度変化に
対しても安定な電子写真用感光体を低コストで提供する
ことを目的とする。
本発明は、電子写真用感光体が導電性基体上に感光層と
して基体側から砒素３０重量％を含有するセレンからな
り厚さｌＯ〜３０μ濯の第一層と、砒素３０〜４５重薫
％を含有するセレンからなり厚さ１０〜７０μｍの第二
層とを有することによって上記の目的を達成する。砒素
加〜頷重ｉｔ％を含むセレンのガラス転移点温度は７９
〜１０５℃であるため、Ａｓ２５ｅａを蒸着する場合と
比較して低い基体温度で蒸着する事が可能である。
して基体側から砒素３０重量％を含有するセレンからな
り厚さｌＯ〜３０μ濯の第一層と、砒素３０〜４５重薫
％を含有するセレンからなり厚さ１０〜７０μｍの第二
層とを有することによって上記の目的を達成する。砒素
加〜頷重ｉｔ％を含むセレンのガラス転移点温度は７９
〜１０５℃であるため、Ａｓ２５ｅａを蒸着する場合と
比較して低い基体温度で蒸着する事が可能である。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明によって採用された感光体の２層構造を
示し、アルミニウム基体ｌの上に第一層２と第二層３が
順に積層されている。
示し、アルミニウム基体ｌの上に第一層２と第二層３が
順に積層されている。
実施例１：外径１００ ＩＩＩの円筒アルミ管の基体１
の上に砒素２０重量％含有するセレンからなる第一層２
を約１０μｍの厚さに真空蒸着によって形成した。この
ときの蒸着槽内の圧力は約１Ｏ−３Ｐａ、蒸発源温度は
４３０°Ｃとした。基体温度は１８０’Ｃで平滑な層が
得られた。この上に砒４３８．８．７Ｎ４％を含有する
セレンからなる第二層３を約刃μｍの厚さに形成した。
の上に砒素２０重量％含有するセレンからなる第一層２
を約１０μｍの厚さに真空蒸着によって形成した。この
ときの蒸着槽内の圧力は約１Ｏ−３Ｐａ、蒸発源温度は
４３０°Ｃとした。基体温度は１８０’Ｃで平滑な層が
得られた。この上に砒４３８．８．７Ｎ４％を含有する
セレンからなる第二層３を約刃μｍの厚さに形成した。
このときの槽内圧力は約１０ Ｐａ、蒸発源温度は４５
０℃で基体温度は同様１８０℃とした。
０℃で基体温度は同様１８０℃とした。
実施例２：実施例１と同様のアルミニウム基体１上に砒
素３０重量％を含有するセレン１−２を厚さく９）μ常
に、砒素３８．８重量％を含有するセレン層３を厚さ３
０Ａｍに真壁蒸着によって形成した。このときの蒸着条
件は、圧力１０＝ Ｐａ 、蒸発源温度は第一層２の場
合が４３０°Ｃ，第二層３の場合が４５０℃、基体温度
はｉｓｏ’ｃでめった。
素３０重量％を含有するセレン１−２を厚さく９）μ常
に、砒素３８．８重量％を含有するセレン層３を厚さ３
０Ａｍに真壁蒸着によって形成した。このときの蒸着条
件は、圧力１０＝ Ｐａ 、蒸発源温度は第一層２の場
合が４３０°Ｃ，第二層３の場合が４５０℃、基体温度
はｉｓｏ’ｃでめった。
比較例・・・実施例と同様のアルミニウム基体上に３８
．８重量％の砒素を含有するセレン、すなわちＡｓ２Ｓ
ｅ４の単層で約印μｍの厚さの感光層を、圧力ＩＱ ”
Ｐａ 、蒸発源温度４５０ ’Ｃ、基体温ｉ ２１０
’Ｃの蒸着条件で真空蒸着した。
．８重量％の砒素を含有するセレン、すなわちＡｓ２Ｓ
ｅ４の単層で約印μｍの厚さの感光層を、圧力ＩＱ ”
Ｐａ 、蒸発源温度４５０ ’Ｃ、基体温ｉ ２１０
’Ｃの蒸着条件で真空蒸着した。
第１表はこれらの感光体の゛４位特性を示１−０第１表
測定条件は、周速３ｇ０ｍ７ｍで感光体を回転し、基体
を通じての漏、？”ｌ電流が２８０μＡとなるようなコ
ロナ電圧を感光層表面にかけたときの帯電位を膜厚で除
した値を電荷許容度とし、さら會こ５０１にの露光を与
えたときの電位とｆｉ礪位との比を１から減じた値を光
減衰率、１２０ Ａｘの露光を与えたときの電位を残留
電位とした。またくり返し疲労特性として帯電、露光の
サイクルを２００回くり返したときの帯電低下および残
留電位上昇を示した。
を通じての漏、？”ｌ電流が２８０μＡとなるようなコ
ロナ電圧を感光層表面にかけたときの帯電位を膜厚で除
した値を電荷許容度とし、さら會こ５０１にの露光を与
えたときの電位とｆｉ礪位との比を１から減じた値を光
減衰率、１２０ Ａｘの露光を与えたときの電位を残留
電位とした。またくり返し疲労特性として帯電、露光の
サイクルを２００回くり返したときの帯電低下および残
留電位上昇を示した。
第２表は、感光体を複写機に実装し、全面黒原稿を複写
した際の白抜は欠陥を計数した結果を示す。
した際の白抜は欠陥を計数した結果を示す。
第 ２ 表
率で、曲線２１が実施例１１曲株ｎが実施例２９曲線３
３が比較例の感光体に対するものである。
３が比較例の感光体に対するものである。
第１．第２表、第２図より次のことが分かる。
実施例１．２共に比較例と比べて電荷受容度がやや増加
し、光減衰率がやや小さくなるがほぼＡｓ２Ｓｅ３単層
と同等の電位特性である。くり返しサイクルによる帯電
低下、残留電位上昇共に比較例のノル５２ｓｅ３単層と
同等であり、良好な特性である。波長分光特性について
も比較例と同等で、７００ ｙｎ以上の長波長領域で感
度を有する。画像欠陥については、実施例１．２共に比
較例に比べて大幅に改善されている。これは、実施例は
比較例に比べて基体との界面近傍のＡｓ濃度を大幅に減
少させているので、それによって低い基体温度でも界面
部をカラス状に平滑に蒸着させることが可能になり、基
体の吸蔵ガス、吸着ガスの蒸着中の放出を抑制できた結
果である。
し、光減衰率がやや小さくなるがほぼＡｓ２Ｓｅ３単層
と同等の電位特性である。くり返しサイクルによる帯電
低下、残留電位上昇共に比較例のノル５２ｓｅ３単層と
同等であり、良好な特性である。波長分光特性について
も比較例と同等で、７００ ｙｎ以上の長波長領域で感
度を有する。画像欠陥については、実施例１．２共に比
較例に比べて大幅に改善されている。これは、実施例は
比較例に比べて基体との界面近傍のＡｓ濃度を大幅に減
少させているので、それによって低い基体温度でも界面
部をカラス状に平滑に蒸着させることが可能になり、基
体の吸蔵ガス、吸着ガスの蒸着中の放出を抑制できた結
果である。
本発明は、セレン・砒素系感光層の基体に近い側に砒素
含有率を加〜刀重量％と低めに抑えた第一層を設けたも
ので、これにより蒸着時の基体温度を下げることが可能
となり、その結果蒸着時の基体からの吸蔵ガス、吸着ガ
スの放出が抑止され、ピンホール等の膜欠陥およびそれ
によって生ずる画像欠陥が減少する。従って、膜欠陥を
防ぐための蒸着前の基体の予備加熱等の脱ガス工程を短
縮又は廃止することが可能となり、製造コストを大幅に
引き下げることができる。また第一層の砒素含有率が加
〜加Ｎ量％で、第二層のＡＳ２Ｓｅ３組成近傍の加〜４
５重量％との差が小さいため、熱履歴の影＃を受けにく
い耐久性のある感光体を得ることができる。また本発明
の層構成によれば、全層の平均砒素含有率が２３〜４３
瀘量％と高い水準にあ乙ので、感度すなわち光減衰車が
大きく、また波長分光特性においても７００ ｍ以上の
長波長領域で高い感度を得ることができる。
含有率を加〜刀重量％と低めに抑えた第一層を設けたも
ので、これにより蒸着時の基体温度を下げることが可能
となり、その結果蒸着時の基体からの吸蔵ガス、吸着ガ
スの放出が抑止され、ピンホール等の膜欠陥およびそれ
によって生ずる画像欠陥が減少する。従って、膜欠陥を
防ぐための蒸着前の基体の予備加熱等の脱ガス工程を短
縮又は廃止することが可能となり、製造コストを大幅に
引き下げることができる。また第一層の砒素含有率が加
〜加Ｎ量％で、第二層のＡＳ２Ｓｅ３組成近傍の加〜４
５重量％との差が小さいため、熱履歴の影＃を受けにく
い耐久性のある感光体を得ることができる。また本発明
の層構成によれば、全層の平均砒素含有率が２３〜４３
瀘量％と高い水準にあ乙ので、感度すなわち光減衰車が
大きく、また波長分光特性においても７００ ｍ以上の
長波長領域で高い感度を得ることができる。
第１図は本発明の実施例の感光体の構造を示す断面図、
第２図は本発明の実施例による感光体と比較例の感光体
の波長分光感度線図である。 １・・・基体、２・・・低砒素第一層、３−・・・高砒
素第二層。 第１図 第２図 波長［ｎｍ〕−
第２図は本発明の実施例による感光体と比較例の感光体
の波長分光感度線図である。 １・・・基体、２・・・低砒素第一層、３−・・・高砒
素第二層。 第１図 第２図 波長［ｎｍ〕−
Claims (1)
- ｌ）導電性基体上に感光層として基体側から砒素加〜（
９）重量％を含有するセレンからなり厚さｌＯ〜力μ常
の第一層と、砒素３０〜４５１蓋％を含有するセレンか
らなり厚さｌＯ〜７０μ洛の第二ノーとを有することを
特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9364684A JPS60237455A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9364684A JPS60237455A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237455A true JPS60237455A (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=14088130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9364684A Pending JPS60237455A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60237455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228545B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-05-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic selenium photoconductor |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9364684A patent/JPS60237455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228545B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-05-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic selenium photoconductor |
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