JPS60238136A - 昇華性物質ガスの安定供給方法 - Google Patents
昇華性物質ガスの安定供給方法Info
- Publication number
- JPS60238136A JPS60238136A JP9353784A JP9353784A JPS60238136A JP S60238136 A JPS60238136 A JP S60238136A JP 9353784 A JP9353784 A JP 9353784A JP 9353784 A JP9353784 A JP 9353784A JP S60238136 A JPS60238136 A JP S60238136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- trap
- recrystallization
- alcl3
- sublimable substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 41
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 16
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021554 Chromium(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000555825 Clupeidae Species 0.000 description 1
- 229910017544 NdCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- XBWRJSSJWDOUSJ-UHFFFAOYSA-L chromium(ii) chloride Chemical compound Cl[Cr]Cl XBWRJSSJWDOUSJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K neodymium(iii) chloride Chemical compound Cl[Nd](Cl)Cl ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 235000019512 sardine Nutrition 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/32—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/81—Constructional details of the feed line, e.g. heating, insulation, material, manifolds, filters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/90—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from solid glass precursors, i.e. by sublimation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡｌＣｌ３ガス等、昇華性物質を出発原料とす
るガスを所定量、定常的に安定に供給するための昇華性
物質ガスの安定供給方法に関する。
るガスを所定量、定常的に安定に供給するための昇華性
物質ガスの安定供給方法に関する。
昇華性物質として例えばＡＩＣｈは、ＣＶＤ法によって
アルミニウム合金のコーティングをしたり、セラミック
ス原料の合成や単結晶の育成をする時等に極めて重要な
出発原料となるが、特に昨今に至って、希土類イオンを
ドープした石英ガラス・レーザの発光特性の改善にもＡ
Ｉのドープが極めて有効であることが分かり、従ってそ
の意味からも、ＡｌＣｌ３はこうした場合のドープ用出
発原料として更に注目を集めるようになってきた。
アルミニウム合金のコーティングをしたり、セラミック
ス原料の合成や単結晶の育成をする時等に極めて重要な
出発原料となるが、特に昨今に至って、希土類イオンを
ドープした石英ガラス・レーザの発光特性の改善にもＡ
Ｉのドープが極めて有効であることが分かり、従ってそ
の意味からも、ＡｌＣｌ３はこうした場合のドープ用出
発原料として更に注目を集めるようになってきた。
而して、こうした各種の用途に適用するに際しても、一
般にＡＩＧＩａをＣＶＤ法等を介して用いる限り、固相
のままではなく、これを昇華させ、ガスとして用いねば
ならない、然も、単にガス化すれば良いだけでなく、目
的に応じた反応系に送るに際してはその量を定常的に安
定に制御できるようになっていなければならない。
般にＡＩＧＩａをＣＶＤ法等を介して用いる限り、固相
のままではなく、これを昇華させ、ガスとして用いねば
ならない、然も、単にガス化すれば良いだけでなく、目
的に応じた反応系に送るに際してはその量を定常的に安
定に制御できるようになっていなければならない。
然しこれは従来、極めて達成困難な要請であった。
その理由は先づ第一に、Ａ１１ｌ：Ｉ３の気化が上記の
ように昇華過程によるため、昇華というメ力ニズムが持
つ木質的な特性から、そもそも原理的に定常的な気化、
供給が難しいことにある。
ように昇華過程によるため、昇華というメ力ニズムが持
つ木質的な特性から、そもそも原理的に定常的な気化、
供給が難しいことにある。
また第二には、ＡｌＣｌ３は非常に高い吸湿性を示すた
め、高純度の材料を用意しても、若干の吸湿や作業工程
中においての吸湿は避けられず、気化過程で水酸化物等
が形成されるため、結果として定常的な昇華を妨げると
いうこともある。
め、高純度の材料を用意しても、若干の吸湿や作業工程
中においての吸湿は避けられず、気化過程で水酸化物等
が形成されるため、結果として定常的な昇華を妨げると
いうこともある。
このような問題は他の昇華性物質に就いても言え、昇華
炉部分においてのみ、その供給ガス量を安定且つ定常的
に制御することは極めて難しかった。
炉部分においてのみ、その供給ガス量を安定且つ定常的
に制御することは極めて難しかった。
本発明はこのような事情の下に成されたもので、その主
目的は、上記したＡｌＣ１ａガスに代表される各種昇華
性物質ガスの安定な供給を図ることにある。
目的は、上記したＡｌＣ１ａガスに代表される各種昇華
性物質ガスの安定な供給を図ることにある。
この目的の達成のため１本発明においては従来のように
必要な蒸気圧の昇華性物質ガスを単に直接に当初の昇華
過程によりのみ得、それをそのまま反応系に送る愚を止
め、言わば二段構えで対処した。
必要な蒸気圧の昇華性物質ガスを単に直接に当初の昇華
過程によりのみ得、それをそのまま反応系に送る愚を止
め、言わば二段構えで対処した。
■先づ、出発原料としての昇華性物質の昇華炉を反応系
に送る必要量を得るに足る以上の蒸気圧発生温度に設定
し、目的の昇華性物質ガスを過剰に発生させ、 ■次いで、上記昇華炉温度よりも低く１反応系に送る必
要量の得られる蒸気圧設定温度に設定された再結晶トラ
ップに当該過剰な昇華性物質ガスを導き、過剰な分をこ
こで再結晶させて捕獲、除去する、 という手順を踏む。
に送る必要量を得るに足る以上の蒸気圧発生温度に設定
し、目的の昇華性物質ガスを過剰に発生させ、 ■次いで、上記昇華炉温度よりも低く１反応系に送る必
要量の得られる蒸気圧設定温度に設定された再結晶トラ
ップに当該過剰な昇華性物質ガスを導き、過剰な分をこ
こで再結晶させて捕獲、除去する、 という手順を踏む。
そして必要ならば、上記■と■の工程の間に脱水脱酸素
炉を通過させる工程を加える６例えばＡｌＣ１ａガスで
あれば、原料ガス及びキャリアガス（Ａｒ等）に含まれ
ている不純物のＨ２Ｏや０２ を当該ＡＩＧｈ と反応
させてＡＩ酸化物とし、固化させることによって送給す
べきガス中から取除き、１に段処理部乃至反応系への当
該送給ガスを高純度化する。
炉を通過させる工程を加える６例えばＡｌＣ１ａガスで
あれば、原料ガス及びキャリアガス（Ａｒ等）に含まれ
ている不純物のＨ２Ｏや０２ を当該ＡＩＧｈ と反応
させてＡＩ酸化物とし、固化させることによって送給す
べきガス中から取除き、１に段処理部乃至反応系への当
該送給ガスを高純度化する。
いづれにしても上記のようにすれば、使用目的に応じた
構成の反応系に送る昇華性物質ガスは終段の再結晶トラ
ップ部分でその量を極めて正確に制御できることになる
。
構成の反応系に送る昇華性物質ガスは終段の再結晶トラ
ップ部分でその量を極めて正確に制御できることになる
。
即ち本発明における昇華性物質ガスのガス量制ガス状態
のまま制御し、然もその再結晶トラップに設定された温
度では過飽和となった過剰分を再結晶化という単純なメ
カニズムによりトラップ内に付着させて除去するもので
あるから、出力ガス量は再結晶トラップの温度の保持精
度に合せて極めて正確に制御でき、昇華過程を直接に制
御することのみによる従来例の制御形態に比し、遥かに
優れた制御特性を示すことができるのである。
のまま制御し、然もその再結晶トラップに設定された温
度では過飽和となった過剰分を再結晶化という単純なメ
カニズムによりトラップ内に付着させて除去するもので
あるから、出力ガス量は再結晶トラップの温度の保持精
度に合せて極めて正確に制御でき、昇華過程を直接に制
御することのみによる従来例の制御形態に比し、遥かに
優れた制御特性を示すことができるのである。
こうした本発明の方法を実現する装置の一例を鰯付図面
に示し、且つ本発明一実施例として、プラズマ・トーチ
ＣＶＤ法によりＮｄｚ０３とＡｌｚＯ３をドープしたレ
ーザ用石英ガラスを合成する場合に就き説明する。即ち
この実施例では出発原料としての昇華性物質は＾Ｈ１：
ｌｚである。
に示し、且つ本発明一実施例として、プラズマ・トーチ
ＣＶＤ法によりＮｄｚ０３とＡｌｚＯ３をドープしたレ
ーザ用石英ガラスを合成する場合に就き説明する。即ち
この実施例では出発原料としての昇華性物質は＾Ｈ１：
ｌｚである。
先づ静的な装置構成から説明すると、固相原料であるＡ
ｌＣｌ３を昇華炉ｌへ送るＡＩＣＩｇ供給部４があり、
昇華炉ｌからの出力ガスの輸送用ホットライン１３には
、その途中に順に脱水脱酸素炉２．過剰ＡｌＣｌ３用再
結晶トラップ３が設けられている。
ｌＣｌ３を昇華炉ｌへ送るＡＩＣＩｇ供給部４があり、
昇華炉ｌからの出力ガスの輸送用ホットライン１３には
、その途中に順に脱水脱酸素炉２．過剰ＡｌＣｌ３用再
結晶トラップ３が設けられている。
このトラップ３の出力側輸送路端には高温ホットライン
６が接続し、その先端は反応槽９内にあってプラズマ炎
ｌＯの下に臨むノズル８となっている。
６が接続し、その先端は反応槽９内にあってプラズマ炎
ｌＯの下に臨むノズル８となっている。
そこで先づ、図示する装置系内を十分に乾燥させた後、
ＡＩＣＩａ昇華炉ｌを再結晶トラップ３より劃り高い温
度に設定する。
ＡＩＣＩａ昇華炉ｌを再結晶トラップ３より劃り高い温
度に設定する。
例えばこの実施例の場合において、再結晶トラップ３を
ドーピングに必要な＾１ｃＩ３ガスの蒸気圧を得るのに
必要な温度として９０〜１５０℃の範囲の成る特定の設
定温度に正確に設定したならば、昇華炉ｌの温度は例え
ばそれより２℃から３℃程度、高い温度に設定する。
ドーピングに必要な＾１ｃＩ３ガスの蒸気圧を得るのに
必要な温度として９０〜１５０℃の範囲の成る特定の設
定温度に正確に設定したならば、昇華炉ｌの温度は例え
ばそれより２℃から３℃程度、高い温度に設定する。
また、脱水脱酸素炉２の温度は、例えば約１０００℃に
設定する。
設定する。
作成すべき石英ガラスの主組成分となる５ｉ０２の出発
原料となる５ｉＧ１４はこの場合、バブラ５中で０℃に
保持されており、原料ガス輸送用のＡｒガスによりバブ
リングされて当該Ａｒガス中に飽和する。
原料となる５ｉＧ１４はこの場合、バブラ５中で０℃に
保持されており、原料ガス輸送用のＡｒガスによりバブ
リングされて当該Ａｒガス中に飽和する。
ＡＩＣｈ供給部４から供給された固相原料としてのＡｌ
Ｃｌ３は昇華炉ｌ内で過熱されて昇華し、上記したバブ
ラ５から送られてくる輸送用のＡｒガス中に飽和する。
Ｃｌ３は昇華炉ｌ内で過熱されて昇華し、上記したバブ
ラ５から送られてくる輸送用のＡｒガス中に飽和する。
尚、 ＡＩＣｈ供給部４は当該ＡＩＣｈを必要量、随時
供給できるものであることが望ましい、これはＡｌＣｌ
３が昇華していく部分において、仮にその表面に不揮発
性物質が形成されたとしても、常に新しいＡｌＣ１ｚを
その上に供給していけば問題がないからである。このよ
うな供給部自体は公知の技術で容易に形成できる。
供給できるものであることが望ましい、これはＡｌＣｌ
３が昇華していく部分において、仮にその表面に不揮発
性物質が形成されたとしても、常に新しいＡｌＣ１ｚを
その上に供給していけば問題がないからである。このよ
うな供給部自体は公知の技術で容易に形成できる。
昇華炉１から出力される、５ｉＣｂとＡｌＣｌ３を含ん
だＡｔガスは輸送用ホットライン１３を介して既述のよ
うに約１０００℃に保持された脱水脱酸素炉２中に導か
れる。
だＡｔガスは輸送用ホットライン１３を介して既述のよ
うに約１０００℃に保持された脱水脱酸素炉２中に導か
れる。
この脱水脱酸素炉２中においては、 ＡｌＣｌ３ガスに
吸着して送られてきた８２０や、系内に不純物として存
在していた微量な０２は当該ガス内の上記各塩化物原料
と反応して酸化物となり、炉内壁面に付着、堆積して後
段に送給すべきガス中から除去される。
吸着して送られてきた８２０や、系内に不純物として存
在していた微量な０２は当該ガス内の上記各塩化物原料
と反応して酸化物となり、炉内壁面に付着、堆積して後
段に送給すべきガス中から除去される。
このようにして高純度化された各原料を含むＡｒガスは
、適当な輸送ライン１３を介した後１次いで過剰なＡｌ
Ｃｌ３のための再結晶トラップ３内に導かれる。
、適当な輸送ライン１３を介した後１次いで過剰なＡｌ
Ｃｌ３のための再結晶トラップ３内に導かれる。
この過剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラップ３は既述したよう
に使用目的（即ちこの場合はドーピング）に応じて必要
とされるＡｌＣｌ３蒸気圧が得られる温度に正確に設定
されており、一方、この過剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラッ
プ３に入力してくるガスは既に述べたようにこの温度よ
りは高いから、ＡｌＣｌ３の過剰分はこの再結晶トラッ
プ３内において過飽和となり、無色透明な結晶となって
析出する。
に使用目的（即ちこの場合はドーピング）に応じて必要
とされるＡｌＣｌ３蒸気圧が得られる温度に正確に設定
されており、一方、この過剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラッ
プ３に入力してくるガスは既に述べたようにこの温度よ
りは高いから、ＡｌＣｌ３の過剰分はこの再結晶トラッ
プ３内において過飽和となり、無色透明な結晶となって
析出する。
従って、過剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラップ３の出力にお
けるＡｌＣ１ｚガスは、その蒸気圧が所期通りの値に正
確に制御されて高温ホットライン６に送られる。尚、過
剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラップ３における蒸気圧設定温
度を正確に制御すること自体は既存の技術で十分に行な
える。
けるＡｌＣ１ｚガスは、その蒸気圧が所期通りの値に正
確に制御されて高温ホットライン６に送られる。尚、過
剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラップ３における蒸気圧設定温
度を正確に制御すること自体は既存の技術で十分に行な
える。
この実施例では更に、上記高温ホットライン６の中にＮ
ｄのドーピング出発原料であるＮｄＣｌ３が公知適当な
ポート７にて載置されており、約１０００℃に加熱され
てドーピングに必要な蒸気圧とされ、送られてきた他の
原料ガスに混合する。
ｄのドーピング出発原料であるＮｄＣｌ３が公知適当な
ポート７にて載置されており、約１０００℃に加熱され
てドーピングに必要な蒸気圧とされ、送られてきた他の
原料ガスに混合する。
このようにして、Ａｒガスに混合された各原料ガスはノ
ズル８より反応槽９内に吹き出され、Ａｒと０２の混合
プラズマ・トーチｌＯの下部において瞬時に酸化される
ため、約１７００℃に加熱されている合成石英ガラス基
板１１の上にはＮｄｚＯａとＡｌ２Ｏ３が所定量ドープ
された目的のＳ ｉｏ２石英ガラス１２が堆積される。
ズル８より反応槽９内に吹き出され、Ａｒと０２の混合
プラズマ・トーチｌＯの下部において瞬時に酸化される
ため、約１７００℃に加熱されている合成石英ガラス基
板１１の上にはＮｄｚＯａとＡｌ２Ｏ３が所定量ドープ
された目的のＳ ｉｏ２石英ガラス１２が堆積される。
この実施例において更に本出願人の設定した具体的数値
例を挙げれば、 ５ｉＣ１４のバブラ５を０℃に、昇華
炉ｌを１０５℃に、過剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラップ３
を１０３℃に、そして高温ホー７トライン６を９８０℃
に、各設定した所、Ａｌ２Ｏ３を２モル％、ＮｄｚＯａ
ｔ： ０．３モル％、各ドーピングした高純度の５ｉ
Ｏｚ石英ガラスを得ることに成功した。
例を挙げれば、 ５ｉＣ１４のバブラ５を０℃に、昇華
炉ｌを１０５℃に、過剰ＡｌＣｌ３用再結晶トラップ３
を１０３℃に、そして高温ホー７トライン６を９８０℃
に、各設定した所、Ａｌ２Ｏ３を２モル％、ＮｄｚＯａ
ｔ： ０．３モル％、各ドーピングした高純度の５ｉ
Ｏｚ石英ガラスを得ることに成功した。
而して、上記した本発明の原理から顧かなように１本発
明はＡｌＣｌ３以外の他の昇華性物質にも適用でき、再
結晶トラップ出力に正確且つ安定に量的制御のなされた
ガスを得ることができる。
明はＡｌＣｌ３以外の他の昇華性物質にも適用でき、再
結晶トラップ出力に正確且つ安定に量的制御のなされた
ガスを得ることができる。
参考のため、適用可能な他の昇華性出発原料物質とその
現在の使途例を幾つか挙げれば次のようになる。
現在の使途例を幾つか挙げれば次のようになる。
ＣｒＣｌ２ ・・・・・・レーザ賦活物質ＮｉＣｌ２
・ ・ ・ ・ ・ ・ 同 上ＺｒＧ１１ ・・・・
・・センサ、燃料電池用固体電界質としてのＺｒＯ２セ ラミックス合成用 ＦｅＣ：１３ ・・・・・・フィルタ賦活物質以上のよ
うに、本発明によれば、従来定常的に供給することの難
しかった昇華性物質ガスを制御性良く安定に供給でき、
当該ガスの各種応用分野へ寄与する所、極めて大なるも
のである。
・ ・ ・ ・ ・ ・ 同 上ＺｒＧ１１ ・・・・
・・センサ、燃料電池用固体電界質としてのＺｒＯ２セ ラミックス合成用 ＦｅＣ：１３ ・・・・・・フィルタ賦活物質以上のよ
うに、本発明によれば、従来定常的に供給することの難
しかった昇華性物質ガスを制御性良く安定に供給でき、
当該ガスの各種応用分野へ寄与する所、極めて大なるも
のである。
添付の図面は本発明方法の一実施例を実現するための一
つの装置構成の概略構成図である。 図中、１は昇華炉、２は脱水脱酸素炉、３は過剰ＡｌＣ
ｌ３用再結晶トラップ、４はＡｌＣｌ３供給部、６は高
温ホットライン、９は反応槽、１０はプラズマ・トーチ
、１１は基板、１２は作成された５ｉ０２石英ガラス、
である。 指定代理人 工業技術院 等 々 力 達 □ 、、、、 、 ｉ
つの装置構成の概略構成図である。 図中、１は昇華炉、２は脱水脱酸素炉、３は過剰ＡｌＣ
ｌ３用再結晶トラップ、４はＡｌＣｌ３供給部、６は高
温ホットライン、９は反応槽、１０はプラズマ・トーチ
、１１は基板、１２は作成された５ｉ０２石英ガラス、
である。 指定代理人 工業技術院 等 々 力 達 □ 、、、、 、 ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 昇華性物質を気化させたガスを安定且つ定常的に供給す
るための昇華性物質ガスの安定供給方法であって、 昇華炉により昇華性物質を一旦、過剰に昇華せしめた後
、該過剰に昇華させた昇華性物質ガスを不活性ガスによ
り反応系にまで送り込む以前に、上記昇華炉温度よりも
低く、該反応系に送る必要量の得られる蒸気圧設定温度
に設定された再結晶トラップに上記過剰に昇華させた昇
華性物質ガスを導き、該再結晶トラップ内にて上記過剰
な分を再結晶させ、捕獲、除去することを特徴とする昇
華性物質ガスの安定供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9353784A JPS60238136A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 昇華性物質ガスの安定供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9353784A JPS60238136A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 昇華性物質ガスの安定供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60238136A true JPS60238136A (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14085024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9353784A Pending JPS60238136A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 昇華性物質ガスの安定供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60238136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007587A1 (fr) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tadahiro Ohmi | Dispositif d'alimentation en gaz de traitement |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756769B2 (ja) * | 1974-05-10 | 1982-12-01 | Nagano Denshi Kogyo Kk |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9353784A patent/JPS60238136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756769B2 (ja) * | 1974-05-10 | 1982-12-01 | Nagano Denshi Kogyo Kk |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007587A1 (fr) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tadahiro Ohmi | Dispositif d'alimentation en gaz de traitement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4409260A (en) | Process for low-temperature surface layer oxidation of a semiconductor substrate | |
| JPH11189472A (ja) | 窒化炭素の合成方法 | |
| JPS60238136A (ja) | 昇華性物質ガスの安定供給方法 | |
| US4076574A (en) | Reactive atmosphere crystal growth method | |
| GB1242051A (en) | Improvements in the manufacture of silicon carbide | |
| GB1260233A (en) | Improvements in or relating to the epitaxial deposition of crystalline material from the gas phase | |
| JP2747036B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS5272399A (en) | Method and apparatus for growth of single crystals of al2o3 from gas p hase | |
| JPS6050169A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS60176911A (ja) | 高純度白燐の製造方法 | |
| KR0139840B1 (ko) | 산소와 마그네슘이 일대일의 비로 들어 있는 마그네슘 유도체를 사용하여 산화마그네슘을 기질 위에 피막하는 방법 | |
| JPS62275100A (ja) | 気相成長方法及び装置 | |
| JPS61261294A (ja) | 分子線エピタキシャル成長法 | |
| US3297403A (en) | Method for the preparation of intermetallic compounds | |
| NO951421L (no) | Fremgangsmåte til fremstilling av rent podofyllotoksin | |
| Morino et al. | An Electron Diffraction Investigation of the Molecular Species in the Vapor Phase of the GaAs-I 2 System | |
| JPH0365501A (ja) | 酸化物薄膜の作製方法 | |
| Takeda et al. | Production of aluminum nitride from aluminum metal using molten fluoride | |
| JPS5676240A (en) | Quartz reaction tube for treatment of semiconductor | |
| Rây et al. | CLXX.—The vapour density of ammonium nitrate, benzoate, and acetate | |
| JPS6338541A (ja) | インジウムの精製方法 | |
| JPH0630339B2 (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| RU2052380C1 (ru) | Способ получения тетрафторида бората лития | |
| JPS55149195A (en) | Manufacture of silicon carbide substrate | |
| Krabbes et al. | Investigations on the homogeneity of single crystals of materials with variable composition grown by chemical transport reactions |