JPS60239027A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JPS60239027A JPS60239027A JP59092811A JP9281184A JPS60239027A JP S60239027 A JPS60239027 A JP S60239027A JP 59092811 A JP59092811 A JP 59092811A JP 9281184 A JP9281184 A JP 9281184A JP S60239027 A JPS60239027 A JP S60239027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- plasma
- oxygen
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、アッシング方法に係り、特に処理済み試料の
ホトレジストをアッシングするのに好適なアッシング方
法に関するものである。
ホトレジストをアッシングするのに好適なアッシング方
法に関するものである。
半導体基板等の試料を１例えば、プラズマエツチング処
理する場合、試料の被処理面にはホトレジストが焼付け
られる。このホトレジストは、試料処理後は不要であり
、試料の被処理面より取り除く必要がある。
理する場合、試料の被処理面にはホトレジストが焼付け
られる。このホトレジストは、試料処理後は不要であり
、試料の被処理面より取り除く必要がある。
このような試料からホトレジストを取り除く、つまり、
アッシングする方法として、例えば、特公昭５４−２４
６９７号公報に示されるように、酸素ガスをプラズマ化
し、この酸素ガスプラズマ中に存在する活性な酸素原子
とホトレジストとの反応によりホトレジストの分解、気
化を行わせてホトレジストをアッシングするものが知ら
れている。
アッシングする方法として、例えば、特公昭５４−２４
６９７号公報に示されるように、酸素ガスをプラズマ化
し、この酸素ガスプラズマ中に存在する活性な酸素原子
とホトレジストとの反応によりホトレジストの分解、気
化を行わせてホトレジストをアッシングするものが知ら
れている。
しかし、この方法は、ホトレジストをアッシングする速
度（以下、アッシング速度と略）の向上に対する問題を
認識していない。
度（以下、アッシング速度と略）の向上に対する問題を
認識していない。
本発明の目的は、ガスプラズマ中の活性なガスｉ子とホ
トレジストとの反応を活発化することで、アッシング速
度を向上できるアッシング方法を提供することにある。
トレジストとの反応を活発化することで、アッシング速
度を向上できるアッシング方法を提供することにある。
本発明は、ガスを加熱し、該加熱されたガスをプラズマ
化し、該ガスプラズマを利用してホトレジストをアッシ
ングすることを特徴とするもので、ガスを加熱すること
でガスプラズマ中の活性なガス原子とホトレジストとの
反応を活発化させるものである。
化し、該ガスプラズマを利用してホトレジストをアッシ
ングすることを特徴とするもので、ガスを加熱すること
でガスプラズマ中の活性なガス原子とホトレジストとの
反応を活発化させるものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、反応室１０の、この場合、外側には、電極側と
他の電極２１とが配設されている。電極側には、電源、
例えば、高周波電源間が接続され、他の電極２１はアー
スされている。反応室１０の、この場合、底部には、例
えば、可変コンダクタンスバルブ和とガス冷却装置４１
と真空排気装置４２とで構成されたガス排気系化が反応
室１０内部と連通して連結されている。反応室１０の、
この場合、頂部には、例えば、ガス加熱装置間とガス流
量制御装置５１とガス源５２とで構成されたガス供給系
５３が反応室１０内部と連通して連結されている。なお
、ガス加熱装置間としては、ヒータ等の発熱体を有する
装置や間接熱交換器タイプの装置を使用する。
他の電極２１とが配設されている。電極側には、電源、
例えば、高周波電源間が接続され、他の電極２１はアー
スされている。反応室１０の、この場合、底部には、例
えば、可変コンダクタンスバルブ和とガス冷却装置４１
と真空排気装置４２とで構成されたガス排気系化が反応
室１０内部と連通して連結されている。反応室１０の、
この場合、頂部には、例えば、ガス加熱装置間とガス流
量制御装置５１とガス源５２とで構成されたガス供給系
５３が反応室１０内部と連通して連結されている。なお
、ガス加熱装置間としては、ヒータ等の発熱体を有する
装置や間接熱交換器タイプの装置を使用する。
図面で、ホトレジストを被処理面に有する処理済みの試
料口が被処理面を垂直面として複数枚取り付けられた治
具７０が、この状態で、反応室１０に搬入されて設置さ
れる。その後、反応室１０は気密封止され、可変コンダ
クタンスバルブ４０を開とし真空排気装置４２を作動さ
せることで、所定圧力まで減圧排気される。その後、ガ
ス源５２から流量制御装置５１で流量を所定流量に制御
されガス加熱装置５０で、高くとも温度２００℃程度に
加熱されたガス、例えば、酸素ガスが反応室１０に供給
され、この酸素ガスを反応室１０から所定排気量で排気
することで反応室１０内は所定の反応圧力、例えば、０
５〜１０ Ｔｏｒｒに調節されて維持される。この状態
で、電極側に高周波電源間より高周波電力を印加するこ
とで反応室１０内の酸素ガスはプラズマ化される。この
酸素ガスプラズマ中の活性な酸素原子と試料６０の被処
理面のホトレジストとの反応が生じ、ホトレジストは分
解、気化されてアッシングされる。この場合、酸素ガス
は、加熱されているために、酸素ガスプラズマ中の活性
な酸素原子とホトレジストとの反応が活発に生じ、これ
により、アッシング速度が向上する。なお、真空排気装
置４２の排気性能の劣化を防ＩＬするため、反応室１０
から排出されたガスをガス冷却装置１４１で冷却するよ
うにしている。
料口が被処理面を垂直面として複数枚取り付けられた治
具７０が、この状態で、反応室１０に搬入されて設置さ
れる。その後、反応室１０は気密封止され、可変コンダ
クタンスバルブ４０を開とし真空排気装置４２を作動さ
せることで、所定圧力まで減圧排気される。その後、ガ
ス源５２から流量制御装置５１で流量を所定流量に制御
されガス加熱装置５０で、高くとも温度２００℃程度に
加熱されたガス、例えば、酸素ガスが反応室１０に供給
され、この酸素ガスを反応室１０から所定排気量で排気
することで反応室１０内は所定の反応圧力、例えば、０
５〜１０ Ｔｏｒｒに調節されて維持される。この状態
で、電極側に高周波電源間より高周波電力を印加するこ
とで反応室１０内の酸素ガスはプラズマ化される。この
酸素ガスプラズマ中の活性な酸素原子と試料６０の被処
理面のホトレジストとの反応が生じ、ホトレジストは分
解、気化されてアッシングされる。この場合、酸素ガス
は、加熱されているために、酸素ガスプラズマ中の活性
な酸素原子とホトレジストとの反応が活発に生じ、これ
により、アッシング速度が向上する。なお、真空排気装
置４２の排気性能の劣化を防ＩＬするため、反応室１０
から排出されたガスをガス冷却装置１４１で冷却するよ
うにしている。
本実施例のようなアッシャ方法では、次のような効果を
得ることができる。
得ることができる。
（１）酸素ガスプラズマ中の活性な酸素原子とホトレジ
ストとの反応が活発に生じるため、アッシング速度が向
上する。料えば、酸素ガスを温度２００℃に加熱した場
合、アッシング速度は、従来のそれに比べ約２倍に向上
した。
ストとの反応が活発に生じるため、アッシング速度が向
上する。料えば、酸素ガスを温度２００℃に加熱した場
合、アッシング速度は、従来のそれに比べ約２倍に向上
した。
（２）加熱された酸素ガスを反応室に供給することで、
反応室に供給された酸素ガスとプラズマ化された酸素ガ
スとの温度均一化を図ることかでき、ホトレジストを均
一にアッシングすることができる。
反応室に供給された酸素ガスとプラズマ化された酸素ガ
スとの温度均一化を図ることかでき、ホトレジストを均
一にアッシングすることができる。
（３） アッシング速度の向上により、半導体素子製造
におけるスループットを向上できる。
におけるスループットを向上できる。
なお、本実施例では、ガスとして酸素ガスを用と
いているが、その他に酸素ガス／ＣＦ、との混合ガスな
用いても同様の効果を得ることができる。また、反応室
から排出されるガスの温度は、２５０℃程度と高いため
、これを、本実施例のように直ちに冷却することなしに
、反応室に供給されるガスの加熱に使用するようにして
も良い。このようにした場合は、反応室から排出される
ガスが有する熱エネルギを有効利用できると共に、ガス
冷却装置での負担を軽減することができる。
用いても同様の効果を得ることができる。また、反応室
から排出されるガスの温度は、２５０℃程度と高いため
、これを、本実施例のように直ちに冷却することなしに
、反応室に供給されるガスの加熱に使用するようにして
も良い。このようにした場合は、反応室から排出される
ガスが有する熱エネルギを有効利用できると共に、ガス
冷却装置での負担を軽減することができる。
本発明は、以上説明したように、ガスを加熱し、該加熱
されたガスをプラズマ化し、該ガスプラズマを利用して
ホトレジストをアッシングすることで、ガスプラズマ中
の活性なガス原子とホトレジストとの反応を活発化させ
ることができるので、アッシング速度を向上できるとい
う効果がある。
されたガスをプラズマ化し、該ガスプラズマを利用して
ホトレジストをアッシングすることで、ガスプラズマ中
の活性なガス原子とホトレジストとの反応を活発化させ
ることができるので、アッシング速度を向上できるとい
う効果がある。
図面は、本発明を実施したアッシャ装置の構成図である
。
。
Claims (1)
- １、 ガスを加熱し、該加熱されたガスをプラズマ化し
、該ガスプラズマを利用してホトレジストをアッシング
することを特徴とするアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092811A JPS60239027A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092811A JPS60239027A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | アツシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239027A true JPS60239027A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0518252B2 JPH0518252B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=14064793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092811A Granted JPS60239027A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202918A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Tokyo Electron Ltd | オゾン分解器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999558A (ja) * | 1973-01-25 | 1974-09-20 | ||
| JPS5110798A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Citizen Watch Co Ltd | |
| JPS5941835A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Fujitsu Ltd | レジスト剥離方法 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59092811A patent/JPS60239027A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999558A (ja) * | 1973-01-25 | 1974-09-20 | ||
| JPS5110798A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Citizen Watch Co Ltd | |
| JPS5941835A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Fujitsu Ltd | レジスト剥離方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202918A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Tokyo Electron Ltd | オゾン分解器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518252B2 (ja) | 1993-03-11 |
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