JPS60239083A - 光双安定半導体レ−ザ - Google Patents
光双安定半導体レ−ザInfo
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- JPS60239083A JPS60239083A JP9400684A JP9400684A JPS60239083A JP S60239083 A JPS60239083 A JP S60239083A JP 9400684 A JP9400684 A JP 9400684A JP 9400684 A JP9400684 A JP 9400684A JP S60239083 A JPS60239083 A JP S60239083A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光交換・光情報処理に用いる光機能素子と
して最も重要な構成要素の一つである双安定動作を示す
光双安定半導体レーザに関する。
して最も重要な構成要素の一つである双安定動作を示す
光双安定半導体レーザに関する。
（従来技術とその問題点）
光機能素子の中でも光論理、光スィッチ、光記憶、光信
号波形、整形増幅等幅広い応用範囲を有する光双安定半
導体レーザは、光の本質的な特長を活かした素子として
期待されており、その基礎検討が進められている。光双
安定半導体レーザの開発に関しては、２０年前にラッシ
ャ氏（Ｇ、Ｊ。
号波形、整形増幅等幅広い応用範囲を有する光双安定半
導体レーザは、光の本質的な特長を活かした素子として
期待されており、その基礎検討が進められている。光双
安定半導体レーザの開発に関しては、２０年前にラッシ
ャ氏（Ｇ、Ｊ。
ＬＡＳＨＥＲ）によるソリッド・ステイト・エレクトロ
ニクス（５ＯＬＩＤ ５ＴＡＴＥ ＥＬＥＣＴＲＯ−Ｎ
１．Ｃ８）誌の１９６４年第７巻７０７頁に記載された
論文が最初であり、後年室温状態で発振閾値が低く実用
レベルに近いものがロー氏（Ｋ、Ｙ、ＬＡＵ）等によシ
アブライド・フィジクス・レターズ（ＡＰＰＬＩＥＤ
ＰＨＹＳＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）誌の１９８２年第４０
巻３６９頁に記載された論文でタンデム電極埋め込みへ
テロ構造の形で報告されている。この半導体レーザでは
、活性層に近い側の電極が溝によシ２分されておシ、活
性層での利得が損失を上相る光増幅領域と、電流注入さ
れないために損失が利得を上相る可飽和吸収領域とに分
かれている。この場合の溝は単に２つの領域を電気的に
遮断するため？も、のであり・溝直下の活性層には光増
幅領域からの拡散電流によって電流注入されている。こ
のためこの半導体レーザでは２分された電極を共通にす
ると、通常の半導体レーザと同様の光出力−電流特性（
以後Ｌ−Ｉ特性とする）を示し光双安定動作は生じない
。光双安定動作を行なうには、可飽和吸収領域への注入
電流を減少させて一１００μＡ程度にする必要がある（
この場合の光増幅領域への注入電流は＋３０ｍＡ程度）
。ところが可飽和吸収領域への注入電流が数μＡ変動す
るだけで、Ｌ−Ｉ特性でのヒステリシス形状、光双安定
動作を示す電流幅が大幅に変わってしまうという結果が
ロー氏等の論文で報告されている。このため安定な動作
の要求される光機能素子としては、この注入電流の制御
性を高めることが重要であった。この対策としては、本
願の発明者等によシ発明された光双安定半導体レーザ（
特願昭５８−１４２９２２ ）がある。これは、活性層
の一部に、電流注入を遮断するような半導体層を積層さ
せて、その直上に溝を形成する構造の半導体レーザであ
る。この半導体層の採用により可飽和吸収領域が溝直下
の活性層部分に形成され、２分された電極への注入電流
はいづれも数十ｍＡ程度なる。この場合には、外部要因
その他で数百μＡ注入電流変動したとしても光双安定動
作のＬ−■特性が変化することは殆んど無視できた。と
ころが溝を活性層近くまでエツチングしない場合には、
２分された電極間の抵抗が例えば溝幅３０μｍの場合で
６１Ω程度にしかならず、したがって２分された電極間
の電位差によって注入電流の一部がその間ヲミリアンペ
アのオーダで流れることとなり、静特性では特性が安定
でも動特性では多少不安定になるなど注入電流自体の独
立性が保たれないという問題があった。溝部エツチング
する方法は、結晶成長後の半導体層厚が場所によってば
らつくことがあり、単にエツチング時間だけで溝の深さ
を決める方法は余り望ましいとは言えず、信頼性の面に
多少問題があった。そこで鹸者等后は溝のエツチングの
深さを決める方法とじて活性層の上方にエツチングを止
めるような半導体層の形成を提案し［双安定半導体レー
ザ」という名称で特許出願した（特願昭５８−１６７７
９８）。この発明の場合には、２分された電極間の抵抗
をＩＫＯにまで高めることができ、また特性の均一化と
いう点でも従来にくらべて向上できた。
ニクス（５ＯＬＩＤ ５ＴＡＴＥ ＥＬＥＣＴＲＯ−Ｎ
１．Ｃ８）誌の１９６４年第７巻７０７頁に記載された
論文が最初であり、後年室温状態で発振閾値が低く実用
レベルに近いものがロー氏（Ｋ、Ｙ、ＬＡＵ）等によシ
アブライド・フィジクス・レターズ（ＡＰＰＬＩＥＤ
ＰＨＹＳＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）誌の１９８２年第４０
巻３６９頁に記載された論文でタンデム電極埋め込みへ
テロ構造の形で報告されている。この半導体レーザでは
、活性層に近い側の電極が溝によシ２分されておシ、活
性層での利得が損失を上相る光増幅領域と、電流注入さ
れないために損失が利得を上相る可飽和吸収領域とに分
かれている。この場合の溝は単に２つの領域を電気的に
遮断するため？も、のであり・溝直下の活性層には光増
幅領域からの拡散電流によって電流注入されている。こ
のためこの半導体レーザでは２分された電極を共通にす
ると、通常の半導体レーザと同様の光出力−電流特性（
以後Ｌ−Ｉ特性とする）を示し光双安定動作は生じない
。光双安定動作を行なうには、可飽和吸収領域への注入
電流を減少させて一１００μＡ程度にする必要がある（
この場合の光増幅領域への注入電流は＋３０ｍＡ程度）
。ところが可飽和吸収領域への注入電流が数μＡ変動す
るだけで、Ｌ−Ｉ特性でのヒステリシス形状、光双安定
動作を示す電流幅が大幅に変わってしまうという結果が
ロー氏等の論文で報告されている。このため安定な動作
の要求される光機能素子としては、この注入電流の制御
性を高めることが重要であった。この対策としては、本
願の発明者等によシ発明された光双安定半導体レーザ（
特願昭５８−１４２９２２ ）がある。これは、活性層
の一部に、電流注入を遮断するような半導体層を積層さ
せて、その直上に溝を形成する構造の半導体レーザであ
る。この半導体層の採用により可飽和吸収領域が溝直下
の活性層部分に形成され、２分された電極への注入電流
はいづれも数十ｍＡ程度なる。この場合には、外部要因
その他で数百μＡ注入電流変動したとしても光双安定動
作のＬ−■特性が変化することは殆んど無視できた。と
ころが溝を活性層近くまでエツチングしない場合には、
２分された電極間の抵抗が例えば溝幅３０μｍの場合で
６１Ω程度にしかならず、したがって２分された電極間
の電位差によって注入電流の一部がその間ヲミリアンペ
アのオーダで流れることとなり、静特性では特性が安定
でも動特性では多少不安定になるなど注入電流自体の独
立性が保たれないという問題があった。溝部エツチング
する方法は、結晶成長後の半導体層厚が場所によってば
らつくことがあり、単にエツチング時間だけで溝の深さ
を決める方法は余り望ましいとは言えず、信頼性の面に
多少問題があった。そこで鹸者等后は溝のエツチングの
深さを決める方法とじて活性層の上方にエツチングを止
めるような半導体層の形成を提案し［双安定半導体レー
ザ」という名称で特許出願した（特願昭５８−１６７７
９８）。この発明の場合には、２分された電極間の抵抗
をＩＫＯにまで高めることができ、また特性の均一化と
いう点でも従来にくらべて向上できた。
しかしながら溝の深さだけを再現よく形成させる方法だ
けでは、溝直下が可飽和吸収領域として機らの拡散電流
によって溝直下の活性層にも注入電流がまわりこむため
である。その丸めより光双安定動作を均一に実現できる
ような構造の光双安定半導体レーザが望まれていた。
けでは、溝直下が可飽和吸収領域として機らの拡散電流
によって溝直下の活性層にも注入電流がまわりこむため
である。その丸めより光双安定動作を均一に実現できる
ような構造の光双安定半導体レーザが望まれていた。
（発明の目的）
この発明の目的は光双安定動作の歩留りを一層向上させ
て均一な特性を有する光双安定半導体レーザを提供する
ことにある。
て均一な特性を有する光双安定半導体レーザを提供する
ことにある。
５−
（発明の構成）
この発明は、溝により電極が鉄損軸方向に複数に分割さ
れた半導体レーザにおいて、活性層上方溝部を除く第１
の半導体層の上部に第１の半導体層とは異なる導電形で
且つ異なる材料組成の半導体層を有することに特徴があ
る。
れた半導体レーザにおいて、活性層上方溝部を除く第１
の半導体層の上部に第１の半導体層とは異なる導電形で
且つ異なる材料組成の半導体層を有することに特徴があ
る。
（構成の詳細な説明）
この発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問
題点を解決した。まず、活性層の一部で可飽和吸収領域
が形成されるように電流注入が遮断されるような第１の
半導体層を結晶成長させ、さらにその上に材料組成の異
なる第２の半導体層を結晶成長させる、そのあとで例え
ば化学エツチングで溝を形成する場合、第１の半導体層
と第２の半導体層の材料組成が異なるためにエッチャン
トの違いによるエツチング速度の差を利用することによ
り、溝の深さを電極から第１の半導体層が残６− るところまでに抑える。このようにして共振器軸方向に
分割された２つ以上の電極の間の抵抗はＩＫΩ以上にす
ることができる。通常の半導体レーザ自身の抵抗が５〜
７Ω程度であるから、分割された電極間の電流は数十μ
Ａ以下に抑えられる。
題点を解決した。まず、活性層の一部で可飽和吸収領域
が形成されるように電流注入が遮断されるような第１の
半導体層を結晶成長させ、さらにその上に材料組成の異
なる第２の半導体層を結晶成長させる、そのあとで例え
ば化学エツチングで溝を形成する場合、第１の半導体層
と第２の半導体層の材料組成が異なるためにエッチャン
トの違いによるエツチング速度の差を利用することによ
り、溝の深さを電極から第１の半導体層が残６− るところまでに抑える。このようにして共振器軸方向に
分割された２つ以上の電極の間の抵抗はＩＫΩ以上にす
ることができる。通常の半導体レーザ自身の抵抗が５〜
７Ω程度であるから、分割された電極間の電流は数十μ
Ａ以下に抑えられる。
なく独立性を保持することができる。またＬ−Ｉ特性に
関しては溝直下が可飽和吸収領域となるため均一な特性
の光双安定動作を実現できる。以上のようにして光双安
定動作の歩留りを一層向上させて均一な特性を有する光
双安定半導体レーザが実現できる。
関しては溝直下が可飽和吸収領域となるため均一な特性
の光双安定動作を実現できる。以上のようにして光双安
定動作の歩留りを一層向上させて均一な特性を有する光
双安定半導体レーザが実現できる。
（実施例）
させない場合での活性層の形状を示す平面断面図、第２
図（ａ）は第１図のＡ−Ａ’ 断面図、（ｂｌＦｉＢ−
Ｂ’断面図、第３図は本実施例の斜視図を各々示す。
図（ａ）は第１図のＡ−Ａ’ 断面図、（ｂｌＦｉＢ−
Ｂ’断面図、第３図は本実施例の斜視図を各々示す。
する２本の溝のメサストライプとは反対側の側面が部分
的に狭くなった形状で電極を２分する溝が所望の深さに
なるようにしたものである。ブレーナ・ストライフ−形
の埋め込みへテロ構造の半導体レーザは、活性層を含む
メサストライプをＰ及びｎの形半導体層で埋め込んだも
ので、これについては北村氏等により特許出願中の発明
［特願昭５６−１６６６６６Ｊに詳しい。
的に狭くなった形状で電極を２分する溝が所望の深さに
なるようにしたものである。ブレーナ・ストライフ−形
の埋め込みへテロ構造の半導体レーザは、活性層を含む
メサストライプをＰ及びｎの形半導体層で埋め込んだも
ので、これについては北村氏等により特許出願中の発明
［特願昭５６−１６６６６６Ｊに詳しい。
この実施例は以下のように製作される。先づ液相 ゛も
しくは気相成長法により、ｎ−ＩｎＰ基板１ｏ上に、ｎ
−ＩｎＰバ、７７層１１、ノンドープのＩｎＱａＡｓＰ
活性層は、Ｐ−ＩｎＰクラッド層］３を積層させたＤＨ
基板に、フォトレジストを塗布して通常のフォトリング
ラフイーとエツチングにより第１図に示した形状のウェ
ハを製作する。次に、このウェハを液相成長法により、
Ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層１４、ｎ−ＩｎＰの
第２の電流ブロック層１５、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰのエツ
チング層１６、Ｐ−ＩｎＰの埋め込み層１７、Ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰキ’ｒｙプ層１８を順次層成８せる。第１図
で示したように、活性層１２を含むメサストライプ２０
を形成するための２本の第２、第３の溝２２．２３はメ
サストライプ２０の側で直線、メサストライプ２０から
離れた側では一部に幅の広い部分２４と狭い部分２５を
有している。２回目の結晶成長において、メサストライ
プ２０を形成する第２、第３の溝２２．２３の幅の広い
部分２４では第２図で示したように、第１、第２の電流
ブロック層１４、】５はメサストライプ２０上には成長
しない。他方第２、第３の溝２２．２３の幅の狭い部分
２５では第２、第３の溝２２．２３内を第１の電流ブロ
ック層】４が埋めてしまうために、第２の電流ブロック
層１５を成プ旦 長する直前のメサストライプ付近の形状が千声となる。
しくは気相成長法により、ｎ−ＩｎＰ基板１ｏ上に、ｎ
−ＩｎＰバ、７７層１１、ノンドープのＩｎＱａＡｓＰ
活性層は、Ｐ−ＩｎＰクラッド層］３を積層させたＤＨ
基板に、フォトレジストを塗布して通常のフォトリング
ラフイーとエツチングにより第１図に示した形状のウェ
ハを製作する。次に、このウェハを液相成長法により、
Ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層１４、ｎ−ＩｎＰの
第２の電流ブロック層１５、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰのエツ
チング層１６、Ｐ−ＩｎＰの埋め込み層１７、Ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰキ’ｒｙプ層１８を順次層成８せる。第１図
で示したように、活性層１２を含むメサストライプ２０
を形成するための２本の第２、第３の溝２２．２３はメ
サストライプ２０の側で直線、メサストライプ２０から
離れた側では一部に幅の広い部分２４と狭い部分２５を
有している。２回目の結晶成長において、メサストライ
プ２０を形成する第２、第３の溝２２．２３の幅の広い
部分２４では第２図で示したように、第１、第２の電流
ブロック層１４、】５はメサストライプ２０上には成長
しない。他方第２、第３の溝２２．２３の幅の狭い部分
２５では第２、第３の溝２２．２３内を第１の電流ブロ
ック層】４が埋めてしまうために、第２の電流ブロック
層１５を成プ旦 長する直前のメサストライプ付近の形状が千声となる。
そのため第２の電流ブロック層１５はメサストライプ２
０の上部で途切れることなく全体を覆ってしまう。同様
にしてエツチング層１６も全体を覆ってしまう。結晶成
長後はＰ側のオーミツｌニ クコンタクトをとるためキャップ層１８ ｇ Ａｕ Ｚ
ｎ９− を蒸着する。さらにフォトレジス／／を塗布して通常の
フォトリソグラフィーとエツチングにより第２、第３の
溝２２．２３の幅い狭い部分２５直上のＡｕＺｎ、キャ
ップ層１８、埋め込み層１７、エツチング層１６を順次
抜いて共振器軸３ｏ方向にＰ側電極が２つに分割される
ように第１の溝２１を形成させる。ＡｕＺｎのエツチン
グについてはＫＩ＋Ｉ２の混合液を、ＩｎＧａＡｓＰ
のキャラツ一層１８、エツチング層１６のエツチングに
ついてはＨ２ＳＯ４十Ｈ２Ｏ２の混合液を、工ｎＰ の
埋め込み層１７のエツチングについてはＨｅ Ｉ 十Ｈ
２０の希釈液を用いた。Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２０ｚ−？ＨＣ
１＋Ｈ２０が他の材料ヲ殆Ｚｎをアロイする。次にｎ−
ＩｎＰ基板１ｏを研磨して１００〜１５０μｍの範囲内
の厚さとしたのち、ｎ側のオーミックコンタクト用にＡ
ＬＡＧｅＮｉ ｆｔ蒸着してアロイし、ウェハ製作を終
了する。このウェハを通常のヘキ開法により、第１の溝
２１ によって第１、第２のＰ側電極２６．２７が分割
される１０− ようにメサストライプ２０に直角に共振器面を形成し、
素子が製作される。この素子の第１、第２のＩゝ側電極
２６．２７を正、ｎ側電極２８を負にバイアスすると、
この素子←Ｌ−Ｉ特性や光入出力特性において安定な双
安定動作を示すことができる。第１のＰ側電極２６と第
２のＰ側電極２７とはＰ−ＩｎＰクラッド層１３が電気
的な橋渡しをするが、活性層に隣接しているので、注入
電流の殆んどが活性層へ流れる。そのため第１の溝２１
の幅が２５μｍの場合にＰ側の電極間抵抗はＩＫＱを越
えることができた。この程度の抵抗があるために、第１
、第２のＰ側電極２６．２７への注入電流は互いに影響
しあうことなく２０〜４０ｍＡの範囲で均一な光双安定
動作を歩留りよく実現することができた。この実施例の
光双安定半導体レーザの大きさは、メサストライプ２０
の幅が１．５μｍ、溝幅の広い部分２４の幅が７μｍ狭
い部分２５の幅が３μｍや溝幅の狭い部分２５の長さが
２０μｍ１ 第１のＰ側電極２６の長さが１００μｍ、
第２のＰ側電極２７の長さが１５０μｍである。結晶成
長の様子は、成長方法や成長条件等により大幅に変わる
ので、それらとともに適切な寸法を採用すべきことは言
うまでもない。また第１のＰ側電極２６と第２のＰ側電
極２７の共撮器軸３０方向の長さの比も限定されるもの
ではない、 なお上記実施例においては、第１の溝２１直下での第２
の電流ブロック層１５がメサストライプ２０の上部を含
めて全体にわたって形成させる方法として、第２、第３
の溝２２．２３がメサストライプ２０の側で直線。メサ
ストライプ２０から離れた側で幅の広い部分２４と狭い
部分２５を有するようにしたが、メサストライプ２０か
ら離れた側で直線、メサストライプの側で幅の広い部分
２４と狭い部分２５を有するようにしてもよい。この場
合にも第１の溝２】直下が幅の狭い部分２５に対応して
おれば上記実施例と同じ結晶成長が可能であり、特性面
の差はない。実施例ではＰ側電極をＡｕＺｎの全面電極
構造としたが、オキサイドストライプ構造にしたりある
いはＰ−ＩｎＧａＡｓＰキャッ１鳩１８の代りにｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰキャップ層としてメサストライプ２０上面
付近にのみ例えばＺｎ拡散することによりＰ層に変換さ
せてもよい。
０の上部で途切れることなく全体を覆ってしまう。同様
にしてエツチング層１６も全体を覆ってしまう。結晶成
長後はＰ側のオーミツｌニ クコンタクトをとるためキャップ層１８ ｇ Ａｕ Ｚ
ｎ９− を蒸着する。さらにフォトレジス／／を塗布して通常の
フォトリソグラフィーとエツチングにより第２、第３の
溝２２．２３の幅い狭い部分２５直上のＡｕＺｎ、キャ
ップ層１８、埋め込み層１７、エツチング層１６を順次
抜いて共振器軸３ｏ方向にＰ側電極が２つに分割される
ように第１の溝２１を形成させる。ＡｕＺｎのエツチン
グについてはＫＩ＋Ｉ２の混合液を、ＩｎＧａＡｓＰ
のキャラツ一層１８、エツチング層１６のエツチングに
ついてはＨ２ＳＯ４十Ｈ２Ｏ２の混合液を、工ｎＰ の
埋め込み層１７のエツチングについてはＨｅ Ｉ 十Ｈ
２０の希釈液を用いた。Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２０ｚ−？ＨＣ
１＋Ｈ２０が他の材料ヲ殆Ｚｎをアロイする。次にｎ−
ＩｎＰ基板１ｏを研磨して１００〜１５０μｍの範囲内
の厚さとしたのち、ｎ側のオーミックコンタクト用にＡ
ＬＡＧｅＮｉ ｆｔ蒸着してアロイし、ウェハ製作を終
了する。このウェハを通常のヘキ開法により、第１の溝
２１ によって第１、第２のＰ側電極２６．２７が分割
される１０− ようにメサストライプ２０に直角に共振器面を形成し、
素子が製作される。この素子の第１、第２のＩゝ側電極
２６．２７を正、ｎ側電極２８を負にバイアスすると、
この素子←Ｌ−Ｉ特性や光入出力特性において安定な双
安定動作を示すことができる。第１のＰ側電極２６と第
２のＰ側電極２７とはＰ−ＩｎＰクラッド層１３が電気
的な橋渡しをするが、活性層に隣接しているので、注入
電流の殆んどが活性層へ流れる。そのため第１の溝２１
の幅が２５μｍの場合にＰ側の電極間抵抗はＩＫＱを越
えることができた。この程度の抵抗があるために、第１
、第２のＰ側電極２６．２７への注入電流は互いに影響
しあうことなく２０〜４０ｍＡの範囲で均一な光双安定
動作を歩留りよく実現することができた。この実施例の
光双安定半導体レーザの大きさは、メサストライプ２０
の幅が１．５μｍ、溝幅の広い部分２４の幅が７μｍ狭
い部分２５の幅が３μｍや溝幅の狭い部分２５の長さが
２０μｍ１ 第１のＰ側電極２６の長さが１００μｍ、
第２のＰ側電極２７の長さが１５０μｍである。結晶成
長の様子は、成長方法や成長条件等により大幅に変わる
ので、それらとともに適切な寸法を採用すべきことは言
うまでもない。また第１のＰ側電極２６と第２のＰ側電
極２７の共撮器軸３０方向の長さの比も限定されるもの
ではない、 なお上記実施例においては、第１の溝２１直下での第２
の電流ブロック層１５がメサストライプ２０の上部を含
めて全体にわたって形成させる方法として、第２、第３
の溝２２．２３がメサストライプ２０の側で直線。メサ
ストライプ２０から離れた側で幅の広い部分２４と狭い
部分２５を有するようにしたが、メサストライプ２０か
ら離れた側で直線、メサストライプの側で幅の広い部分
２４と狭い部分２５を有するようにしてもよい。この場
合にも第１の溝２】直下が幅の狭い部分２５に対応して
おれば上記実施例と同じ結晶成長が可能であり、特性面
の差はない。実施例ではＰ側電極をＡｕＺｎの全面電極
構造としたが、オキサイドストライプ構造にしたりある
いはＰ−ＩｎＧａＡｓＰキャッ１鳩１８の代りにｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰキャップ層としてメサストライプ２０上面
付近にのみ例えばＺｎ拡散することによりＰ層に変換さ
せてもよい。
以上の実施例ではＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体材
料を用いたが、ＧａＡ Ｉ Ａｓ ／ＧａＡ、ｓ系等他
の半導体材料を用いてもよい。
料を用いたが、ＧａＡ Ｉ Ａｓ ／ＧａＡ、ｓ系等他
の半導体材料を用いてもよい。
また、実施例とでは埋め込み型のストライプ構造を採用
していたが他のストライプ構造でもよい。
していたが他のストライプ構造でもよい。
第１図はこの発明の一実施例の平面断面図、第２図（ａ
）、（ｂ）は第１図の部分断面図、第３図はこの発明の
一実施例の斜視図である。 図において、 １０・・・・・・ｎ−ＩｎＰ 基板、１１・・・・・・
ｎ−ＩｎＰバッファ層、１２・・・・・・ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、１３・・・・・・Ｐ−ＩｎＰクラッド層、１
４・・・・・・Ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層、１
５・・・・・・ｎ−Ｉｎ、Ｐの第２の電流ブロック層、
１６・・・・・・Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−［−ッチング層
、１７−−−−−− Ｐ−Ｉ ｎ Ｐの埋め込み層、］
８・・・・・・Ｐ−ＩｎＧａＡ、ｓＰキャップ層、２０
・・・・・ メサストライプ、２１・・・・・・第１の
溝、２２・・・・・・第１３− ２の溝、２３・・・・・・第３の溝、２４・・・・・・
幅の広い部分、２５・・・・・・幅の狭い部分、２６・
・・・・・第１のＰ側電極、２７・−・・・・第２のＰ
側電極、２８・・・・・・ｎ側電極、３０・・・・・・
共撮器軸をそれぞれ示す。 １４−
）、（ｂ）は第１図の部分断面図、第３図はこの発明の
一実施例の斜視図である。 図において、 １０・・・・・・ｎ−ＩｎＰ 基板、１１・・・・・・
ｎ−ＩｎＰバッファ層、１２・・・・・・ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、１３・・・・・・Ｐ−ＩｎＰクラッド層、１
４・・・・・・Ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層、１
５・・・・・・ｎ−Ｉｎ、Ｐの第２の電流ブロック層、
１６・・・・・・Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−［−ッチング層
、１７−−−−−− Ｐ−Ｉ ｎ Ｐの埋め込み層、］
８・・・・・・Ｐ−ＩｎＧａＡ、ｓＰキャップ層、２０
・・・・・ メサストライプ、２１・・・・・・第１の
溝、２２・・・・・・第１３− ２の溝、２３・・・・・・第３の溝、２４・・・・・・
幅の広い部分、２５・・・・・・幅の狭い部分、２６・
・・・・・第１のＰ側電極、２７・−・・・・第２のＰ
側電極、２８・・・・・・ｎ側電極、３０・・・・・・
共撮器軸をそれぞれ示す。 １４−
Claims (1)
- 溝によシミ極が共振器軸方向に複数に分割されている半
導体レーザにおいて、活性層上方に、当該活性層の前記
溝直下の領域への電流注入を遮断する第１の半導体層を
備え、さらに、少なくとも前記溝部を除く前記第１の半
導体層の上部に当該第１の半導体層とは異なる導電形で
、かつ、異なる材料組成の第２の半導体層を備えている
ことを特徴とする光双安定半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094006A JPH0632324B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光双安定半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094006A JPH0632324B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光双安定半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239083A true JPS60239083A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0632324B2 JPH0632324B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=14098343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094006A Expired - Lifetime JPH0632324B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光双安定半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632324B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296573A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967680A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Nec Corp | 光双安定素子 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094006A patent/JPH0632324B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967680A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Nec Corp | 光双安定素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296573A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0632324B2 (ja) | 1994-04-27 |
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