JPH0632324B2 - 光双安定半導体レ−ザ - Google Patents
光双安定半導体レ−ザInfo
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- JPH0632324B2 JPH0632324B2 JP59094006A JP9400684A JPH0632324B2 JP H0632324 B2 JPH0632324 B2 JP H0632324B2 JP 59094006 A JP59094006 A JP 59094006A JP 9400684 A JP9400684 A JP 9400684A JP H0632324 B2 JPH0632324 B2 JP H0632324B2
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- semiconductor layer
- semiconductor
- optical
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、光交換・光情報処理に用いる光機能素子と
しても最も重要な構成要素の一つである双安定動作を示
す光双安定半導体レーザに関する。
しても最も重要な構成要素の一つである双安定動作を示
す光双安定半導体レーザに関する。
（従来技術とその問題点） 光機能素子の中でも光論理，光スイッチ，光記憶，光信
号波形，整形増幅等幅広い応用範囲を有する光双安定半
導体レーザは、光の本質的な特長を活かした素子として
期待されてあり、その基礎検討が進められている。光双
安定半導体レーザの開発に関しては、２０年前にラッシ
ャ氏（Ｇ．Ｊ．LASHER）によるソリッド・ステイト・エ
レクトロニクス（SOLID STATE ELECTRO−NLCS）誌の196
4年第７巻７０７頁に記載された論文が最初であり、後
年室温状態で発振閾値が低く実用レベルに近いものがロ
ー氏(K.Y.LAU)等によりアプライド・フィジクス・レタ
ーズ（APPLIED PHYSICS LETTERS)誌の1982年第４０巻３
６９頁に記載された論文でタンデム電極埋め込みヘテロ
構造の形で報告されている。この半導体レーザでは、活
性層に近い側の電極が溝により２分されており、活性層
での利得が損失を上廻る光増幅領域と、電流注入されな
いために損失が利得を上廻る可飽和吸収領域とに分かれ
ている。この場合の溝は単に２つの領域を電気的に遮断
するためのものであり、溝直下の活性層には光増幅領域
からの拡散電流によって電流注入されている。このため
この半導体レーザでは２分された電極を共通にすると、
通常の半導体レーザと同様の光出力−電流特性（以後Ｌ
−Ｉ特性とする）を示し光双安定動作は生じない。光双
安定動作を行なうには、可飽和吸収領域への注入電流を
減少させて−100μＡ程度にする必要がある（この場合
の光増幅領域への注入電流は＋30ｍＡ程度）。ところが
可飽和吸収領域への注入電流が数μＡ変動するだけで、
Ｌ−Ｉ特性でのヒステリシス形状、光双安定動作を示す
電流幅が大幅に変わってしまうという結果がロー氏等の
論文で報告されている。このため安定な動作の要求され
る光機能素子としては、この注入電流の制御性を高める
ことが重要であった。この対策としては、本願の発明者
等により発明された光双安定半導体レーザ（特願昭58−
142922）がある。これは、活性層の一部に、電流注入を
遮断するような半導体層を積層させて、その直上に溝を
形成する構造の半導体レーザである。この半導体層の採
用により可飽和吸収領域が溝直下の活性層部分に形成さ
れ、２分された電極への注入電流はいづれも数＋ｍＡ程
度なる。この場合には、外部要因その他で数百μＡ注入
電流変動したとしても光双安定動作のＬ−Ｉ特性が変化
することは殆んど無視できた。ところが溝を活性層近く
までエッチングしない場合には、２分された電極間の抵
抗が例えば溝幅３０μｍの場合で61Ω程度にしかなら
ず、したがって２分された電極間の電位差によって注入
電流の一部がその間をミリアンペアのオーダで流れるこ
ととなり、静特性では特性が安定でも動特性では多少不
安定になるなど注入電流自体の独立性が保たれないとい
う問題があった。溝をエッチングする方法は、結晶成長
後の半導体層厚が場所によってばらつくことがあり、単
にエッチング時間だけで溝の深さを決める方法は余り望
ましいとは言えず、信頼性の面に多少問題があった。そ
こで筆者等は溝のエッチングの深さを決める方法として
活性層の上方にエッチングを止めるような半導体層の形
成を提案し「双安定半導体レーザ」という名称で特許出
願した（特願昭58−167798）。この発明の場合には、２
分された電極間の抵抗を１ＫΩにまで高めることがで
き、また特性の均一化という点でも従来にくらべて向上
できた。
号波形，整形増幅等幅広い応用範囲を有する光双安定半
導体レーザは、光の本質的な特長を活かした素子として
期待されてあり、その基礎検討が進められている。光双
安定半導体レーザの開発に関しては、２０年前にラッシ
ャ氏（Ｇ．Ｊ．LASHER）によるソリッド・ステイト・エ
レクトロニクス（SOLID STATE ELECTRO−NLCS）誌の196
4年第７巻７０７頁に記載された論文が最初であり、後
年室温状態で発振閾値が低く実用レベルに近いものがロ
ー氏(K.Y.LAU)等によりアプライド・フィジクス・レタ
ーズ（APPLIED PHYSICS LETTERS)誌の1982年第４０巻３
６９頁に記載された論文でタンデム電極埋め込みヘテロ
構造の形で報告されている。この半導体レーザでは、活
性層に近い側の電極が溝により２分されており、活性層
での利得が損失を上廻る光増幅領域と、電流注入されな
いために損失が利得を上廻る可飽和吸収領域とに分かれ
ている。この場合の溝は単に２つの領域を電気的に遮断
するためのものであり、溝直下の活性層には光増幅領域
からの拡散電流によって電流注入されている。このため
この半導体レーザでは２分された電極を共通にすると、
通常の半導体レーザと同様の光出力−電流特性（以後Ｌ
−Ｉ特性とする）を示し光双安定動作は生じない。光双
安定動作を行なうには、可飽和吸収領域への注入電流を
減少させて−100μＡ程度にする必要がある（この場合
の光増幅領域への注入電流は＋30ｍＡ程度）。ところが
可飽和吸収領域への注入電流が数μＡ変動するだけで、
Ｌ−Ｉ特性でのヒステリシス形状、光双安定動作を示す
電流幅が大幅に変わってしまうという結果がロー氏等の
論文で報告されている。このため安定な動作の要求され
る光機能素子としては、この注入電流の制御性を高める
ことが重要であった。この対策としては、本願の発明者
等により発明された光双安定半導体レーザ（特願昭58−
142922）がある。これは、活性層の一部に、電流注入を
遮断するような半導体層を積層させて、その直上に溝を
形成する構造の半導体レーザである。この半導体層の採
用により可飽和吸収領域が溝直下の活性層部分に形成さ
れ、２分された電極への注入電流はいづれも数＋ｍＡ程
度なる。この場合には、外部要因その他で数百μＡ注入
電流変動したとしても光双安定動作のＬ−Ｉ特性が変化
することは殆んど無視できた。ところが溝を活性層近く
までエッチングしない場合には、２分された電極間の抵
抗が例えば溝幅３０μｍの場合で61Ω程度にしかなら
ず、したがって２分された電極間の電位差によって注入
電流の一部がその間をミリアンペアのオーダで流れるこ
ととなり、静特性では特性が安定でも動特性では多少不
安定になるなど注入電流自体の独立性が保たれないとい
う問題があった。溝をエッチングする方法は、結晶成長
後の半導体層厚が場所によってばらつくことがあり、単
にエッチング時間だけで溝の深さを決める方法は余り望
ましいとは言えず、信頼性の面に多少問題があった。そ
こで筆者等は溝のエッチングの深さを決める方法として
活性層の上方にエッチングを止めるような半導体層の形
成を提案し「双安定半導体レーザ」という名称で特許出
願した（特願昭58−167798）。この発明の場合には、２
分された電極間の抵抗を１ＫΩにまで高めることがで
き、また特性の均一化という点でも従来にくらべて向上
できた。
しかしながら溝の深さだけを再現よく形成させる方法だ
けでは、溝直下が可飽和吸収領域として機能する光双安
定動作の歩留りが半分程度までしか向上できなかった。
この原因は２分された電極からの拡散電流によって溝直
下の活性層にも注入電流がまわりこむためである。その
ためより光双安定動作を均一に実現できるような構造の
光双安定半導体レーザが望まれていた。
けでは、溝直下が可飽和吸収領域として機能する光双安
定動作の歩留りが半分程度までしか向上できなかった。
この原因は２分された電極からの拡散電流によって溝直
下の活性層にも注入電流がまわりこむためである。その
ためより光双安定動作を均一に実現できるような構造の
光双安定半導体レーザが望まれていた。
（発明の目的） この発明の目的は光双安定動作の歩留りを一層向上させ
て均一な特性を有する光双安定半導体レーザを提供する
ことにある。
て均一な特性を有する光双安定半導体レーザを提供する
ことにある。
（発明の構成） この発明は、溝により電極が共振軸方向に複数に分割さ
れた半導体レーザにおいて、活性層上方に、当該活性層
の溝直下の領域への電流注入を遮断する第１の半導体層
を備え、さらに、少なくとも溝部を除く第１の半導体層
の上部に第１の半導体層とは異なる導電形で且つ異なる
材料組成の第２の半導体層を備え、第２の半導体層は、
溝形成時のエッチング工程において、溝形成部分の第２
の半導体層を完全に除去し、第１の半導体層を残すため
に必要な半導体層であることを特徴とする光双安定半導
体レーザである。
れた半導体レーザにおいて、活性層上方に、当該活性層
の溝直下の領域への電流注入を遮断する第１の半導体層
を備え、さらに、少なくとも溝部を除く第１の半導体層
の上部に第１の半導体層とは異なる導電形で且つ異なる
材料組成の第２の半導体層を備え、第２の半導体層は、
溝形成時のエッチング工程において、溝形成部分の第２
の半導体層を完全に除去し、第１の半導体層を残すため
に必要な半導体層であることを特徴とする光双安定半導
体レーザである。
（構成の詳細な説明） この発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問
題点を解決した。まず、活性層の一部で可飽和吸収領域
が形成されるように電流注入が遮断されるような第１の
半導体層を結晶成長させ、さらにその上に材料組成の異
なる第２の半導体層を結晶成長させる。そのあとで例え
ば化学エッチングで溝を形成する場合、第１の半導体層
と第２の半導体層の材料組成が異なるためにエッチャン
トの違いによるエッチング速度の差を利用することによ
り、溝の深さを電極から第１の半導体層が残るところま
でに抑える。このようにして共振器軸方向に分割された
２つ以上の電極の間の抵抗は１ＫΩ以上にすることがで
きる。通常の半導体レーザ自身の抵抗が５〜７Ω程度で
あるから、分割された電極間の電流は数十μＡ以下に抑
えられる。この程度の大きさであれば、大きさが数十ｍ
Ａの各電極への注入電流は殆んど影響を受けることがな
く独立性を保持することができる。またＬ−Ｉ特性に関
しては溝直下が可飽和吸収領域となるため均一な特性の
光双安定動作を実現できる。以上のようにして光双安定
動作の歩留りを一層向上させて均一な特性を有する光双
安定半導体レーザが実現できる。
題点を解決した。まず、活性層の一部で可飽和吸収領域
が形成されるように電流注入が遮断されるような第１の
半導体層を結晶成長させ、さらにその上に材料組成の異
なる第２の半導体層を結晶成長させる。そのあとで例え
ば化学エッチングで溝を形成する場合、第１の半導体層
と第２の半導体層の材料組成が異なるためにエッチャン
トの違いによるエッチング速度の差を利用することによ
り、溝の深さを電極から第１の半導体層が残るところま
でに抑える。このようにして共振器軸方向に分割された
２つ以上の電極の間の抵抗は１ＫΩ以上にすることがで
きる。通常の半導体レーザ自身の抵抗が５〜７Ω程度で
あるから、分割された電極間の電流は数十μＡ以下に抑
えられる。この程度の大きさであれば、大きさが数十ｍ
Ａの各電極への注入電流は殆んど影響を受けることがな
く独立性を保持することができる。またＬ−Ｉ特性に関
しては溝直下が可飽和吸収領域となるため均一な特性の
光双安定動作を実現できる。以上のようにして光双安定
動作の歩留りを一層向上させて均一な特性を有する光双
安定半導体レーザが実現できる。
（実施例） 以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。第１図は
この発明の一実施例の電極分離の溝を形成させない場合
での活性層の形状を示す平面断面図、第２図(a)は第１
図のＡ−Ａ′断面図、(b)はＢ−Ｂ′断面図、第３図は
本実施例の斜視図を各々示す。この実施例はブレーナ・
ストライプ形の埋め込みヘテロ構造の、活性層を含むメ
サストライプを形成する２本の溝のメサストライプとは
反対側の側面が部分的に狭くなった形状で電極を２分す
る溝が所望の深さになるようにしたものである。プレー
ナ・ストライプ形の埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ
は、活性層を含むメサストライプをＰ及びｎの形半導体
層で埋め込んだもので、これについては北村氏等により
特許出願中の発明「特願昭56−166666」に詳しい。
この発明の一実施例の電極分離の溝を形成させない場合
での活性層の形状を示す平面断面図、第２図(a)は第１
図のＡ−Ａ′断面図、(b)はＢ−Ｂ′断面図、第３図は
本実施例の斜視図を各々示す。この実施例はブレーナ・
ストライプ形の埋め込みヘテロ構造の、活性層を含むメ
サストライプを形成する２本の溝のメサストライプとは
反対側の側面が部分的に狭くなった形状で電極を２分す
る溝が所望の深さになるようにしたものである。プレー
ナ・ストライプ形の埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ
は、活性層を含むメサストライプをＰ及びｎの形半導体
層で埋め込んだもので、これについては北村氏等により
特許出願中の発明「特願昭56−166666」に詳しい。
この実施例は以下のように製作される。先づ液相もしく
は気相成長法により、ｎ−InP基板１０上に、ｎ−InPバ
ッファ層１１、ノンドープのInGaAsP活性層は、Ｐ−InP
クラッド層１３を積層させたＤＨ基板に、フォトレジス
トを塗布して通常のフォトリソグラフィーとエッチング
により第１図に示した形状のウエハを製作する。次に、
このウェハを液相成長法により、Ｐ−InPの第１の電流
ブロック層１４、ｎ−InPの第２の電流ブロック層１
５、Ｐ−InGaAsPのエッチング層１６、Ｐ−InPの埋め込
み層１７、Ｐ−InGaAsPキャップ層１８を順次形成させ
る。第１図で示したように、活性層１２を含むメサスト
ライプ２０を形成するための２本の第２、第３の溝22、
23はメサストライプ２０の側で直線、メサストライプ２
０から離れた側では一部に幅の広い部分２４と狭い部分
２５を有している。２回目の結晶成長において、メサス
トライプ２０を形成する第２、第３の溝22、23の幅の広
い部分２４では第２図で示したように、第１、第２の電
流ブロック層14、15はメサストライブ２０上には成長し
ない。他方第２、第３の溝22、23の幅の狭い部分２５で
は第２、第３の22、23内を第１の電流ブロック層１４が
埋めてしまうために、、第２の電流ブロック層１５を成
長する直前のメサストライプ付近の形状が平坦となる。
そのため第２の電流ブロック層１５はメサストライプ２
０の上部で途切れることなく全体を覆ってしまう。同様
にしてエッチング層１６も全体を覆ってしまう。結晶成
長後はＰ側のオーミックコンタクトをとるためキャップ
層１８にAuZnを蒸着する。さらにフォトレジストを塗布
して通常のフォトリソグラフィーとエッチングにより第
２、第３の溝22、23の幅い狭い部分２５直上のAuZn、キ
ャップ層18、埋め込み層17、エッチング層１６を順次抜
いて共振器軸３０方向にＰ側電極が２つに分割されるよ
うに第１の溝２１を形成させる。AuZnのエッチングにつ
いてはKI＋I2の混合液を、InGaAsPのキャップ層18、エ
ッチング層１６のエッチングについてはH2SO4＋H2O2の
混合液を、LnP の埋め込み層１７のエッチングについて
はHC1+H2Oの希釈液を用いた。H2SO4+H2O2やHC1+H2Oが他
の材料を殆んどエッチングしないので、第１の溝直下の
半導体層は第２の電流ブロック層１５となる。次いでAu
Znをアロイする。次にｎ−InP基板１０を研磨して100〜
150μｍの範囲内の厚さとしたのち、ｎ側のオーミック
コンタクト用にAuGeNiを蒸着してアロイし、ウェハ製作
を終了する。このウェハを通常のヘキ開法により、第１
の溝２１によって第１、第２のＰ側電極26、27が分割さ
れるようにメサストライプ２０に直角に共振器面を形成
し、素子が製作される。この素子の第１、第２のＰ側電
極26、27を正、ｎ側電極２８を負にバイアスすると、こ
の素子はＬ−Ｉ特性や光入出力特性において安定な双安
定動作を示すことができる。第１のＰ側電極２６と第２
のＰ側電極２７とはＰ−InPクラッド層１３が電気的な
橋渡しをするが、活性層に隣接しているので、注入電流
の殆んどが活性層へ流れる。そのため第１の溝２１の幅
が25μｍの場合にＰ側の電極間抵抗は１ＫΩを越えるこ
とができた。この程度の抵抗があるために、第１、第２
のＰ側電極26、27への注入電流は互いに影響しあうこと
なく20〜40mAの範囲で均一な光双安定動作を歩留りよく
実現することができた。この実施例の光双安定半導体レ
ーザの大きさは、メサストライプ２０の幅が1.5μｍ、
溝幅の広い部分２４の幅が７μｍ狭い部分２５の幅が３
μｍ、溝幅の狭い部分２５の長さが20μｍ、第１のＰ側
電極２６の長さが100μｍ、第２のＰ側電極２７の長さ
が150μｍである。結晶成長の様子は、成長方法や成長
条件等により大幅に変わるので、それらとともに適切な
寸法を採用すべきことは言うまでもない。また第１のＰ
側電極２６と第２のＰ側電極２７の共振器軸３０方向の
長さの比も限定されるものではない。
は気相成長法により、ｎ−InP基板１０上に、ｎ−InPバ
ッファ層１１、ノンドープのInGaAsP活性層は、Ｐ−InP
クラッド層１３を積層させたＤＨ基板に、フォトレジス
トを塗布して通常のフォトリソグラフィーとエッチング
により第１図に示した形状のウエハを製作する。次に、
このウェハを液相成長法により、Ｐ−InPの第１の電流
ブロック層１４、ｎ−InPの第２の電流ブロック層１
５、Ｐ−InGaAsPのエッチング層１６、Ｐ−InPの埋め込
み層１７、Ｐ−InGaAsPキャップ層１８を順次形成させ
る。第１図で示したように、活性層１２を含むメサスト
ライプ２０を形成するための２本の第２、第３の溝22、
23はメサストライプ２０の側で直線、メサストライプ２
０から離れた側では一部に幅の広い部分２４と狭い部分
２５を有している。２回目の結晶成長において、メサス
トライプ２０を形成する第２、第３の溝22、23の幅の広
い部分２４では第２図で示したように、第１、第２の電
流ブロック層14、15はメサストライブ２０上には成長し
ない。他方第２、第３の溝22、23の幅の狭い部分２５で
は第２、第３の22、23内を第１の電流ブロック層１４が
埋めてしまうために、、第２の電流ブロック層１５を成
長する直前のメサストライプ付近の形状が平坦となる。
そのため第２の電流ブロック層１５はメサストライプ２
０の上部で途切れることなく全体を覆ってしまう。同様
にしてエッチング層１６も全体を覆ってしまう。結晶成
長後はＰ側のオーミックコンタクトをとるためキャップ
層１８にAuZnを蒸着する。さらにフォトレジストを塗布
して通常のフォトリソグラフィーとエッチングにより第
２、第３の溝22、23の幅い狭い部分２５直上のAuZn、キ
ャップ層18、埋め込み層17、エッチング層１６を順次抜
いて共振器軸３０方向にＰ側電極が２つに分割されるよ
うに第１の溝２１を形成させる。AuZnのエッチングにつ
いてはKI＋I2の混合液を、InGaAsPのキャップ層18、エ
ッチング層１６のエッチングについてはH2SO4＋H2O2の
混合液を、LnP の埋め込み層１７のエッチングについて
はHC1+H2Oの希釈液を用いた。H2SO4+H2O2やHC1+H2Oが他
の材料を殆んどエッチングしないので、第１の溝直下の
半導体層は第２の電流ブロック層１５となる。次いでAu
Znをアロイする。次にｎ−InP基板１０を研磨して100〜
150μｍの範囲内の厚さとしたのち、ｎ側のオーミック
コンタクト用にAuGeNiを蒸着してアロイし、ウェハ製作
を終了する。このウェハを通常のヘキ開法により、第１
の溝２１によって第１、第２のＰ側電極26、27が分割さ
れるようにメサストライプ２０に直角に共振器面を形成
し、素子が製作される。この素子の第１、第２のＰ側電
極26、27を正、ｎ側電極２８を負にバイアスすると、こ
の素子はＬ−Ｉ特性や光入出力特性において安定な双安
定動作を示すことができる。第１のＰ側電極２６と第２
のＰ側電極２７とはＰ−InPクラッド層１３が電気的な
橋渡しをするが、活性層に隣接しているので、注入電流
の殆んどが活性層へ流れる。そのため第１の溝２１の幅
が25μｍの場合にＰ側の電極間抵抗は１ＫΩを越えるこ
とができた。この程度の抵抗があるために、第１、第２
のＰ側電極26、27への注入電流は互いに影響しあうこと
なく20〜40mAの範囲で均一な光双安定動作を歩留りよく
実現することができた。この実施例の光双安定半導体レ
ーザの大きさは、メサストライプ２０の幅が1.5μｍ、
溝幅の広い部分２４の幅が７μｍ狭い部分２５の幅が３
μｍ、溝幅の狭い部分２５の長さが20μｍ、第１のＰ側
電極２６の長さが100μｍ、第２のＰ側電極２７の長さ
が150μｍである。結晶成長の様子は、成長方法や成長
条件等により大幅に変わるので、それらとともに適切な
寸法を採用すべきことは言うまでもない。また第１のＰ
側電極２６と第２のＰ側電極２７の共振器軸３０方向の
長さの比も限定されるものではない。
なお上記実施例においては、第１の溝２１直下での第２
の電流ブロック層１５がメサストライプ２０の上部を含
めて全体にわたって形成させる方法として、第２、第３
の溝22、23がメサストライプ２０の側で直線、メサスト
ライプ２０から離れた側で幅の広い部分２４と狭い部分
２５を有するようにしたが、メサストライプ２０から離
れた側で直線、メサストライプの側で幅の広い部分２４
と狭い部分２５を有するようにしてもよい。この場合に
も第１の溝２１直下が幅の狭い部分２５に対応しておれ
ば上記実施例と同じ結晶成長が可能であり、特性面の差
はない。実施例ではＰ側電極をAuZnの全面電極構造とし
たが、オキサイドストライプ構造にしたりあるいはＰ−
InGaAsPキャップ層１８の代りにｎ−InGaAsPキャップ層
としてメサストライプ２０上面付近にのみ例えばＺｎ拡
散することによりＰ層に変換させてもよい。以上の実施
例ではInP／InGaAsP系の半導体材料を用いたが、GaAlAs
／GaAs系等他の半導体材料を用いてもよい。
の電流ブロック層１５がメサストライプ２０の上部を含
めて全体にわたって形成させる方法として、第２、第３
の溝22、23がメサストライプ２０の側で直線、メサスト
ライプ２０から離れた側で幅の広い部分２４と狭い部分
２５を有するようにしたが、メサストライプ２０から離
れた側で直線、メサストライプの側で幅の広い部分２４
と狭い部分２５を有するようにしてもよい。この場合に
も第１の溝２１直下が幅の狭い部分２５に対応しておれ
ば上記実施例と同じ結晶成長が可能であり、特性面の差
はない。実施例ではＰ側電極をAuZnの全面電極構造とし
たが、オキサイドストライプ構造にしたりあるいはＰ−
InGaAsPキャップ層１８の代りにｎ−InGaAsPキャップ層
としてメサストライプ２０上面付近にのみ例えばＺｎ拡
散することによりＰ層に変換させてもよい。以上の実施
例ではInP／InGaAsP系の半導体材料を用いたが、GaAlAs
／GaAs系等他の半導体材料を用いてもよい。
また、実施例とでは埋め込み型のストライプ構造を採用
していたが他のストライプ構造でもよい。
していたが他のストライプ構造でもよい。
第１図はこの発明の一実施例の平面断面図、第２図
(a)、(b)は第１図の部分断面図、第３図はこの発明の一
実施例の斜視図である。 図において、 10……ｎ−InP基板、11……ｎ−InPバッファ層、12……
InGaAsP活性層、13……Ｐ−InPクラッド層、14……Ｐ−
InPの第１の電流ブロック層、15……ｎ−InPの第２の電
流ブロック層、16……Ｐ−InGaAsPエッチング層、17…
…Ｐ−InPの埋め込み層、18……Ｐ−InGaAsPキャップ
層、20……メサストライプ、21……第１の溝、22……第
２の溝、23……第３の溝、24……幅の広い部分、25……
幅の狭い部分、26……第１のＰ側電極、27……第２のＰ
側電極、28……ｎ側電極、30……共振器軸をそれぞれ示
す。
(a)、(b)は第１図の部分断面図、第３図はこの発明の一
実施例の斜視図である。 図において、 10……ｎ−InP基板、11……ｎ−InPバッファ層、12……
InGaAsP活性層、13……Ｐ−InPクラッド層、14……Ｐ−
InPの第１の電流ブロック層、15……ｎ−InPの第２の電
流ブロック層、16……Ｐ−InGaAsPエッチング層、17…
…Ｐ−InPの埋め込み層、18……Ｐ−InGaAsPキャップ
層、20……メサストライプ、21……第１の溝、22……第
２の溝、23……第３の溝、24……幅の広い部分、25……
幅の狭い部分、26……第１のＰ側電極、27……第２のＰ
側電極、28……ｎ側電極、30……共振器軸をそれぞれ示
す。
Claims (1)
- 【請求項１】溝により電極が共振器軸方向に複数に分割
されている半導体レーザにおいて、活性層上方に、当該
活性層の前記溝直下の領域への電流注入を遮断する第１
の半導体層を備え、さらに、少なくとも前記溝部を除く
前記第１の半導体層の上部に当該第１の半導体層とは異
なる導電形で、かつ、異なる材料組成の第２の半導体層
を備え、前記第２の半導体層は、前記溝形成時のエッチ
ング工程において、前記溝形成部分の前記第２の半導体
層を完全に除去し、前記第１の半導体層を残すために必
要な半導体層であることを特徴とする光双安定半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094006A JPH0632324B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光双安定半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094006A JPH0632324B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光双安定半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239083A JPS60239083A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0632324B2 true JPH0632324B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=14098343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094006A Expired - Lifetime JPH0632324B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光双安定半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632324B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664668B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1997-10-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967680A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Nec Corp | 光双安定素子 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094006A patent/JPH0632324B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60239083A (ja) | 1985-11-27 |
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