JPS60239087A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60239087A JPS60239087A JP60094732A JP9473285A JPS60239087A JP S60239087 A JPS60239087 A JP S60239087A JP 60094732 A JP60094732 A JP 60094732A JP 9473285 A JP9473285 A JP 9473285A JP S60239087 A JPS60239087 A JP S60239087A
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- JP
- Japan
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- ridges
- layer
- clad
- active layer
- ridge
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置は、その劣化という大きな問題
がほぼ解決され、数千時間から致方時間の寿命をもつも
のが容易に得られるようになり、光通信や光情報処理を
はじめとする光技術応用システムに使用されるようにな
って来ている〇２９、 このような半導体レーザ装置としては種々のタイプのも
のがある。
がほぼ解決され、数千時間から致方時間の寿命をもつも
のが容易に得られるようになり、光通信や光情報処理を
はじめとする光技術応用システムに使用されるようにな
って来ている〇２９、 このような半導体レーザ装置としては種々のタイプのも
のがある。
発明が解決しようとする問題点
半導体レーザ装置を広く実用に供するためには、単にそ
れを長寿命化するだけでなく、性能を大幅に向上させな
ければならない。そのためには、縦・横とも同一モード
でスポット状発振すること、光ビームの広がりが小さい
こと、電流−光出力特性においてその二次歪がきわめて
小さいこと、および、動作電流が小さいことなどの要件
をいかに満たすかが課題となる。
れを長寿命化するだけでなく、性能を大幅に向上させな
ければならない。そのためには、縦・横とも同一モード
でスポット状発振すること、光ビームの広がりが小さい
こと、電流−光出力特性においてその二次歪がきわめて
小さいこと、および、動作電流が小さいことなどの要件
をいかに満たすかが課題となる。
従来のストライプ型半導体レーザ装置においては、電流
の増加に従って多モード発振となり、また、電流−光出
力特性においてもキンクの発生によって直線性が非常に
悪い。
の増加に従って多モード発振となり、また、電流−光出
力特性においてもキンクの発生によって直線性が非常に
悪い。
本発明は、このよう々問題点を解決した半導体レーザ装
置を容易に作製できる方法を提供しよう本発明の方法で
は、半導体基板の一方の主面側３ 、 。
置を容易に作製できる方法を提供しよう本発明の方法で
は、半導体基板の一方の主面側３ 、 。
を、平面上に対をなすリッジが平行に突出するよう形成
してから、これらリッジを有する基板面上にクラッド層
、活性層を順次形成する。
してから、これらリッジを有する基板面上にクラッド層
、活性層を順次形成する。
作 用
上述のようにリッジを形成し、リッジ形成面上にクラッ
ド層を形成すると、クラッド層の成長速度はリッジ部側
面における方がリッジ部頂面や基板主面におけるよりも
いちじるしく大きくなる。
ド層を形成すると、クラッド層の成長速度はリッジ部側
面における方がリッジ部頂面や基板主面におけるよりも
いちじるしく大きくなる。
しだがって、クラッド層は、リッジ対の外側面近傍の部
分がそれよりもさらに外側の部分上よりも厚く形成され
る。そのため、前記クラッド層上に活性層を形成すると
、このクラッド層の斜面部分上における活性層の成長速
度が、それ以外の実質的な平面部分上における活性層の
成長速度に比べて大きいため、活性層はリッジ対の外側
近傍の部分が、リッジの頂面上や基板上のリッジより遠
い部分に比べて厚く形成される。
分がそれよりもさらに外側の部分上よりも厚く形成され
る。そのため、前記クラッド層上に活性層を形成すると
、このクラッド層の斜面部分上における活性層の成長速
度が、それ以外の実質的な平面部分上における活性層の
成長速度に比べて大きいため、活性層はリッジ対の外側
近傍の部分が、リッジの頂面上や基板上のリッジより遠
い部分に比べて厚く形成される。
リッジ間のストライプ状溝部に対応する上方の位置に電
極を配置し、通電して発光させると、リッジ頂面上にお
けるクラッド層の厚みが薄いので、この部分では光を基
板に吸収させることができる。
極を配置し、通電して発光させると、リッジ頂面上にお
けるクラッド層の厚みが薄いので、この部分では光を基
板に吸収させることができる。
そして、す、ジ対の外側面近傍においてクラッド層と活
性層とが厚く形成されるため、電流の広がりが効果的に
抑制される。したがって、発光部分がきわめて狭い領域
に制限される。
性層とが厚く形成されるため、電流の広がりが効果的に
抑制される。したがって、発光部分がきわめて狭い領域
に制限される。
いて説明する。
まず、第１図Ａに示すように、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板
１を準備し、その一方の主面上に通常のフォトエツチン
グ技術を用いて、間隔が５μｍで幅１５μｍの対をなす
ストライブ状パターンマスクを２５０〜３００μｍのピ
ッチで形成する。そして、このマスクを用いて、基板１
をＨ２Ｏ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｓ０４＝８：８：１の髄酸系
エツチング液で１５〜１．７μｍの深さまでエッチする
。この選択的なエツチングでリッジ１ａ、１ｂが実質的
な平面上に二条平行に突出した形状に形成される。
１を準備し、その一方の主面上に通常のフォトエツチン
グ技術を用いて、間隔が５μｍで幅１５μｍの対をなす
ストライブ状パターンマスクを２５０〜３００μｍのピ
ッチで形成する。そして、このマスクを用いて、基板１
をＨ２Ｏ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｓ０４＝８：８：１の髄酸系
エツチング液で１５〜１．７μｍの深さまでエッチする
。この選択的なエツチングでリッジ１ａ、１ｂが実質的
な平面上に二条平行に突出した形状に形成される。
上記のような粘性の低い硫酸系エツチング液では、反応
律速過程が支配的であり、エツチング深５ｔ＼−７ さがエツチング時間に比例するだけでなく、エツチング
速度も比較的遅いのでリッジ１ａ、１ｂの高さを容易に
制御できる。
律速過程が支配的であり、エツチング深５ｔ＼−７ さがエツチング時間に比例するだけでなく、エツチング
速度も比較的遅いのでリッジ１ａ、１ｂの高さを容易に
制御できる。
次に、リッジ１ａ、１ｂを有するｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基
板１上に、液相エピタキシャル成長法によってダブルへ
テロ構造を形成する。リッジ１ａ、１ｂのある基板上で
の結晶成長のメカニズムは平坦な基板上での結晶成長の
メカニズムと異なる。すなわち、リッジ１ａ、１ｂのあ
る基板ではリッジ部頂面上それ以外の平坦々面上での成
長速度が、同じ（１００）面であっても異なる。たとえ
ば、２５０μｍピッチで幅１６μｍの一つのリッジを有
する基板では、リッジ頂面上での成長速度が平坦な面上
におけるそれの楠程度と遅くなる。これはりッジの一部
分がメルトバックすることや、リッジ部分での成長が（
１ｏＯ）面である頂面上におけるよりも（１１１）面で
ある側面における方が支配的となるためである。そのた
め、基板１のリッジ１ａ。
板１上に、液相エピタキシャル成長法によってダブルへ
テロ構造を形成する。リッジ１ａ、１ｂのある基板上で
の結晶成長のメカニズムは平坦な基板上での結晶成長の
メカニズムと異なる。すなわち、リッジ１ａ、１ｂのあ
る基板ではリッジ部頂面上それ以外の平坦々面上での成
長速度が、同じ（１００）面であっても異なる。たとえ
ば、２５０μｍピッチで幅１６μｍの一つのリッジを有
する基板では、リッジ頂面上での成長速度が平坦な面上
におけるそれの楠程度と遅くなる。これはりッジの一部
分がメルトバックすることや、リッジ部分での成長が（
１ｏＯ）面である頂面上におけるよりも（１１１）面で
ある側面における方が支配的となるためである。そのた
め、基板１のリッジ１ａ。
１ｂ間の部分上においても、基板１の他の主面上やりッ
ジ１ａ、１ｂの頂面上よシも、結晶の成長６ ／、 、
・ 速度が大となる。このような結晶成長の性質を利用して
、リッジ１ａ、１ｂをもつＧ ａ Ａ ｓ基板１上にｎ
型Ｇ ａ １− 、Ａ Ｉｔ ｘＡ ｓ クラッド層２
、Ｇａ１−ｙ会→ヲ赤外光し〜ザの場合、Ｘおよびｙの
値はそれぞれ０．３および０．０５である。
ジ１ａ、１ｂの頂面上よシも、結晶の成長６ ／、 、
・ 速度が大となる。このような結晶成長の性質を利用して
、リッジ１ａ、１ｂをもつＧ ａ Ａ ｓ基板１上にｎ
型Ｇ ａ １− 、Ａ Ｉｔ ｘＡ ｓ クラッド層２
、Ｇａ１−ｙ会→ヲ赤外光し〜ザの場合、Ｘおよびｙの
値はそれぞれ０．３および０．０５である。
ｎ型Ｇａ１−エＡρｘ Ａ ｓ 層２の成長過程はリッ
ジ１ａ、１ｂの側面とそれ以外の面とで異なり、成長開
始温度ＳＯＯ℃、冷却速度０．５℃／分の条件で４分間
成長をさせると、リッジ１ａ、１ｂの頂面上では０．３
μｍ、リッジ１ａ、１ｂ間の部分では１．８μｍの膜厚
が得られる。
ジ１ａ、１ｂの側面とそれ以外の面とで異なり、成長開
始温度ＳＯＯ℃、冷却速度０．５℃／分の条件で４分間
成長をさせると、リッジ１ａ、１ｂの頂面上では０．３
μｍ、リッジ１ａ、１ｂ間の部分では１．８μｍの膜厚
が得られる。
基板１のリッジ１ａ、１ｂ間の部分上での結晶成長の速
度はりッジ１ａ、１ｂの高さによって異なる。すなわち
、リッジ１ａ、１ｂが低い場合（約１μｍ以下）、リッ
ジ１ａ、１ｂと同一の高さまで成長するが、リッジ１ａ
、１ｂが約１μｍ以上になると第１図Ｂに示すように凹
状をなす成長となる。
度はりッジ１ａ、１ｂの高さによって異なる。すなわち
、リッジ１ａ、１ｂが低い場合（約１μｍ以下）、リッ
ジ１ａ、１ｂと同一の高さまで成長するが、リッジ１ａ
、１ｂが約１μｍ以上になると第１図Ｂに示すように凹
状をなす成長となる。
７、−１
このｎ型Ｇａ １．−ｘＡｊ２ ＸＡｓＡｓ上２上ａ
１−ｙ ＡＩ！、ｙ Ａｓ活性層３を極めて薄く成長さ
せる。この場合もリッジ１ａ、１ｂ上の成長速度が遅く
なるため薄膜成長には有利であり、（Ｌｌ ７１ｍの膜
厚が再現性よく得られる。クラッド層２の、リッジ１ａ
、１ｂの外側部分上、すなわち斜面部分上では、活性
層３の成長速度が平坦面上でのそれに比べで大きいため
、活性層３の厚さはクラッド層３の頂面上に比べてその
斜面上の方が大となる。す、ジ１ａ。
１−ｙ ＡＩ！、ｙ Ａｓ活性層３を極めて薄く成長さ
せる。この場合もリッジ１ａ、１ｂ上の成長速度が遅く
なるため薄膜成長には有利であり、（Ｌｌ ７１ｍの膜
厚が再現性よく得られる。クラッド層２の、リッジ１ａ
、１ｂの外側部分上、すなわち斜面部分上では、活性
層３の成長速度が平坦面上でのそれに比べで大きいため
、活性層３の厚さはクラッド層３の頂面上に比べてその
斜面上の方が大となる。す、ジ１ａ。
１ｂ間の活性層３の膜厚はリッジ１ａ、１ｂの頂面上の
部分よりもわずかに厚くなり、はぼ平坦な面となる。活
性層３の上にさらに厚さ２μｍのｐ型Ｇａ １− ＸＡ
ｆｌ ｘＡｓ層４および厚さ１ ｐｍのｐ型ＧａＡｓ層
５を順次形成する。ストライプ構造としてペテロ・アイ
ソレーションとする場合、さらに厚さ１／、ｍのｎ型Ｇ
ａ０．５ＡＩ！、。、５ＡＩ！層６が必要となるが、酸
化膜ストライプの場合には成長後、ＣＶＤ法やスパッタ
法によって膜を形成する（第１図Ｃ）。
部分よりもわずかに厚くなり、はぼ平坦な面となる。活
性層３の上にさらに厚さ２μｍのｐ型Ｇａ １− ＸＡ
ｆｌ ｘＡｓ層４および厚さ１ ｐｍのｐ型ＧａＡｓ層
５を順次形成する。ストライプ構造としてペテロ・アイ
ソレーションとする場合、さらに厚さ１／、ｍのｎ型Ｇ
ａ０．５ＡＩ！、。、５ＡＩ！層６が必要となるが、酸
化膜ストライプの場合には成長後、ＣＶＤ法やスパッタ
法によって膜を形成する（第１図Ｃ）。
ここでは、ペテロ・アイソレーションストライプ構造に
ついて説明する。第１図Ｃのウェハ上にマスク用として
酸化膜を形成し、フォトエツチング技術によってリッジ
Ｉａ、Ｉｂ間の直上に幅５μｍの窓あけをする。さらに
、熱リン酸やヨードエッチ液等を用いた選択エツチング
法によってｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層５がストライプ状に露
出するまでｎ型Ｇａｏ 、ｓ Ａβ。ｓ Ａ ｓ層６の
窓あけをする。電極とのコンタクトをよくするだめにＺ
ｎによる追加拡散をし、ｐ＋層を窓部に形成した後、Ｔ
ｉ −Ｐ ｔ −Ａｕを蒸着することによって正電極
８を形成し、さらに全体の厚みが約１００μｍになるよ
う裏面エッチを行う。裏面エッチの溶液としてはＨ２Ｃ
：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２ＳＯ４−１：１：８の液を用いる。エ
ッチ後、裏面にＡ ｕ −Ｇ ｅ −Ｎ ｉを蒸着し、
負電極７を形成する（第１図Ｄ）。
ついて説明する。第１図Ｃのウェハ上にマスク用として
酸化膜を形成し、フォトエツチング技術によってリッジ
Ｉａ、Ｉｂ間の直上に幅５μｍの窓あけをする。さらに
、熱リン酸やヨードエッチ液等を用いた選択エツチング
法によってｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層５がストライプ状に露
出するまでｎ型Ｇａｏ 、ｓ Ａβ。ｓ Ａ ｓ層６の
窓あけをする。電極とのコンタクトをよくするだめにＺ
ｎによる追加拡散をし、ｐ＋層を窓部に形成した後、Ｔ
ｉ −Ｐ ｔ −Ａｕを蒸着することによって正電極
８を形成し、さらに全体の厚みが約１００μｍになるよ
う裏面エッチを行う。裏面エッチの溶液としてはＨ２Ｃ
：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２ＳＯ４−１：１：８の液を用いる。エ
ッチ後、裏面にＡ ｕ −Ｇ ｅ −Ｎ ｉを蒸着し、
負電極７を形成する（第１図Ｄ）。
以上のようにして作製したレーザ装置の特徴を次に述べ
る。第２図に示すようにリッジ１ａ、１ｂより外側の高
さｄ２と溝の深さｄｌ とは必ずしも一致させておく必
要は々いが、−例としてｄｌ−ｄ２−１．６μｍ の基
板を用いたレーザを作製した。
る。第２図に示すようにリッジ１ａ、１ｂより外側の高
さｄ２と溝の深さｄｌ とは必ずしも一致させておく必
要は々いが、−例としてｄｌ−ｄ２−１．６μｍ の基
板を用いたレーザを作製した。
正電極８と負電極７との間に電圧を印加し、こ９ｔ、−
／ の半導体レーザ装置に通電すると、活性層３の、リッジ
１ａ、１ｂ間の溝部上の部分で、単一スポット状のレー
ザ発振が生じた。その光出力と電流との関係は直線性の
よいものであった。そして、その発振に要する動作電流
も少なくてよい。これは、リッジ１ａ、１ｂの頂面上で
のクラッド層２の厚みが非常に薄く形成されているので
、この部分では光が基板１に吸収されて、発振部分が特
定されるとともに、クラッド層２と活性層３の厚みがリ
ッジ１ａ、１ｂの外側の側面近傍の部分で大となってい
るので、電流の広がりが効果的に抑制されるためと考え
られる。
／ の半導体レーザ装置に通電すると、活性層３の、リッジ
１ａ、１ｂ間の溝部上の部分で、単一スポット状のレー
ザ発振が生じた。その光出力と電流との関係は直線性の
よいものであった。そして、その発振に要する動作電流
も少なくてよい。これは、リッジ１ａ、１ｂの頂面上で
のクラッド層２の厚みが非常に薄く形成されているので
、この部分では光が基板１に吸収されて、発振部分が特
定されるとともに、クラッド層２と活性層３の厚みがリ
ッジ１ａ、１ｂの外側の側面近傍の部分で大となってい
るので、電流の広がりが効果的に抑制されるためと考え
られる。
レーザ発振のしきい値電流密度は、リッジ１ａ。
１ｂの寸法に依存する。これについて、以下具体的に説
明する。
明する。
第３図には溝の幅Ｗ１ を５μｍとした時の発振しきい
値電流密度”ｔｈとリッジ１ａ、１ｂの幅Ｗ２．Ｗ３と
の関係を示している。図中、実線はＷ２がＷ３と同じ幅
のもの（Ｗ２−Ｗ３）であり、・破線はＷ２−１００μ
ｍ一定とした場合の’ｔｈの変化１ｏ・・−７ を示している。Ｗ２を１００μｍ以上とした場合の’ｔ
ｈの変化の様子は、はぼ破線と同じであった。
値電流密度”ｔｈとリッジ１ａ、１ｂの幅Ｗ２．Ｗ３と
の関係を示している。図中、実線はＷ２がＷ３と同じ幅
のもの（Ｗ２−Ｗ３）であり、・破線はＷ２−１００μ
ｍ一定とした場合の’ｔｈの変化１ｏ・・−７ を示している。Ｗ２を１００μｍ以上とした場合の’ｔ
ｈの変化の様子は、はぼ破線と同じであった。
この結果より、Ｗ３が１００μｍ以上では７ｔｈはほと
んど一定となるが、Ｗ３〈１００μｍになると７ｔｈは
Ｗ３とともに単調に減少するのがわかる。
んど一定となるが、Ｗ３〈１００μｍになると７ｔｈは
Ｗ３とともに単調に減少するのがわかる。
ただ、Ｗ３を１μｍよりも狭く形成すると、レーザ発振
は単一スポット状でなくなる。したがって、実用的には
、その幅を１〜１００μｍとすることが好ましい。
は単一スポット状でなくなる。したがって、実用的には
、その幅を１〜１００μｍとすることが好ましい。
リッジ１ａ、１ｂの間隔については、それが１ヅ
μｍよりも狭くなると１発生した光がリンｆ１ａ。
１ｂを通して基板１に吸収される比率が高くなるので、
レーザ発振のしきい値電流密度が高くなる０また、その
間隔が１０μｍよりも広くなると、発振しきい値電流密
度が高くなる。実使用上、リッジ１ａ、１ｂの幅は１〜
１０μｍの範囲内とすることが望ましい。
レーザ発振のしきい値電流密度が高くなる０また、その
間隔が１０μｍよりも広くなると、発振しきい値電流密
度が高くなる。実使用上、リッジ１ａ、１ｂの幅は１〜
１０μｍの範囲内とすることが望ましい。
第４図には、ｄ２＝ １．５７７ｍ、 ｄ３＝ １．８
１ｔｍ 。
１ｔｍ 。
、てＷ３＝Ｗ２＝１μｍとした時の、ｄｌ によるＩｔ
ｈノＩｊ★化を示したものである。図のようにｄｌが０
．７１１・＼−ノ μｍから１．７μｍ程度の範囲では’ｔｈはほとんど変
化ないが、ｄｌが０．７μｍ以下では’ｔｈが急峻に増
加する。これはｄｌが０７μｍ以下になるとＩＪ 、ジ
１ａ、１ｂ間の溝部直上で発生した光がｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ基板１に吸収される比率が大きくなるからで、こ
の吸収の度合は活性領域とｎ −ＧａＡｓ基板１との距
離が短いほど大きくなる。一方、ｄｌが１．７μｍ以上
になると溝部分での直列抵抗が高くなり、電流が溝部分
にある活性層２の領域を流れにくくなるためである。
ｈノＩｊ★化を示したものである。図のようにｄｌが０
．７１１・＼−ノ μｍから１．７μｍ程度の範囲では’ｔｈはほとんど変
化ないが、ｄｌが０．７μｍ以下では’ｔｈが急峻に増
加する。これはｄｌが０７μｍ以下になるとＩＪ 、ジ
１ａ、１ｂ間の溝部直上で発生した光がｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ基板１に吸収される比率が大きくなるからで、こ
の吸収の度合は活性領域とｎ −ＧａＡｓ基板１との距
離が短いほど大きくなる。一方、ｄｌが１．７μｍ以上
になると溝部分での直列抵抗が高くなり、電流が溝部分
にある活性層２の領域を流れにくくなるためである。
発明の効果
本発明の方法においては、半導体基板の一方の主面側を
、対をなすリッジが実質的な平面上に平行に突出する形
状に形成してから、これらリッジを有する基板面上にク
ラッド層と活性層とを順次形成している。そのため、ク
ラッド層はりッジ頂面上では薄く、また対をなすリッジ
の外側面近傍の部分がそれよりもリッジから遠い部分に
比べて容易に厚く形成される。そして、活性層も対をな
すリッジの外側面近傍の部分がそれよりも遠去かった部
分に比べて容易に厚く成長する。したがって、この方法
によれば、実施が非常に容易であるだけでなく、レーザ
発振部分をきわめて狭い領域に制限することができるの
で、単一モード発振させることができるだけでなく、動
作電流の少ない半導体レーザ装置を作製することができ
る。
、対をなすリッジが実質的な平面上に平行に突出する形
状に形成してから、これらリッジを有する基板面上にク
ラッド層と活性層とを順次形成している。そのため、ク
ラッド層はりッジ頂面上では薄く、また対をなすリッジ
の外側面近傍の部分がそれよりもリッジから遠い部分に
比べて容易に厚く形成される。そして、活性層も対をな
すリッジの外側面近傍の部分がそれよりも遠去かった部
分に比べて容易に厚く成長する。したがって、この方法
によれば、実施が非常に容易であるだけでなく、レーザ
発振部分をきわめて狭い領域に制限することができるの
で、単一モード発振させることができるだけでなく、動
作電流の少ない半導体レーザ装置を作製することができ
る。
第１図Ａ−Ｄは本発明の方法の一実施例の製造工程を説
明するだめの断面図、第２図は本発明の方法によって得
られる半導体レーザ装置の特性を説明するだめの要部拡
大断面図、第３図および第４図は同装置のリッジの寸法
としきい値電流密度との関係を示す図である。 １ ・−＝−ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ｎ−Ｇ
ａ１−ＸＡｆ！、ｘＡＢ層、３・・・・・・ｎ−Ｇａ１
−−２７Ａｓ層、４・・・・・・ｐ−Ｇａ１．□ｘＡｊ
２ＸＡｓ層、６−＝−ｐ−ＧａＡｓ層、６・・・・・・
ｎ−Ｇａｏ、６ＡＲｏ 、 ｅｓＡｓ層、７・・・・・
・ｎ側電極、８・・・・・・ｐ側電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ヌ
■ θ ０ 第２図 Ｊｔｈ （Ａ／ｃｍ） Ｌ４／、Ｃノｍ〕 第４図 Ｊｔｈ （７１／ｃｍＱ ｉ＋ （メＵ冷〕 １＋Ｊ−
明するだめの断面図、第２図は本発明の方法によって得
られる半導体レーザ装置の特性を説明するだめの要部拡
大断面図、第３図および第４図は同装置のリッジの寸法
としきい値電流密度との関係を示す図である。 １ ・−＝−ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ｎ−Ｇ
ａ１−ＸＡｆ！、ｘＡＢ層、３・・・・・・ｎ−Ｇａ１
−−２７Ａｓ層、４・・・・・・ｐ−Ｇａ１．□ｘＡｊ
２ＸＡｓ層、６−＝−ｐ−ＧａＡｓ層、６・・・・・・
ｎ−Ｇａｏ、６ＡＲｏ 、 ｅｓＡｓ層、７・・・・・
・ｎ側電極、８・・・・・・ｐ側電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ヌ
■ θ ０ 第２図 Ｊｔｈ （Ａ／ｃｍ） Ｌ４／、Ｃノｍ〕 第４図 Ｊｔｈ （７１／ｃｍＱ ｉ＋ （メＵ冷〕 １＋Ｊ−
Claims (1)
- 半導体基板の一方の主面側を、対をなすリッジが平面上
に突出する形状に形成してから、前記半導体基板の前記
リッジを有する面上にクラッド層と活性層を順次形成し
てから、前記対をなすリッジの間の部分上方に電極を配
置することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094732A JPS60239087A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094732A JPS60239087A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101863A Division JPS61179590A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239087A true JPS60239087A (ja) | 1985-11-27 |
| JPS6238875B2 JPS6238875B2 (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=14118285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094732A Granted JPS60239087A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239087A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513991A (en) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 | Nec Corp | Method of manufacturing semiconductor laser |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60094732A patent/JPS60239087A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513991A (en) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 | Nec Corp | Method of manufacturing semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238875B2 (ja) | 1987-08-20 |
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