JPS6023975Y2 - セラミツクコ−ト金属コア−パツケ−ジ - Google Patents

セラミツクコ−ト金属コア−パツケ−ジ

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Publication number
JPS6023975Y2
JPS6023975Y2 JP1979142507U JP14250779U JPS6023975Y2 JP S6023975 Y2 JPS6023975 Y2 JP S6023975Y2 JP 1979142507 U JP1979142507 U JP 1979142507U JP 14250779 U JP14250779 U JP 14250779U JP S6023975 Y2 JPS6023975 Y2 JP S6023975Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
ceramic
metal core
core package
ceramic coat
Prior art date
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Expired
Application number
JP1979142507U
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English (en)
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JPS5661060U (ja
Inventor
英彦 赤崎
守 柳沢
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はIC等をパッケージングするセラミックコート
金属コアーパッケージに関す。
tC等の外装容器は収納ICの規模(集積度)機能及び
動作条件あるいは顧客要求の信頼度レベル如何により、
気密性・電気的絶縁性・機械的強度・化学的耐性及び熱
的特性等最適とする機能を優先し付与する。
本考案は就中機械的強度及び熱伝達性・耐熱性等機能が
優れ、尚又従来の配線パターン形成やチップ(IC)実
装の製作条件に対する良い適性を示す新しいパッケージ
基体を開発したものである。
この種のパッケージの従来構造につき、HYBやIC等
収めるDIP (Dual In1ine Packa
ge)タイプを例示する第1図(断面図)により説明す
る。
図の中央はチップ1がセラミック基板2に装着され、チ
ップ電極は内部配線3を経て外部端子4に導出される(
該端子は図示されないプリント板にはんだ付は等して装
置に接続される)。
外部端子4は二本しか示されないが図示面に直交するセ
ラミック側辺面(両側)に多数配列した構造が特徴であ
る。
尚5はパッケージの蓋材でこれは低融点ガラス層6によ
り基板2と気密封着される。
しかし前記内部配線3に替って基板2の面に高温度下で
焼成したメタライズ配線パターンを設けて外部端子4に
鑞付は接続することもある。
例示DIPタイプの他フラットパッケージ、プラグイン
パッケージと呼ばれる外部導出の配線が高密度化され、
DIPタイプに比しリード端子(4に該当)絶対数の増
大、並に小形化構造のパッケージもある。
前記従来パッケージ構造の問題点は、何れのタイプ共そ
の基板の大半がセラミックで構成されており、セラミッ
クは公知の如く熱放散及び熱伝達性の点から難点がある
。
これを改善するため近時、エナメルコート金属体例えば
は−ろ引き鉄板等を基体とするパッケージが開発された
報告もある。
しかし該は−ろ引き基体は前記セラミックの難点は改善
されるも、パッケージ製作工程に不可欠とする配線パタ
ーンの焼成処理温度に制限がある。
(〜650℃)本考案の目的は前記問題点を解消する以
下提示のパッケージを提供するものである。
その特徴とするところは炭素鋼等金属板をコアーとし、
該コアーにアラミナセラミック等からなる高伝熱性の絶
縁層が被着された基板をパッケージ基体とするセラミッ
クコート金属コアーパッケージにある。
以下、図面に従かい本考案のパッケージ構成を説明する
。
第2図の断面図は炭素鋼(略記号5pc)あるいはニッ
ケル等の板材を適用のパッケージサイズに合わセ適宜形
状に打抜きした素材7を示す。
第3図は同様の断面図であるが、前記素材7の粗面化(
表面)処理等した後プラズマ溶射法等により高伝熱性の
層が複数面被着された状態を示す。
複数層の内層8はニクロム(Ni −Cr組戊)で生威
しその厚さ30〜70μmとすれば、被着後脆性の少な
いかつ緻密構造の膜質がえられ次にのべる絶縁表皮層と
の密着性が向上する。
他方、外部の表皮層9はアルミナ系セラミックで生威し
その厚さ70〜130pm程度被着し意図する高温度処
理に耐える高伝熱性の絶縁層をうろことが出来る。
第3図実施例は内層はニクロム、外層はアルミナセラミ
ックとした複層構成例であるが、該組合せは何もこれに
限定されるものでない。
尚又複層に代替して微密で金属コアー7とのよい密着性
を示す絶縁性酸化金属体の単層構成で実現してもよい。
第4図は第3図のセラミックコート金属コアーをパッケ
ージ基体10とするICチップ1の実装。
(パッケージ)の一実施例である。イ図はパッケージ上
蓋(図示されない)を除いた表側斜視図、口図はイ図の
裏面側斜視図で所謂チップキャリア方式のパッケージ体
を示す。
図に於てパッケージ内略中夫にチップ1が装着され、チ
ップ電極(図示されない)は、前記手段で生成したアル
ミナ表皮面上にモリブデン又はタングステン等高融点金
属の導体ペーストを印刷しこれを焼成して成るインナー
リード11に導出され更に該インナーリード11は基体
10の図示四側辺リード12及び裏側の端末パット13
に至る外部配線経路で引き出される。
この内・外部配線パターンは端末パット13の部処を除
き、図示単層構成と限らす厚膜絶縁層を介在せしめた多
層構造として基体10の面上に生成せしめるもよい。
前記パット13は例えばはんだバンブ等形威しプリント
板回路と接続されるものである。
図示14は前記パッケージ基体10上にかぶせる上蓋に
対する気密シール枠体である。
以上、本考案の要部であるパッケージ基体は、ICチッ
プ実装に関わる配線パターン等生戒の熱処理条件(最高
温度1200℃)に耐える耐熱構造である。
しかしてこれを適用したパッケージは、セラミックの機
械的脆さや低い熱的特性を大巾に改良した機能が具備さ
れており、容器収納のHYB回路、各種機能のIC等搭
載デバイスの動作の安定化、高信頼化に寄与しその効果
たるや大なるものが期待できる。
前記説明に引用した例えば第3図実施例の実装形状等は
一例に過ぎず本考案はその要旨をかえることなく変形可
能であることもちろんである。
゛
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のパッケージ構造断面図、第2図と第3図
は本考案の要部構造を示す図及び第4図は本考案のパッ
ケージの一実施例である。 1・・・・・・ICチップ、7・・・・・・金属板、8
・・・・・・ニクロム層、9・・・・・・アルミナ系セ
ラミック、10・・・・・・パッケージ基体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 金属板のコアー全面にセラミックからなる高伝熱性の絶
    縁層を被着してなる基板をパッケージ基体と腰かつ該パ
    ッケージ基体の表面に導体ペーストを焼成してなるメタ
    ライズ配線パターンを形威し、該パッケージ基体上に半
    導体チップを固着する様にしたことを特徴とするセラミ
    ックコート金属板コアーパッケージ。
JP1979142507U 1979-10-15 1979-10-15 セラミツクコ−ト金属コア−パツケ−ジ Expired JPS6023975Y2 (ja)

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JP1979142507U JPS6023975Y2 (ja) 1979-10-15 1979-10-15 セラミツクコ−ト金属コア−パツケ−ジ

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Publication Number Publication Date
JPS5661060U JPS5661060U (ja) 1981-05-23
JPS6023975Y2 true JPS6023975Y2 (ja) 1985-07-17

Family

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JP1979142507U Expired JPS6023975Y2 (ja) 1979-10-15 1979-10-15 セラミツクコ−ト金属コア−パツケ−ジ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59224146A (ja) * 1983-06-03 1984-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH0526756Y2 (ja) * 1986-07-22 1993-07-07

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546865A (en) * 1977-06-20 1979-01-19 Nippon Sangyo Gijutsu Kk Method of removing nitrogen oxides from exhaust gas

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JPS5661060U (ja) 1981-05-23

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