JPH0427172Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0427172Y2 JPH0427172Y2 JP14560086U JP14560086U JPH0427172Y2 JP H0427172 Y2 JPH0427172 Y2 JP H0427172Y2 JP 14560086 U JP14560086 U JP 14560086U JP 14560086 U JP14560086 U JP 14560086U JP H0427172 Y2 JPH0427172 Y2 JP H0427172Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- plug
- semiconductor device
- semiconductor element
- lead pins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体素子を収納するためのプラグイ
ン型半導体素子収納用パツケージの改良に関する
ものである。
ン型半導体素子収納用パツケージの改良に関する
ものである。
従来、半導体素子、特に半導体集積回路素子を
収納するためのプラグイン型半導体素子収納用パ
ツケージは、第２図に示すように、セラミツクス
等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部
に半導体素子を収納するための凹部及び該凹部周
辺から底面にかけて導出されたタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Mo）等の金属粉末から成る
メタライズ金属層１２を有する絶縁基体１１と、
半導体素子を外部回路に電気的に接続するために
前記メタライズ金属層１２に銀ロウ等のロウ材を
介し取着された多数の外部リードピン１３と蓋体
１４とから構成されており、その内部に半導体素
子１５が収納され、気密封止されて半導体装置と
なる。
収納するためのプラグイン型半導体素子収納用パ
ツケージは、第２図に示すように、セラミツクス
等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部
に半導体素子を収納するための凹部及び該凹部周
辺から底面にかけて導出されたタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Mo）等の金属粉末から成る
メタライズ金属層１２を有する絶縁基体１１と、
半導体素子を外部回路に電気的に接続するために
前記メタライズ金属層１２に銀ロウ等のロウ材を
介し取着された多数の外部リードピン１３と蓋体
１４とから構成されており、その内部に半導体素
子１５が収納され、気密封止されて半導体装置と
なる。
また前記絶縁基体１１の底面で、半導体素子１
５が収納される凹部下方には銅−鉄合金（Cu−
Fe）等から成る放熱板１６が取着されており、
該放熱板１６は半導体素子１５が作動時等に発す
る熱を吸収し、大気中に放出させることによつて
半導体素子１５に熱破壊や特性に熱劣化が生じる
のを有効に防止している。
５が収納される凹部下方には銅−鉄合金（Cu−
Fe）等から成る放熱板１６が取着されており、
該放熱板１６は半導体素子１５が作動時等に発す
る熱を吸収し、大気中に放出させることによつて
半導体素子１５に熱破壊や特性に熱劣化が生じる
のを有効に防止している。
尚、この従来のプラグイン型半導体素子収納用
パツケージでは、外部リードピン１３をメタライ
ズ金属層１２に強固にロウ付けするために通常、
外部リードピン１３が取着されるメタライズ金属
層１２の露出外表面にはロウ材と濡れ性が良いニ
ツケル（Ni）がめつき方法により被着されてい
る。
パツケージでは、外部リードピン１３をメタライ
ズ金属層１２に強固にロウ付けするために通常、
外部リードピン１３が取着されるメタライズ金属
層１２の露出外表面にはロウ材と濡れ性が良いニ
ツケル（Ni）がめつき方法により被着されてい
る。
しかし乍ら、この従来のプラグイン型半導体素
子収納用パツケージは、絶縁基体の底面に大面積
の放熱板が取着されていることから外部リードピ
ンを取着し得る面積が小であり、そのため近時の
半導体素子の高密度化、高集積化の進展に伴う半
導体素子の電極数の増大に対応して外部リードピ
ンの数が急増した場合、絶縁基体１１の底面を極
めて大きなものにして外部リードピンの取着し得
る面積を大としなければならず、その結果、半導
体素子を収納するパツケージの形状が極めて大型
となる欠点を有していた。また更に、このプラグ
イン型半導体素子収納用パツケージを実装する電
気回路基板も必然的に大きくならざるを得ず、小
型化が進む電子機器においては、その実用に供し
なくなるという欠点も有していた。
子収納用パツケージは、絶縁基体の底面に大面積
の放熱板が取着されていることから外部リードピ
ンを取着し得る面積が小であり、そのため近時の
半導体素子の高密度化、高集積化の進展に伴う半
導体素子の電極数の増大に対応して外部リードピ
ンの数が急増した場合、絶縁基体１１の底面を極
めて大きなものにして外部リードピンの取着し得
る面積を大としなければならず、その結果、半導
体素子を収納するパツケージの形状が極めて大型
となる欠点を有していた。また更に、このプラグ
イン型半導体素子収納用パツケージを実装する電
気回路基板も必然的に大きくならざるを得ず、小
型化が進む電子機器においては、その実用に供し
なくなるという欠点も有していた。
本考案は上記欠点に鑑み案出されたもので、そ
の目的は内部に収納する半導体素子の発する熱を
良好に吸収除去し、半導体素子が熱破壊したり、
特性に熱劣化を生じたりするのを皆無となすこと
ができる小型のプラグイン型半導体素子収納用パ
ツケージを提供することにある。
の目的は内部に収納する半導体素子の発する熱を
良好に吸収除去し、半導体素子が熱破壊したり、
特性に熱劣化を生じたりするのを皆無となすこと
ができる小型のプラグイン型半導体素子収納用パ
ツケージを提供することにある。
本考案は内部に半導体素子を載置収納するため
の空所を有する絶縁容器の底面に多数の外部リー
ドピンを取着して成るプラグイン型半導体素子収
納パツケージにおいて、前記絶縁容器の内部空所
の少なくとも下方に位置する外部リードピンを熱
伝導率が0.6cal／sec・℃以上の金属で形成した
ことを特徴とするものである。
の空所を有する絶縁容器の底面に多数の外部リー
ドピンを取着して成るプラグイン型半導体素子収
納パツケージにおいて、前記絶縁容器の内部空所
の少なくとも下方に位置する外部リードピンを熱
伝導率が0.6cal／sec・℃以上の金属で形成した
ことを特徴とするものである。
次に、本考案を添付の第１図に示す実施例に基
づき詳細に説明する。
づき詳細に説明する。
第１図は本考案のプラグイン型半導体素子収納
用パツケージの一実施例を示し、１はアルミナセ
ラミツクス等の電気絶縁材料から成る絶縁基体で
あり、２は同じく電気絶縁材料から成る蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とで絶縁容器が構成
される。
用パツケージの一実施例を示し、１はアルミナセ
ラミツクス等の電気絶縁材料から成る絶縁基体で
あり、２は同じく電気絶縁材料から成る蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とで絶縁容器が構成
される。
前記絶縁基体１にはその上面中央部に半導体素
子を収納するための凹部が設けてあり、凹部底面
には半導体素子３が接着材を介し取着される。
子を収納するための凹部が設けてあり、凹部底面
には半導体素子３が接着材を介し取着される。
また、前記絶縁基体１の凹部周辺から底面にか
けてメタライズ金属層４が被着形成されており、
メタライズ金属層４の凹部周辺部には半導体素子
３の電極がワイヤ５を介し電気的に接続され、ま
た基体１底面部には外部リードピン６がロウ材を
介しロウ付けされる。
けてメタライズ金属層４が被着形成されており、
メタライズ金属層４の凹部周辺部には半導体素子
３の電極がワイヤ５を介し電気的に接続され、ま
た基体１底面部には外部リードピン６がロウ材を
介しロウ付けされる。
前記絶縁基体１及びメタライズ金属層４は、例
えばセラミツク生シートを複数枚準備し、それぞ
れの生シートの上面及び生シートに形成した貫通
孔内にタングステン等の金属粉末から成るメタラ
イズペーストを厚膜手法によつて印刷塗布し、し
かる後、これらを積層するとともに焼結一体化さ
せることによつて形成される。
えばセラミツク生シートを複数枚準備し、それぞ
れの生シートの上面及び生シートに形成した貫通
孔内にタングステン等の金属粉末から成るメタラ
イズペーストを厚膜手法によつて印刷塗布し、し
かる後、これらを積層するとともに焼結一体化さ
せることによつて形成される。
前記絶縁基体１の底面に取着された外部リード
ピン６は内部に収納される半導体素子３を外部回
路と接続する作用を為し、外部リードピン６を外
部回路に設けたソケツト等に挿入接続することに
よつて内部に収納される半導体素子３はメタライ
ズ金属層４及び外部リードピン６を介し外部回路
と接続されることとなる。
ピン６は内部に収納される半導体素子３を外部回
路と接続する作用を為し、外部リードピン６を外
部回路に設けたソケツト等に挿入接続することに
よつて内部に収納される半導体素子３はメタライ
ズ金属層４及び外部リードピン６を介し外部回路
と接続されることとなる。
また、前記絶縁基体１底面部のメタライズ金属
層４の外表面には外部リードピン６を強固にロウ
付けするためにロウ材との濡れ性が優れたニツケ
ル（Ni）等の金属がめつき方法により被着され
ている。
層４の外表面には外部リードピン６を強固にロウ
付けするためにロウ材との濡れ性が優れたニツケ
ル（Ni）等の金属がめつき方法により被着され
ている。
かくして、本考案のプラグイン型半導体素子収
納用パツケージによれば、絶縁基体１の凹部底面
に半導体素子３を取着固定するとともに該半導体
素子３の各電極をワイヤ５によりメタライズ金属
層４に接続させた後、絶縁基体１と蓋体２とをガ
ラス、樹脂等の封止部材で取着させることにより
その内部に半導体素子３を気密に封止し、半導体
装置となる。
納用パツケージによれば、絶縁基体１の凹部底面
に半導体素子３を取着固定するとともに該半導体
素子３の各電極をワイヤ５によりメタライズ金属
層４に接続させた後、絶縁基体１と蓋体２とをガ
ラス、樹脂等の封止部材で取着させることにより
その内部に半導体素子３を気密に封止し、半導体
装置となる。
本考案においては絶縁容器の底面に取着される
外部リードピンのうち絶縁容器の少なくとも内部
空所の下方に位置するものを熱伝導率が0.6cal／
cm・sec・℃以上の金属で形成しておくことが重
要である。このため第１図に示す実施例では絶縁
基体１の底面で半導体素子３が収納される空所の
下方にはCu99.15wt％−Cd0.85wt％、Cu99.05wt
％−Cr0.85wt％−Si0.1wt％、Cu99.85wt％−
Zr0.15wt％、Ag95wt％−Cu5wt％、Ag10wt％
−Cu90wt％等の熱伝導率が0.6Ccal／cm・sec・
℃以上の金属から成る外部リードピン６ａが取着
されている。このように絶縁容器の底面に取着さ
れた外部リードピンのうち半導体素子が収納され
る空所の下方に位置するものを熱伝導率が
0.6cal／cm・sec・℃以上の金属で形成すると該
外部リードピンに半導体素子が発する熱を良好に
吸収除去させることができ放熱板の取着を不要と
してプラグイン型半導体素子収納用パツケージを
小型となすことができる。
外部リードピンのうち絶縁容器の少なくとも内部
空所の下方に位置するものを熱伝導率が0.6cal／
cm・sec・℃以上の金属で形成しておくことが重
要である。このため第１図に示す実施例では絶縁
基体１の底面で半導体素子３が収納される空所の
下方にはCu99.15wt％−Cd0.85wt％、Cu99.05wt
％−Cr0.85wt％−Si0.1wt％、Cu99.85wt％−
Zr0.15wt％、Ag95wt％−Cu5wt％、Ag10wt％
−Cu90wt％等の熱伝導率が0.6Ccal／cm・sec・
℃以上の金属から成る外部リードピン６ａが取着
されている。このように絶縁容器の底面に取着さ
れた外部リードピンのうち半導体素子が収納され
る空所の下方に位置するものを熱伝導率が
0.6cal／cm・sec・℃以上の金属で形成すると該
外部リードピンに半導体素子が発する熱を良好に
吸収除去させることができ放熱板の取着を不要と
してプラグイン型半導体素子収納用パツケージを
小型となすことができる。
尚、前記外部リードピンはCu−Cd，Ag−Cu
等の金属を従来周知の金属加工法（プレス成形
法）により所定形状に成形することによつて形成
される。
等の金属を従来周知の金属加工法（プレス成形
法）により所定形状に成形することによつて形成
される。
本考案のプラグイン型半導体素子収納用パツケ
ージによれば、絶縁容器に取着される外部リード
ピンのうち容器の少なくとも空所の下方に位置す
る外部リードピンを熱伝導率が0.6cal／cm・
sec・℃以上の金属で形成したことから絶縁容器
の内部に収納する半導体素子の発する熱は前記外
部リードピンに良好に吸収されて除去され、半導
体素子に熱破壊や特性に熱劣化を来すことは一切
ない。
ージによれば、絶縁容器に取着される外部リード
ピンのうち容器の少なくとも空所の下方に位置す
る外部リードピンを熱伝導率が0.6cal／cm・
sec・℃以上の金属で形成したことから絶縁容器
の内部に収納する半導体素子の発する熱は前記外
部リードピンに良好に吸収されて除去され、半導
体素子に熱破壊や特性に熱劣化を来すことは一切
ない。
また外部リードピンが半導体素子の熱を吸収、
除去することから半導体素子の熱を吸収除去する
放熱板は一切不要であり、プラグイン型半導体素
子収納用パツケージを小型と成すこともできる。
除去することから半導体素子の熱を吸収除去する
放熱板は一切不要であり、プラグイン型半導体素
子収納用パツケージを小型と成すこともできる。
第１図は本考案のプラグイン型半導体素子収納
用パツケージの一実施例を示す断面図、第２図は
従来のプラグイン型半導体素子収納用パツケージ
の断面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体、６……外部リー
ドピン。
用パツケージの一実施例を示す断面図、第２図は
従来のプラグイン型半導体素子収納用パツケージ
の断面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体、６……外部リー
ドピン。
Claims (1)
- 内部に半導体素子を載置収納するための空所を
有する絶縁容器の底面に多数の外部リードピンを
取着して成るプラグイン型半導体素子収納パツケ
ージにおいて、前記絶縁容器の内部空所の少なく
とも下方に位置する外部リードピンを熱伝導率が
0.6cal／cm／sec・℃以上の金属で形成したこと
を特徴とするプラグイン型半導体素子収納用パツ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14560086U JPH0427172Y2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14560086U JPH0427172Y2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351459U JPS6351459U (ja) | 1988-04-07 |
| JPH0427172Y2 true JPH0427172Y2 (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=31057291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14560086U Expired JPH0427172Y2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427172Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2892687B2 (ja) * | 1989-06-14 | 1999-05-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体素子用パツケージ |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP14560086U patent/JPH0427172Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351459U (ja) | 1988-04-07 |
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