JPS6024080A - 高絶縁耐圧ホトカプラ - Google Patents
高絶縁耐圧ホトカプラInfo
- Publication number
- JPS6024080A JPS6024080A JP58082923A JP8292383A JPS6024080A JP S6024080 A JPS6024080 A JP S6024080A JP 58082923 A JP58082923 A JP 58082923A JP 8292383 A JP8292383 A JP 8292383A JP S6024080 A JPS6024080 A JP S6024080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- light
- emitting element
- height
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、リードフレームの形状に特徴を有する高絶縁
耐圧ホトカプラに関するものである。
耐圧ホトカプラに関するものである。
〈従来技術〉
従来の高絶縁耐圧ホトカブラの一例の断面図を第１図に
示す。第２図は１次側の構造を示す斜視図である。
示す。第２図は１次側の構造を示す斜視図である。
１次側リードフレーム１上に搭載された発光素子２と、
２次側りーｒフレーム３上に搭載された受光素子４を対
向させ、これを透光性樹脂５でモー７レドした後、遮光
性、難燃性を有する樹脂６で外モールドすることによシ
構成される。発光素子２としては赤外発光ダイオードチ
ップ、受光素子４としてはホトトランジスタ又はホトダ
イオードを含むＩＣ等がマウントされる。ここで、金線
７。
２次側りーｒフレーム３上に搭載された受光素子４を対
向させ、これを透光性樹脂５でモー７レドした後、遮光
性、難燃性を有する樹脂６で外モールドすることによシ
構成される。発光素子２としては赤外発光ダイオードチ
ップ、受光素子４としてはホトトランジスタ又はホトダ
イオードを含むＩＣ等がマウントされる。ここで、金線
７。
８はそれぞれもう１つの１次側リードフレーム１、２次
側リードフレーム３への配線を示し、シリコーン系樹脂
によるプリコート９は１次モールドする前に形成され、
発光素子２を樹脂の応力による劣化から保護する。
側リードフレーム３への配線を示し、シリコーン系樹脂
によるプリコート９は１次モールドする前に形成され、
発光素子２を樹脂の応力による劣化から保護する。
第１図はいわゆる二重トランスファ成測法によシ二層構
造としたものであるが、このようにアセンブリされたホ
トカプラは、１次側と２次側間の絶縁耐圧が初期はもと
より、種々の環境試験を経た後においても安定して高く
高品質を得ることができる。
造としたものであるが、このようにアセンブリされたホ
トカプラは、１次側と２次側間の絶縁耐圧が初期はもと
より、種々の環境試験を経た後においても安定して高く
高品質を得ることができる。
ところが、このような高品質を維持する上で次のような
生産工程上の内置Ｆがあった。第１点は、プリコート９
の量が発光素子２のチップを完全に包まない程に少量が
あると、発光素子２は通電によシ発先出力の劣化をきた
す。第２の点は、プリコート９の量が多過ぎる（プリコ
ート９の高さが１πすぎる）か、もしくは２次側（受光
側）の金線８のループ頂−りが高すぎ、１次側（発光側
）のプリコート９と２次個の金線８とが接触すると、絶
縁耐圧の低下をもたらす。これは、グリコ−１９と１次
モールド樹脂５との界面が化学的に接着された而ではな
く、この界面が十分な耐電圧を保持し得ないからである
。従って、プリコート９と１次モールド界面に２次側の
金線８が接触すると、１次側と２次側間の耐電圧は著し
く低下する。第３の点は、金線７．８のループを低くす
るためにこれを強く張ることは、構造上チップのエッヂ
に接触するという不都合を生じさせることである。
生産工程上の内置Ｆがあった。第１点は、プリコート９
の量が発光素子２のチップを完全に包まない程に少量が
あると、発光素子２は通電によシ発先出力の劣化をきた
す。第２の点は、プリコート９の量が多過ぎる（プリコ
ート９の高さが１πすぎる）か、もしくは２次側（受光
側）の金線８のループ頂−りが高すぎ、１次側（発光側
）のプリコート９と２次個の金線８とが接触すると、絶
縁耐圧の低下をもたらす。これは、グリコ−１９と１次
モールド樹脂５との界面が化学的に接着された而ではな
く、この界面が十分な耐電圧を保持し得ないからである
。従って、プリコート９と１次モールド界面に２次側の
金線８が接触すると、１次側と２次側間の耐電圧は著し
く低下する。第３の点は、金線７．８のループを低くす
るためにこれを強く張ることは、構造上チップのエッヂ
に接触するという不都合を生じさせることである。
他方、１次側と２次側との間隔を広げることは、これら
の問題点を解消できる利点があるが、発光・受光素子間
の伝達効率を減少させ、デバイスとしての電気的特性を
低下させる。更に、リードフレーム１，３の形状にはあ
る寸法バラツキが避けられず、上記の問題をさらに複雑
にする。
の問題点を解消できる利点があるが、発光・受光素子間
の伝達効率を減少させ、デバイスとしての電気的特性を
低下させる。更に、リードフレーム１，３の形状にはあ
る寸法バラツキが避けられず、上記の問題をさらに複雑
にする。
〈発明の目的〉
本発明は、リードフレームの形状を改良することによっ
て、上記した問題点を構造的に解消できる高絶縁耐ホト
カプラを提供するものである。
て、上記した問題点を構造的に解消できる高絶縁耐ホト
カプラを提供するものである。
〈実施例〉
以下図面に従って本発明の一実施例を説明する。
第３図は本実施例の１次側構造を示す斜視図、第４図は
同断面図、第５図はホトカプラとしての全体構造を示す
断面図である。
同断面図、第５図はホトカプラとしての全体構造を示す
断面図である。
発光素子２を搭載するリードフレーム１のヘッダ一部に
、発光素子２のチップより面積の大きい四部】０を形成
し、この四部１０にチップの高さの半分もしくは半分以
−１；（全部を含む）を埋没するようにしてチップをマ
ウントする。プリコート９はこのようにチップを凹部１
０にマウントした後に施こされる。金線７，８による配
線は、発光素子２、受光素子４を搭載するリードフレー
ム１゜３０へンド部より高く位置させたもう一つのリー
ドフレーム１／、３／ に行なうようにしている。
、発光素子２のチップより面積の大きい四部】０を形成
し、この四部１０にチップの高さの半分もしくは半分以
−１；（全部を含む）を埋没するようにしてチップをマ
ウントする。プリコート９はこのようにチップを凹部１
０にマウントした後に施こされる。金線７，８による配
線は、発光素子２、受光素子４を搭載するリードフレー
ム１゜３０へンド部より高く位置させたもう一つのリー
ドフレーム１／、３／ に行なうようにしている。
従来のプリコート
シ、その高さ、形状は，シリコーン系樹脂の滴下から硬
化に到るまでに、粘度やフレーム先端部の微妙な形状に
よって著しく左右された。この点本例においては、発光
素子２のチップを凹部１０に入れることにより、チップ
はフレームに囲まれた形となシ、滴下されたシリコーン
系樹脂（プリコート９）はチップを安定して包み、これ
がためいたずらに多量に滴下しなくても、チップの一部
が露出することなく適量にプリコートされる。従って、
プリコート９が少量であることによって発光素子２が通
電により発光出力が劣化するというようなことがなく、
かつプリコート９の高さも低く抑えることができる。こ
れによって、１次側と一２次側間の耐電圧も充分維持さ
れる。
化に到るまでに、粘度やフレーム先端部の微妙な形状に
よって著しく左右された。この点本例においては、発光
素子２のチップを凹部１０に入れることにより、チップ
はフレームに囲まれた形となシ、滴下されたシリコーン
系樹脂（プリコート９）はチップを安定して包み、これ
がためいたずらに多量に滴下しなくても、チップの一部
が露出することなく適量にプリコートされる。従って、
プリコート９が少量であることによって発光素子２が通
電により発光出力が劣化するというようなことがなく、
かつプリコート９の高さも低く抑えることができる。こ
れによって、１次側と一２次側間の耐電圧も充分維持さ
れる。
なお、本例において、金線７を接続するリードフレーム
１′ の位置−いわゆるセカンドボンド高さ−を、従来
構造におけるように発光素子２の搭載されている而と同
一高さではなく、高い目に位置するようにしている。こ
れは、１次側の場合、発光素子２のチップを凹部１０に
落とし込んでマウントするだめ、金線７のリードフレー
ム１への接触を避ける利点もあるが、こうすることによ
り、金線７として硬い目の材質のものを用いこれを強い
目に張ることによって、金線７の高さを低くかつ安定に
形成できるものである。この特長は２次側においても生
かすことができ、第５図のようにリードフレーム３′の
セカンドボンド位置を受光素子４の搭載面より高くしだ
リードフレーム構造とすることにより、金線８のループ
高さを低目にしてかつチップエッヂへの接触もない安定
した形状にできる。セカンドボンド位置の高さは、チツ
プ高さ程度が適当である。
１′ の位置−いわゆるセカンドボンド高さ−を、従来
構造におけるように発光素子２の搭載されている而と同
一高さではなく、高い目に位置するようにしている。こ
れは、１次側の場合、発光素子２のチップを凹部１０に
落とし込んでマウントするだめ、金線７のリードフレー
ム１への接触を避ける利点もあるが、こうすることによ
り、金線７として硬い目の材質のものを用いこれを強い
目に張ることによって、金線７の高さを低くかつ安定に
形成できるものである。この特長は２次側においても生
かすことができ、第５図のようにリードフレーム３′の
セカンドボンド位置を受光素子４の搭載面より高くしだ
リードフレーム構造とすることにより、金線８のループ
高さを低目にしてかつチップエッヂへの接触もない安定
した形状にできる。セカンドボンド位置の高さは、チツ
プ高さ程度が適当である。
さらに２次側の金線８と１次側のプリコート９との距離
をとるには、２次側の受光素子４のチップをセカンドを
施こす方向にやや長目とし、金線８が発光・受光の光軸
中心より外れるように配置することが良策である。
をとるには、２次側の受光素子４のチップをセカンドを
施こす方向にやや長目とし、金線８が発光・受光の光軸
中心より外れるように配置することが良策である。
以上の諸点は、いずれも発光・受光素子間の札苅位置（
距罐１）や、樹脂モールドパッケージ形状を一切変える
ことなく、デバイスとしての電気約諾特性は従来構造と
同一のものを、１次側と２次側の絶縁耐圧に関する設計
裕度を大幅に向」−させて作成できる。
距罐１）や、樹脂モールドパッケージ形状を一切変える
ことなく、デバイスとしての電気約諾特性は従来構造と
同一のものを、１次側と２次側の絶縁耐圧に関する設計
裕度を大幅に向」−させて作成できる。
本ｔ１＃）造は、遮光性樹脂６を伴わないで透光性樹脂
５のみで１１４成された、いわゆる゛°一層モールドタ
イブホｌ−カプラ゛においても同様に適用でき、その特
徴を生かし得る。
５のみで１１４成された、いわゆる゛°一層モールドタ
イブホｌ−カプラ゛においても同様に適用でき、その特
徴を生かし得る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明の構造によれば、発光素子のチップ
をリードフレームに形成した凹部にマウントすることに
より、適量のプリコートで発光素子のチップを保護して
、かつ２次側との金線との距離を充分に獲保し、極めて
信来性の高い高絶縁耐圧ホトカプラが提供できる。
をリードフレームに形成した凹部にマウントすることに
より、適量のプリコートで発光素子のチップを保護して
、かつ２次側との金線との距離を充分に獲保し、極めて
信来性の高い高絶縁耐圧ホトカプラが提供できる。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は同従来の１次側
構造を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例を示す１
次側構造を示す斜視図、第４図は同１次側構造の断面図
、第５図は同全体の構造を示す断面図である。 １・１′・３・３′・・・リードフレーム、２・・・発
光素子、 ４・・・受光素子、 ５・・・透光性樹脂、
６・・・遮光性樹脂、 ７・８・・・金線、 ９・・グ
リコ−１−１１０・・・四部。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）町 −３８！ 手続補正書 （特許庁 殿） １、 °ｌ＋件の表小 ＃！＋願昭５８−８２９２３ ２ 発明の名称 高絶縁耐圧ホトカプラ ３８補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５０４） ｖヤープ株式会社 代表者イ４ イ白 旭 ４代理人 住 所 ８５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号自
発 ７、補正の内容 （１＋ 明細書の第３頁第９行目の「少量が」を「少量
で」と補正する。 （２）明細書の第８頁第２行目の「信来性」を「信頼性
」と補正する。 （３）図面の第５図の符号１を別紙朱書きの様に３と補
正する。 以上
構造を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例を示す１
次側構造を示す斜視図、第４図は同１次側構造の断面図
、第５図は同全体の構造を示す断面図である。 １・１′・３・３′・・・リードフレーム、２・・・発
光素子、 ４・・・受光素子、 ５・・・透光性樹脂、
６・・・遮光性樹脂、 ７・８・・・金線、 ９・・グ
リコ−１−１１０・・・四部。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）町 −３８！ 手続補正書 （特許庁 殿） １、 °ｌ＋件の表小 ＃！＋願昭５８−８２９２３ ２ 発明の名称 高絶縁耐圧ホトカプラ ３８補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５０４） ｖヤープ株式会社 代表者イ４ イ白 旭 ４代理人 住 所 ８５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号自
発 ７、補正の内容 （１＋ 明細書の第３頁第９行目の「少量が」を「少量
で」と補正する。 （２）明細書の第８頁第２行目の「信来性」を「信頼性
」と補正する。 （３）図面の第５図の符号１を別紙朱書きの様に３と補
正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 発光素子を搭載するリードフレームに発光末子チ
ップより大きいｍｉ積の凹部を設け、該凹部に発光素子
チップをチップの高さの半分もしくは半分以上を狸没さ
ぜるようにマウントシ、該部分に低応力のプリコートを
施こしてなることを特徴とする高絶縁耐圧ホトカプラ。 ２ １次側、２次側リードフレームの金線接続リードフ
レームを、チップをマウントするリードフレームより高
く位置させてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の高絶縁耐圧ホ１−カプラ。 ３ 二重トランスファ成型法により、二層構造としてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の高絶縁耐圧ホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082923A JPS6024080A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高絶縁耐圧ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082923A JPS6024080A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高絶縁耐圧ホトカプラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024080A true JPS6024080A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0224385B2 JPH0224385B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=13787753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082923A Granted JPS6024080A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高絶縁耐圧ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475339B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및그를이용한반도체칩패키지 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366178U (ja) * | 1976-11-05 | 1978-06-03 | ||
| JPS5455276U (ja) * | 1977-09-24 | 1979-04-17 |
-
1983
- 1983-05-11 JP JP58082923A patent/JPS6024080A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366178U (ja) * | 1976-11-05 | 1978-06-03 | ||
| JPS5455276U (ja) * | 1977-09-24 | 1979-04-17 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475339B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및그를이용한반도체칩패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224385B2 (ja) | 1990-05-29 |
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