JPH0224385B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0224385B2 JPH0224385B2 JP58082923A JP8292383A JPH0224385B2 JP H0224385 B2 JPH0224385 B2 JP H0224385B2 JP 58082923 A JP58082923 A JP 58082923A JP 8292383 A JP8292383 A JP 8292383A JP H0224385 B2 JPH0224385 B2 JP H0224385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- light emitting
- emitting element
- lead frame
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、リードフレームの形状に特徴を有す
る高絶縁耐圧ホトカプラに関するものである。
る高絶縁耐圧ホトカプラに関するものである。
＜従来技術＞
従来の高絶縁耐圧ホトカプラの一例の断面図を
第１図に示す。第２図は１次側の構造を示す斜視
図である。
第１図に示す。第２図は１次側の構造を示す斜視
図である。
１次側リードフレーム１上に搭載された発光素
子２と、２次側リードフレーム３上に搭載された
受光素子４を対向させ、これを透光性樹脂５でモ
ールドした後、遮光性、難燃性を有する樹脂６で
外モールドすることにより構成される。発光素子
２としては赤外発光ダイオードチツプ、受光素子
４としてはホトトランジスタ又はホトダイオード
を含むIC等がマウントされる。ここで、金線７，
８はそれぞれもう１つの１次側リードフレーム
１、２次側リードフレーム３への配線を示し、シ
リコーン系樹脂によるプリコート９は１次モール
ドする前に形成され、発光素子２を樹脂の応力に
よる劣化から保護する。
子２と、２次側リードフレーム３上に搭載された
受光素子４を対向させ、これを透光性樹脂５でモ
ールドした後、遮光性、難燃性を有する樹脂６で
外モールドすることにより構成される。発光素子
２としては赤外発光ダイオードチツプ、受光素子
４としてはホトトランジスタ又はホトダイオード
を含むIC等がマウントされる。ここで、金線７，
８はそれぞれもう１つの１次側リードフレーム
１、２次側リードフレーム３への配線を示し、シ
リコーン系樹脂によるプリコート９は１次モール
ドする前に形成され、発光素子２を樹脂の応力に
よる劣化から保護する。
第１図はいわゆる二重トランスフア成型法によ
り二層構造としたものであるが、このようにアセ
ンブリされたホトカプラは、１次側と２次側間の
絶縁耐圧が初期はもとより、種々の環境試験を経
た後においても安定して高く高品質を得ることが
できる。
り二層構造としたものであるが、このようにアセ
ンブリされたホトカプラは、１次側と２次側間の
絶縁耐圧が初期はもとより、種々の環境試験を経
た後においても安定して高く高品質を得ることが
できる。
ところが、このような高品質を維持する上で次
のような生産工程上の困難があつた。第１点は、
プリコート９の量が発光素子２のチツプを完全に
包まない程に少量であると、発光素子２は通電に
より発光出力の劣化をきたす。第２の点は、プリ
コート９の量が多過ぎる（プリコート９の高さが
高すぎる）か、もしくは２次側（受光側）の金線
８のループ頂上が高すぎ、１次側（発光側）のプ
リコート９と２次側の金線８とが接触すると、絶
縁耐圧の低下をもたらす。これは、プリコート９
と１次モールド樹脂５との界面が化学的に接着さ
れた面ではなく、この界面が十分な耐電圧を保持
し得ないからである。従つて、プリコート９と１
次モールド界面に２次側の金線８が接触すると、
１次側と２次側間の耐電圧は著しく低下する。第
３の点は、金線７，８のループを低くするために
これを強く張ることは、構造上のチツプのエツヂ
に接触するという不都合を生じさせることであ
る。
のような生産工程上の困難があつた。第１点は、
プリコート９の量が発光素子２のチツプを完全に
包まない程に少量であると、発光素子２は通電に
より発光出力の劣化をきたす。第２の点は、プリ
コート９の量が多過ぎる（プリコート９の高さが
高すぎる）か、もしくは２次側（受光側）の金線
８のループ頂上が高すぎ、１次側（発光側）のプ
リコート９と２次側の金線８とが接触すると、絶
縁耐圧の低下をもたらす。これは、プリコート９
と１次モールド樹脂５との界面が化学的に接着さ
れた面ではなく、この界面が十分な耐電圧を保持
し得ないからである。従つて、プリコート９と１
次モールド界面に２次側の金線８が接触すると、
１次側と２次側間の耐電圧は著しく低下する。第
３の点は、金線７，８のループを低くするために
これを強く張ることは、構造上のチツプのエツヂ
に接触するという不都合を生じさせることであ
る。
他方、１次側と２次側との間隔を広げること
は、これらの問題点を解消できる利点があるが、
発光・受光素子間の伝達効率を減少させ、デバイ
スとしての電気的特性を低下させる。更に、リー
ドフレーム１，３の形状にはある寸法バラツキが
避けられず、上記の問題をさらに複雑にする。
は、これらの問題点を解消できる利点があるが、
発光・受光素子間の伝達効率を減少させ、デバイ
スとしての電気的特性を低下させる。更に、リー
ドフレーム１，３の形状にはある寸法バラツキが
避けられず、上記の問題をさらに複雑にする。
＜発明の目的＞
本発明は、リードフレームの形状を改良するこ
とによつて、上記した問題点を構造的に解消でき
る高絶縁耐ホトカプラを提供するものである。
とによつて、上記した問題点を構造的に解消でき
る高絶縁耐ホトカプラを提供するものである。
＜実施例＞
以下図面に従つて本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第３図は本実施例の１次側構造を示す斜視図、
第４図は同断面図、第５図はホトカプラとしての
全体構造を示す断面図である。
第４図は同断面図、第５図はホトカプラとしての
全体構造を示す断面図である。
発光素子２を搭載するリードフレーム１のヘツ
ダー部に、発光素子２のチツプより面積の大きい
凹部１０を形成し、この凹部１０にチツプの高さ
の半分もしくは半分以上（全部を含む）を埋没す
るようにしてチツプをマウントする。プリコート
９はこのようにチツプを凹部１０にマウントした
後に施こされる。金線７，８による配線は、発光
素子２、受光素子４を搭載するリードフレーム
１，３のヘツド部より高く位置させたもう一つの
リードフレーム１′，３′に行なうようにしてい
る。
ダー部に、発光素子２のチツプより面積の大きい
凹部１０を形成し、この凹部１０にチツプの高さ
の半分もしくは半分以上（全部を含む）を埋没す
るようにしてチツプをマウントする。プリコート
９はこのようにチツプを凹部１０にマウントした
後に施こされる。金線７，８による配線は、発光
素子２、受光素子４を搭載するリードフレーム
１，３のヘツド部より高く位置させたもう一つの
リードフレーム１′，３′に行なうようにしてい
る。
従来のプリコート９の量は滴下量によつて定ま
り、その高さ、形状は、シリコーン系樹脂の滴下
から硬化に到るまでに、粘度やフレーム先端部の
微妙な形状によつて著しく左右された。この点本
例においては、発光素子２のチツプを凹部１０に
入れることにより、チツプはフレームに囲まれた
形となり、滴下されたシリコーン系樹脂（プリコ
ート９）はチツプを安定して包み、これがためい
たずらに多量に滴下しなくても、チツプの一部が
露出することなく適量にプリコートされる。従つ
て、プリコート９が少量であることによつて発光
素子２が通電により発光出力が劣化するというよ
うなことがなく、かつプリコート９の高さも低く
抑えることができる。これによつて、１次側と２
次側間の耐電圧も充分維持される。
り、その高さ、形状は、シリコーン系樹脂の滴下
から硬化に到るまでに、粘度やフレーム先端部の
微妙な形状によつて著しく左右された。この点本
例においては、発光素子２のチツプを凹部１０に
入れることにより、チツプはフレームに囲まれた
形となり、滴下されたシリコーン系樹脂（プリコ
ート９）はチツプを安定して包み、これがためい
たずらに多量に滴下しなくても、チツプの一部が
露出することなく適量にプリコートされる。従つ
て、プリコート９が少量であることによつて発光
素子２が通電により発光出力が劣化するというよ
うなことがなく、かつプリコート９の高さも低く
抑えることができる。これによつて、１次側と２
次側間の耐電圧も充分維持される。
なお、本例において、金線７を接続するリード
フレーム１′の位置−いわゆるセカンドボンド高
さ−を、従来構造におけるように発光素子２の搭
載されている面と同一高さではなく、高い目に位
置するようにしている。これは、１次側の場合、
発光素子２のチツプを凹部１０に落とし込んでマ
ウントするため、金線７のリードフレーム１への
接触を避ける利点もあるが、こうすることによ
り、金線７として硬い目の材質のものを用いこれ
を強い目に張ることによつて、金線７の高さを低
くかつ安定に形成できるものである。この特長は
２次側においても生かすことができ、第５図のよ
うにリードフレーム３′のセカンドボンド位置を
受光素子４の搭載面より高くしたリードフレーム
構造とすることにより、金線８のループ高さを低
目にしてかつチツプエツヂへの接触もない安定し
た形状にできる。セカンドボンド位置の高さは、
チツプ高さ程度が適当である。
フレーム１′の位置−いわゆるセカンドボンド高
さ−を、従来構造におけるように発光素子２の搭
載されている面と同一高さではなく、高い目に位
置するようにしている。これは、１次側の場合、
発光素子２のチツプを凹部１０に落とし込んでマ
ウントするため、金線７のリードフレーム１への
接触を避ける利点もあるが、こうすることによ
り、金線７として硬い目の材質のものを用いこれ
を強い目に張ることによつて、金線７の高さを低
くかつ安定に形成できるものである。この特長は
２次側においても生かすことができ、第５図のよ
うにリードフレーム３′のセカンドボンド位置を
受光素子４の搭載面より高くしたリードフレーム
構造とすることにより、金線８のループ高さを低
目にしてかつチツプエツヂへの接触もない安定し
た形状にできる。セカンドボンド位置の高さは、
チツプ高さ程度が適当である。
さらに２次側の金線８と１次側のプリコート９
との距離をとるには、２次側の受光素子４のチツ
プをセカンドを施こす方向にやや長目とし、金線
８が発光・受光の光軸中心より外れるように配置
することが良策である。
との距離をとるには、２次側の受光素子４のチツ
プをセカンドを施こす方向にやや長目とし、金線
８が発光・受光の光軸中心より外れるように配置
することが良策である。
以上の諸点は、いずれも発光・受光素子間の相
対位置（距離）や、樹脂モールドパツケージ形状
を一切変えることなく、デバイスとしての電気的
諸特性は従来構造と同一のものを、１次側と２次
側の絶縁耐圧に関する設計裕度を大幅に向上させ
て作成できる。
対位置（距離）や、樹脂モールドパツケージ形状
を一切変えることなく、デバイスとしての電気的
諸特性は従来構造と同一のものを、１次側と２次
側の絶縁耐圧に関する設計裕度を大幅に向上させ
て作成できる。
本構造は、遮光性樹脂６を伴わないで透光性樹
脂５のみで構成された、いわゆる“一層モールド
タイプホトカプラ”においても同様に適用でき、
その特徴を生かし得る。
脂５のみで構成された、いわゆる“一層モールド
タイプホトカプラ”においても同様に適用でき、
その特徴を生かし得る。
＜発明の効果＞
以上のように本発明の構造によれば、発光素子
のチツプをリードフレームに形成した凹部にマウ
ントすることにより、適量のプリコートで発光素
子のチツプを保護して、かつ２次側との金線との
距離を充分に獲保し、極めて信頼性の高い高絶縁
耐圧ホトカプラが提供できる。
のチツプをリードフレームに形成した凹部にマウ
ントすることにより、適量のプリコートで発光素
子のチツプを保護して、かつ２次側との金線との
距離を充分に獲保し、極めて信頼性の高い高絶縁
耐圧ホトカプラが提供できる。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は同従来
の１次側構造を示す斜視図、第３図は本発明の一
実施例を示す１次側構造を示す斜視図、第４図は
同１次側構造の断面図、第５図は同全体の構造を
示す断面図である。 １，１′，３，３′……リードフレーム、２……
発光素子、４……受光素子、５……透光性樹脂、
６……遮光性樹脂、７，８……金線、９……プリ
コート、１０……凹部。
の１次側構造を示す斜視図、第３図は本発明の一
実施例を示す１次側構造を示す斜視図、第４図は
同１次側構造の断面図、第５図は同全体の構造を
示す断面図である。 １，１′，３，３′……リードフレーム、２……
発光素子、４……受光素子、５……透光性樹脂、
６……遮光性樹脂、７，８……金線、９……プリ
コート、１０……凹部。
Claims (1)
- １ 発光素子を搭載するリードフレームに発光素
子チツプより大きい面積の凹部を設け、該凹部に
発光素子チツプをチツプの高さの半分もしくは半
分以上を埋没させるようにマウントし、該部分に
低応力のプリコートを施してなり、セカンドボン
ドを行うリードフレームをチツプをマウントする
リードフレームより高く位置させて、金線により
チツプとセカンドボンドのリードフレームを接続
したことを特徴とする高絶縁耐圧ホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082923A JPS6024080A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高絶縁耐圧ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082923A JPS6024080A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高絶縁耐圧ホトカプラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024080A JPS6024080A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0224385B2 true JPH0224385B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=13787753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082923A Granted JPS6024080A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高絶縁耐圧ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024080A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475339B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및그를이용한반도체칩패키지 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366178U (ja) * | 1976-11-05 | 1978-06-03 | ||
| JPS5455276U (ja) * | 1977-09-24 | 1979-04-17 |
-
1983
- 1983-05-11 JP JP58082923A patent/JPS6024080A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6024080A (ja) | 1985-02-06 |
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