JPS60242578A - 複合型磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
複合型磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS60242578A JPS60242578A JP9645284A JP9645284A JPS60242578A JP S60242578 A JPS60242578 A JP S60242578A JP 9645284 A JP9645284 A JP 9645284A JP 9645284 A JP9645284 A JP 9645284A JP S60242578 A JPS60242578 A JP S60242578A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- ion implantation
- magnetic field
- range
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオン打込みによって形成された転送路と、
軟磁性体（たとえばＮｉとＦｅの合金で６るパーマロイ
）によって形成された転送路を１チツプ内に共存させた
複合型磁気バブルメモリ素子に関する。
軟磁性体（たとえばＮｉとＦｅの合金で６るパーマロイ
）によって形成された転送路を１チツプ内に共存させた
複合型磁気バブルメモリ素子に関する。
磁気バブルメモリ素子において、高密度、高集化および
完全不揮発性を保証したメモリを作成するために、イオ
ン打込みにより形成した転送路（以下、イオン打込み転
送路と略す）と、軟磁性体を用いた転送路（以下、パー
マロイ転送路と略す）を複合化した素子が提案されてい
る（！！ｆｆ開昭５７−４０７９１号公報）。これは高
密度化に容易イオン打込み転送路を用いて情報の蓄積部
分を形成し、パーマロイ転送路を用いて情報の書き込み
、読み出し等の機能部を形成したメモリ素子である。
完全不揮発性を保証したメモリを作成するために、イオ
ン打込みにより形成した転送路（以下、イオン打込み転
送路と略す）と、軟磁性体を用いた転送路（以下、パー
マロイ転送路と略す）を複合化した素子が提案されてい
る（！！ｆｆ開昭５７−４０７９１号公報）。これは高
密度化に容易イオン打込み転送路を用いて情報の蓄積部
分を形成し、パーマロイ転送路を用いて情報の書き込み
、読み出し等の機能部を形成したメモリ素子である。
この素子では、イオン打込み転送路とパーマロイ転送路
との接続部が必要である。第１図は、本発明者等が用い
た従来の接続部付近を示したものである。第１図の右側
の部分はイオン打込み転送路３からパーマロイ転送路へ
の接続部であシ、に側の部分はパーマロイ転送路からイ
オン打込み転送路３への接続部であシ、磁気バブルは転
送方向を示す矢印５の方向に転送する。面内に印加する
回転磁界６の方向が、第１図の７の範囲にある場合、接
続部に用いた軟磁性体素片１の端部に最も近いイオン打
込み転送路の凹部４に磁気バブルが存在することになる
。このときイオン打込み転送路の凹部４に近い方の軟磁
性体素片１の端部には、磁気バブルを反発する磁極が発
生している。そのためイオン打込み転送路の凹部４にあ
る磁気バブルが存在できるバイアス磁界の上限値が減少
してしまい、接続部から十分能れたイオン打込み転送路
において磁気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲よ
りせまくなってしまう問題が生じた。
との接続部が必要である。第１図は、本発明者等が用い
た従来の接続部付近を示したものである。第１図の右側
の部分はイオン打込み転送路３からパーマロイ転送路へ
の接続部であシ、に側の部分はパーマロイ転送路からイ
オン打込み転送路３への接続部であシ、磁気バブルは転
送方向を示す矢印５の方向に転送する。面内に印加する
回転磁界６の方向が、第１図の７の範囲にある場合、接
続部に用いた軟磁性体素片１の端部に最も近いイオン打
込み転送路の凹部４に磁気バブルが存在することになる
。このときイオン打込み転送路の凹部４に近い方の軟磁
性体素片１の端部には、磁気バブルを反発する磁極が発
生している。そのためイオン打込み転送路の凹部４にあ
る磁気バブルが存在できるバイアス磁界の上限値が減少
してしまい、接続部から十分能れたイオン打込み転送路
において磁気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲よ
りせまくなってしまう問題が生じた。
本発明の目的は、接続部に用いている軟磁性体素片に最
も近いところにあるイオン打込み転送路の凹部において
、磁気バブルが存在できるパイアン磁界の範囲を、前記
軟磁性体から十分能れたところにあるイオン打込み転送
路における磁気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲
と同じかあるいは広くなるようにすることである。
も近いところにあるイオン打込み転送路の凹部において
、磁気バブルが存在できるパイアン磁界の範囲を、前記
軟磁性体から十分能れたところにあるイオン打込み転送
路における磁気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲
と同じかあるいは広くなるようにすることである。
上記目的を達成するために、接続部に用いている軟磁性
体素片とそれに最も近いところにあるイオン打込み転送
路の凹部の底との距離をパラメータとして、凹部にある
磁気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲をめ、最適
な位置関係を調べた。ここでパラメータは、第１図に示
すように軟磁性体素片の端とカスプ底を結んだ直線の膜
面内に射影した長さｔである。
体素片とそれに最も近いところにあるイオン打込み転送
路の凹部の底との距離をパラメータとして、凹部にある
磁気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲をめ、最適
な位置関係を調べた。ここでパラメータは、第１図に示
すように軟磁性体素片の端とカスプ底を結んだ直線の膜
面内に射影した長さｔである。
第２図に実験結果を示す。縦軸はバイアス磁界の大きさ
であシ、横軸は前記パラメータｔ２磁気バブルの直径ｄ
で割った値である。実験には、１μｍ径の磁気バブルを
用い、ｔは０μｍから５μｍまで変化させた。また比較
のために接続部から十分能れたところにあるイオン打込
み転送路において磁気バブルが存在できるバイアス磁界
の範囲の上限値と下限値を示しである。また図には、回
転磁界の大きさが６００６と４００６の場合が示しであ
る。これより回転磁界の大きさが６００ｅの場合には、
ｔ／ｄが２，７以上であれば、前記の目的を達成できる
ことがわかった。また回転磁界の大きさが５００ｅの場
合には、ｔ／ｄが２以上であれば前記の目的を達成でき
ることがわかった。
であシ、横軸は前記パラメータｔ２磁気バブルの直径ｄ
で割った値である。実験には、１μｍ径の磁気バブルを
用い、ｔは０μｍから５μｍまで変化させた。また比較
のために接続部から十分能れたところにあるイオン打込
み転送路において磁気バブルが存在できるバイアス磁界
の範囲の上限値と下限値を示しである。また図には、回
転磁界の大きさが６００６と４００６の場合が示しであ
る。これより回転磁界の大きさが６００ｅの場合には、
ｔ／ｄが２，７以上であれば、前記の目的を達成できる
ことがわかった。また回転磁界の大きさが５００ｅの場
合には、ｔ／ｄが２以上であれば前記の目的を達成でき
ることがわかった。
回転磁界の大きさによって１／ｄの最低値が変化するの
は、回転磁界が大きくなると、軟磁性体素片にできる反
発磁極が強くなり、イオン打込み転送路の凹部にある磁
気バブルを消滅し易くしてしまうためである。
は、回転磁界が大きくなると、軟磁性体素片にできる反
発磁極が強くなり、イオン打込み転送路の凹部にある磁
気バブルを消滅し易くしてしまうためである。
第３図は、ｔ／ｄが０．１，２，３，４．５の場合の回
転磁界依存性を示したものである。縦軸はバイアス磁界
の大きさであシ、横軸は回転磁界の大きさである。磁気
バブルが存在できるバイアス磁界の範囲の下限値はｔ／
ｄによらないが、上限値はｔ／ｄと回転磁界の大きさに
よっていることがわかった。軟磁性体素片から十分能れ
たところにあるイオン打込み転送路において磁気バブル
が存在できるバイアス磁界の範囲は、回転磁界の大きさ
が２５０ｅ以上で一定であム第３図の右端に示したもの
である。実験結果より、／、／ｄ≧３であれば、回転磁
界の大きさによらず問題の凹部における磁気バブルの存
在できるバイアス磁界範囲の減少が少なく、イオン打込
み転送路において磁気バブルが存在できるバイアス磁界
範囲と同じかあるいはそれよりも広くできることがわか
った。
転磁界依存性を示したものである。縦軸はバイアス磁界
の大きさであシ、横軸は回転磁界の大きさである。磁気
バブルが存在できるバイアス磁界の範囲の下限値はｔ／
ｄによらないが、上限値はｔ／ｄと回転磁界の大きさに
よっていることがわかった。軟磁性体素片から十分能れ
たところにあるイオン打込み転送路において磁気バブル
が存在できるバイアス磁界の範囲は、回転磁界の大きさ
が２５０ｅ以上で一定であム第３図の右端に示したもの
である。実験結果より、／、／ｄ≧３であれば、回転磁
界の大きさによらず問題の凹部における磁気バブルの存
在できるバイアス磁界範囲の減少が少なく、イオン打込
み転送路において磁気バブルが存在できるバイアス磁界
範囲と同じかあるいはそれよりも広くできることがわか
った。
以下、本発明の一実施例を第４図により説明する。接続
部に用いている軟磁性体素片の先端とそれに最も近いイ
オン打込み転送路の凹部の底４との距離の膜面内へ射影
した距離ｔｋ４μｍとした場合を示している。この接続
部において凹部の底４付近にある磁気バブルの存在でき
るバイアス磁界の範囲を測定したところ、接続部から十
分能れたところのイオン打込み転送路における磁気バブ
ルの存在できるバイアス磁界の範囲に比べて、上限値は
６０６大きく、下限値は３０ｅ小さくなり、イオン打込
み転送路よシも広いバイアス磁界の範囲が得られた。
部に用いている軟磁性体素片の先端とそれに最も近いイ
オン打込み転送路の凹部の底４との距離の膜面内へ射影
した距離ｔｋ４μｍとした場合を示している。この接続
部において凹部の底４付近にある磁気バブルの存在でき
るバイアス磁界の範囲を測定したところ、接続部から十
分能れたところのイオン打込み転送路における磁気バブ
ルの存在できるバイアス磁界の範囲に比べて、上限値は
６０６大きく、下限値は３０ｅ小さくなり、イオン打込
み転送路よシも広いバイアス磁界の範囲が得られた。
第５図も実施例の一つであり、第４図と同じくｔ−１（
４μｍとした場合である。第４図に比べて、イオン打込
み領域の境界の位置を軟磁性体素片の先端近くに設けた
ものである。この場合も第４図と同じ効果があることが
わかった。
４μｍとした場合である。第４図に比べて、イオン打込
み領域の境界の位置を軟磁性体素片の先端近くに設けた
ものである。この場合も第４図と同じ効果があることが
わかった。
第６図、第７図も各々実施例の一つであり、イオン打込
み転送路から７４−マロイ転送路への接続部を示したも
のである。第６図はｔ＝４μｍの場合、第７図はｔ＝８
μｍの場合を示しである。いずれも、イオン打込み転送
路の凹部の底４付近にある磁気バブルが存在できる）く
イアス磁界の範囲は、接続部から十分術れたところのイ
オン打込み転送路における磁気バブルが存在できるバイ
アス磁界の範囲よ）広く、上限値は６０６大きく、下限
値は３０ｅ小さいことがわかった。
み転送路から７４−マロイ転送路への接続部を示したも
のである。第６図はｔ＝４μｍの場合、第７図はｔ＝８
μｍの場合を示しである。いずれも、イオン打込み転送
路の凹部の底４付近にある磁気バブルが存在できる）く
イアス磁界の範囲は、接続部から十分術れたところのイ
オン打込み転送路における磁気バブルが存在できるバイ
アス磁界の範囲よ）広く、上限値は６０６大きく、下限
値は３０ｅ小さいことがわかった。
同様に種々の場合で実験した結果、ｔ／ｄが３以上であ
れば、接続部に最も近いイオン打込み転送路の凹部にあ
る磁気バブルの存在できるバイアス磁界範囲が、イオン
打込み転送路における磁気バブルの存在できるバイアス
磁界範囲よりせまくならないことがわかった。
れば、接続部に最も近いイオン打込み転送路の凹部にあ
る磁気バブルの存在できるバイアス磁界範囲が、イオン
打込み転送路における磁気バブルの存在できるバイアス
磁界範囲よりせまくならないことがわかった。
本発明によれば、接続部の軟磁性体素片に最も近いイオ
ン打込み転送路の凹部におる磁気バブルが、前記軟磁性
体素片に生じる反発磁極のために磁気バブルが存在でき
るバイアス磁界の範囲を減少させることなく、接続部か
ら十分術れたところにあるイオン打込み転送路にある磁
気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲と同等か、あ
るいは広くすることができた。
ン打込み転送路の凹部におる磁気バブルが、前記軟磁性
体素片に生じる反発磁極のために磁気バブルが存在でき
るバイアス磁界の範囲を減少させることなく、接続部か
ら十分術れたところにあるイオン打込み転送路にある磁
気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲と同等か、あ
るいは広くすることができた。
本発明を直径１μｍ未満、０１５μｍ以上の磁気バブル
の場合に適用して実験したところ、１μｍ径の場合と同
様の効果があることがわかった。
の場合に適用して実験したところ、１μｍ径の場合と同
様の効果があることがわかった。
第１図はイオン打込み転送路にパーマロイ転送路との接
続部付近を示す平面図、第２図はｄ／ｌの値に対して磁
気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲を示す図、第
３図は回転磁界の大きさに対して磁気バブルが存在でき
るバイアス磁界の範囲を示す図、第４図から第７図はそ
れぞれ本発明の実施例を示す図である。 １・・・軟磁性体素片、２・−・イオン打込み転送路形
成のためのイオン打込み領域、３・・・イオン打込み転
送路、４・・・イオン打込み転送路の凹部の底、５・・
・磁気バブルの転送方向、６・・・回転磁界、７・・・
回転磁界の方向。 第 １ 図 第 ３ 口 看４ 図 柘 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図
続部付近を示す平面図、第２図はｄ／ｌの値に対して磁
気バブルが存在できるバイアス磁界の範囲を示す図、第
３図は回転磁界の大きさに対して磁気バブルが存在でき
るバイアス磁界の範囲を示す図、第４図から第７図はそ
れぞれ本発明の実施例を示す図である。 １・・・軟磁性体素片、２・−・イオン打込み転送路形
成のためのイオン打込み領域、３・・・イオン打込み転
送路、４・・・イオン打込み転送路の凹部の底、５・・
・磁気バブルの転送方向、６・・・回転磁界、７・・・
回転磁界の方向。 第 １ 図 第 ３ 口 看４ 図 柘 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図
Claims (1)
- イオン打込みによって形成された第１の転送路と軟磁性
体によって形成された第２の転送路とを１チツプ内に共
存させた複合型磁気バブルメモリ素子において、前記第
１の転送路から第２の転送路への接続部および第２の転
送路から第１の転送路への接続部で、第１の転送路に含
まれる転送路の凹部の底と、その底に最も近いところに
存在する第２の転送路に含まれる軟磁性体素片の先端の
うち該凹部底と最も近い先端との距離を磁気バブルを保
持する膜面内に射影した長さｔが、磁気バブルの直径ｄ
に対して、ｔ／ｄ＞３の関係にあるように前記凹部の底
と前記軟磁性体素片を配置したことを特徴とする複合型
磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9645284A JPS60242578A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 複合型磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9645284A JPS60242578A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 複合型磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242578A true JPS60242578A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14165406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9645284A Pending JPS60242578A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 複合型磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242578A (ja) |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9645284A patent/JPS60242578A/ja active Pending
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