JPS60242610A - 電解コンデンサ用電解液 - Google Patents
電解コンデンサ用電解液Info
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- JPS60242610A JPS60242610A JP8809585A JP8809585A JPS60242610A JP S60242610 A JPS60242610 A JP S60242610A JP 8809585 A JP8809585 A JP 8809585A JP 8809585 A JP8809585 A JP 8809585A JP S60242610 A JPS60242610 A JP S60242610A
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Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Primary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電解コンデンサをハロゲン化炭化水素で洗浄し
た場合に、コンデンサ内部にハロゲン化炭化水素が透過
して生ずるコンデンサ素子の腐蝕を防止することによっ
て、コンデンサの寿命特性を向上せしめる電解コンデン
サ用電解液に関する。
た場合に、コンデンサ内部にハロゲン化炭化水素が透過
して生ずるコンデンサ素子の腐蝕を防止することによっ
て、コンデンサの寿命特性を向上せしめる電解コンデン
サ用電解液に関する。
従来電極箔とスペーサとを巻回してコンデンサ素子を構
成し、該コンデンサ素子をケースに収―してゴム栓によ
り封口する電解コンデンサで、コンデンサ素子に含浸す
る駆動用電解液にはエチレングリコール（以下ＥＧと称
する）−硼酸アンモン系やＥＧ−アジピン酸アンモニウ
ム系などが用いられていた。しかしながら、電解コンデ
ンサの洗浄工程や印刷基板へ取着するときに用いるハン
ダフラックスの除去工程で洗浄剤として使用されるハロ
ゲン化炭化水素、例えば１．１．１トリクロロエタンは
該ハロゲン化炭化水素への浸漬あるいは蒸気浴などによ
ってゴム栓を透過してコンデンサ内部へ浸入し分解して
塩素イオンを生成していた。
成し、該コンデンサ素子をケースに収―してゴム栓によ
り封口する電解コンデンサで、コンデンサ素子に含浸す
る駆動用電解液にはエチレングリコール（以下ＥＧと称
する）−硼酸アンモン系やＥＧ−アジピン酸アンモニウ
ム系などが用いられていた。しかしながら、電解コンデ
ンサの洗浄工程や印刷基板へ取着するときに用いるハン
ダフラックスの除去工程で洗浄剤として使用されるハロ
ゲン化炭化水素、例えば１．１．１トリクロロエタンは
該ハロゲン化炭化水素への浸漬あるいは蒸気浴などによ
ってゴム栓を透過してコンデンサ内部へ浸入し分解して
塩素イオンを生成していた。
このようにして生成された塩素イオンはコンデンサ素子
の電極箔および引出端子を腐蝕せしめるが、この腐蝕は
電解コンデンサに電圧を印加したときとくに著しく、と
きには引出端子の断線を招く場合もあった。この問題を
解決するためＥＧ−水−アジピン酸アンモニウム系から
なる電解液にフルカノールアミンの塩を添加したものも
使用されているが、コンデンサを高温放置すると溶媒中
に含まれる水の影響によって静電容量の減少。
の電極箔および引出端子を腐蝕せしめるが、この腐蝕は
電解コンデンサに電圧を印加したときとくに著しく、と
きには引出端子の断線を招く場合もあった。この問題を
解決するためＥＧ−水−アジピン酸アンモニウム系から
なる電解液にフルカノールアミンの塩を添加したものも
使用されているが、コンデンサを高温放置すると溶媒中
に含まれる水の影響によって静電容量の減少。
ｔａｎδ、漏れ電流の増大を生じ内部圧力が高くなって
破壊することもあった。これはコンデンサ素子中の陰極
箔とアルミニウムケースが電解液中の水と反応して生成
するベーマイトによって上記特性の劣化を惹起し、また
該ベーマイト生成反応にともなって発生する水素ガスに
よって内部圧力が上昇するものである。
破壊することもあった。これはコンデンサ素子中の陰極
箔とアルミニウムケースが電解液中の水と反応して生成
するベーマイトによって上記特性の劣化を惹起し、また
該ベーマイト生成反応にともなって発生する水素ガスに
よって内部圧力が上昇するものである。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、洗浄に使用
するハロゲン化炭化水素がコンデンサ内部に浸入しても
腐蝕が発生せず、かつ高温中に放置しても容量変化、ｔ
ａｎδおよび漏れ電流の増大を抑制することのできる電
解コンデンサ用電解液を提供せんとするものである。以
下実施例により説明する。まず本発明その他の電解液の
組成を表に示すが、本発明になる電解液はＥＧ−水−ア
ジピン酸アンモニウム−エタノールアミンアジペートか
らなる溶液にリン酸アンモニウムを添加したものであり
、従来例１はＥ９−アジピン酸アンモニウム、従来例２
は若干の水を含んだ電解液で特開１１＆５４−９１７５
４号公報に記載されているものである。
するハロゲン化炭化水素がコンデンサ内部に浸入しても
腐蝕が発生せず、かつ高温中に放置しても容量変化、ｔ
ａｎδおよび漏れ電流の増大を抑制することのできる電
解コンデンサ用電解液を提供せんとするものである。以
下実施例により説明する。まず本発明その他の電解液の
組成を表に示すが、本発明になる電解液はＥＧ−水−ア
ジピン酸アンモニウム−エタノールアミンアジペートか
らなる溶液にリン酸アンモニウムを添加したものであり
、従来例１はＥ９−アジピン酸アンモニウム、従来例２
は若干の水を含んだ電解液で特開１１＆５４−９１７５
４号公報に記載されているものである。
（以下余白）
なお表に記載されたモノ、ジ、トリエタノールアミンア
ジペートはエタノールアミンアジペートの１種であり、
アジピン酸とエタノールアミンとを混合し加熱またはエ
チレングリコール中で該混合を行うことにより生成でき
るが、これらは４０ｗｔ％を越えるとエチレングリコー
ルに溶解しなくなる。またアジピン酸アンモニウムも同
様２０ｗｔ％を越えると溶解しない。この表に示した組
成からなる電解液を電極箔とスペーサとを巻回して構成
したコンデンサ素子に含浸し、該コンデンサ素子をアル
ミニウムからなるケースに収−してゴム栓で封口した定
格５０ＷＶ−１μＦのリード線端子局一方向形電解コン
デンサを作り、該電解コンデンサを１．１．１トリクロ
ロエタンの蒸気中に１０分間浸漬したちの各々５０個を
試料として１０５℃中に５０Ｖ電圧印加して放置したと
きの特性を第１図〜第４図に示す。すなわち第１図は放
置時間と防爆弁動作数どの関係を示す曲線図であるが、
１０００ｈでは全数分解の上確認した腐蝕数を示しであ
る。第２図は放置時間と静電容量変化率との関係、第３
図は放置時間とｔａｎδどの関係、第４図は放置時間と
漏れ電流との関係をそれぞれ示す曲線図である。なお第
１図〜第４図の曲線に付した記号は表に示したＡ〜Ｑの
記号を用いたもので電解液の種別を表わしたものである
。
ジペートはエタノールアミンアジペートの１種であり、
アジピン酸とエタノールアミンとを混合し加熱またはエ
チレングリコール中で該混合を行うことにより生成でき
るが、これらは４０ｗｔ％を越えるとエチレングリコー
ルに溶解しなくなる。またアジピン酸アンモニウムも同
様２０ｗｔ％を越えると溶解しない。この表に示した組
成からなる電解液を電極箔とスペーサとを巻回して構成
したコンデンサ素子に含浸し、該コンデンサ素子をアル
ミニウムからなるケースに収−してゴム栓で封口した定
格５０ＷＶ−１μＦのリード線端子局一方向形電解コン
デンサを作り、該電解コンデンサを１．１．１トリクロ
ロエタンの蒸気中に１０分間浸漬したちの各々５０個を
試料として１０５℃中に５０Ｖ電圧印加して放置したと
きの特性を第１図〜第４図に示す。すなわち第１図は放
置時間と防爆弁動作数どの関係を示す曲線図であるが、
１０００ｈでは全数分解の上確認した腐蝕数を示しであ
る。第２図は放置時間と静電容量変化率との関係、第３
図は放置時間とｔａｎδどの関係、第４図は放置時間と
漏れ電流との関係をそれぞれ示す曲線図である。なお第
１図〜第４図の曲線に付した記号は表に示したＡ〜Ｑの
記号を用いたもので電解液の種別を表わしたものである
。
この結果によれば第１図の弁動作数において従来例１（
記号Ａ）では５００ｈ、従来例２（記号Ｂ）では７５０
ｈにおいて全数弁動作し、参考例３（記号Ｎ）では１０
００ｈにおいて５個の腐蝕が発生している。そして前記
曲線Ａ、Ｂは分解調査結果、腐蝕現象が顕著であり腐蝕
によって内部圧力が上昇し防爆弁が動作したものである
。また参考例１（記号Ｌ）は第２図および第３図に示し
た静電容量変化およびｔａｎδが大きく、参考例２（記
号Ｍ）および参考例６（記号Ｑ）は電解液自体の比抵抗
が大きいためｊａｎδ値が当初より大きい。さらに参考
例５（記号Ｐ）は静電容量変化率が大であるほか、ｔａ
ｎδも悠激に増大していて好ましくない。上記の表にお
いてリン酸アンモニウムは電極箔およびアルミニウムケ
ースに生ずるベーマイト反応を抑止するために添加した
ものであるが、ベーマイト反応は無負荷放置の場合顕著
なので前記の実施例と同様定格５０ＷＶ−１μＦのリー
ド線端子−一方向形電解コンデンサ試料各５０個を用い
、１．１．１ ｔ−リクロロエタンの蒸気中に１０分間
浸漬したのち１０５℃中に無負荷放置したときの特性を
第５図〜第７図に示す。なお記号は表に示したものを用
いるが、記号Δ（従来例１）、記号Ｂ（従来例２）は第
１図に示すように弁動作を生じ、また記号Ｎ（参考例３
）は腐蝕を生じるのでこれから除き記号Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ
。
記号Ａ）では５００ｈ、従来例２（記号Ｂ）では７５０
ｈにおいて全数弁動作し、参考例３（記号Ｎ）では１０
００ｈにおいて５個の腐蝕が発生している。そして前記
曲線Ａ、Ｂは分解調査結果、腐蝕現象が顕著であり腐蝕
によって内部圧力が上昇し防爆弁が動作したものである
。また参考例１（記号Ｌ）は第２図および第３図に示し
た静電容量変化およびｔａｎδが大きく、参考例２（記
号Ｍ）および参考例６（記号Ｑ）は電解液自体の比抵抗
が大きいためｊａｎδ値が当初より大きい。さらに参考
例５（記号Ｐ）は静電容量変化率が大であるほか、ｔａ
ｎδも悠激に増大していて好ましくない。上記の表にお
いてリン酸アンモニウムは電極箔およびアルミニウムケ
ースに生ずるベーマイト反応を抑止するために添加した
ものであるが、ベーマイト反応は無負荷放置の場合顕著
なので前記の実施例と同様定格５０ＷＶ−１μＦのリー
ド線端子−一方向形電解コンデンサ試料各５０個を用い
、１．１．１ ｔ−リクロロエタンの蒸気中に１０分間
浸漬したのち１０５℃中に無負荷放置したときの特性を
第５図〜第７図に示す。なお記号は表に示したものを用
いるが、記号Δ（従来例１）、記号Ｂ（従来例２）は第
１図に示すように弁動作を生じ、また記号Ｎ（参考例３
）は腐蝕を生じるのでこれから除き記号Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ
。
Ｇ、Ｈ，Ｉ、Ｊ、に、Ｌ、Ｍ、Ｏ，Ｐ、Ｑの１４種類の
試料で行った。この結果水を多量に含む参考例１（記号
Ｌ）、リン酸アンモニウム量が少ない参考例４（記号Ｏ
）およびリン酸アンモニウム量が多い参考例５（記号Ｐ
）はいずれの特性も悪く、かつ劣化が著しい。また水を
全く含まない参考例２（記号Ｍ）は静電容量変化率およ
び漏れ電流特性は良好であるが、ｔａｎδ特性とくに初
期値が大きく本発明の２〜５倍の値を示し１０００ｈで
も１．５倍の値となって使用することが難しい。これに
対し本発明はリン酸アンモニウムを適量添加したことに
より無負荷放置したときのベーマイト反応が抑制され、
よって静電容量変化率。
試料で行った。この結果水を多量に含む参考例１（記号
Ｌ）、リン酸アンモニウム量が少ない参考例４（記号Ｏ
）およびリン酸アンモニウム量が多い参考例５（記号Ｐ
）はいずれの特性も悪く、かつ劣化が著しい。また水を
全く含まない参考例２（記号Ｍ）は静電容量変化率およ
び漏れ電流特性は良好であるが、ｔａｎδ特性とくに初
期値が大きく本発明の２〜５倍の値を示し１０００ｈで
も１．５倍の値となって使用することが難しい。これに
対し本発明はリン酸アンモニウムを適量添加したことに
より無負荷放置したときのベーマイト反応が抑制され、
よって静電容量変化率。
ｔａｎδ変化率を小さくする効果を有する。
以上述べたように本発明になる電解コンデンサ用電解液
を含浸した電解コンデンサは、ハロゲン化炭化水素で洗
浄した場合でもコンデンサ素子の腐蝕を防止しコンデン
サを負荷放置したときでも無負荷放置の場合でも弁動作
、腐蝕などを生ぜず寿命特性を向上させることができる
効果を有するものである。
を含浸した電解コンデンサは、ハロゲン化炭化水素で洗
浄した場合でもコンデンサ素子の腐蝕を防止しコンデン
サを負荷放置したときでも無負荷放置の場合でも弁動作
、腐蝕などを生ぜず寿命特性を向上させることができる
効果を有するものである。
また上記本発明になる電解コンデンサ用電解液にパラニ
トロフェノール３ｗｔ％を添加した電解液は、コンデン
サ内部に発生したガスを前記パラニトロフェノールで吸
収するためにとくに負荷放置の際の静電容量変化率およ
びｔａｎδ特性を改善することができる。すなわち第８
図には前記の表に示した本発明１（記号Ｃ）の組成から
なる電解液にパラニトロフェノールを添加した電解液の
パラニトロフェノールの添加量と火花電圧との関係を示
したものであるが、添加量が３ｗｔ％を越えると火花電
圧が急激に低下することが明らかである。そして第９図
には本発明１（記号Ｃ）すなわちパラニトロフェノール
を添加しない電解液と、これに３ｗｔ％のパラニトロフ
ェノールを添加した電解液とをコンデンサ素子に含浸し
た定格５０ｗｖ−ｉμＦのリード線端子間一方向形電解
コンデンサを各々５０個作製し、これを１゜１．１トリ
クロＯエタンの蒸気中に１０分間浸漬したのち１０５℃
に５０Ｖ印加して放置したときの放置時間と静電容量変
化率との関係を示した。なおバラニトロフェノール３ｗ
ｔ％添加したものは（記号Ｒ）で表示した。また第１０
図には同様にして作製した試料をうＯ■印加して１０５
℃中に放置しｈときの放置時間とｔａｎδとの関係を示
す曲線図を示しである。なお漏れ電流はパラニトロフェ
ノールの添加によって特性の変化はみられなかった。こ
の第９図、第１０図からも明らかなように、パラニトロ
フェノールの添加量は火花電圧との関係から適宜な範囲
を有しており、３ｗｔ％以下が適量である。そしてこの
パラニトロフェノールの添加によってコンデンサ素子か
ら発生したガスが吸収されるので静電容量変化率とｔａ
ｎδはさらに改善されることが明らかである。
トロフェノール３ｗｔ％を添加した電解液は、コンデン
サ内部に発生したガスを前記パラニトロフェノールで吸
収するためにとくに負荷放置の際の静電容量変化率およ
びｔａｎδ特性を改善することができる。すなわち第８
図には前記の表に示した本発明１（記号Ｃ）の組成から
なる電解液にパラニトロフェノールを添加した電解液の
パラニトロフェノールの添加量と火花電圧との関係を示
したものであるが、添加量が３ｗｔ％を越えると火花電
圧が急激に低下することが明らかである。そして第９図
には本発明１（記号Ｃ）すなわちパラニトロフェノール
を添加しない電解液と、これに３ｗｔ％のパラニトロフ
ェノールを添加した電解液とをコンデンサ素子に含浸し
た定格５０ｗｖ−ｉμＦのリード線端子間一方向形電解
コンデンサを各々５０個作製し、これを１゜１．１トリ
クロＯエタンの蒸気中に１０分間浸漬したのち１０５℃
に５０Ｖ印加して放置したときの放置時間と静電容量変
化率との関係を示した。なおバラニトロフェノール３ｗ
ｔ％添加したものは（記号Ｒ）で表示した。また第１０
図には同様にして作製した試料をうＯ■印加して１０５
℃中に放置しｈときの放置時間とｔａｎδとの関係を示
す曲線図を示しである。なお漏れ電流はパラニトロフェ
ノールの添加によって特性の変化はみられなかった。こ
の第９図、第１０図からも明らかなように、パラニトロ
フェノールの添加量は火花電圧との関係から適宜な範囲
を有しており、３ｗｔ％以下が適量である。そしてこの
パラニトロフェノールの添加によってコンデンサ素子か
ら発生したガスが吸収されるので静電容量変化率とｔａ
ｎδはさらに改善されることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明、従来例、参考例のコンデンサを電圧印
加して放置したときの放電時間と防爆弁動作数との関係
を示す曲線図、第２図は同じく放置時間と静電容量変化
率との関係を示す曲線図、第３図は同じく放置時間とｔ
ａｎδとの関係を示す曲線図、第４図は同じく放置時間
と漏れ電流との関係を示す曲線図、第５図はコンデンサ
を無負荷放置したときの放置時間と静電容量変化率との
関係を示す曲線図、第６図は同じく放置時間とｔａｎδ
との関係を示す曲線図、第７図は同じく放置時間と漏れ
電流との関係を示す曲線図、第８図はパラニトロフェノ
ールを添加した電解液のパラニトロフェノール添加量と
火花電圧との関係を示す曲線図、第９図は同じく電圧印
加して放置したときの放置時間と静電容量変化率との関
係を示す曲線図、第１０図は同じく放置時間とｔａｎδ
との関係を示す曲゛線図である。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社
加して放置したときの放電時間と防爆弁動作数との関係
を示す曲線図、第２図は同じく放置時間と静電容量変化
率との関係を示す曲線図、第３図は同じく放置時間とｔ
ａｎδとの関係を示す曲線図、第４図は同じく放置時間
と漏れ電流との関係を示す曲線図、第５図はコンデンサ
を無負荷放置したときの放置時間と静電容量変化率との
関係を示す曲線図、第６図は同じく放置時間とｔａｎδ
との関係を示す曲線図、第７図は同じく放置時間と漏れ
電流との関係を示す曲線図、第８図はパラニトロフェノ
ールを添加した電解液のパラニトロフェノール添加量と
火花電圧との関係を示す曲線図、第９図は同じく電圧印
加して放置したときの放置時間と静電容量変化率との関
係を示す曲線図、第１０図は同じく放置時間とｔａｎδ
との関係を示す曲゛線図である。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社
Claims (2)
- （１）水２７〜５ｗｔ％、アジピン酸アンモニウム契シ ２０〜１％、エタノールアミンアジペート４０〜５ｗｔ
％、残部がエチレングリコールからなる溶液に対し、リ
ン酸アンモニウム ０．０１〜０．１５ｗｔ％を添加し
たものからなる電解コンデンサ用電解液。 - （２）パラニトロフェノール３ｗｔ％以下を添加したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電解コ
ンデンサ用電解液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8809585A JPS60242610A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 電解コンデンサ用電解液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8809585A JPS60242610A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 電解コンデンサ用電解液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242610A true JPS60242610A (ja) | 1985-12-02 |
| JPH031817B2 JPH031817B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=13933309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8809585A Granted JPS60242610A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 電解コンデンサ用電解液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242610A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312620A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nippon Chemicon Corp | 難燃化電解コンデンサ |
| JP2004200718A (ja) * | 2004-03-08 | 2004-07-15 | Rubycon Corp | 電解コンデンサ駆動用電解液及びこれを使用した電解コンデンサ |
| JP2006108158A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8809585A patent/JPS60242610A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312620A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nippon Chemicon Corp | 難燃化電解コンデンサ |
| JP2004200718A (ja) * | 2004-03-08 | 2004-07-15 | Rubycon Corp | 電解コンデンサ駆動用電解液及びこれを使用した電解コンデンサ |
| JP2006108158A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031817B2 (ja) | 1991-01-11 |
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