JPS60245134A - 位置決め装置、及び該装置を用いた基板の位置決め方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体装置の製造に用いられ
るマスク、レチクル、ウェハ等の位置決め装置に関し、
特にウェハブローバやウェハスクライバ−に適した位置
決め装置に関する。

（発明の背景） ウェハ等のように複数のチップパターンが２次元的に配
列された基板の位置合せ装置として、例えは特開昭５８
−５４６４８号公報に開示されているように、レーザ光
のスポットをウェハ上で走査し、ウェハ上のパターンが
らの散乱光を光電検出し、その光電信号の波形テークと
予め記憶１−でおいた基準となる波形テーク（テングレ
ート）トをパター／マツチ／りにより比較して、ウェハ
の位置ずれを検出する装置が知られている。この装置で
はテンプレートは１番目のウェハ上の所定の局所領域か
ら抽出して作られ、２番目以降のウェハはその１番目の
ウェハと同一位置に２次元的に位置決めされる。ところ
で、このような位置決めにあたって、ウエノ・が装置に
回転して載置されると、所期０）位置決め精度が得られ
ないので、何らかの方法でウエノ・の回転を直す必要か
らＺ、。従来よりウエノ・け２次元移動ステージの上に
回転可能なウェハホルダーを介して載置される。そして
ウェハの回転を直すためにそのウェハホルダーを回転す
るが、この回転を補正するにはある程度のくり返しが必
要であり、時間を要していた０とくに簡単な装置でけウ
エノ・ホルダーの回転位置決め精度が低い場合もあり、
回転補正の時間に全体の位置決め時間の中でかなりの割
合分しめ、スループントを低下させるという欠点があっ
た。

（発明の目的） 本発明げウエノ・やマスク等のテップパターンを有する
基板の回転補正の時間を短縮するとともに、精度を向す
する位置決め装置を提供することを目的とする。

（発明の概要） 本発明に、所定の大きさのチップを所定のヒツチで２次
元的に複数配列］ッた基板（ウエノ・やマスク等）を直
交座標系ｘｙに沿って位置決めする装置においで、基板
上の第１局所領域中のバター／に応じた第１情報と、こ
の第１局所領域からチン７′の配列方向にピッチの略整
数倍の距離たけ離れた第２局所領域中のパターンに応じ
た第２情報とを抽出するパターン情報抽出手段と、第１
情報と第２情報の相関性に基づいて基板の座標系ｘｙに
関する回転誤差を検出し、その回転誤差を補正するよう
に基板を回転する回転誤差補正手段と、その回転補正さ
れた基板の残存回転誤差を検出する手段と、この残存回
転誤差に応じて基板を座標系ｘｙのＸ方向とＸ方向に関
して補止しで位置決めする手段とを設けること全技術的
要点としている。

次に本発明の実施例による位置決め装置の構成を第１図
及び第２図に基づいて説明する。ウニ・・６はレーサ干
渉側長器等の位置センサ１２を備えたステージ７に載置
される。このスプーン７はモータ等を含む駆動機構８に
よって２次元的に移動する。一方レーザ発振器１とシリ
／ドリカルレ／ズ２を含む光源からは断面形状が楕円形
の収束したレーザ光束が射出し、このレーザ光束０及射
ミラー３によって折り曲けられ、ウェハ６の表面に細長
い２リント状のスポット光１３として結像する。そして
ウェハ６表面の凹凸状のパターンで散乱されたレーザ光
は光電素子４に達する。この光電素子４の光１！信号は
増幅器９によって所定量増幅さねて、次のＡ／Ｄ変換器
（以下、ＡＤＣとする。）１０に印加される。従ってＡ
ＤＣＩＯから出力されるデジタル信号Ｄ２　ｉｆウェハ
６から生じる散乱光の強さ又は光量に比例したものとな
る。

また、ウェハ６上のバター／を観察するための顕微鏡１
４が設けられ、位置合わせされた位置が正しいか否かを
確認する。前述の位置センサ１２は、例λけン、ポット
光１３の照射位置を基準としたステージ７０２次元的な
位置に関する位置信号Ｄ１を発生し７、ＡＤＣｌｏの信
号Ｄ２と共に、演算処理部１１に入力する。演算処理部
１１は信号ＤＩ＋Ｄ、に基づいて位置合わせに必要な演
算を行なうと共に、その結果に応じて駆動機構８を制御
して、ウェハ６を所定の位置１で移動させる。

この演算処理部ｊ１については詳し、くけ特開昭５８−
５４６４８号公報に開示さねでいるので、ここでは説明
を省略するが、ウェハ６から生じた散乱光を位置に対応
し２て記憶（−７、予め記憶しである基準パターンと、
その散乱光バター／とのマツチングをとり、もつともマ
ツチングがよい位置を検出するものである。

さて、スポット光１３の長手方向の太ささけ、位置合わ
せの対象物がウェハやマスクのように、同一のチップバ
ター／が周期的に配列されている場合、標準的な１テア
）の−辺の大きさとほぼ等しくする。仁のように定める
と、第１図で示したステージ７をスポット光１３の長手
方向と直交する方向に移動したとき、光電素子４は、ス
ポット光１３の照射部内に存在する細かいパターンのエ
ツジ（凹凸の段差部）から全方向に生じる散乱光をほぼ
全体に渡って受光するから、光電信号はパターンの細か
い変イヒに対してはほとんど変化しない。このことを第
３図によりさらに詳しく説明する。この図はウェハ６上
の隣接する２つのテンプ５０とスポット光１３の関係を
示しかもθ）である。

先にも述へたように、スポット光１３にウェハ６に対し
て長手方向と直交する方向に移動する。このとき図中に
示すようにその移動はテンプ５０の配列の方向に沿って
行なわわる。従ってスポット光１３はその長手方向がテ
ップ５０の間に設けられた通常ストリートライン５３と
呼はれる５０〜１００μｍ程度の帯幅部分と平行を保ち
つつ移動する。１だチップ５０の内部には実際の回路バ
ター／が形成された領域５１と、その周囲に位置した複
数のボンティング用のバント５２とが設けられる。今、
チフス５０寸法をＦ）Ｘ５＋１１７１１、スポット光１
３寸法を５ｍｍＸ５０μｍとすると、スポット光１３が
領域５１を照射すると、回路パターンは二次元的にげ複
雑な形状をしており、散乱光は全方向に生じる。従って
光電素子４の光電信号はスポット光１３が領域５１内を
移動している間は平均的に大きな値になる。また、スポ
ット光１３がバット５２の近傍を照射すると、ハクト５
２が並ぶバット列の幅は通常１００μｍ程度であるので
、スポット光１３の移動に伴って光電信号の太きさけ変
動する。さらにスポット光１３がストリートライン５３
を照射すると、ストリートライン５３げ通常光を全反射
する特性、すなわち、はとんど散乱しない特性を有して
いるので、光電信号は極めて小さな個になる。以上述へ
た光電信号の変化状態は、スポット光１３の長手方向が
チップ５゜の−辺の長さよりも大きい限り、ウェハ６上
のいかなる位置においでもほぼ同じように再現される。

このようにスポット光１３をスリット状に細長くするこ
とによって、ウェハ６上のバター／密度（例えばスポッ
ト光１３で照射される範囲内に存在する微細な線バター
／の本数等）の変化を平滑化して検出することができる
。

また、第３図に示したように、スポット光１３げストリ
ートライ１５３と平行を保ちつつ　チップ５０の配列方
向に沿って移動するが、このときスポット光１３とウェ
ハ１６との関係は第４図のようになる。ウェハ１６には
同一のパターンを有する複数のチップ５０がマトリック
ス状に形成されるが、その一方の列、すなわち紙面で左
右方向のチップ５０は、一般にウェハ６の周囲の一部を
直線的に切欠いたフラットＦと平行に並ぶ。このフラッ
トＦＵウェハ６の粗い位置決め（プリアライメントと呼
ばれる。）のだめの基準端となるものである。そして、
ステージ７にはウェハ６を載置して回転する回転補正機
構が組み込−！わでおり、ブリアライメント時にフラッ
トＩＪステーン７の一方の移動方向、例えは第４図に示
すＸ方向と平行に定められる。これにより、ステージ７
の互いに直交する２つの移動方向Ｘ＋　Ｙと、ウエノ・
６上の互いに直交する２つのストリートライ１５３とが
それぞれ平行になる。このようにフーリアライメントさ
れた状態で、スポット光１３をウエノ・６に照射しつつ
、ステージ７をＸ方向、又はＸ方向に移動すれは、ウェ
ハ６の表面はスポット光１３によって走査されることに
なる。この際第４図に示すように、ステージ７をＸ方向
に移動するときはスポット光１３は、Ｘ方向に細長く延
びたスリット状とし、Ｘ方向に移動するときは、Ｘ方向
に細長く延ひたスリット状とする。これは例えばシリ／
トリカルレンズ２の母線方向を９０°回転されることに
よって行なわ才する〇 さて、ウェハ６はステージ７の座標系ｘｙに回転ずれな
く載置しなければならない。そこでこの回転ずれの検出
についての原理的な説明を第５図、第６図に基づき述べ
る。第５図はウェハ６を１リアライメ／トで概ね回転な
く座標系ｘｙに位置決めした状態を示し、さらにウェハ
６上でＸ方向に距離したけ離れ、かつＸ方向に一列に並
んだ２つのチップ５０を示す。ここで距離りはテップ５
０のＸ方向の配列ピッチの整数倍で、なるべく大きな値
になるように定められている。ます、スポット光１３を
Ｘ方向に伸びたスリット状にし、このスポット光１３が
ウェハ６の左側のチップ５０に重なるようにステージ７
を位置決めする。このとき信号処理部１１はステージ７
の座標値を位置センサー１２から読み込み記憶する。そ
の値を位置Ｘｏ　＋　Ｙｏ　とする。次に信号処理部１
１はステージ７をチップ５０のＸ方向の配列ピンチ分よ
りも長い距離たけＸ方向に走査し、スポット光１３の移
動に伴う散乱光の強度分布を抽出し、て記憶する。

第６図（ａ）ｆｄこのときの強要分布Ａを表わ［、に図
であり、縦軸に散乱光の強度Ｉ、横軸にＸ方向の位置を
表わ−ｔｏウェハ６の左側のチップ５０と５０の間にあ
るＸ方向に伸ひたストリートライン５３のところでは、
スポット光１３がチップ５０を走査しでいるときの散乱
光強度よりもかなり低くなる。このため、位置ｙｏから
ｙ２まで走査する間の位置ｙ１で、強度■けボトム（最
小値）になる。次に信号処理部１１はステージ７は座標
値（Ｘｏ＋ｙｏ）に戻し、その位置からｙ座標値を変化
させることなくＸ方向に距離したけステージ７を移動さ
せ、スポット光１３がウェハ６の右側に位置するチップ
５０と重なるように制御する。

ここで再びステージ７を位置ｙ２までＸ方向に走査し、
散乱光の強度分布を抽出する。第６図（ｂ）はこのとき
の強度分布Ｂを表わす図であり、縦軸と横軸はそれぞれ
第６図（ａ）と同一である。ここでウェハ６の右側のチ
ップ間のストリートライ１５３げ位置ｙ。からｙ２呼で
の間の位置ｙ３にあることがわかる。そして信号処理部
１１げ２つの強度分布Ａ（！：Ｂとの相関演算を行ない
、ス）　ＩＪ−トライン５３による波形上のボトムがも
つともマツチングしたときの両強度分布Ａ、ＢのＸ方向
のすれ量、す々、わちＹｘ　Ｙ３を演算する。

尚、このすれ量を検出する方法と（７て、例えけスト　
！Ｊ−）ライン５３を含む前後の一定距離（配列ピッチ
よりも小さな値）から予め散乱光の強度分布を抽出し、
この分布の波形を基準バター／として記憶し、強度分布
Ａ、Ｈのそれぞれについて、基準パターンとの相関度を
演算して位置ｙ１とｙｓをめた後、ｙｌ−ｙｓの演算全
行なってもよい。

以上のようにしてずれ量がまったら、ウェハ６の回転量
θは次の式（１）により近似演算される〇θ−（ｙｌ　
）’３）／Ｌ　・・・・・・（１）従って、原理的には
、この回転量θたけウェハ６を回転補正すれはよい訳だ
が、この方法のみに頼っていると次のような問題が生じ
る。贅ず第１の問題ｉＪ、上記のように回転量θが算出
されたとしても、ウェハ６を回転する機構の精度がそれ
に伴なわない場合、ウェハ６を回転補正した後、再びウ
ェハ６の回転量を検出する動作を繰り返す必要があり、
回転補正に長時間を要することが起り得る点である。そ
して第２の問題は、距離りに対してテップ５０の大きさ
が極端に小さい場合、ステージ７をＸ方向に距離したけ
送ったとき、ウェハ６の回転によって、スポット光１３
がＸ方向に並んだ同一列上の左右のチップを走査しない
ことが生じる点である。この第２の問題点は重大な誤差
の原因になる。すなわち、ウェハ６上の左側のチップと
右側のチップとでＸ方向に配列ピッチの整数倍（零を含
まず）だけずれたテップ同志をバター／マツチングして
しまい、距離りに対して配列ピンチの整数倍の回転誤差
が残存してしまうことである。

そこで上記第２の問題点を解決する本発明の実施例を第
７図を用いて説明する。第７図は座標系ｘｙ［対してウ
ェハ６がθだけ回転しているのを極端に表わしたもので
あり、座標系αβはウェハ６上のチップの配列座標であ
る。そ（，７てまずウェハ６の右側の１つのチップとＸ
方向のストＩ）−トライ／とが走査できるようにスポッ
ト光１３ａを位置決めする。そしてステー　′）７をＸ
方向に所定距離たけ走査して散乱光の強度分布のテーク
を抽出シ、基準パターン（プンフレート）とのバター／
マツチ／りにより、そのテクノに付随しにストリートラ
イ／の位置ｙ５を検出する。次に、チップのβ軸（β軸
）方向の配列ヒップ（又はチップの大きさ）＝＆ＣＰ、
プリアライメ／ト等の精度に応じて起り得るウェハ６の
回転誤差をε。、０よりも大きく０．５以下の係数’ｔ
ａ、１以上の整数をｎと（−だとき、信号処理部１１は
、次の式（２）。

（３）を同時に満足する距離ｄを算出する。

ｄ＜ａ−ＣＰ／ε。　・・・・・・　（２）ｄ＝ｎ−Ｃ
Ｐ　・・・・・・　（３） 距離ｄは次に散乱光の強度分布を抽出するために位置す
べきスポット光１３ｂのスポット光１３ａからのＸ方向
の距離を表わす。こうしてスポット光１３ａから距離ｄ
の位置にスポット光１３ｂを位置決めしてから、Ｘ方向
にステージ７を走査して、散乱光の強度分布のデータを
抽出する。このとき、上記式（２）　、　（３）により
距離ｄを定めたので、スポット光１３ｂの走査範囲中に
存在するストリートラインは、スポット光１３ａの走査
範囲中に存在したストリートライ／と同一のものである
。すなわち、座標系αβのα軸に沿って一列に並んだ複
数のテップに関して距離ｄたけ離れた２つの位置で散乱
光のＸ方向の強度分布を抽出したことになる。さて、ス
ポット光１３ｂの走査により抽出したデータから、バタ
ー／マツチングによりストリートライ／の位置ｙ６を検
出する。

次に信号処理部１１１１″ｉ′位置ｙ５とｙ６のずれ量
と距離ｄとに基づいて式（４）により回転量θ０を算出
する。

θｏ−（ｙ５　ｙ６）／ａ　・・・・・・　（４）さて
、この回転量θＯには距離ｄがウェハ６上で、距離りよ
りも短かいために誤差分が含まれている。

そこで、この距離ｄで回転量θ。を検出した位置におけ
るＸ方向の誤差分（検出精度）を第８図に示すようにδ
。とする。また第８図において、スポット光１３ａのＸ
方向の位置をＰｌ、スポット光１３ｂのＸ方向の位置を
Ｐ２とする。そして位置Ｐ０から距離したけＸ方向に離
れ、かつＸ軸に対して回転量θ０で決まる角度方向の位
置Ｐ３にスポット光１３ｃを位置決めして散乱光のＸ方
向の強度分布を抽出し、基準バター／とのマツチ／りを
行ない、その強度分布と基準バター／とのすれ量をめた
とき、その起り得るすれ量を６１とすると距離りは第８
図に示すような幾（”Ｊ学的な関係から式（５）によっ
て表わされる。

Ｌ＝ｄ・（δ、／δ。）　・・・・・・　（５）さらに
、ずれ量δ１もＸ方向の配列ピンチ（又はテップの大き
さ）ＣＰの１／２よりも小さいものにするとすれば、 δ］　＜　ａ−ＣＰ　・・・・・・（６）で表わされる
。

そこで上記式（５）　、　（６）から信号処理部１１は
次の式（７）　、　（８）を同時に満足するような最適
な距離りを算出する。

Ｌ＜（ａ−ｃＰ−ｄ）／δｏ　−・・（７）Ｌ−ｎ−Ｃ
Ｐ　・・・・・・　（８） 次に信号処理部１１は、位置Ｐ工（スポット光１３ａの
位置）からＸ方向に距離りだけステージ７を移動させる
とともに、ざらにＸ方向に回転量θ０で決筐る量（Ｌ・
θ０）だけ移動させた位置Ｐ３に停止させる。ここでス
ポット光１３ｃをＸ方向に走査して散乱光の強度分布を
抽出し、バター／マツチングによりチップに付随したス
トリートラインのＸ方向の位置ｙ７を検出する。ここで
検出したストリートライ／はスポット光１３ａの走査で
検出したストリートラインと同一のものであり、スポッ
ト光１３ａと１３ｃの走査が同一列中の左右のチップに
関して行なわれたことになる。

そして信号処理部１１は先にスポット光１３ａの走査で
めた位置ｙ５と、スポット光１３ｃの走査でめた位置ｙ
７とに基づいて、次の近似式（９）でウェハ６の正確な
回転量θを算出する。

θ””（ｙ５３’７）／Ｌ　・・・・・・　（９）以上
のような方法で回転量θをめれば、距離りに対してチッ
プの大きさが極単に小さい場合でも、同一列中の左右の
ナツプに関してバター／マツチングを行なうことができ
るので、先に述へた第２の問題点は解決される。そして
信号処理部１１によって回転量θたけウェハ６を回転補
正すわばよい訳であるか、１度の回転補正たけでは回転
補正機構のｎ度によって誤差を補正しきれずに、回転誤
差Δθか残存する。この回転誤差Δθを繰り返し回転補
正し、て誤差Δθを零まで追い込むことは可能であるか
、そうすると先に述べた第１の問題点が生じてしまう。

そこで第１の問題点を解決する本発明の実施例を引き続
き説明する。

まずウェハ６を算出した回転量θに応じて１度たけ回転
補正する。そして信号処理部１１げ再ひウェハ６上でＸ
方向に距離Ｌ（ただしＬ＝ｎ−ＣＰ）たけ離れて位置す
る２つのテップとそれに付随したストリートラインとを
含む局所部分を、それぞれスポット光１３でＸ方向に例
えば第５図のように走査して、その局所部分から生じた
散乱光の強度分布を抽出し、バター／マツチ／りにより
両局所部分のＸ方向の位置ずれ量Δｙを演算する。そし
て距離りとの関係から、残存回転誤差Δθを次の式（１
０）によってめる。

Δθ＝Δｙ／Ｌ　・・曲　（１ｏ） 次に信号処理部１１は第９図に示すように位置すれ量Δ
ｙをめた２つの位置Ｐ、、Ｐ５に対して予め決められた
位＠Ｐ　ａを含む局所部分をＸ方向に伸ひたスポット光
１３ｄとＸ方向に伸びたスポット光１３ｅとでそれぞれ
Ｘ方向とＸ方向に走査し、その局所部分から生じた散乱
光の２次元的な強度分布を抽出する。尚、位置Ｐ６の位
置Ｐ４゜Ｐ５に対する相対位置は位置合せすべき全ての
ウェハに関して同一に定められている。そして、信号処
理部１１は予め１枚目のウェハの位置Ｐ６に相当する局
所部分から抽出しておいた散乱光の２次元的な強度分布
のデータを、テンプレートとして、このテンプレートと
ウェハ６の位置Ｐ６の局所部分の強度分布データとをパ
ター／マツチングし、テ／フーレートに対するずれ量を
める。このずれ量を補正するようにステージ７を位置決
めすわけ、１枚目のウェハの位置Ｐ６に相当する位置に
、２枚目り降のウェハ６の位置Ｐ６がスポット光１３に
関して位置合せさねたことになる。すなわち、１枚のウ
ェハの２次元的な位置が、２枚目以降のウェハ６につい
て再現されたことになる。

そして、この再現された位置Ｐ６のナツプを原点として
ステージ７を２次元移動すれば、ウェハ６上の所望のチ
ップを顕微鏡１４の観察視野内、又は７０−バーのプロ
ーブ針の直下に位置決めできる。しかしながら位置Ｐ６
から離れる程、残存回転誤差Δθのために位置ずねが大
きくなってくる。

ところでウェハ６上の各チップのＸ方向とＸ方向の大き
さくあるいは配列ピッチ）をそれぞれα。。

β０とすわば、例えは位置Ｐ６のチノフー中心を原点と
するように配列座標系αβを定めたとき、各テクノの中
心は座標糸αβにおいて、ｍ、ｎをそれぞれ整数とした
とき（ｍα０％　ｎβ０）の座標値にマトリックス状に
分布する。そこで残存回転誤差Δθを考慮して、座標系
αβにおける位置を座標系ｘｙにおける位置に変換Ｅ〜
でみると、次の式（１１）、（１２）で表わされる。

ｘ＝ｍ・α。・ｃｏｓ（Δθ）十ｎ・β。・５ｉｎ（Δ
θ）・・・・・・（１１） ｙ＝ｎ−μ０−ｃｏｓ（Δθ）−ｍ・α０・５ｉｎ（２
０戸・・・・・（１２） 誤差Δθは極めで小さいので、ＣＯＳ　（Δθ）キ１．
５ｉｎ（Δθ）キΔθとすると、式（１１）、（１２）
はそれぞれ式（１３）、（１４）のように近似される。

ｘ＝ｍ・α。＋ｎ・β。・Δθ　・・・（１３）ｙ＝ｎ
・β。−ｍ・α。・Δθ　・・・（１４）この式（１３
）、（１４）によって決まる座標値（ｘ、ｙ）に従えは
、座標系αβで（ｍ・α０、ｎ・β０）の位置にあるチ
ップを顕微鏡１４やプローブ針の直下に位置合せするよ
うにステージ７を位置決めするとき、そのチップに対し
てはステージ７の位置が（ｎ・β。・Δθ、−ｍ・α０
・Δθ）だけ補正されることになる。

この様子を第１０図、第１１図に示す。第１０図は残存
回転誤差Δθの補正を行なわずに、ステージ７を位置決
めり、たときの様子を表わし、第１１図は残存回転誤差
Δθを補正してステージ７を位置決めたときの様子を表
わす。第１０図、第１１図で点線で示した矩形は、プロ
ーブ針が位置する領域３０を各ナラフル対応させて表わ
したものである。補正しないでステージ７を位置決めす
ると、位置Ｐ６のテップＣ１げぞれ自身の回転誤差のみ
かめるたけで、よく位置合ぜさねでいるが、チップＣ］
からＸ方向（α方間）に離れたテップｃ２１　ｃ３につ
いては領域３０との位置すれが誤差Δθに対し、て順次
増大していく。ところが第１１図のように補正すること
によって、各チップＣ１゜”２１　Ｃ３の中心はＸ軸上
に位置し、各チップｃ１１　ｃ２　＋　ｃ３と領域３０
とを位置合せしたとき、チップと領域３０の相対的な回
転誤差が残るのみで、ウェハ６上の全てのチップに対し
て同等の位置合せ精度が得られる。

（発明の効果） 以上のように本発明によりげ、ウェハ等の基板の回転誤
差を検出した後、−回だけ基板を回転袖正すればよいの
で、極めて高速である１、シかも回転補止後に再度基板
の残存回転誤差を検出し７て、座標系ｘｙに沿った位置
決めの際、その残存回転誤差に応じて位置決めすべき位
置をｘｙ力方向補正するようにしたので、例えば７０−
フ針を基板上の全チップに対して同等の高精度で位置合
せできるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に好適な位置合せ装置の概略的
な構成図、第２図はスポット光を形成する光学系の斜視
図、第３図はスポット光とチップの関係を示す平面図、
第４図はウエノ・とスポット光の２次元的な関係を示す
平面図、第５図は本発明の詳細な説明するための図、第
６図げバター／マツチフグに使われる散乱光の強度分布
を示す波形図、第７図は本発明の詳細な説明するための
図、第８図はウェハの回転量の算出方法を説明する図、
第９図は、位置合せのための動作を説明する図、第１０
図、第１１図は残存回転誤差の補正動作を説明する図で
ある。 〔主要部分の符号の説明〕 ５・・・レーザ光束、６・・・ウェハ、７・ステージ、
１１・・・信号処理部、１２・・・位置セ／ザー、１３
・・・スポット光、５０．Ｃユ＋Ｃ２＋Ｃ３・・・チッ
プ、５３・・・ストリートライン 出願人　日本光学工業株式会社 代理人　渡　辺　隆　男

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 所定の大きさのチップを所定のピッチで２次元的に複数
   配列した基板を直交座標系ｘｙに沿って位置決めする装
   置において、 前記基板上の第１局所領域中のパター／に応じた第１情
   報と、該第１局所領域から前記チップの配列方向に前記
   ピッチリ略整数倍の距離だけ離れた第２局所領域中のパ
   ター／に応じた第２情報とを抽出するパター／情報抽出
   手段と；繭記第１情報と第２情報の相関性に基づいて前
   記基板の前記座標系ｘｙに関する回転誤差を検出し、そ
   の回転誤差を補正するように前記基板を回転する回転誤
   差補正手段と；該回転補正された基板の残存回転誤差を
   検出する手段と；該残存回転誤差に応じて助記基板を前
   記座標系ｘｙのＸ方向とＸ方向に関して補正して位置決
   めする手段とを含むことを特徴とする位置決め装置。