JPS60245165A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS60245165A
JPS60245165A JP59100453A JP10045384A JPS60245165A JP S60245165 A JPS60245165 A JP S60245165A JP 59100453 A JP59100453 A JP 59100453A JP 10045384 A JP10045384 A JP 10045384A JP S60245165 A JPS60245165 A JP S60245165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
incident light
color filter
imaging device
junction
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59100453A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Miyazawa
敏夫 宮沢
Mikio Ashikawa
芦川　幹雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59100453A priority Critical patent/JPS60245165A/ja
Publication of JPS60245165A publication Critical patent/JPS60245165A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は固体撮像装置に係り、特にシリコン基板上に形
成されたＰ−Ｎ接合部からなる光電変換部のＰ−Ｎ接合
深さに関するものである。
〔発明の背景〕
第１図は従来より提案されているカラー固体撮像装置の
一例を示す要部断面構成図でおる。同図において、１は
Ｐ形シリコン基板、２はＰ形シリコン基板１の表面に形
成され７’ｃＮ＋拡散層、３はＰ形シリコン基板１とＮ
＋拡散層２とで形成されて光電変換部となるＰ−Ｎ接合
形フ、オドダイオード、４は各フォトダイオード３を分
離する酸化膜、５ｒ　＋　５ｇ　＋　ｓｂは各フォトダ
イオード３上に形成された赤色フィルタ、緑色フィルタ
、青色フィルタである。
しかしながら、このように構成されるカラー固体撮像装
置において、光電変換部となるフォトダイオード３のｐ
−ｎ接合は、各色のカラーフィルタ５ｒ　ｌ　ｓｇ　Ｉ
　ｓｂに関係なく、均一な接合深さｄを有しているため
、入射光の波長によっては接合深さｄが不適合となる。
すなわち、入射光により発生した正負のキャリアがＰ−
Ｎ接合部で分離され、信号電荷として蓄積される以前に
Ｐ−Ｎ接合部に到る！拡散層２中に再結合により消滅す
る確率が大きいという問題がおった。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、入射光によ
り発生するキャリアが拡散中に再結合により消滅する確
率を減らし、効率の高い光電変換機能が得られる固体撮
像装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明による固体撮像
装置は、各色カラーフィルタにより透過される入射光波
長に対応してＰ−Ｎ接合部の深さを変えるものである。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による固体撮像素子の一例を示す要部断
面構成図であり、第１図におけると同一な部分または相
当する部分には同一符号を付す。
同図において、各フォトダイオード３は、その上方に形
成配置されているそれぞれのレッドカラーフィルタ５ｒ
　ｒグリーンカラーフィルタ５ｇおよびブルーカラーフ
ィルタ５ｂの入射光波長に対応してＰ−Ｎ接合部の耐拡
散層２の深さｄを、長波長側の接合深さが短波長側より
も深くして形成されている。
すなわち、レッドカラーフィルタ５ｒ側のＮ拡散層２の
接合深さをｄ□、グリーンカラーフィルタ５ｇ側の１拡
散層２の接合深さをｄ、およびブルーカラーフィルタ５
ｂ側のＮ拡散層２の接合深さをｄ８としたとき、これら
の接合深さがｄ１≧ｄ２　＞　ｄ。
の関係を有して形成されている。この場合、接合深さｄ
のそれぞれ異々る狛拡散層２は、接合深さｄの浅い部分
はイオンインプラ法、深い部分はデボクッション法の併
用により容易に形成することができる。
このような構成によれば、長波長入射光によりＰ形シリ
コン基板１の深い部分で発生するキヤ、リアも、短波長
入射光によりＰ形シリコン基板１の表面部分で発生する
キャリアも効率良く信号キャリアとすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、可視光領域全てに
わたって入射光によって発生するキャリ３− アを同様に効率良く信号キャリアとし得ることができる
ので、バランスの良いクロマ出力が得られる固体撮像装
置を提供できるという極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の固体撮像装置の一例を示す要部断面構成
図、第２図は本発明による固体撮像装置の一例を示す要
部断面構成図である。 １・・・・Ｐ形シリコン基板、２・・・・耐拡散層、３
・・・・フォトダイオード、４・・・・酸化膜、５ｒ・
・・・レッドカラーフィルタ、５ｇ・・・・グリーンカ
ラーフィルタ、５ｂ・・・・ブルーカラーフィルタ。 ４−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコン基板の表面に形成されかつ入射光を電気信号に
    変換させる複数のＰＮ接合部と、前記ＰＮ接合部上に配
    置されかつ入射光の波長を限定する各色のカラーフィル
    タとを具備してなる固体撮像装置において、前記各色カ
    ラーフィルタが限定する入射光の波長に対応してＰＮ接
    合部の接合深さを異ならせることにより、各波長の入射
    光により発生したキャリアを効率良く信号として取り出
    すことを特徴とした固体撮像装置。
JP59100453A 1984-05-21 1984-05-21 固体撮像装置 Pending JPS60245165A (ja)

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