JPH0676926B2 - カラーフィルタ装置 - Google Patents
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- JPH0676926B2 JPH0676926B2 JP1150883A JP15088389A JPH0676926B2 JP H0676926 B2 JPH0676926 B2 JP H0676926B2 JP 1150883 A JP1150883 A JP 1150883A JP 15088389 A JP15088389 A JP 15088389A JP H0676926 B2 JPH0676926 B2 JP H0676926B2
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- semiconductor region
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
- H04N25/136—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements using complementary colours
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はカラーフィルタ装置に関し、特に既存のカラ
ーフィルタ材料を使用して新規な分光特性を有するカラ
ーフィルタを実現可能なカラーフィルタ装置に関する。
ーフィルタ材料を使用して新規な分光特性を有するカラ
ーフィルタを実現可能なカラーフィルタ装置に関する。
第７図は従来のカラーフィルタ装置が適用されたカメラ
用センサ式オートホワイトバランス装置の色温度センサ
を示す構成図である。
用センサ式オートホワイトバランス装置の色温度センサ
を示す構成図である。
同図に示すように、この色温度センサＥでは、赤カラー
フィルタ部材1R,緑カラーフィルタ部材1Gおよび青カラ
ーフィルタ部材1Bに対応してフォトダイオード2R,2G,2B
がそれぞれ設けられる。光はカラーフィルタ部材1R,1G,
1Bを経由してフォトダイオード2R,2G,2Bに入射され、フ
ォトダイオード2R,2G,2Bで光電変換されて光電流が生成
される。フォトダイオード2R,2G,2Bのカソードとアノー
ドは演算増幅器３の非反転入力端子（＋）と反転入力端
子（−）にそれぞれ接続される。この演算増幅器３は、
光電流に対して十分小さな入力バイアス電流となるよう
に、入力インピーダンスが十分に高いインピーダンス特
性を有するものが使用される。演算増幅器３の出力端子
と反転入力端子間には、光電流を対数圧縮して電圧に変
換するためのダイオード４がそれぞれ接続される。ま
た、演算増幅器３の非反転入力端子（＋）には、光電流
を対数圧縮変換する際の基準電圧を設定するための定電
圧源５がそれぞれ接続されるとともに、演算増幅器３の
出力端子には、ダイオード４により対数圧縮された電圧
を出力するための出力端子6R,6G,6Bがそれぞれ接続され
る。
フィルタ部材1R,緑カラーフィルタ部材1Gおよび青カラ
ーフィルタ部材1Bに対応してフォトダイオード2R,2G,2B
がそれぞれ設けられる。光はカラーフィルタ部材1R,1G,
1Bを経由してフォトダイオード2R,2G,2Bに入射され、フ
ォトダイオード2R,2G,2Bで光電変換されて光電流が生成
される。フォトダイオード2R,2G,2Bのカソードとアノー
ドは演算増幅器３の非反転入力端子（＋）と反転入力端
子（−）にそれぞれ接続される。この演算増幅器３は、
光電流に対して十分小さな入力バイアス電流となるよう
に、入力インピーダンスが十分に高いインピーダンス特
性を有するものが使用される。演算増幅器３の出力端子
と反転入力端子間には、光電流を対数圧縮して電圧に変
換するためのダイオード４がそれぞれ接続される。ま
た、演算増幅器３の非反転入力端子（＋）には、光電流
を対数圧縮変換する際の基準電圧を設定するための定電
圧源５がそれぞれ接続されるとともに、演算増幅器３の
出力端子には、ダイオード４により対数圧縮された電圧
を出力するための出力端子6R,6G,6Bがそれぞれ接続され
る。
この色温度センサＥの動作について次に説明する。例え
ば赤カラーフィルタ部材1Rを透過した光はフォトダイオ
ード2Rに入射され、フォトダイオード2Rは入射された光
を光電変換して光電流を生成する。すなわち、光電流が
定電圧源５の正電極からフォトダイオード2R,ダイオー
ド４を経由して演算増幅器３の出力側に流れる。演算増
幅器３にはダイオード４により負帰還がかかっているた
め、結果として演算増幅器３の非反転入力（＋）と反転
入力（−）との電位差は零となる。したがって、光電流
がダイオード４に流れることによって生じる電圧降下に
対応する電圧が、出力端子6Rに得られる。こうして、赤
カラーフィルタ部材1Rを透過した光によって発電された
光電流を対数圧縮して得られた電圧が出力端子6Rより出
力される。同様に緑カラーフィルタ部材1Gを透過した光
によって発電された電流を対数圧縮して得られた電圧が
出力端子6Gより出力される。また、青カラーフィルタ部
材1Bを透過した光によって発電された光電流を対数圧縮
して得らた電圧が出力端子6Bより出力される。
ば赤カラーフィルタ部材1Rを透過した光はフォトダイオ
ード2Rに入射され、フォトダイオード2Rは入射された光
を光電変換して光電流を生成する。すなわち、光電流が
定電圧源５の正電極からフォトダイオード2R,ダイオー
ド４を経由して演算増幅器３の出力側に流れる。演算増
幅器３にはダイオード４により負帰還がかかっているた
め、結果として演算増幅器３の非反転入力（＋）と反転
入力（−）との電位差は零となる。したがって、光電流
がダイオード４に流れることによって生じる電圧降下に
対応する電圧が、出力端子6Rに得られる。こうして、赤
カラーフィルタ部材1Rを透過した光によって発電された
光電流を対数圧縮して得られた電圧が出力端子6Rより出
力される。同様に緑カラーフィルタ部材1Gを透過した光
によって発電された電流を対数圧縮して得られた電圧が
出力端子6Gより出力される。また、青カラーフィルタ部
材1Bを透過した光によって発電された光電流を対数圧縮
して得らた電圧が出力端子6Bより出力される。
〔発明が解決しようとする課題〕 このように、従来の色温度センサＥでは、出力端子6R,6
G,6Bの出力電圧がそれぞれ１つのカラーフィルタ部材1
R,1G,1Bを用いて設定されている。そのため、例えばテ
レビカメラにおいて自然な色合いが得られるようにする
こと、あるいは撮像素子の特性に合わせること等を目的
として、色温度センサＥの分光特性を変更する場合、新
規に、目的とする分光特性に合致したカラーフィルタ部
材を開発しなければならないという問題を有していた。
このようなカラーフィルタ部材の開発には、例えば耐熱
性，耐光性，耐湿性，耐振性，信頼性（経時的変化によ
る劣化特性）等のカラーフィルタ部材の種々の特性の評
価が要求されるとともに、その他種々の調査が必要とな
り、多大の人材および開発費を要することになる。
G,6Bの出力電圧がそれぞれ１つのカラーフィルタ部材1
R,1G,1Bを用いて設定されている。そのため、例えばテ
レビカメラにおいて自然な色合いが得られるようにする
こと、あるいは撮像素子の特性に合わせること等を目的
として、色温度センサＥの分光特性を変更する場合、新
規に、目的とする分光特性に合致したカラーフィルタ部
材を開発しなければならないという問題を有していた。
このようなカラーフィルタ部材の開発には、例えば耐熱
性，耐光性，耐湿性，耐振性，信頼性（経時的変化によ
る劣化特性）等のカラーフィルタ部材の種々の特性の評
価が要求されるとともに、その他種々の調査が必要とな
り、多大の人材および開発費を要することになる。
この発明は、上記問題を解決するためになされたもの
で、既存のカラーフィルタ部材を使用して新規な分光特
性を有するカラーフィルタを実現できるカラーフィルタ
装置を提供することを目的とする。
で、既存のカラーフィルタ部材を使用して新規な分光特
性を有するカラーフィルタを実現できるカラーフィルタ
装置を提供することを目的とする。
請求項１記載のカラーフィルタ装置は、互いに異なる分
光特性を有する複数のカラーフィルタ部材と、前記複数
のカラーフィルタ部材に対応してそれぞれ設けられた複
数のフォトダイオードを電気的に並列接続して構成され
前記各フォトダイオードの光電変換によりそれぞれ得ら
れる光電流を合成して出力する光電変換回路と、前記光
電変換回路より出力される信号をその電流値に応じた電
圧値に変換する電流・電圧変換回路とを備える。
光特性を有する複数のカラーフィルタ部材と、前記複数
のカラーフィルタ部材に対応してそれぞれ設けられた複
数のフォトダイオードを電気的に並列接続して構成され
前記各フォトダイオードの光電変換によりそれぞれ得ら
れる光電流を合成して出力する光電変換回路と、前記光
電変換回路より出力される信号をその電流値に応じた電
圧値に変換する電流・電圧変換回路とを備える。
請求項２記載のカラーフィルタ装置は、第１導電型半導
体領域とその第１導電型半導体領域の上層部に選択的に
形成された第２導電型半導体領域とで構成されるフォト
ダイオード領域と、前記フォトダイオード領域上に前記
第１導電型半導体領域から前記第２導電型半導体領域を
覆うように形成された透光性第１絶縁膜と、前記第１絶
縁膜上に形成され第１絶縁膜に設けられたコンタクトホ
ールを介して前記第１導電型半導体領域と電気的に接続
された第１配線層と、前記第１絶縁膜上に形成され第１
絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第２
導電型半導体領域と電気的に接続された第２配線層と、
前記第１配線層および前記第２配線層を被覆するように
して前記第１絶縁膜上に形成された透光性第２絶縁膜
と、前記第２絶縁膜上に設けられて前記第２導電型半導
体領域に対応する領域内に複数の開口部を形成する遮光
膜と、互いに異なる分光特性を有し前記複数の開口部を
利用して前記第２絶縁膜上にそれぞれ形成された複数の
カラーフィルタ層とを備える。
体領域とその第１導電型半導体領域の上層部に選択的に
形成された第２導電型半導体領域とで構成されるフォト
ダイオード領域と、前記フォトダイオード領域上に前記
第１導電型半導体領域から前記第２導電型半導体領域を
覆うように形成された透光性第１絶縁膜と、前記第１絶
縁膜上に形成され第１絶縁膜に設けられたコンタクトホ
ールを介して前記第１導電型半導体領域と電気的に接続
された第１配線層と、前記第１絶縁膜上に形成され第１
絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第２
導電型半導体領域と電気的に接続された第２配線層と、
前記第１配線層および前記第２配線層を被覆するように
して前記第１絶縁膜上に形成された透光性第２絶縁膜
と、前記第２絶縁膜上に設けられて前記第２導電型半導
体領域に対応する領域内に複数の開口部を形成する遮光
膜と、互いに異なる分光特性を有し前記複数の開口部を
利用して前記第２絶縁膜上にそれぞれ形成された複数の
カラーフィルタ層とを備える。
請求項１記載のカラーフィルタ装置によれば、個々のカ
ラーフィルタ部材を透過した光がそれぞれ対応するフォ
トダイオードに入射されて光電変換される。生成された
光電流は電気的に合成されて光電変換回路より出力さ
れ、電流・電圧変換回路によりその電流値に応じた電圧
値に変換される。こうして、個々のカラーフィルタ部材
の分光特性とは異なる新たな合成光電流に対応した分光
特性を有するカラーフィルタが実現される。
ラーフィルタ部材を透過した光がそれぞれ対応するフォ
トダイオードに入射されて光電変換される。生成された
光電流は電気的に合成されて光電変換回路より出力さ
れ、電流・電圧変換回路によりその電流値に応じた電圧
値に変換される。こうして、個々のカラーフィルタ部材
の分光特性とは異なる新たな合成光電流に対応した分光
特性を有するカラーフィルタが実現される。
請求項２記載のカラーフィルタ装置によれば、個々のカ
ラーフィルタ層を透過した光がフォトダイオード領域に
それぞれ入射されて光電変換される。生成された光電流
は電気的に合成されて第１および第２の配線層より取り
出される。こうして、個々のカラーフィルタ層の分光特
性とは異なる新たな合成光電流に対応した分光特性を有
するカラーフィルタが実現される。
ラーフィルタ層を透過した光がフォトダイオード領域に
それぞれ入射されて光電変換される。生成された光電流
は電気的に合成されて第１および第２の配線層より取り
出される。こうして、個々のカラーフィルタ層の分光特
性とは異なる新たな合成光電流に対応した分光特性を有
するカラーフィルタが実現される。
第１図はこの発明の第１実施例であるカラーフィルタ装
置が適用された色温度センサＥを示す構成図である。
置が適用された色温度センサＥを示す構成図である。
第１図の上段側に示すカラーフィルタ装置では、赤カラ
ーフィルタ部材1Rおよび緑カラーフィルタ部材1Gに対応
して、２個のフォトダイオード2R,2Gが設けられる。こ
れら２個のフォトダイオード2R,2Gは電気的に並列接続
されて光電変換回路７を構成し、各フォトダイオード2
R,2Gの光電変換によりそれぞれ得られる光電流を合成し
て次段の電流・電圧変換回路８に与えられるように構成
されている。電流・電圧変換回路８は、第７図に示され
る従来例と同様に、演算増幅器3,ダイオード４および定
電圧源５により構成され、その出力側に出力端子6Yeが
接続される。第１図の下段側に示すカラーフィルタ装置
も上記とほぼ同様に構成される。すなわち緑カラーフィ
ルタ部材1Gおよび青カラーフィルタ部材1Bに対応して、
２個のフォトダイオード2G,2Bが設けられる。これら２
個のフォトダイオード2G,2Bは電気的に並列接続されて
光電変換回路９を構成し、各フォトダイオード2G,2Bの
光電変換によりそれぞれ得られる光電流を合成して次段
の電流・電圧変換回路10に与えられるように構成されて
いる。電流・電圧変換回路10は電流・電圧変換回路８と
同様に構成されており、その出力側に出力端子6Cyが接
続される。
ーフィルタ部材1Rおよび緑カラーフィルタ部材1Gに対応
して、２個のフォトダイオード2R,2Gが設けられる。こ
れら２個のフォトダイオード2R,2Gは電気的に並列接続
されて光電変換回路７を構成し、各フォトダイオード2
R,2Gの光電変換によりそれぞれ得られる光電流を合成し
て次段の電流・電圧変換回路８に与えられるように構成
されている。電流・電圧変換回路８は、第７図に示され
る従来例と同様に、演算増幅器3,ダイオード４および定
電圧源５により構成され、その出力側に出力端子6Yeが
接続される。第１図の下段側に示すカラーフィルタ装置
も上記とほぼ同様に構成される。すなわち緑カラーフィ
ルタ部材1Gおよび青カラーフィルタ部材1Bに対応して、
２個のフォトダイオード2G,2Bが設けられる。これら２
個のフォトダイオード2G,2Bは電気的に並列接続されて
光電変換回路９を構成し、各フォトダイオード2G,2Bの
光電変換によりそれぞれ得られる光電流を合成して次段
の電流・電圧変換回路10に与えられるように構成されて
いる。電流・電圧変換回路10は電流・電圧変換回路８と
同様に構成されており、その出力側に出力端子6Cyが接
続される。
第２図は第１図に示す色温度センサがワンチップ上に形
成されたデバイスの一例を示す断面図である。同図に示
すように、Ｐ型半導体基板11上にはＰ型分離領域12によ
り分離されたエピタキシャル成長層のＮ型半導体領域13
が形成されている。これら各Ｎ型半導体領域13は、第１
図の光電変換回路7,9および電流・電圧変換回路8,10の
素子形成領域としてそれぞれ形成されるものである。す
なわち、光電変換回路７用の区間L7（第２図参照）に対
応するＮ型半導体領域13には、その上層部にＮ型半導体
領域13とのオーミックコンタクトを取るためのＮ型拡散
層14が選択的に形成されるとともに、フォトダイオード
2R,2GのPN接合を形成するためのＰ型半導体領域15が選
択的に形成される。同様に、光電変換回路９用の区間L9
に対応するＮ型半導体領域13には、その上層部にＮ型半
導体領域13とのオーミックコンタクトを取るためのＮ型
拡散層16が選択的に形成されるとともに、フォトダイオ
ード2G,2BのPN接合を形成するためのＰ型半導体領域17
が選択的に形成される。
成されたデバイスの一例を示す断面図である。同図に示
すように、Ｐ型半導体基板11上にはＰ型分離領域12によ
り分離されたエピタキシャル成長層のＮ型半導体領域13
が形成されている。これら各Ｎ型半導体領域13は、第１
図の光電変換回路7,9および電流・電圧変換回路8,10の
素子形成領域としてそれぞれ形成されるものである。す
なわち、光電変換回路７用の区間L7（第２図参照）に対
応するＮ型半導体領域13には、その上層部にＮ型半導体
領域13とのオーミックコンタクトを取るためのＮ型拡散
層14が選択的に形成されるとともに、フォトダイオード
2R,2GのPN接合を形成するためのＰ型半導体領域15が選
択的に形成される。同様に、光電変換回路９用の区間L9
に対応するＮ型半導体領域13には、その上層部にＮ型半
導体領域13とのオーミックコンタクトを取るためのＮ型
拡散層16が選択的に形成されるとともに、フォトダイオ
ード2G,2BのPN接合を形成するためのＰ型半導体領域17
が選択的に形成される。
Ｎ型半導体領域13,N型拡散層14,16,P型半導体領域15,17
およびＰ型素子領域12の上面にはSiO2による透光性の絶
縁膜18が形成される。絶縁膜18上の区間L7に対応する領
域には、フォトダイオード2R,2Gのカソード電極からの
引き出し線となるAl配線層19と、同じくアノード電極か
らの引き出し線となるAl配線層20がそれぞれ形成され、
各Al配線層19,20が絶縁膜18に設けられたコンタクトホ
ールを介してＮ型拡散14およびＰ型半導体領域15にそれ
ぞれ電気的に接続される。同様に、絶縁膜18上の区間L9
に対応する領域には、フォトダイオード2G,2Bのカソー
ド電極からの引き出し線となるAl配線層21と、同じくア
ノード電極からの引き出し線となるAl配線層22がそれぞ
れ形成され、各Al配線層21,22が絶縁膜18に設けられた
コンタクトホールを介してＮ型拡散層16およびＰ型半導
体領域17にそれぞれ電気的に接続される。また絶縁膜18
上には、Al配線層19〜22を覆うようにしてSiO2からなる
透光性の絶縁膜23が形成される。絶縁膜23上には、Ｐ型
半導体領域15,17に対応する領域に開口部24,25をそれぞ
れ２個づつ形成するようにしてAlによる遮光膜26が形成
される。そして、区間L7に形成された開口部24を利用し
て、赤カラーフィルタ部材1Rで構成される赤カラーフィ
ルタ層と、緑カラーフィルタ部材1Gで構成される緑カラ
ーフィルタ層とが、遮光膜26の開口縁部から絶縁膜23上
にかけて設けられる。同様に、区間L9に形成された開口
部25を利用して、緑カラーフィルタ部材1Gで構成される
緑カラーフィルタ層と、青カラーフィルタ部材1Bで構成
される青カラーフィルタ層とが、遮光膜26の開口縁部か
ら絶縁膜23上にかけて設けられる。
およびＰ型素子領域12の上面にはSiO2による透光性の絶
縁膜18が形成される。絶縁膜18上の区間L7に対応する領
域には、フォトダイオード2R,2Gのカソード電極からの
引き出し線となるAl配線層19と、同じくアノード電極か
らの引き出し線となるAl配線層20がそれぞれ形成され、
各Al配線層19,20が絶縁膜18に設けられたコンタクトホ
ールを介してＮ型拡散14およびＰ型半導体領域15にそれ
ぞれ電気的に接続される。同様に、絶縁膜18上の区間L9
に対応する領域には、フォトダイオード2G,2Bのカソー
ド電極からの引き出し線となるAl配線層21と、同じくア
ノード電極からの引き出し線となるAl配線層22がそれぞ
れ形成され、各Al配線層21,22が絶縁膜18に設けられた
コンタクトホールを介してＮ型拡散層16およびＰ型半導
体領域17にそれぞれ電気的に接続される。また絶縁膜18
上には、Al配線層19〜22を覆うようにしてSiO2からなる
透光性の絶縁膜23が形成される。絶縁膜23上には、Ｐ型
半導体領域15,17に対応する領域に開口部24,25をそれぞ
れ２個づつ形成するようにしてAlによる遮光膜26が形成
される。そして、区間L7に形成された開口部24を利用し
て、赤カラーフィルタ部材1Rで構成される赤カラーフィ
ルタ層と、緑カラーフィルタ部材1Gで構成される緑カラ
ーフィルタ層とが、遮光膜26の開口縁部から絶縁膜23上
にかけて設けられる。同様に、区間L9に形成された開口
部25を利用して、緑カラーフィルタ部材1Gで構成される
緑カラーフィルタ層と、青カラーフィルタ部材1Bで構成
される青カラーフィルタ層とが、遮光膜26の開口縁部か
ら絶縁膜23上にかけて設けられる。
なお、区間L8,L10に対応する領域には、第１図に示す電
流・電圧変換回路8,10を実現するために必要な集積回路
がそれぞれ形成されるが、これらの集積回路の構造とし
て従来より周知のものが採用されるため、第２図ではそ
の図示を省略している。したがって、区間L7に形成され
るAl配線層19,20が、区間L8に形成される電流・電圧変
換回路８に電気的に接続されるとともに、区間L9に形成
されるAl配線層21,22が区間L10に形成される電流・電圧
変換回路10に電気的に接続されて、第１図に示す色温度
センサＥが形成される。
流・電圧変換回路8,10を実現するために必要な集積回路
がそれぞれ形成されるが、これらの集積回路の構造とし
て従来より周知のものが採用されるため、第２図ではそ
の図示を省略している。したがって、区間L7に形成され
るAl配線層19,20が、区間L8に形成される電流・電圧変
換回路８に電気的に接続されるとともに、区間L9に形成
されるAl配線層21,22が区間L10に形成される電流・電圧
変換回路10に電気的に接続されて、第１図に示す色温度
センサＥが形成される。
このようなカラーフィルタ装置を有する色温度センサＥ
において、光27は第２図の上方から照射される。このよ
うに光27が照射されると、光27は遮光膜26が覆われてい
ない部分からデバイス内に侵入する。すなわち、区間L7
では、赤カラーフィルタ部材1Rを透過した光と緑カラー
フィルタ部材1Gを透過した光とが、Ｐ形半導体領域15と
Ｎ型半導体領域13により構成されるフォトダイオード領
域（第１図のフォトダイオード2R,2Gに相当する）に侵
入し、ここで光電変換されて光電流が発生する。こうし
て、生成された光電流は電気的に合成されてAl配線層1
9,20より取り出され、電流・電圧変換回路８（第１図）
に入力される。電流・電圧変換回路８は第７図に示す従
来例と同一構成であるので、合成された光電流はダイオ
ード４により対数圧縮された電圧に変換されて出力端子
6Yeに取り出される。同様に、区間L9では、料カラーフ
ィルタ部材1Gを透過した光と青カラーフィルタ部材1Bを
透過した光とが、Ｐ型半導体領域17とＮ型半導体領域13
により構成されるフォトダイオード領域（第１図のフォ
トダイオード2G,2Bに相当する）に侵入し、ここで光電
変換されて光電流が発生する。こうして生成された光電
流は電気的に合成されてAl配線21,22より取り出され、
電流・電圧変換回路10（第１図）により対数圧縮された
電圧に変換されて出力端子6Cyに取り出される。
において、光27は第２図の上方から照射される。このよ
うに光27が照射されると、光27は遮光膜26が覆われてい
ない部分からデバイス内に侵入する。すなわち、区間L7
では、赤カラーフィルタ部材1Rを透過した光と緑カラー
フィルタ部材1Gを透過した光とが、Ｐ形半導体領域15と
Ｎ型半導体領域13により構成されるフォトダイオード領
域（第１図のフォトダイオード2R,2Gに相当する）に侵
入し、ここで光電変換されて光電流が発生する。こうし
て、生成された光電流は電気的に合成されてAl配線層1
9,20より取り出され、電流・電圧変換回路８（第１図）
に入力される。電流・電圧変換回路８は第７図に示す従
来例と同一構成であるので、合成された光電流はダイオ
ード４により対数圧縮された電圧に変換されて出力端子
6Yeに取り出される。同様に、区間L9では、料カラーフ
ィルタ部材1Gを透過した光と青カラーフィルタ部材1Bを
透過した光とが、Ｐ型半導体領域17とＮ型半導体領域13
により構成されるフォトダイオード領域（第１図のフォ
トダイオード2G,2Bに相当する）に侵入し、ここで光電
変換されて光電流が発生する。こうして生成された光電
流は電気的に合成されてAl配線21,22より取り出され、
電流・電圧変換回路10（第１図）により対数圧縮された
電圧に変換されて出力端子6Cyに取り出される。
これを第３図を用いて説明すると、つぎのとおりである
る。すなわち、第３図（ａ）の特性曲線R,G,Bは、第１
図に示すフォトダイオード2R,2G,2Bの出力特性をそれぞ
れ表す。いま、区間L7に形成された光電変換回路７に着
目すると、ここではフォトダイオード2R,2Gによる光電
流を合成した光電流が得られるため、その出力特性は、
第３図（ａ）の出力特性ＲおよびＧを合成した第３図
（ｂ）に示す出力特性Yeとなる。同様に、区間L9に形成
された光電変換回路９の出力特性は、第３図（ａ）の出
力特性ＢおよびＧを合成した第３図（ｂ）に示す出力特
性Cyとなる。こうして、既存の赤カラーフィルタ部材1R
と緑カラーフィルタ部材1Gを用いて黄のカラーフィルタ
部材を用いた場合と透過な出力特性Yeが得られ、また既
存の緑カラーフィルタ部材1Gと青カラーフィルタ部材1B
を用いてシアンのカラーフィルタ部材を用いた場合と等
価な出力特性Cyが得られる。同様に、既存の青カラーフ
ィルタ部材1Bと赤カラーフィルタ部材1Rを用いれば、マ
ゼンタのカラーフィルタ部材を用いた場合と等価な出力
特性Mg（第３図（ｃ）参照）を得ることもできる。
る。すなわち、第３図（ａ）の特性曲線R,G,Bは、第１
図に示すフォトダイオード2R,2G,2Bの出力特性をそれぞ
れ表す。いま、区間L7に形成された光電変換回路７に着
目すると、ここではフォトダイオード2R,2Gによる光電
流を合成した光電流が得られるため、その出力特性は、
第３図（ａ）の出力特性ＲおよびＧを合成した第３図
（ｂ）に示す出力特性Yeとなる。同様に、区間L9に形成
された光電変換回路９の出力特性は、第３図（ａ）の出
力特性ＢおよびＧを合成した第３図（ｂ）に示す出力特
性Cyとなる。こうして、既存の赤カラーフィルタ部材1R
と緑カラーフィルタ部材1Gを用いて黄のカラーフィルタ
部材を用いた場合と透過な出力特性Yeが得られ、また既
存の緑カラーフィルタ部材1Gと青カラーフィルタ部材1B
を用いてシアンのカラーフィルタ部材を用いた場合と等
価な出力特性Cyが得られる。同様に、既存の青カラーフ
ィルタ部材1Bと赤カラーフィルタ部材1Rを用いれば、マ
ゼンタのカラーフィルタ部材を用いた場合と等価な出力
特性Mg（第３図（ｃ）参照）を得ることもできる。
なお、異なる分光特性を有する複数のカラーフィルタ部
材を層状に重ね合わせてその透過光を光電変換すること
によっても元のカラーフィルタ部材の分光特性とは異な
る新たな分光特性を有するカラーフィルタ装置を得るこ
とができるが、その場合にはカラーフィルタ層全体の厚
みが増して光の透過率が著しく低下するとともに、カラ
ーフィルタ層の積層方向のサイズも大型化する。これに
対し、上記実施例では、カラーフィルタ部材がチップ上
に並列して形成されるため、上記問題は生じない。
材を層状に重ね合わせてその透過光を光電変換すること
によっても元のカラーフィルタ部材の分光特性とは異な
る新たな分光特性を有するカラーフィルタ装置を得るこ
とができるが、その場合にはカラーフィルタ層全体の厚
みが増して光の透過率が著しく低下するとともに、カラ
ーフィルタ層の積層方向のサイズも大型化する。これに
対し、上記実施例では、カラーフィルタ部材がチップ上
に並列して形成されるため、上記問題は生じない。
次に、第２図に示す色温度センサの製造方法について説
明する。ただし、区間L8,L10に形成される電流・電圧変
換回路8,10は従来より周知の構造を有し、従来と同様の
工程で製造されるため、ここでは区間L7,L8に対応する
領域を中心にその製造工程を述べる。
明する。ただし、区間L8,L10に形成される電流・電圧変
換回路8,10は従来より周知の構造を有し、従来と同様の
工程で製造されるため、ここでは区間L7,L8に対応する
領域を中心にその製造工程を述べる。
まず、Ｐ型半導体基板11を準備し、その上にＮ型のエピ
タキャル層を成長させる。つぎに、このＮ型エピタキシ
ャル層の上面よりＰ型不純物を選択的に拡散させてＰ型
分離領域12を形成し、こうしてＰ型分離領域12により分
離された上記エピタキシャル層でＮ型半導体領域13を形
成する。その後、区間L7,L9におけるＮ型半導体領域13
の上面にＮ型不純物およびＰ型不純物を順次選択的に拡
散させてＮ型拡散層14,16およびＰ型半導体領域15,17を
それぞれ形成する。
タキャル層を成長させる。つぎに、このＮ型エピタキシ
ャル層の上面よりＰ型不純物を選択的に拡散させてＰ型
分離領域12を形成し、こうしてＰ型分離領域12により分
離された上記エピタキシャル層でＮ型半導体領域13を形
成する。その後、区間L7,L9におけるＮ型半導体領域13
の上面にＮ型不純物およびＰ型不純物を順次選択的に拡
散させてＮ型拡散層14,16およびＰ型半導体領域15,17を
それぞれ形成する。
こうして、区間L7,L9にフォトダイオードが形成された
チップ上に、従来より周知のホトリソグラフ技術を用い
て、コンタクトホールを有するSiO2の絶縁膜18を形成
し、さらに、この絶縁膜18上に、同じく従来より周知の
ホトリソグラフ技術を用いて、Al配線層19〜22を形成す
る。また、このチップ上に、Al配線層19〜22を覆うよう
にしてSiO2の絶縁膜23を形成する。
チップ上に、従来より周知のホトリソグラフ技術を用い
て、コンタクトホールを有するSiO2の絶縁膜18を形成
し、さらに、この絶縁膜18上に、同じく従来より周知の
ホトリソグラフ技術を用いて、Al配線層19〜22を形成す
る。また、このチップ上に、Al配線層19〜22を覆うよう
にしてSiO2の絶縁膜23を形成する。
つぎに、絶縁膜23上に、従来より周知のホトリソグラフ
技術を用いて、開口部24,25を有するAlの遮光膜26を形
成する。その後、チップ上にスピンコータにより赤カラ
ーフィルタ材料でであるワニスを全面に塗布し、これを
焼成した後、ホトリソグラフ技術により必要部分を残し
て他をエッチングして流し落とすことにより、赤カラー
フィルタ部材1Rからなるカラーフィルタ層を開口部24の
一方に形成する。さらに、赤カラーフィルタ材料のワニ
スに代えて緑カラーフィルタ材料のワニスを使用しなが
ら上記一連の処理を行うことにより、緑カラーフィルタ
部材1Gからなるカラーフィルタ層を開口部24の他方と開
口部25の一方にそれぞれ形成する。同様に、青カラーフ
ィルタ材料のワニスを用いて同様の処理を行うことによ
り、青カラーフィルタ部材1Bからなるカラーフィルタ層
を開口部25の他方に形成する。
技術を用いて、開口部24,25を有するAlの遮光膜26を形
成する。その後、チップ上にスピンコータにより赤カラ
ーフィルタ材料でであるワニスを全面に塗布し、これを
焼成した後、ホトリソグラフ技術により必要部分を残し
て他をエッチングして流し落とすことにより、赤カラー
フィルタ部材1Rからなるカラーフィルタ層を開口部24の
一方に形成する。さらに、赤カラーフィルタ材料のワニ
スに代えて緑カラーフィルタ材料のワニスを使用しなが
ら上記一連の処理を行うことにより、緑カラーフィルタ
部材1Gからなるカラーフィルタ層を開口部24の他方と開
口部25の一方にそれぞれ形成する。同様に、青カラーフ
ィルタ材料のワニスを用いて同様の処理を行うことによ
り、青カラーフィルタ部材1Bからなるカラーフィルタ層
を開口部25の他方に形成する。
なお、上記実施例では、第１図に示される上段側のカラ
ーフィルタ装置と下段側のカラーフィルタ装置とが、第
２図に示されるようにワンチップ上に形成される場合に
ついて説明したが、第１図の上段側のカラーフィルタ装
置と下段側のカラーフィルタ装置を別チップにより形成
するようにしてもよい。すなわち、第２図に示される区
間L7,L8をワンチップ上に形成し、区間L9,L10を他のワ
ンチップ上に形成するようにしてもよい。もちろん、各
区間L7〜L10を、それぞれ別チップ上に形成するように
してもよい。その場合には、チップ間の電気接続を外部
配線により行えばよい。
ーフィルタ装置と下段側のカラーフィルタ装置とが、第
２図に示されるようにワンチップ上に形成される場合に
ついて説明したが、第１図の上段側のカラーフィルタ装
置と下段側のカラーフィルタ装置を別チップにより形成
するようにしてもよい。すなわち、第２図に示される区
間L7,L8をワンチップ上に形成し、区間L9,L10を他のワ
ンチップ上に形成するようにしてもよい。もちろん、各
区間L7〜L10を、それぞれ別チップ上に形成するように
してもよい。その場合には、チップ間の電気接続を外部
配線により行えばよい。
また、上記実施例では、Ｐ型半導体領域15とＮ型半導体
領域13からなるフォトダイオード領域に対し２個のカラ
ーフィルタ部材1R,1Gを設け、このフォトダイオード領
域で各カラーフィルタ部材1R,1Gを透過した光に基づく
光電流を合成してAl配線層19,20より取り出すようにし
ているが、上記フォトダイオード領域を各カラーフィル
タ部材1R,1Gに対応して個別に設け、それらフォトダイ
オード領域を配線を用いて電気的に並列接続することに
より合成された光電流を得るようにしてもよい。
領域13からなるフォトダイオード領域に対し２個のカラ
ーフィルタ部材1R,1Gを設け、このフォトダイオード領
域で各カラーフィルタ部材1R,1Gを透過した光に基づく
光電流を合成してAl配線層19,20より取り出すようにし
ているが、上記フォトダイオード領域を各カラーフィル
タ部材1R,1Gに対応して個別に設け、それらフォトダイ
オード領域を配線を用いて電気的に並列接続することに
より合成された光電流を得るようにしてもよい。
また、上記実施例において、カラーフィルタ部材1R,1G,
1Bの上下面の少なくとも一方にパッシベーション膜が形
成されるような場合には、そのパッシベーション膜での
光干渉により、光電流の分光特性に悪影響が与えられる
おそれがある。そのような場合には、カラーフィルタ部
材1R,1G,1Bの上位置に拡散板を配置するのが望ましい。
1Bの上下面の少なくとも一方にパッシベーション膜が形
成されるような場合には、そのパッシベーション膜での
光干渉により、光電流の分光特性に悪影響が与えられる
おそれがある。そのような場合には、カラーフィルタ部
材1R,1G,1Bの上位置に拡散板を配置するのが望ましい。
さらに、例えば区間L7のカラーフィルタ部材1R,1Gより
入射された光が、絶縁膜23,18を伝搬路として隣りの区
間L9のフォトダイオード領域に導かれるのを防止するた
め、区間L7,L9間の遮光膜26の距離は大きく設定するの
が望ましい。
入射された光が、絶縁膜23,18を伝搬路として隣りの区
間L9のフォトダイオード領域に導かれるのを防止するた
め、区間L7,L9間の遮光膜26の距離は大きく設定するの
が望ましい。
第４図はこの発明の第２実施例であるカラーフィルタ装
置が適用された色温度センサの断面図である。この装置
では、フォトダイオード上に形成されている緑カラーフ
ィルタ部材1Gの受光面積が、赤カラーフィルタ部材1Rの
それよりも大きく設定されている。その他の構成は、上
記第１実施例と同様であるので、同一または相当部分に
同一符号を付してその説明を省略する。この装置によれ
ば、赤カラーフィルタ部材1Rと緑カラーフィルタ部材1G
の受光面積に応じた光電流が合成されてAl配線層19,20
から取り出されるため、その光電流に応じた分光特性を
もつカラーフィルタ装置が得られる。こうして、各カラ
ーフィルタ部材の受光面積の比率を調整するだけで、種
々の分光特性をもつカラーフィルタ装置が容易に得られ
る。
置が適用された色温度センサの断面図である。この装置
では、フォトダイオード上に形成されている緑カラーフ
ィルタ部材1Gの受光面積が、赤カラーフィルタ部材1Rの
それよりも大きく設定されている。その他の構成は、上
記第１実施例と同様であるので、同一または相当部分に
同一符号を付してその説明を省略する。この装置によれ
ば、赤カラーフィルタ部材1Rと緑カラーフィルタ部材1G
の受光面積に応じた光電流が合成されてAl配線層19,20
から取り出されるため、その光電流に応じた分光特性を
もつカラーフィルタ装置が得られる。こうして、各カラ
ーフィルタ部材の受光面積の比率を調整するだけで、種
々の分光特性をもつカラーフィルタ装置が容易に得られ
る。
なお、合成される光電流の割合を制御して、分光特性の
プロフィールを制御する方法として、上記以外に以下の
ような方法がえられる。例えば、第２図に示されるデバ
イスにおいて、赤カラーフィルタ部材1Rおよび緑カラー
フィルタ部材1Gのいずれか一方の上方位置に光減衰フィ
ルタ（NDフィルタ）を配し、カラーフィルタ部材1Rまた
は1Gに入射される光の光量を制御する。あるいは、例え
ば第２図に示されるデバイスにおいて、赤カラーフィル
タ部材1Rに対応するフォトダイオード領域と緑カラーフ
ィルタ部材1Gに対応するフォトダイオード領域とで、不
純物の拡散深さや拡散濃度を調整して、フォトダイオー
ドの感度特性を変える。その他に、各カラーフィルタ部
材に対応するフォトダイオードの受光面積を調整しても
よい。
プロフィールを制御する方法として、上記以外に以下の
ような方法がえられる。例えば、第２図に示されるデバ
イスにおいて、赤カラーフィルタ部材1Rおよび緑カラー
フィルタ部材1Gのいずれか一方の上方位置に光減衰フィ
ルタ（NDフィルタ）を配し、カラーフィルタ部材1Rまた
は1Gに入射される光の光量を制御する。あるいは、例え
ば第２図に示されるデバイスにおいて、赤カラーフィル
タ部材1Rに対応するフォトダイオード領域と緑カラーフ
ィルタ部材1Gに対応するフォトダイオード領域とで、不
純物の拡散深さや拡散濃度を調整して、フォトダイオー
ドの感度特性を変える。その他に、各カラーフィルタ部
材に対応するフォトダイオードの受光面積を調整しても
よい。
第５図は、この発明の第３実施例である色温度センサの
カラーフィルタ領域を上方より見た模式図であり、第２
図に破線Ａで囲む領域を上方より見た図に相当する。こ
の装置では、フォトダイオードを構成するＰ型半導体領
域15に対応する領域内で、赤カラーフィルタ部材Ｒと緑
カラーフィルタ部材Ｇとが行方向にそれぞれ交互に配列
されるようにして、マトリックス状に配置される。その
他の構成は、第２図の第１実施例と同様である。この実
施例によれば、例えば各カラーフィルタ部材R,Gの上下
面の少なくとも一方にパッシベーション膜が形成された
場合でも、そのパッシベーション膜による光干渉がカラ
ーフィルタ装置の分光特性に与える悪影響を抑制でき
る。したがって、カラーフィルタ部材R,G上に拡散板を
配置する必要がなくなる。
カラーフィルタ領域を上方より見た模式図であり、第２
図に破線Ａで囲む領域を上方より見た図に相当する。こ
の装置では、フォトダイオードを構成するＰ型半導体領
域15に対応する領域内で、赤カラーフィルタ部材Ｒと緑
カラーフィルタ部材Ｇとが行方向にそれぞれ交互に配列
されるようにして、マトリックス状に配置される。その
他の構成は、第２図の第１実施例と同様である。この実
施例によれば、例えば各カラーフィルタ部材R,Gの上下
面の少なくとも一方にパッシベーション膜が形成された
場合でも、そのパッシベーション膜による光干渉がカラ
ーフィルタ装置の分光特性に与える悪影響を抑制でき
る。したがって、カラーフィルタ部材R,G上に拡散板を
配置する必要がなくなる。
第６図はこの発明の第４実施例であるカラーフィルタ装
置を示す構成図である。同図に示すように、このカラー
フィルタ装置では、互いに異なる分光特性を有するカラ
ーフィルタ部材101,201,301,…,N01に対応して、複数の
フォトダイオード102,202,302,…,N02が設けられ、これ
ら各フォトダイオード102,202,302,…,N02が電気的に並
列接続されて光電変換回路70が形成される。その他の構
成は第１図の実施例と同一であるので、同一または相当
部分に同一または相当符号を付してその説明を省略す
る。このカラーフィルタ装置によれば、各カラーフィル
タ部材101,201,301,…,N01を透過した光に基づく光電流
を合成した光電流に対応する出力特性が得られる。
置を示す構成図である。同図に示すように、このカラー
フィルタ装置では、互いに異なる分光特性を有するカラ
ーフィルタ部材101,201,301,…,N01に対応して、複数の
フォトダイオード102,202,302,…,N02が設けられ、これ
ら各フォトダイオード102,202,302,…,N02が電気的に並
列接続されて光電変換回路70が形成される。その他の構
成は第１図の実施例と同一であるので、同一または相当
部分に同一または相当符号を付してその説明を省略す
る。このカラーフィルタ装置によれば、各カラーフィル
タ部材101,201,301,…,N01を透過した光に基づく光電流
を合成した光電流に対応する出力特性が得られる。
なお、上記各実施例において、フォトダイオードの分光
特性に応じて、各カラーフィルタ部材の上方位置に赤外
線カットフィルタや紫外線カットフィルタを配置し、フ
ォトダイオードの分光特性を補償するようにしてもよ
い。
特性に応じて、各カラーフィルタ部材の上方位置に赤外
線カットフィルタや紫外線カットフィルタを配置し、フ
ォトダイオードの分光特性を補償するようにしてもよ
い。
また、上記各実施例において、Ｐ型領域とｎ型領域の極
性を反転させてもよい。
性を反転させてもよい。
この発明のカラーフィルタ装置によれば、個々のカラー
フィルタ部材を透過した光による光電流を電気的に合成
した光電流を用いて出力特性を得るようにしているた
め、既存のカラーフィルタ部材を使用して新規な分光特
性を有するカラーフィルタを実現できるという効果が得
られる。
フィルタ部材を透過した光による光電流を電気的に合成
した光電流を用いて出力特性を得るようにしているた
め、既存のカラーフィルタ部材を使用して新規な分光特
性を有するカラーフィルタを実現できるという効果が得
られる。
第１図はこの発明の第１の実施例であるカラーフィルタ
装置が適用された色温度センサを示す構成図、第２図は
第１図に示す色温度センサがワンチップ上に形成された
デバイスの一例を示す断面図、第３図（ａ）は赤緑青の
カラーフィルタ部材の分光特性を示す図、第３図（ｂ）
はこの発明の実施例により得られるシアン，黄の分光特
性を示す図、第３図（ｃ）は同じくマゼンタの分光特性
を示す図、第４図はこの発明の第２実施例であるカラー
フィルタ装置が適用された色温度センサの断面図、第５
図はこの発明の第３実施例である色温度センサのカラー
フィルタ領域を上方より見た模式図、第６図はの発明の
第４実施例であるカラーフィルタ装置を示す構成図、第
７図は従来の色温度センサを示す構成図である。 図において、1R,Rは赤カラーフィルタ部材、1G,Gは緑カ
ラーフィルタ部材、1Bは青カラーフィルタ部材、101,20
1,301,N01はカラーフィルタ部材、2R,2G,2B,102,202,30
2,N02はフォトダイオード、6Ye,6Cy,6は出力端子、7,9,
70は光電変換回路、8,10は電流・電圧変換回路、13はＮ
型半導体領域、15,17はＰ型半導体領域、18,23絶縁膜、
19〜22はAl配線層、24,25は開口部、26は遮光膜であ
る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
装置が適用された色温度センサを示す構成図、第２図は
第１図に示す色温度センサがワンチップ上に形成された
デバイスの一例を示す断面図、第３図（ａ）は赤緑青の
カラーフィルタ部材の分光特性を示す図、第３図（ｂ）
はこの発明の実施例により得られるシアン，黄の分光特
性を示す図、第３図（ｃ）は同じくマゼンタの分光特性
を示す図、第４図はこの発明の第２実施例であるカラー
フィルタ装置が適用された色温度センサの断面図、第５
図はこの発明の第３実施例である色温度センサのカラー
フィルタ領域を上方より見た模式図、第６図はの発明の
第４実施例であるカラーフィルタ装置を示す構成図、第
７図は従来の色温度センサを示す構成図である。 図において、1R,Rは赤カラーフィルタ部材、1G,Gは緑カ
ラーフィルタ部材、1Bは青カラーフィルタ部材、101,20
1,301,N01はカラーフィルタ部材、2R,2G,2B,102,202,30
2,N02はフォトダイオード、6Ye,6Cy,6は出力端子、7,9,
70は光電変換回路、8,10は電流・電圧変換回路、13はＮ
型半導体領域、15,17はＰ型半導体領域、18,23絶縁膜、
19〜22はAl配線層、24,25は開口部、26は遮光膜であ
る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/10
Claims (2)
- 【請求項１】互いに異なる分光特性を有する複数のカラ
ーフィルタ部材と、 前記複数のカラーフィルタ部材に対応してそれぞれ設け
られた複数のフォトダイオードを電気的に並列接続して
構成され、前記各フォトダイオードの光電変換によりそ
れぞれ得られる光電流を合成して出力する光電変換回路
と、 前記光電変換回路より出力される信号をその電流値に応
じた電圧値に変換する電流・電圧変換回路とを備えたカ
ラーフィルタ装置。 - 【請求項２】第１導電型半導体領域と、その第１導電型
半導体領域の上層部に選択的に形成された第２導電型半
導体領域とで構成されるフォトダイオード領域と、 前記フォトダイオード領域上に前記第１導電型半導体領
域から前記第２導電型半導体領域を覆うように形成され
た透光性第１絶縁膜と、 前記第１絶縁膜上に形成され第１絶縁膜に設けられたコ
ンタクトホールを介して前記第１導電型半導体領域と電
気的に接続された第１配線層と、 前記第１絶縁膜上に形成され第１絶縁膜に設けられたコ
ンタクトホールを介して前記第２導電型半導体領域と電
気的に接続された第２配線層と、 前記第１配線層および前記第２配線層を被覆するように
して前記第１絶縁膜上に形成された透光性第２絶縁膜
と、 前記第２絶縁膜上に設けられて前記第２導電型半導体領
域に対応する領域内に複数の開口部を形成する遮光膜
と、 互いに異なる分光特性を有し、前記複数の開口部を利用
して前記第２絶縁膜上にそれぞれ形成された複数のカラ
ーフィルタ層とを備えたカラーフィルタ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150883A JPH0676926B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | カラーフィルタ装置 |
| US07/403,878 US4996417A (en) | 1989-06-13 | 1989-09-07 | Color filter device |
| KR1019900007270A KR940011915B1 (ko) | 1989-06-13 | 1990-05-21 | 칼라필터장치 |
| DE4018815A DE4018815C2 (de) | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Farbfiltereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150883A JPH0676926B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | カラーフィルタ装置 |
Publications (2)
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