JPS60247952A - 樹脂絶縁形半導体装置 - Google Patents
樹脂絶縁形半導体装置Info
- Publication number
- JPS60247952A JPS60247952A JP59103841A JP10384184A JPS60247952A JP S60247952 A JPS60247952 A JP S60247952A JP 59103841 A JP59103841 A JP 59103841A JP 10384184 A JP10384184 A JP 10384184A JP S60247952 A JPS60247952 A JP S60247952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- metal piece
- tip
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/042—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はトランジスタ、サイリスタ、トライブック、ダ
イオード等の樹脂絶縁形半導体装置に関するものである
。
イオード等の樹脂絶縁形半導体装置に関するものである
。
（従来技術）
従来の樹脂絶縁形半導体装置は、第３図（ａ）および（
ｂ）に示すように、半導体素子１がネジ付用穴９を有す
る放熱板（リードフレームの一部）２に一般的なロウ材
を介して接続され、前記放熱板２から外部リード８が導
出され、前記半導体素子１と外部リード３，４が例えは
Ａｌａ線５を用いて電気的に接続され、前記半導体素子
１および放熱板２はモールド成形された樹脂材料６（モ
ールドパッケージ）によシ被榎されていた。更に前記放
熱板２と一体化されている金属片７の先端部７ａがパッ
ケージ外部に露出する構造になっていた。この金属片７
は、パッケージをモールド成形する際に、る０ しかし前記構造の半導体装置を装置回路に実装する際は
、外界との電気的つなが）は外部リード３．４．８のみ
が望ましいことは百うまでもない。
ｂ）に示すように、半導体素子１がネジ付用穴９を有す
る放熱板（リードフレームの一部）２に一般的なロウ材
を介して接続され、前記放熱板２から外部リード８が導
出され、前記半導体素子１と外部リード３，４が例えは
Ａｌａ線５を用いて電気的に接続され、前記半導体素子
１および放熱板２はモールド成形された樹脂材料６（モ
ールドパッケージ）によシ被榎されていた。更に前記放
熱板２と一体化されている金属片７の先端部７ａがパッ
ケージ外部に露出する構造になっていた。この金属片７
は、パッケージをモールド成形する際に、る０ しかし前記構造の半導体装置を装置回路に実装する際は
、外界との電気的つなが）は外部リード３．４．８のみ
が望ましいことは百うまでもない。
なぜなら、金属片７の絽出しだ先端部７ａに対して電界
が加わると、半導体装置内部の半導体素子に悪影響を与
え誤動作の原因となるはかりでなく、非常に大きな電界
の場合には半導体素子そのものを破壊することがあるか
らである。
が加わると、半導体装置内部の半導体素子に悪影響を与
え誤動作の原因となるはかりでなく、非常に大きな電界
の場合には半導体素子そのものを破壊することがあるか
らである。
この種の欠点を解決するために種々の対策が取られてい
る。例えば、前記金属片露出部をモールド樹脂にて完全
に被嶺する方法が考えられる。しかし、この種の半導体
装置は金属片露出部とリード部にて内部の半導体素子を
ロウ付けした放熱板の平行度を保っているために、簡単
に被覆することは困難である。また、二液性の樹脂材料
を金属片露出部に局部的に塗布する方法もあるが、二液
性の樹脂材料の硬化剤が一般的には酸無水物系の樹脂で
あるために、耐湿性に弱いという欠点を有する。
る。例えば、前記金属片露出部をモールド樹脂にて完全
に被嶺する方法が考えられる。しかし、この種の半導体
装置は金属片露出部とリード部にて内部の半導体素子を
ロウ付けした放熱板の平行度を保っているために、簡単
に被覆することは困難である。また、二液性の樹脂材料
を金属片露出部に局部的に塗布する方法もあるが、二液
性の樹脂材料の硬化剤が一般的には酸無水物系の樹脂で
あるために、耐湿性に弱いという欠点を有する。
（発明の目的）
本発明は前記入亦を解消して絶縁耐圧の優れた樹脂絶縁
形半導体装置を提供するものである。
形半導体装置を提供するものである。
（発明の構成）
本発明は、半導体素子の放熱板が高熱伝導性樹脂で被覆
され、前記放熱板と一体化された金属片の先端部並びに
外部リードが前記樹脂の外部に露出した樹脂絶縁形半導
体装置において、前記金−片の先端部を前記樹脂の外向
以内に配置したことを特徴とするものである。
され、前記放熱板と一体化された金属片の先端部並びに
外部リードが前記樹脂の外部に露出した樹脂絶縁形半導
体装置において、前記金−片の先端部を前記樹脂の外向
以内に配置したことを特徴とするものである。
（発明の効果）
本発明によれは、前記金属片の先端部が前記樹脂（モー
ルドパッケージ）の外面以内に配置され、放電を起しや
すい突起がなくなるとともに、沿面距離が長くなるため
、絶縁耐圧を大幅に向上させることができる。
ルドパッケージ）の外面以内に配置され、放電を起しや
すい突起がなくなるとともに、沿面距離が長くなるため
、絶縁耐圧を大幅に向上させることができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第２図に示すように、複数個の半導体装置を同時に組立
てるために、一連になったリードフレー続しておｐ１放
熱板２．ネジ用穴９および外部リード３，４．８が設け
られている。
てるために、一連になったリードフレー続しておｐ１放
熱板２．ネジ用穴９および外部リード３，４．８が設け
られている。
次に、前記放熱板２の所だ箇所に半導体素子ｌをロウ材
を用いて接続する。次いで、前記半導体素子１の電極と
外部リード３，４をＡ７細線５を用いて電気的に接続す
る。
を用いて接続する。次いで、前記半導体素子１の電極と
外部リード３，４をＡ７細線５を用いて電気的に接続す
る。
次に、高熱伝導性の樹脂材料６によシモールド゛成形し
、気密封入する。
、気密封入する。
次に、前記金−片７を６点から切断するとともに、枠１
１Ｄ点から切ｂｍすことにより、単体の半導体装置に分
離する。以上の工程により第３図（従来技＆）と同じ画
布のものができ上るが、金属片７の先端部７ａが露出し
ているため、このままでは、前述のように樹脂絶縁形半
導体装置の絶縁耐圧を著しく低下させるという欠点を有
する。
１Ｄ点から切ｂｍすことにより、単体の半導体装置に分
離する。以上の工程により第３図（従来技＆）と同じ画
布のものができ上るが、金属片７の先端部７ａが露出し
ているため、このままでは、前述のように樹脂絶縁形半
導体装置の絶縁耐圧を著しく低下させるという欠点を有
する。
そこで次に前記金属片７の露出する先端部７ａを、例え
ば陽極酸エツチング法或いは電解研摩法によシ選択的に
除去し、前記先端ｓ７ａが少なくとも樹脂の外側に露出
しないようにする。このようにすることによシ、金属片
の先端部７ａのエツジが樹脂面よシも内側になるため、
放電を起こしにくくなシ、絶縁耐圧が向上する。
ば陽極酸エツチング法或いは電解研摩法によシ選択的に
除去し、前記先端ｓ７ａが少なくとも樹脂の外側に露出
しないようにする。このようにすることによシ、金属片
の先端部７ａのエツジが樹脂面よシも内側になるため、
放電を起こしにくくなシ、絶縁耐圧が向上する。
前記先端部のエツチング除去は、例えば＠極酸エツチン
グ法を使う場合、陰極にステンレスやＰｂ板などを使用
し、陽極側に前記半導体装置を接続する。電解液は例え
は過当な添加剤を含む希硫酸（１０〜２０チ、 Ｈ，８
０，）を用いる。印加電圧２０〜１００Ｖで０．５〜０
．０５Ａの直流を流を１〜３分間流すことにより、前記
先端部を鳴動にエツチング除去することができる。
グ法を使う場合、陰極にステンレスやＰｂ板などを使用
し、陽極側に前記半導体装置を接続する。電解液は例え
は過当な添加剤を含む希硫酸（１０〜２０チ、 Ｈ，８
０，）を用いる。印加電圧２０〜１００Ｖで０．５〜０
．０５Ａの直流を流を１〜３分間流すことにより、前記
先端部を鳴動にエツチング除去することができる。
ζこで、樹脂絶縁形半導体装置の絶縁耐圧は、外部リー
ド３，４．８’ｔ”除く露出金属部の沿面距離に依存す
るので、第１図（ａ）および［ｂ）に示すように、金属
片の先端部７ａが樹脂外面よりできるだけ内部に入るよ
うに短小化し、ピンホール１２を形成せしめた方が効果
が大きくなる。
ド３，４．８’ｔ”除く露出金属部の沿面距離に依存す
るので、第１図（ａ）および［ｂ）に示すように、金属
片の先端部７ａが樹脂外面よりできるだけ内部に入るよ
うに短小化し、ピンホール１２を形成せしめた方が効果
が大きくなる。
また、その後、前記ピンホール１２に樹脂を充てんすれ
は、更に絶縁耐圧を向上させることができる。
は、更に絶縁耐圧を向上させることができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、樹脂絶縁
形半導体装置の外部リードを除く連出金属を１例えば陽
極酸エツチング法或いは電解研摩法によシ選択的に除去
することによシ、短小化して放電しやすい突起をなくす
とともに、外弁との沿面距離を長くすることにより、絶
縁耐圧および絶縁抵抗を大幅に向上させることができる
。
形半導体装置の外部リードを除く連出金属を１例えば陽
極酸エツチング法或いは電解研摩法によシ選択的に除去
することによシ、短小化して放電しやすい突起をなくす
とともに、外弁との沿面距離を長くすることにより、絶
縁耐圧および絶縁抵抗を大幅に向上させることができる
。
なお、以上の説明では本発明の一実施例として、半導体
装置の先頭部に於ける露出金楓部の短小化によシ絶縁耐
圧を向上せしめたことを特徴とする樹脂絶縁形半導体装
置について述べたが、ネジ用穴部に金鵬が露出するよう
なタイプの樹脂絶縁形半導体装置の場合も、当該露出今
風を短小化することによシ同様の効果があることは言う
までもない０
装置の先頭部に於ける露出金楓部の短小化によシ絶縁耐
圧を向上せしめたことを特徴とする樹脂絶縁形半導体装
置について述べたが、ネジ用穴部に金鵬が露出するよう
なタイプの樹脂絶縁形半導体装置の場合も、当該露出今
風を短小化することによシ同様の効果があることは言う
までもない０
第１図（ａ）およびｆｂｌはそれぞれ本発明の特徴を最
もよく表わした一実施例を示す側面図およびそのＡ−Ａ
線階段断面図、第２図は前記実施例の製造途中工程にお
ける階一段断面図、第３図（ａ）および（ｂｌはそれぞ
れ従来の樹脂絶縁形半導体装置を示す側面図およびその
Ｂ−Ｂ線階段断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・放熱板、３
．４・・・・・・外部リード、５・・・・・・Ａ７細線
、６・・・・・・樹脂材料、７・・・・・・金属片、７
ａ・・・・・・前記金属片の先端部、８・・・・・・放
熱板と一体になった外部リード、９・・・・・・坏ジ付
用の穴、１０・・・・・・リードフレーム、１１・・・
・・・枠。 （１：ｌ） （ｂ） 第 ／ 団 弗？ 図 （１１） （ｂ） 第３図
もよく表わした一実施例を示す側面図およびそのＡ−Ａ
線階段断面図、第２図は前記実施例の製造途中工程にお
ける階一段断面図、第３図（ａ）および（ｂｌはそれぞ
れ従来の樹脂絶縁形半導体装置を示す側面図およびその
Ｂ−Ｂ線階段断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・放熱板、３
．４・・・・・・外部リード、５・・・・・・Ａ７細線
、６・・・・・・樹脂材料、７・・・・・・金属片、７
ａ・・・・・・前記金属片の先端部、８・・・・・・放
熱板と一体になった外部リード、９・・・・・・坏ジ付
用の穴、１０・・・・・・リードフレーム、１１・・・
・・・枠。 （１：ｌ） （ｂ） 第 ／ 団 弗？ 図 （１１） （ｂ） 第３図
Claims (1)
- 半導体素子の放熱板が高熱伝導性樹脂で被核され、前記
放熱板と一体化された金属片の先端部並びに外部リード
が前記樹脂の外部に露出した樹脂絶線形半導体装置にお
いて、前記金輌片の先端部を前記樹脂の外面以内に配置
したことを％徴とする樹脂絶縁形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103841A JPS60247952A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 樹脂絶縁形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103841A JPS60247952A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 樹脂絶縁形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247952A true JPS60247952A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14364653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103841A Pending JPS60247952A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 樹脂絶縁形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247952A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143538A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59103841A patent/JPS60247952A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143538A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
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