JPS60251883A - コ−テイング樹脂 - Google Patents
コ−テイング樹脂Info
- Publication number
- JPS60251883A JPS60251883A JP59106127A JP10612784A JPS60251883A JP S60251883 A JPS60251883 A JP S60251883A JP 59106127 A JP59106127 A JP 59106127A JP 10612784 A JP10612784 A JP 10612784A JP S60251883 A JPS60251883 A JP S60251883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silane
- silicon atom
- coating resin
- antibody
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Immobilizing And Processing Of Enzymes And Microorganisms (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特定の蛋白質を被着させるコーティング樹脂、
たとえばＦＥＴバイオセンサ用抗体酵素被着膜を形成す
るためのコーティング樹脂に関する。
たとえばＦＥＴバイオセンサ用抗体酵素被着膜を形成す
るためのコーティング樹脂に関する。
ＦＥＴセンサは図面に示すようにＦＥＴつまり電界効果
トランジスタのゲート電極を取除き、この部分は単なる
絶縁膜としたものである。図でＳＵＢはシリコン半導体
基板、Ｓ、Ｄは該基板に形成されたソース、ドレイン領
域、ＩＬ＋は２酸化シリコン（ＳｉＯｚ）の絶縁層、Ｉ
Ｌｔは窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎｇ）の絶縁層である。取
去ったゲート電極部の絶縁膜に電荷を持った粒子が付着
すると周囲の電位が変り、基板ＳＵＢがｐ型で上記電荷
が正電荷ならソースＳ、ドレインＤ間にチャネルができ
、これをドレイン電流で検出して該正電荷従って上記粒
子を検出することができる。
トランジスタのゲート電極を取除き、この部分は単なる
絶縁膜としたものである。図でＳＵＢはシリコン半導体
基板、Ｓ、Ｄは該基板に形成されたソース、ドレイン領
域、ＩＬ＋は２酸化シリコン（ＳｉＯｚ）の絶縁層、Ｉ
Ｌｔは窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎｇ）の絶縁層である。取
去ったゲート電極部の絶縁膜に電荷を持った粒子が付着
すると周囲の電位が変り、基板ＳＵＢがｐ型で上記電荷
が正電荷ならソースＳ、ドレインＤ間にチャネルができ
、これをドレイン電流で検出して該正電荷従って上記粒
子を検出することができる。
バイオセンサでゲート部に蛋白を被着さ廿るには抗原抗
体反応を利用する。即ちゲート部絶縁膜に抗体の結合し
た膜を被着しておくと、上記反応で抗原が抗体の結合し
た膜従ってゲート部に被着する。このＦＥＴバイオセン
サの抗体又は酵素を固定化するための膜は、抗原又は抗
体の固定化が可能であることと共に、自身がゲート部絶
縁膜に被着可能でなければならない。
体反応を利用する。即ちゲート部絶縁膜に抗体の結合し
た膜を被着しておくと、上記反応で抗原が抗体の結合し
た膜従ってゲート部に被着する。このＦＥＴバイオセン
サの抗体又は酵素を固定化するための膜は、抗原又は抗
体の固定化が可能であることと共に、自身がゲート部絶
縁膜に被着可能でなければならない。
従来のＦＥＴバイオセンサの固定化膜にはアセチルセル
ロース、トリアセデルセルロースなどが試みられている
が、これらは抗体とか酵素と直接結合しないので、該結
合のためのグルタルアルデヒド−トリアミン混合物を混
ぜ、その混合体をゲート部絶縁膜上に塗布している例が
多い。
ロース、トリアセデルセルロースなどが試みられている
が、これらは抗体とか酵素と直接結合しないので、該結
合のためのグルタルアルデヒド−トリアミン混合物を混
ぜ、その混合体をゲート部絶縁膜上に塗布している例が
多い。
しかしこれでは抗体、酵素の結合数が不十分である。ま
たコーテイング膜質が不均一で、ポーラスであるので、
ゲート上で特異反応が起きて抗原素の電荷が捕獲され、
コーテイング膜下部に反対電荷が誘起されても、該反対
電荷はサンプル（血液など）中に逃げてしまいやすく、
感度不充分である。
たコーテイング膜質が不均一で、ポーラスであるので、
ゲート上で特異反応が起きて抗原素の電荷が捕獲され、
コーテイング膜下部に反対電荷が誘起されても、該反対
電荷はサンプル（血液など）中に逃げてしまいやすく、
感度不充分である。
ＦＥＴバイオセンサ特に免疫センサの場合には、抗体固
定化膜は次の条件を満足できるのが望ましい。■ウェハ
プロセスで塗布（スピンコード）及びエソチン２′が可
能であること、■抗体の結合し得る場所が多い（反応基
−ＮＨ２の数が多い）こと、■膜は薄くかつ均一に形成
できること、■膜は電気絶縁性であること。ＦＥＴバイ
オセンサは幅が１〜２鶴といった微小なものなので、集
積回路（ＩＣ）にウェハプロセスを採用できる、スピン
コード及びエツチング可能、は製作費の低コスト化、膜
厚の均一化、優れた再現性などに有効である。
定化膜は次の条件を満足できるのが望ましい。■ウェハ
プロセスで塗布（スピンコード）及びエソチン２′が可
能であること、■抗体の結合し得る場所が多い（反応基
−ＮＨ２の数が多い）こと、■膜は薄くかつ均一に形成
できること、■膜は電気絶縁性であること。ＦＥＴバイ
オセンサは幅が１〜２鶴といった微小なものなので、集
積回路（ＩＣ）にウェハプロセスを採用できる、スピン
コード及びエツチング可能、は製作費の低コスト化、膜
厚の均一化、優れた再現性などに有効である。
本発明はスピンコード可能、基板絶縁膜に対する強い密
着力あり、ウェハプロセスに耐える耐熱性および耐薬品
性あり、エツチング可能、抗体酵素が結合する反応基を
所望量有する、高誘電体特性を有する、といった性能を
備えたコーティング樹脂を提供しようとするものである
。
着力あり、ウェハプロセスに耐える耐熱性および耐薬品
性あり、エツチング可能、抗体酵素が結合する反応基を
所望量有する、高誘電体特性を有する、といった性能を
備えたコーティング樹脂を提供しようとするものである
。
本発明のコーティング樹脂は、１個以上のアミノ基が結
合している一価の炭化水素が１個以上直接ケイ素原子に
結合し、該ケイ素原子に２〜３個のアルコキシ基が結合
しているシランを２０モルパーセント以上、フロロカー
ボンシラン、およびテトラアルコキシシランまたはアル
キルアルコキシシランあるいは芳香族アルコキシシラン
を５０モルパーセント以下、を含むアルコキシシランを
加水分解縮重合し、溶剤に溶解してなることを特徴とす
るものである。
合している一価の炭化水素が１個以上直接ケイ素原子に
結合し、該ケイ素原子に２〜３個のアルコキシ基が結合
しているシランを２０モルパーセント以上、フロロカー
ボンシラン、およびテトラアルコキシシランまたはアル
キルアルコキシシランあるいは芳香族アルコキシシラン
を５０モルパーセント以下、を含むアルコキシシランを
加水分解縮重合し、溶剤に溶解してなることを特徴とす
るものである。
（作用〕
有機基を持つアルコキシシランは二酸化ケイ素Ｓｉ Ｏ
２などの下地に対して非常によい密着性を示すことはよ
く知られており、またアルコキシシラン重合体をスピン
コードし得ることも既知である。
２などの下地に対して非常によい密着性を示すことはよ
く知られており、またアルコキシシラン重合体をスピン
コードし得ることも既知である。
またアミノシランはいわゆるシランカップリング剤とし
て知られており、ＦＥＴセンサの場合もＴ−アミノプロ
ピルトリアルコキシシランで処理して固定化用膜の接着
性を改善したり、あるいは直接抗体酵素を結合させよう
とする試みがあるが、下地窒化シリコン（Ｓ ｉ ３
Ｎ４ ）の表面の５ｉ−ＯＨ基の絶対数が少ないためか
効果的とは言えないのが現状である。本発明では、下地
の種類によらず、表面に多数のアミノ基を霞出させるこ
とができ、これが一つの効果である。
て知られており、ＦＥＴセンサの場合もＴ−アミノプロ
ピルトリアルコキシシランで処理して固定化用膜の接着
性を改善したり、あるいは直接抗体酵素を結合させよう
とする試みがあるが、下地窒化シリコン（Ｓ ｉ ３
Ｎ４ ）の表面の５ｉ−ＯＨ基の絶対数が少ないためか
効果的とは言えないのが現状である。本発明では、下地
の種類によらず、表面に多数のアミノ基を霞出させるこ
とができ、これが一つの効果である。
本発明では被着性を増し、非特異吸着を抑える等の目的
でフロロカーボンシランを用いる。例えばフロロカーホ
ントリアルコキシシランＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ
２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＲ） ３を用い、これと抗原抗体反
応のためのアミノシランＮＨ２（ＣＨ２）３ Ｓｉ （
ＯＣＨ３）３を共重合させる。また表面の親水性を増す
ために（アミノ基とカルボキシルを除いて他のものは疎
水性である）テトラアルコキシシランを混入する。これ
らとアミノシランとの重合は、各々重合して混入するか
又は共重合させるが、前者の場に海島模様が得ることも
可能である。得られた重合物をセロソルブアセテートな
との溶剤に溶かしてコーディング樹脂とする。
でフロロカーボンシランを用いる。例えばフロロカーホ
ントリアルコキシシランＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ
２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＲ） ３を用い、これと抗原抗体反
応のためのアミノシランＮＨ２（ＣＨ２）３ Ｓｉ （
ＯＣＨ３）３を共重合させる。また表面の親水性を増す
ために（アミノ基とカルボキシルを除いて他のものは疎
水性である）テトラアルコキシシランを混入する。これ
らとアミノシランとの重合は、各々重合して混入するか
又は共重合させるが、前者の場に海島模様が得ることも
可能である。得られた重合物をセロソルブアセテートな
との溶剤に溶かしてコーディング樹脂とする。
本発明のコーティング樹脂の主成分は、１個以上のアミ
ノ基が結合している一価の炭化水素が１個以上直接ケイ
素原子Ｓｔに結合し、該ケイ素原子に２〜３個゛のアル
コキシ基ＲＯが結合しているシランの加水分解重合物で
ある。これらのアミノシランの樹脂中濃度は２０モル％
以上とする。２０モル％以下であると、抗体酵素の結合
する基が少なくなり過ぎる。アミノシランだけであると
、膜形成後のグルタルアルデヒド処理によって膜内部ま
でアルデヒド化された場合、親水性に変化し得るので、
多少のアルキルシラン又は芳香族シランを混ぜてお（。
ノ基が結合している一価の炭化水素が１個以上直接ケイ
素原子Ｓｔに結合し、該ケイ素原子に２〜３個゛のアル
コキシ基ＲＯが結合しているシランの加水分解重合物で
ある。これらのアミノシランの樹脂中濃度は２０モル％
以上とする。２０モル％以下であると、抗体酵素の結合
する基が少なくなり過ぎる。アミノシランだけであると
、膜形成後のグルタルアルデヒド処理によって膜内部ま
でアルデヒド化された場合、親水性に変化し得るので、
多少のアルキルシラン又は芳香族シランを混ぜてお（。
使用できるアミノシランはＨ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ （
ＯＣＨ３）３．Ｈ２Ｎ （ＣＨ２）３５ｔ（ＯＣ２Ｈ５
）３ Ｈ２Ｎ （ＣＨ２）２ ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ（
ＣＨ２）３ Ｓｉ （ＯＣＨ３）３．Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）
２−３−ＣＨ２−３ｉ （ＯＣ２Ｈ５）３などの３官能
シラン、あるいはＨ２Ｎ（ＣＨ２）３ＳｉＣＨ３（ＯＣ
２Ｈ５）２．Ｈ２Ｎ （ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３５
ｉＣＨ：＋ （ＯＣＨ３）２などの２官能シランで、こ
れら二、三官能アミノシランのうち三官能ソランの占め
る割合は６０モル％以上である。次に実施例を挙げる。
ＯＣＨ３）３．Ｈ２Ｎ （ＣＨ２）３５ｔ（ＯＣ２Ｈ５
）３ Ｈ２Ｎ （ＣＨ２）２ ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ（
ＣＨ２）３ Ｓｉ （ＯＣＨ３）３．Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）
２−３−ＣＨ２−３ｉ （ＯＣ２Ｈ５）３などの３官能
シラン、あるいはＨ２Ｎ（ＣＨ２）３ＳｉＣＨ３（ＯＣ
２Ｈ５）２．Ｈ２Ｎ （ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３５
ｉＣＨ：＋ （ＯＣＨ３）２などの２官能シランで、こ
れら二、三官能アミノシランのうち三官能ソランの占め
る割合は６０モル％以上である。次に実施例を挙げる。
例１：γ−アミノプロピルトリエトキシシラン８ｇ、Ｔ
−アミノプロピルメチルジェトキシシラン２ｇを、イソ
プロピルアルコール５０ｇに溶解し、還流管、撹拌棒、
分液ロートの付いた四つロフラスコに入れ、８０℃に加
熱し、分液ロートから希塩酸水溶液２ｇを滴下し、４時
間反応させた。冷却後、メチルセロソルブ１０ｇを加え
、０．１μｍメソシュのフィルタで加圧濾過し、ポリア
ミノシロキサン溶液Ｉを得た。この溶液をシリコンウェ
ハ上に３００ Ｏｒｐｍ回転でスピンコードし、１２０
℃で３０分乾燥・し、また２００℃で２時間の熱処理を
した結果、膜厚１０００人の均一塗膜を形成できた。こ
の膜厚は、レジストを用いてのＣＨＦ３−０２ （１０
％）反応ガスによるドライエツチングにより膜の一部を
除去し、表面粗さ計によりｊり定した。
−アミノプロピルメチルジェトキシシラン２ｇを、イソ
プロピルアルコール５０ｇに溶解し、還流管、撹拌棒、
分液ロートの付いた四つロフラスコに入れ、８０℃に加
熱し、分液ロートから希塩酸水溶液２ｇを滴下し、４時
間反応させた。冷却後、メチルセロソルブ１０ｇを加え
、０．１μｍメソシュのフィルタで加圧濾過し、ポリア
ミノシロキサン溶液Ｉを得た。この溶液をシリコンウェ
ハ上に３００ Ｏｒｐｍ回転でスピンコードし、１２０
℃で３０分乾燥・し、また２００℃で２時間の熱処理を
した結果、膜厚１０００人の均一塗膜を形成できた。こ
の膜厚は、レジストを用いてのＣＨＦ３−０２ （１０
％）反応ガスによるドライエツチングにより膜の一部を
除去し、表面粗さ計によりｊり定した。
例２：実施例１と同様に、但し原料シランとしてＴ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン６ｇ、γ−アミノプロ
ピルメチルジェトキシシラン１．５ｇ及び３．３．４．
４．５．５．６．’６．６−ノナフロロヘキジルトリエ
トキシシラン２．５ｇを用い、溶剤としてエチレングリ
コールモノメチルエーテルアセテートを用いて縮重合さ
せ、ポリアミノシロキサン溶液■を得た。例１と同様な
工程で得た塗布膜厚は、４０００ ｒｐｍで１０００人
であった。
ミノプロピルトリエトキシシラン６ｇ、γ−アミノプロ
ピルメチルジェトキシシラン１．５ｇ及び３．３．４．
４．５．５．６．’６．６−ノナフロロヘキジルトリエ
トキシシラン２．５ｇを用い、溶剤としてエチレングリ
コールモノメチルエーテルアセテートを用いて縮重合さ
せ、ポリアミノシロキサン溶液■を得た。例１と同様な
工程で得た塗布膜厚は、４０００ ｒｐｍで１０００人
であった。
例３：例１．２で得る溶液１．Ｉ＋を厚さ１０００人ず
つのＳ ｉ０２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜が形成されている４イ
ンチ（１０，１６ＣＩ１１）径のシリコンウェハ３枚に
塗布、硬化した。比較のため、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシランで通常の方法による表面処理を行なった
ウェハも作成した。これらをＰＨ４，０のバッファ溶液
に浸漬し、次いでＰ ’Ｈ８，０のアンモニアバッファ
溶液で洗浄した。さらに水洗を十分に行ない、６０℃で
乾燥した。次いで２％グルコースオギシダーゼ（ＣＯＤ
） ／８液に？＋ ｔＭし、４°Ｃで１６時間処理し、
Ｇ’ＯＤの固定を行なった。これら３枚のＣＯＤ固定化
シリコンウエノ′・をそれぞれグルコース溶液に浸して
グルコースの消費量を調べ、ＣＯＤの固定化数（Ｘ活性
度）を比較した結果、単純なカンプリング処理の場合を
１００とすると溶液１での処理ウニ／’ｔは約２００、
溶液■での処理ウェハは１８０であった。
つのＳ ｉ０２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜が形成されている４イ
ンチ（１０，１６ＣＩ１１）径のシリコンウェハ３枚に
塗布、硬化した。比較のため、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシランで通常の方法による表面処理を行なった
ウェハも作成した。これらをＰＨ４，０のバッファ溶液
に浸漬し、次いでＰ ’Ｈ８，０のアンモニアバッファ
溶液で洗浄した。さらに水洗を十分に行ない、６０℃で
乾燥した。次いで２％グルコースオギシダーゼ（ＣＯＤ
） ／８液に？＋ ｔＭし、４°Ｃで１６時間処理し、
Ｇ’ＯＤの固定を行なった。これら３枚のＣＯＤ固定化
シリコンウエノ′・をそれぞれグルコース溶液に浸して
グルコースの消費量を調べ、ＣＯＤの固定化数（Ｘ活性
度）を比較した結果、単純なカンプリング処理の場合を
１００とすると溶液１での処理ウニ／’ｔは約２００、
溶液■での処理ウェハは１８０であった。
例４：ケート電極を持つ校正用ＦＥＴおよび、デー１〜
部上にのみ電気的に浮いた金属層がありその−Ｆに１０
００人の３ｉ０２膜を形成したセンナ用ＦＥＴ、の２個
が形成されているシリコンウェハ３枚に、実施例３と同
様に溶液１．ｎを塗布しアミノシラン処理を施した。次
いでそれぞれレジストを用いてエツチングし、ゲーｉ・
部にのみ有機層を残した。次に酸処理、アルカリ処理、
水洗、グルクルアルデヒド処理を行なった。またチップ
切断、洗浄後、微小プリント板に固定しまた。次で抗α
−フェトプロティン抗体を固定化し、リン酸バッファ溶
液で十分に洗浄した。更にα−フェトプロティン標準溶
液に浸し、３分後のドレイン電流の大きさを比較した結
果、アミノシラン処理のものを１６０とすると溶液■塗
布のものは２００、溶液■塗布のものは３５０であった
。
部上にのみ電気的に浮いた金属層がありその−Ｆに１０
００人の３ｉ０２膜を形成したセンナ用ＦＥＴ、の２個
が形成されているシリコンウェハ３枚に、実施例３と同
様に溶液１．ｎを塗布しアミノシラン処理を施した。次
いでそれぞれレジストを用いてエツチングし、ゲーｉ・
部にのみ有機層を残した。次に酸処理、アルカリ処理、
水洗、グルクルアルデヒド処理を行なった。またチップ
切断、洗浄後、微小プリント板に固定しまた。次で抗α
−フェトプロティン抗体を固定化し、リン酸バッファ溶
液で十分に洗浄した。更にα−フェトプロティン標準溶
液に浸し、３分後のドレイン電流の大きさを比較した結
果、アミノシラン処理のものを１６０とすると溶液■塗
布のものは２００、溶液■塗布のものは３５０であった
。
以上説明したように本発明のコーティング樹脂はスピン
コード可能、下地に対する強い被着力あり、ウェハプロ
セスの適用可能、抗体酵素の検出感度良好などの利点が
得られる。
コード可能、下地に対する強い被着力あり、ウェハプロ
セスの適用可能、抗体酵素の検出感度良好などの利点が
得られる。
図面はＦＥＴセンサの概要を示す説明図である。
図でＳＵＢは半導体基板、Ｓはソース、Ｄはドレイン、
ＩＬＬ、ＩＬ２は絶縁膜である。 出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔
ＩＬＬ、ＩＬ２は絶縁膜である。 出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔
Claims (1)
- １個以上のアさノ基が結合している一価の炭化水素が１
個以上直接ケイ素原子に結合し、該ケイ素原子に２〜３
個のアルコキシ基が結合しているシランを２０モルパー
セント以上とフロロカーボンシラン、およびテトラアル
コキシシランまたはアルキルアルコキシシランあるいは
芳香族アルコキシシランを含むアルコキシシランを加水
分解縮重合し、溶剤に熔解してなる、抗体、酵素固定化
用コーティング樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106127A JPS60251883A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | コ−テイング樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106127A JPS60251883A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | コ−テイング樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251883A true JPS60251883A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14425751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59106127A Pending JPS60251883A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | コ−テイング樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251883A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02178330A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-07-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 平面化ラダー型シルセスキオキサンポリマー絶縁層の形成方法 |
| JP2013505321A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 耐指紋性コーティングを形成するための多孔性構造物、これを利用した耐指紋性コーティングの形成方法、これにより形成された耐指紋性コーティングを含む基材及びこれを含む製品 |
| JP2013505320A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 耐指紋性コーティングの形成のための脂肪分解性酵素の新規用途、耐指紋性コーティングの形成方法、これによって形成された耐指紋性コーティングを含む機材及びこれを含む製品 |
| JP2023551772A (ja) * | 2020-10-27 | 2023-12-13 | アウレウム ダイアグノスティクス リミテッド | 電気化学センサー |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP59106127A patent/JPS60251883A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02178330A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-07-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 平面化ラダー型シルセスキオキサンポリマー絶縁層の形成方法 |
| JP2013505321A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 耐指紋性コーティングを形成するための多孔性構造物、これを利用した耐指紋性コーティングの形成方法、これにより形成された耐指紋性コーティングを含む基材及びこれを含む製品 |
| JP2013505320A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 耐指紋性コーティングの形成のための脂肪分解性酵素の新規用途、耐指紋性コーティングの形成方法、これによって形成された耐指紋性コーティングを含む機材及びこれを含む製品 |
| US9556341B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-01-31 | Lg Chem, Ltd. | Porous structure for forming anti-fingerprint coating, method of forming anti-fingerprint coating, substrate comprising the anti-finger-print coating formed by the method, and product comprising the substrate |
| JP2023551772A (ja) * | 2020-10-27 | 2023-12-13 | アウレウム ダイアグノスティクス リミテッド | 電気化学センサー |
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