JPS6025193A - 薄膜ｅｌ装置 - Google Patents
薄膜ｅｌ装置Info
- Publication number
- JPS6025193A JPS6025193A JP58133228A JP13322883A JPS6025193A JP S6025193 A JPS6025193 A JP S6025193A JP 58133228 A JP58133228 A JP 58133228A JP 13322883 A JP13322883 A JP 13322883A JP S6025193 A JPS6025193 A JP S6025193A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- moisture
- glass
- container
- glass substrate
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜ＦｉＬ素子１こよって光を得る薄膜ＢＬ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
背景技術とその問題点
第１図は、上記の様な薄膜ＥＬ装置の従来例を示してい
る。この部１図に示す様に、薄膜ＢＬ装置（１）では薄
膜ＥＬ素子（２）がガラス基板（３）上部と形成されて
いる。
る。この部１図に示す様に、薄膜ＢＬ装置（１）では薄
膜ＥＬ素子（２）がガラス基板（３）上部と形成されて
いる。
薄膜ＥＬ素子（２）を形成する為には、第２図１こ示す
様に、ガラス基板（３）上にＩＴＯを真空蒸着すること
によってまず透明電極（４）全形成する。次いで、透明
電極（４）上に透明な下部絶縁膜（５）をスパッタリン
グで形成し、更にその上にＺｎ８ ： Ｍｎ （〜Ｉｎ
が付活剤として添加されたＺｎＳ ）を電子ビーム蒸着
することによって薄膜状の発光層（６）を形成する。そ
して、発光層（６）上に上部絶縁膜（７）をスパッタリ
ングで形成し、最後にその上にＡｌ を真空蒸着するこ
とによって背面電極ａυを形成する。
様に、ガラス基板（３）上にＩＴＯを真空蒸着すること
によってまず透明電極（４）全形成する。次いで、透明
電極（４）上に透明な下部絶縁膜（５）をスパッタリン
グで形成し、更にその上にＺｎ８ ： Ｍｎ （〜Ｉｎ
が付活剤として添加されたＺｎＳ ）を電子ビーム蒸着
することによって薄膜状の発光層（６）を形成する。そ
して、発光層（６）上に上部絶縁膜（７）をスパッタリ
ングで形成し、最後にその上にＡｌ を真空蒸着するこ
とによって背面電極ａυを形成する。
Ｆｉ Ｌ素子（２）が形成きれているガラス基板（３）
上には、一方の端面が閉塞されている扁平な四角筒状の
ガラス蓋α２が載置され、このガラス蓋ｔｔ２１とガラ
ス基板（３）とＩこよって空間Ｑ３１が形成されて、こ
の空間（１′ａ内にＢＬ累子（２）が収容されている。
上には、一方の端面が閉塞されている扁平な四角筒状の
ガラス蓋α２が載置され、このガラス蓋ｔｔ２１とガラ
ス基板（３）とＩこよって空間Ｑ３１が形成されて、こ
の空間（１′ａ内にＢＬ累子（２）が収容されている。
つ才り、ガラス基板（３）とガラス蓋Ｑ４とで％ＥＬ素
子（２）を収容する為の容器が形成されている。そして
、これらのガラス基板（３）とガラスａｎ２１とは、エ
ポキシ樹脂α４によって封止されている。なお、電極（
４） （ｌυは、外部の電源（図示せず）への接続の為
に、互いに接触しない様にガラス蓋ａ２の外側へ延出さ
れている。
子（２）を収容する為の容器が形成されている。そして
、これらのガラス基板（３）とガラスａｎ２１とは、エ
ポキシ樹脂α４によって封止されている。なお、電極（
４） （ｌυは、外部の電源（図示せず）への接続の為
に、互いに接触しない様にガラス蓋ａ２の外側へ延出さ
れている。
ガラス蓋０７Ｊのガラス基板（３）１こ対向する面には
貫通孔０■が形成されており、この貫通孔（１５１から
空間０：９内へシリコーンオイルｆｌＱが注入されてい
る。貫通孔（１５）は、シリコーンオイル（１（ｊの注
入後に、ガラス板Ｑ７）で覆われエポキシ樹脂０１）に
よって封止されている。
貫通孔０■が形成されており、この貫通孔（１５１から
空間０：９内へシリコーンオイルｆｌＱが注入されてい
る。貫通孔（１５）は、シリコーンオイル（１（ｊの注
入後に、ガラス板Ｑ７）で覆われエポキシ樹脂０１）に
よって封止されている。
シリコーンオイル００は、その中に９されているＥＬ累
子（２）の透明電極（４）と背面電極的）とを絶縁する
と共に、もしこれらの間で放電が起こりＩシＬ素子（２
）の一部が破壊された場合Ｉこはその部分に入り込むこ
とによってそれ以上の破壊の拡大を防止する為のもので
ある。
子（２）の透明電極（４）と背面電極的）とを絶縁する
と共に、もしこれらの間で放電が起こりＩシＬ素子（２
）の一部が破壊された場合Ｉこはその部分に入り込むこ
とによってそれ以上の破壊の拡大を防止する為のもので
ある。
シリコーンオイルＯｅの空間０３１内への注入は、液晶
を注入する場合と同様の方法によって行われる。
を注入する場合と同様の方法によって行われる。
即ち、シリコーンオイルＱ（ｉｌの貯溜槽（図示せず）
とＥＬ装置（１）とを真空芥器（図示せず〕内にまず配
置する。そして、シリコーンオイル（１６）の通路とな
るパイプ（図示せず〕の一端部を貫通孔（１９内に位置
きせるか他端部は貯溜槽から離した状態で、真空容器内
を真空にする。すると、空間０３）内もパイプを通じて
真空にされる。次いで、この真空状態番保持したままで
、パイプの他端部を貯溜槽内に位置させる。この後、真
空容器内を大気圧に戻すと、パイプ及び貫通孔０■を通
じて空間（１３）内へシリコーンオイル（１６１が注入
される。
とＥＬ装置（１）とを真空芥器（図示せず〕内にまず配
置する。そして、シリコーンオイル（１６）の通路とな
るパイプ（図示せず〕の一端部を貫通孔（１９内に位置
きせるか他端部は貯溜槽から離した状態で、真空容器内
を真空にする。すると、空間０３）内もパイプを通じて
真空にされる。次いで、この真空状態番保持したままで
、パイプの他端部を貯溜槽内に位置させる。この後、真
空容器内を大気圧に戻すと、パイプ及び貫通孔０■を通
じて空間（１３）内へシリコーンオイル（１６１が注入
される。
以上の様なＥＬ装置（１）の電極（４） （１η間に電
圧を印加すると、発光層（６）が発光し、ガラス基板（
３）を通してその光を取出すことができる。
圧を印加すると、発光層（６）が発光し、ガラス基板（
３）を通してその光を取出すことができる。
ところで、特に薄膜ＥＬ素子（２）は水分によって劣化
され易い。しかし以上の様な構造の薄膜ＥＬ装置（１）
では、時間の経過と共に空気中の水分が封止部のエポキ
シ樹脂（＋４）（２ｔｌを透過して空間（４内へ浸入す
る。そして、この水分によって薄膜ＥＬ素子（２）が劣
化されるので、薄膜ＥＬ装置（１）の寿命は非常に短い
。エポキシ樹脂（１，４１（２１，１の代りに封止部に
フリットガラスを使用すると水分の透過はないが、フリ
ットガラスは融点が５００〜１５００Ｃの高温であるの
で、熱にも弱い薄膜ＥＬ素子（２）は、今度は制止時の
この熱によって劣化きれる。
され易い。しかし以上の様な構造の薄膜ＥＬ装置（１）
では、時間の経過と共に空気中の水分が封止部のエポキ
シ樹脂（＋４）（２ｔｌを透過して空間（４内へ浸入す
る。そして、この水分によって薄膜ＥＬ素子（２）が劣
化されるので、薄膜ＥＬ装置（１）の寿命は非常に短い
。エポキシ樹脂（１，４１（２１，１の代りに封止部に
フリットガラスを使用すると水分の透過はないが、フリ
ットガラスは融点が５００〜１５００Ｃの高温であるの
で、熱にも弱い薄膜ＥＬ素子（２）は、今度は制止時の
この熱によって劣化きれる。
そこで従来は、シリコーンオイル（１（３１またはエポ
キシ樹脂０（イ）Ｃ１）＃こ水分吸収剤を混入して、薄
膜Ｅ Ｌ素子（２）への水分の到達全１慣止しようとし
ていた。
キシ樹脂０（イ）Ｃ１）＃こ水分吸収剤を混入して、薄
膜Ｅ Ｌ素子（２）への水分の到達全１慣止しようとし
ていた。
しかしこの様な構造では、浸入した水分が水分晒収剤に
完全には吸収されず、薄膜Ｅ Ｌ装置（１）の爵命がや
はり短かかった。
完全には吸収されず、薄膜Ｅ Ｌ装置（１）の爵命がや
はり短かかった。
発明の目的
本発明は、上述の問題点薯こ鑑み、薄膜Ｆ３Ｌ素子への
水分の到達が阻止されて鍔命が長い薄膜ＥＬ装置を提供
することを目的としている。
水分の到達が阻止されて鍔命が長い薄膜ＥＬ装置を提供
することを目的としている。
発明の概袂
本発明は、薄膜Ｔ３ Ｌ素子を収容した状態で封止され
ている容器と、前記封止部に臨み且つこの封止部に沿う
様に前記容器に形成されている溝部と、この溝部内にそ
の全長に亘って配！されている水分吸着用のモレキュラ
ーシーブとを夫々具備する薄膜Ｂ Ｌ装置ｔ暴こ係るも
のである。
ている容器と、前記封止部に臨み且つこの封止部に沿う
様に前記容器に形成されている溝部と、この溝部内にそ
の全長に亘って配！されている水分吸着用のモレキュラ
ーシーブとを夫々具備する薄膜Ｂ Ｌ装置ｔ暴こ係るも
のである。
実施例
以下、本発明の一実施例を第６図及び第４図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第３図及び第４図に示す様に、本実施例による薄膜Ｆｉ
Ｌ装置０１）は、ガラス基板（３）とガラス蓋（１２１
との封止部に臨み且つこの封止部に沿う様に水分吸着用
のモレキュラーシーブ０のが配置されており、貫通孔（
１籾内にＩｎ ４’ｌｌが圧入されエポキシ樹脂Ｃυに
よって抜止めされていることを除いて、第１図及び第２
図に示した従来例の薄膜ＥＬ装置（１）と実質的に同様
の構成であってよい。
Ｌ装置０１）は、ガラス基板（３）とガラス蓋（１２１
との封止部に臨み且つこの封止部に沿う様に水分吸着用
のモレキュラーシーブ０のが配置されており、貫通孔（
１籾内にＩｎ ４’ｌｌが圧入されエポキシ樹脂Ｃυに
よって抜止めされていることを除いて、第１図及び第２
図に示した従来例の薄膜ＥＬ装置（１）と実質的に同様
の構成であってよい。
モレキュラーシーブ（３２）を上記の様に配置する為に
、ガラス蓋（１２１の口字状の開口端面に開口を取囲む
様な溝部０４）が、ケミカルエツチングによって形成さ
れている。そして、溝部Ｏａから僅かに突出する様に、
板状のモレキュラーシーブ０′ＩＪがこの溝部０４）内
にその全長ｉこ亘って配置されている。
、ガラス蓋（１２１の口字状の開口端面に開口を取囲む
様な溝部０４）が、ケミカルエツチングによって形成さ
れている。そして、溝部Ｏａから僅かに突出する様に、
板状のモレキュラーシーブ０′ＩＪがこの溝部０４）内
にその全長ｉこ亘って配置されている。
ガラス蓋（１りは、溝部０４）内にモレキュラーシーブ
ＣＩ３が配置されている状態で、エポキシ樹脂ａす匿よ
ってガラス基板（３）に接着されている。モレキュラ−
ブ０２はガラス蓋０２１の開口端面から僅かに突出して
いるので、ガラス蓋０りがガラス基板（３）に接着され
ると、エポキシ樹脂Ｑ４１がモレキュラーシーブＧつの
両側方に分断され、このエポキシ樹脂０４）を透過しよ
うとする水分は、モレキュラーシーブ０３３によって吸
着される。
ＣＩ３が配置されている状態で、エポキシ樹脂ａす匿よ
ってガラス基板（３）に接着されている。モレキュラ−
ブ０２はガラス蓋０２１の開口端面から僅かに突出して
いるので、ガラス蓋０りがガラス基板（３）に接着され
ると、エポキシ樹脂Ｑ４１がモレキュラーシーブＧつの
両側方に分断され、このエポキシ樹脂０４）を透過しよ
うとする水分は、モレキュラーシーブ０３３によって吸
着される。
なお、ガラス基板（３）とガラス蓋ａ２との接着作業は
、乾燥したＡｒやＮ２等の雰囲気中で行われるので、溝
部０ａの内壁面とモレキュラーシーブ０４との間の僅か
な間隙には、空気ではなく乾燥したＡｒやＮ２ 等が入
っている。従って、上記の間隙に閉じ込められている気
体中の水分化よってＥＬ素子（２）１が劣化されること
はない。
、乾燥したＡｒやＮ２等の雰囲気中で行われるので、溝
部０ａの内壁面とモレキュラーシーブ０４との間の僅か
な間隙には、空気ではなく乾燥したＡｒやＮ２ 等が入
っている。従って、上記の間隙に閉じ込められている気
体中の水分化よってＥＬ素子（２）１が劣化されること
はない。
Ｉｎ （至）は柔らかい金属であり、貫通孔（１５１内
に圧入されると、貫通孔（１９の内壁面と完全に密接す
る。
に圧入されると、貫通孔（１９の内壁面と完全に密接す
る。
この様に、本実施例による薄膜ＢＬ装置ｃ３１１は、シ
リコーンオイル０に）を空間（１３内へ注入する為の貫
通孔（＋５１にＩ ｎ ｐ３１が圧入されており、この
Ｉｎ３１がエポキシ樹脂ｅＪＩ＋によって抜止めされて
いるので、時間の経過と共に、空気中の水分がエポキシ
樹脂（２１）及び貫通孔ｔｌ！ｉ）を通って空間峙内に
浸入することはない。従って、空間（１３）内に収容さ
れている薄膜Ｅ Ｌ素子（２）への水分の到達が阻止さ
れて、薄膜ＥＬ装置（１）の慢命は非常に長い。
リコーンオイル０に）を空間（１３内へ注入する為の貫
通孔（＋５１にＩ ｎ ｐ３１が圧入されており、この
Ｉｎ３１がエポキシ樹脂ｅＪＩ＋によって抜止めされて
いるので、時間の経過と共に、空気中の水分がエポキシ
樹脂（２１）及び貫通孔ｔｌ！ｉ）を通って空間峙内に
浸入することはない。従って、空間（１３）内に収容さ
れている薄膜Ｅ Ｌ素子（２）への水分の到達が阻止さ
れて、薄膜ＥＬ装置（１）の慢命は非常に長い。
応用例
以上、本発明を一実施例に基いて説明したか、本発明は
この実施例に限定されるものではなく、各種の変更が可
能である。
この実施例に限定されるものではなく、各種の変更が可
能である。
例えば、上記の実施例に於いてはモレキュラーシーブＣ
（ａを配置する為の溝部Ｃｌ４１がガラス蓋（１２１の
開口端面ζこ形成されているか、この溝部０４）は、ガ
ラス基板（３）の上記開口端面に対向する位置に形成さ
れていてもよく、またガラス基板（３）とガラス蓋（＋
２１との両方に形成されていてもよい。
（ａを配置する為の溝部Ｃｌ４１がガラス蓋（１２１の
開口端面ζこ形成されているか、この溝部０４）は、ガ
ラス基板（３）の上記開口端面に対向する位置に形成さ
れていてもよく、またガラス基板（３）とガラス蓋（＋
２１との両方に形成されていてもよい。
発明の効果
以上の様に、本発明ｌこよる薄膜ＥＬ装置に於いては、
薄膜ＥＬ素子が収容されている容器の封止部に臨み且つ
この封止部に沿う様に溝部を形成し、この溝部内にその
全長に亘って水分吸着用のモレキュラーシーブを配置す
る様にしている。
薄膜ＥＬ素子が収容されている容器の封止部に臨み且つ
この封止部に沿う様に溝部を形成し、この溝部内にその
全長に亘って水分吸着用のモレキュラーシーブを配置す
る様にしている。
従って、封止部を透過して容器内へ浸入する水分がモレ
キュラーシーブによって有効に吸着さ札容器内ζこ収納
されている薄膜ＢＬ素子への水分の到達が阻止されるの
で、薄膜Ｅ Ｔ、素子が水分によって劣化されず、薄膜
Ｆ、Ｌｉ置の却命が非常に長い。
キュラーシーブによって有効に吸着さ札容器内ζこ収納
されている薄膜ＢＬ素子への水分の到達が阻止されるの
で、薄膜Ｅ Ｔ、素子が水分によって劣化されず、薄膜
Ｆ、Ｌｉ置の却命が非常に長い。
第１図は本発明の従来例を示す概略的な断面図、第２図
は第１図の製部の拡大図、第３図は本発明の一実施例を
示す概、略的な断面図、第４図（ｌ４図に於けるＩＶ矢
視図である。 なお図面１こ用いた符号において、 （２）・・・・・・・・・・・・薄膜ＥＬ素子（３）・
・・・・・・・・・・・ガラス基板（Ｉり・・・・・・
・・・・・・ガラス蓋０１：・・・・・・・・・・・・
薄膜１０Ｌ装置Ｇ４・・・・・・・・・・・・モレキュ
ラーシーブ０ａ・・・・・・・・・・・・溝部 である。 代理人 上屋 勝 Ｉ 常包芳男 Ｉ 杉浦俊貴 第１１図
は第１図の製部の拡大図、第３図は本発明の一実施例を
示す概、略的な断面図、第４図（ｌ４図に於けるＩＶ矢
視図である。 なお図面１こ用いた符号において、 （２）・・・・・・・・・・・・薄膜ＥＬ素子（３）・
・・・・・・・・・・・ガラス基板（Ｉり・・・・・・
・・・・・・ガラス蓋０１：・・・・・・・・・・・・
薄膜１０Ｌ装置Ｇ４・・・・・・・・・・・・モレキュ
ラーシーブ０ａ・・・・・・・・・・・・溝部 である。 代理人 上屋 勝 Ｉ 常包芳男 Ｉ 杉浦俊貴 第１１図
Claims (1)
- 薄膜Ｂ Ｌ素子を収容した状態で封止されている容器と
、前記封止部に臨み且つこの封止部に沿う様に前記容器
に形成されている溝部と、この溝部内にその全長に亘っ
て配置されている水分吸着用のモレキュラーシーブとを
夫々具備する薄膜ＨＬ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133228A JPS6025193A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 薄膜ｅｌ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133228A JPS6025193A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 薄膜ｅｌ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025193A true JPS6025193A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0532874B2 JPH0532874B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=15099720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58133228A Granted JPS6025193A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 薄膜ｅｌ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025193A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173764A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Futaba Corp | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP2000173766A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124182A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 | Sharp Kk | Thin film el panel |
| JPS5989385U (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-16 | 沖電気工業株式会社 | 表示器封止ケ−ス構造 |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP58133228A patent/JPS6025193A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124182A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 | Sharp Kk | Thin film el panel |
| JPS5989385U (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-16 | 沖電気工業株式会社 | 表示器封止ケ−ス構造 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173766A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| JP2000173764A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Futaba Corp | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532874B2 (ja) | 1993-05-18 |
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