JPS6041436B2 - 薄膜elパネル - Google Patents

薄膜elパネル

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JPS6041436B2
JPS6041436B2 JP55102706A JP10270680A JPS6041436B2 JP S6041436 B2 JPS6041436 B2 JP S6041436B2 JP 55102706 A JP55102706 A JP 55102706A JP 10270680 A JP10270680 A JP 10270680A JP S6041436 B2 JPS6041436 B2 JP S6041436B2
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JP
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thin film
film
thin
panel
fluid
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JP55102706A
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欽一 井坂
順 川口
利昭 石井
久 上出
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS5727595A publication Critical patent/JPS5727595A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は交流電界の印加に依ってEL(Electro
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子
を使用したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜ELパネルの構造に関するものである。
従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(1ぴV/肌程度)を印加し、絶縁耐圧、
発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜
2.肌t%のMn(あるいはCu,川,Br等)をドー
プしたZnS,ZnSe等の半導体発光層をY203,
Ti02等の誘電体薄膜でサンドィッチした三層構造Z
nS:Mn(又はZnSe:Mn)EL素子が開発され
、発光諸特性の向上が確められている。
この薄膜由L素子は数K比の交流電界印加によって高輝
度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有している
。またこの薄膜EL素子に関しては印加電圧を昇圧して
いく過程と高電圧側より降圧していく過程で、同じ印加
電圧に対して発光輝度が異なるといったヒステリシス特
性をを有していることが発見され、そしてこのヒステリ
シス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧する過
程に於いて、光、電界、熱等が付与される薄膜EL素子
はその強度に対応した発光輝度の状態に励起され、光、
電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光輝度は高
くなった状態で維持される、いわゆるメモリー現象が表
示技術の新たな利用分野を開拓するに至った。薄膜EL
素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の基本的構
造を第1図に示す。
第1図に塞いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板1上にln203,Sn02等の透明電
極2、さらにその上に積層してY203,Tj02,A
I203,Si3N4,Si02等からなる第1の誘電
体層3がスパッタあるいは電子ビーム葵着法等により重
畳形成されている。
第1の誘電体層3上にはZnS:Mn焼結べレットを電
子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層4が
形成されている。この時蒸着用のZnS:Mn焼結べレ
ツトには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたべレットが使用される。ZnS発光層4上には蒸
着法等で第2の誘電体層5が積層され、更にその上にA
I等から成る背面電極6が蒸着形成されている。
透明電極2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜
EL素子が駆動される。電極2,6間にAC電圧に印加
すると、ZnS発光層4の両側の誘電体層3,5間に上
記AC電圧が誘起されることになり、従ってZnS発光
層4内に発生した電界によって伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接Mn発光
センターを励起し、励起されたMn発光センターが基底
状態に戻る際に黄色の発光を行なう。
即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4中の発光
センターであるZnサイドに入ったMn原子を励起し、
基底状態に落ちる時、略々5850Aをピークに幅広い
波長領域で、強い発光を呈する。上記の如き構造を有す
る薄膜EL素子はスペース・フアクタの利点を生かした
平面薄型ディスプレイ・デバイスとそして、文字及び図
形を含むコンピュータ−の出力表示端末機器その他種々
の表示装置に文字、記号、静止画像、勤画像等の表示手
段として利用することができる。平面簿型表示装置とし
ての薄膜ELパネルは従来のブラウン管(CRT)と比
較して動作電圧が低く、同じ平面型ディスプレイ・デバ
イスであるプラズマディスプレイパネル(PDP)と比
較すれば重量や強度面で優れており、液晶(LCD)に
比べて動作可能温度範囲が広く、応答速度が速い等多く
の利点を有している。また純固体マトリックス型パネル
として使用できるため動作寿命が長く、そのアドレスの
正確さとともにコンピュータ等を入出力表示手段として
非常に有効なものである。しかしながら薄膜EL素子の
誘電体層は製造工程途中で発生した多数のピンホールや
マイクロクラック等を含み、これらの欠陥を通してZn
S発光層4に湿気等が侵入するため、EL発光損失によ
る発熱、素子特性の劣化を招釆する。
上記問題を解決することを目的として、薄膜EL素子背
面にSi3N4膜やAI203膜等の絶縁膜をコーティ
ングして保護する構造或いは絶縁膜の上に更に樹脂をコ
ーティングして保護する構造あるいは真空封止する構造
が開発されている。
しかし、薄膜EL素子を構成する各薄膜3,4,5に対
する絶縁膜のコーティングによる保護膜形成には、微少
ゴミ、異物等の付着が原因となつてピンホール等ができ
易いこと、さらに大面積化に伴ない、欠陥を含まない均
一な保護膜の生成が困難となること等の問題点がある。
また完全な保護膜形成が得られたとしても、薄膜EL素
子の微少領域での不完全ごによって通電時に発光面にブ
レークダウンを生じ、その結果微小領域の熱損傷によっ
て保護膜も損傷を受け、その損傷部分から薄膜EL素子
の破壊、劣化の主原因と考えられる大気中の湿気のEり
発光層へ侵入する。薄膜コーティングによる保護方法を
実現するためには、薄膜EL素子並びに保護膜のいずれ
にも完全均一なものが要求されるが、現段階における薄
膜生成技術で各種の構造欠陥を含まない充分繊密なEL
発光層および誘電体層を生成することは極めて困難であ
り、現実的な方法ではない。
一方、真空封止においては、前述の薄膜EL素子の不完
全さによるブレークダウンによって熱破壊が生じた際の
アウトガスによる真空度の劣化の問題、真空封止工程の
煩雑さが伴なう欠点がある。また薄膜によるコーティン
グ、真空封止共にEL発光損失に伴う発熱の放散効果が
ない等の欠点が掲げられ、凝固性樹脂コーティングに関
しては樹脂と薄膜EL素子の密着性が強い場合、通電時
に生じる振動、取扱い上の応力歪み、および熱応力歪み
等が薄膜EL素子の眉間剥離等の悪影響を与える。一方
、密着性が弱い場合には振動、たわみ、発熱によってギ
ャップを生じ大気中の湿気侵入を防止できなくなる欠点
がある。上記欠点に鑑み、薄膜EL素子特有の不完全さ
、即ちピンホール等によって通電時に生じるブレークダ
ウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定化
し、大気環境下での湿気保護、放熱効果、さらに振動、
たわみに対しても有効な改良技術となるシーリング方式
とそしてオイル等の流体注入封止法が提唱されている。
第2図にこの流体注入封止法を用いた薄膜ELパネルの
1例を示す。
この薄膜ELパネルは第1図に於ける透明電極2及び背
面電極6が帯状に形成され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリックス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置が
パネルの1絵素に相当する。第2図に塞いて説明すると
、ガラス基板1上に平行配列された透明電極2,第1の
譲露体層3、ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発
光層4上にはSi3N4腰とSi3N4膜上に重畳され
たAI203膜とから成る第2の誘電体層5が2層構造
で積層され、更に上記透明電極2と直交する方向に平行
配列された背面電極6が第2の譲露体層上に設けられ、
薄膜EL素子が構成されている。
この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板1にスベ
ーサ10を介して背面ガラス板11が対向配置され、ガ
ラス基板1、スベーサ10、及び背面ガラス板11の各
接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素子に対
する外囲器が構成されている。外囲器内には薄膜由L素
子が内蔵されるとともにシリコンオイル、真空グリース
等の薄膜EL素子保護用注入流体13が充填封入されて
いる。注入流体13に要求される条件としては‘1}ピ
ンホールへの浸透性があり、{2}絶縁耐圧が高く、‘
3}耐熱性、耐湿‘性に優れ、{4ー薄膜EL素子構成
膜と反応せず、■蒸気性、熱膨張係数の小さい流動性物
質であることが望ましいが特にピンホールへの浸透性が
あり絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子構成
膜と反応しないことを要する。スベーサ10としては厚
さ0.5肌のテフロンやポリィミド樹脂等の絶縁プラス
チックシートが使用されるが、その他シリコンゴム、ガ
ラス等も用いられる。スベーサー0【ま周辺にシリコン
オイル等注入用の微小注入孔14が1個乃至数個設けら
れている。注入孔14は背面ガラス板11に形成しても
よい。接着剤12としてはェポキシ系樹脂その他が用い
られ、接着剤12は没入孔14を除いて外函器の接合部
に付着される。また透明電極2及び背面電極6のリード
端子部15はガラス基板1と背面ガラス板11の接合部
を介して外囲器外部のガラス基板1上へその一端が延設
され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に接続され
ている。透明電極2及び背面電極6を介して交流電圧を
印加するとガラス基板1の前面より絵素単位の発光表示
が実行される。上記構成から成る薄膜ELパネルは大気
中の湿気の素子内侵入防止効果を有するため、薄膜EL
素子の信頼性、寿命を飛躍的に向上させる優れた効果を
有する。
しかしながら上記構成に於いても湿気侵入防止効果は完
全ではなくシーリング用オイル等の注入流体自体に水分
が含有されをためこの水分が薄膜EL素子に侵入して素
子特性の劣化要因になるという問題点が依然として残存
する。注入流体に含有される水分を注入前に完全に除去
することは技術的に困難であり、ガス出し操作を施こし
ても若干の水分は注入流体中に残留する。本発明は上記
問題点に鑑み、薄膜EL素子保護用注入流体に含有され
る水分を吸収体に吸着せしめ、薄膜由L素子を水分から
完全に保護してより一層の信頼性を確立するとともに吸
収体の沈殿を防止し、長期使用に対しても湿気侵入を抑
制し得る新規有用な薄膜ELパネルを提供することを目
的とする。以下、本発明を実施例に従って図面を参照し
ながら詳説する。
第3図は本発明の1実施例を示す薄膜ELパネルの要部
断面構成図である。
第2図と同一符号は同一内容を示し説明を省略する。第
2図同様薄膜EL素子が外囲器内に内蔵され、シリコン
オイル、真空グリース等の注入流体13が充填封入され
ている。
外圏器内に充填される注入流体13はあらかじめ十分に
脱ガスされたシリコンオイル等と粒径3〜75山肌の微
粒子シリカゲル等から成る水分吸収体が混合されたもの
であり、シリカゲル量としてはシリコンオイル10cc
に対して0.5〜52が適量範囲である。シリカゲルは
シリコンオイル等が非イオン性であるため、シリコンオ
イル等に妨げられることなくイオン性を有する水分を吸
着することができる。注入流体13に高濃度に混入され
たシリカゲルは注入流体に溶解されていなく、長時間静
止状態で使用を続けると沈殿によりシリカゲルが偏在さ
れることになる。シリカゲルは注入流体13に含有され
る水分を除去するものであり、従ってこれが偏在すると
注入流体13からの水分吸収が不完全となる。このシリ
カゲルの偏在を防止するため、背面ガラス板1 1と薄
膜EL素子との間に形成された空隙に多数の透孔17が
穿設されたストッパー板16を介談する。第4図A,B
はこのストッパー板16の種々の形状を示す平面図であ
る。ガラス基板1と背面ガラス板11間の間隙寸法は通
常0.5〜1.仇肌程度に設定されており、ストッパー
板16の挿入により背面ガラス板11と薄膜EL素子の
間隙を部分的に0〜0.3側の間隙とし、この部分でシ
リカゲルの移動を阻止する。透孔17の部分は移動が阻
止されたシリカゲルの溜り部分となる。外囲器への流体
注入は以下の如くとする。
即ち、外園器接着後両者を100午0〜20000に昇
溢し、10‐りorr以下の減圧下で脱ガス処理した後
、外圏器と注入流体の貯溜された流体収納槽を真空槽内
に設置する。外囲器の注入孔14には流体の吸引通路と
なる注入パイプが付設され、注入パイプの先端は流体収
納槽内の注入流体と離反している。この状態で真空槽内
を減圧し、注入流体及び薄膜EL素子のガス出しを行な
う。次に真空保持のまま流体収納槽を上昇させ、注入パ
イプの先端を注入流体内に挿入させる。この後、真空槽
を大気圧下に戻し、これによって外園器内へ流体収納槽
20内の注入流体を注入パィィプを介して注入される。
この時真空槽内を必要に応じて昇温させ、注入流体の流
動性を高めることもできる。
注入流体の注入操作が完了すると、注入パイプと外囲器
接合部近傍の注入パイプを圧着し、仮封止を行なう。
その後仮封止部の注入パイプを切断し、切断部をェポキ
シ系樹脂により封止補強し、封入操作工程が完了する。
上記工程に於いて、パネル内外の圧力差を利用して注入
流体を注入する際、圧力差によって背面ガラス板11が
内方へ歪むことがあり、このため薄膜EL素子を損傷す
る危倶が発生する。
しかしながら、ストッパー板16に弾力性を有する材料
を用いることにより、歪に対するクッションとしての作
用をさせ、薄膜EL素子の損傷を防止することができる
。このような材料としてはシリコンゴム、ポリウレタン
等の合成樹脂又は絹状に綴った維縦等が適当である。以
上詳説した如く、本発明によれば薄膜ELパネルに注入
された薄膜EL素子保護用流体で大気中の湿気が薄膜E
L素子に侵入することを防止するのみならず、流体自体
の有する水分も流体中の水分吸収体に吸着されかつ長期
使用に対しても水分吸収体の偏在が起こらないため、薄
膜EL素子に対する水分侵入防止効果がより一層顕著な
ものとなり、薄膜ELパネルの表示寿命が飛躍的に向上
する。
また、ストッパー板は弾力性があり、これを背面板と薄
膜EL素子間に設けるようにしているので、保護用流体
注入時の薄膜由L素子の損傷を防止する利点もある。
【図面の簡単な説明】 第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成図である
。 第2図は従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部断面構
成図である。第3図は本発明の1実施例を示す要部断面
構成図である。第4図A,Bはストッパー板の構成を示
す平面図である。1・・…・ガラス基、10・・・・・
・スベーサ、11・・・・・・背面ガラス板、13・・
・・・・注入流体、16・・・・・・ストッパー板。 弟′図 第2図 第3図 築く図仏ノ 第4 図 ′8ノ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
    EL素子を内蔵し、前記透光性前面基板を介して表示を
    実行する薄膜ELパネルに於いて、前記外囲器内に水分
    吸収体の含有された保護用流体を注入するとともに、前
    記水分吸収体の偏在を防止する多孔性でかつ弾力性ある
    ストツパー板を前記背面板と前記薄膜EL素子の間に設
    けてなることを特徴とする薄膜ELパネル。
JP55102706A 1980-07-25 1980-07-25 薄膜elパネル Expired JPS6041436B2 (ja)

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JP55102706A JPS6041436B2 (ja) 1980-07-25 1980-07-25 薄膜elパネル

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JPS5727595A JPS5727595A (en) 1982-02-13
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6251191A (ja) * 1985-08-28 1987-03-05 日本精機株式会社 薄膜elパネル
JPH03121700U (ja) * 1990-02-21 1991-12-12

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JPS5727595A (en) 1982-02-13

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