JPS60252455A - アミノ酸アミドの新規製造法 - Google Patents
アミノ酸アミドの新規製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアミノ酸アミドの新規製造法に関する。
カルシトニン(Ca1citonin )、性腺刺激ホ
ルモン放出ホルモン(LH−1’%H)、メラニン細胞
刺激ホルモン(α−MSH)、セクレチ7 (5ecr
ciin )、P物質(5ubstance P )、
甲状腺刺激ホルモン放出ホルモン(TRH)、血管作用
性小腸ペプチド(VIP)、パップレフ シン(Vas
oplessin )のように、天然の生理活性ペプチ
ドの中にはカルボギシル基末端がアミド化されたペプチ
ドが数多く存在する(ファルマシアレビー−N13、生
理活性ペプチド、日本薬学会、工980参照)。アミノ
酸アミドはこれらの天然のペプチドおよびその関連化合
物を合成する出発原料として極めて重要な化合物である
。
ルモン放出ホルモン(LH−1’%H)、メラニン細胞
刺激ホルモン(α−MSH)、セクレチ7 (5ecr
ciin )、P物質(5ubstance P )、
甲状腺刺激ホルモン放出ホルモン(TRH)、血管作用
性小腸ペプチド(VIP)、パップレフ シン(Vas
oplessin )のように、天然の生理活性ペプチ
ドの中にはカルボギシル基末端がアミド化されたペプチ
ドが数多く存在する(ファルマシアレビー−N13、生
理活性ペプチド、日本薬学会、工980参照)。アミノ
酸アミドはこれらの天然のペプチドおよびその関連化合
物を合成する出発原料として極めて重要な化合物である
。
また、N−保護アミノ酸アミドは沖環β−ラクタムの出
発材料としても有用な物質である。
発材料としても有用な物質である。
例えば、N−ベンジルオキシカルボニル−L −スレオ
ニンアミドはアズスレオナムの出発原料である(特開昭
56 125362号参照)。
ニンアミドはアズスレオナムの出発原料である(特開昭
56 125362号参照)。
従来アミノ酸アミドまたは、ぺ一保護アミノ酸アミドの
與造法に関しては例えば、 1)アミノ酸の低級アルキルエステルを加アミン分解に
よりアミノ酸アミドを得、しかるのち必要に応じて遊離
のアミン基を保護する方法 2) N−myアミノ酸とアミンをジシクロへキシルカ
ルボジイミド、エチルジメチルアミンプロピルカルポジ
イミドなどのカルボジイミドを用いて直接縮合させ、次
いで必要に応じて保護基を除去する方法 3) N−保護アミノ酸とアルキル炭酸の混合酸無水物
をアミンと反応させ、次いで必要に応じて保護基を除去
する方法 などが知られている。
與造法に関しては例えば、 1)アミノ酸の低級アルキルエステルを加アミン分解に
よりアミノ酸アミドを得、しかるのち必要に応じて遊離
のアミン基を保護する方法 2) N−myアミノ酸とアミンをジシクロへキシルカ
ルボジイミド、エチルジメチルアミンプロピルカルポジ
イミドなどのカルボジイミドを用いて直接縮合させ、次
いで必要に応じて保護基を除去する方法 3) N−保護アミノ酸とアルキル炭酸の混合酸無水物
をアミンと反応させ、次いで必要に応じて保護基を除去
する方法 などが知られている。
しかし、これらの方法は、いずれも実験室的規模での合
成には適しても大量生産には適さない。すなわち、1)
の方法を実施するには大過剰のアンモニアガスとアンモ
ニアガスの漏洩を防ぐため加圧反応釜が必要であり、価
格面と安全面で問題がある。2)の方法では高価で、か
つ皮膚に付着すると激しいカブレを引き起すカルボジイ
ミドが必要であり、また、3)の方法では、混合酸無水
物が不安定なため−20℃以下という反応条件が必要で
あり、価格面と設備面で問題が残る。
成には適しても大量生産には適さない。すなわち、1)
の方法を実施するには大過剰のアンモニアガスとアンモ
ニアガスの漏洩を防ぐため加圧反応釜が必要であり、価
格面と安全面で問題がある。2)の方法では高価で、か
つ皮膚に付着すると激しいカブレを引き起すカルボジイ
ミドが必要であり、また、3)の方法では、混合酸無水
物が不安定なため−20℃以下という反応条件が必要で
あり、価格面と設備面で問題が残る。
C問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明者等はべ一保護アミノ酸アミド類の大量
生産に適した方法を開発すべく鋭意検討した結果、ハロ
ゲン化リンおよびオキシハロゲン化リンから選ばれた少
なくとも1種のリン化合物と一般式(11 (式中XおよびYは同一もしくは異なって水素原子、炭
素数1個ないし7個の低級アルキル基、アリル基または
アラルキル基を示す。)で表わされるアミンを反応させ
、次いでN−保護アミノ酸(側鎖に官能基ある場合、そ
の官能基は保護されていてもよい)を反応させ、必要に
応じて保護基を除去すると一般式曲 (式中A−Coはアミン基が保護されていてもよいアミ
ノ酸残基を示す。) で表わされるアミノ酸アミドが得られることを見い出し
た。
生産に適した方法を開発すべく鋭意検討した結果、ハロ
ゲン化リンおよびオキシハロゲン化リンから選ばれた少
なくとも1種のリン化合物と一般式(11 (式中XおよびYは同一もしくは異なって水素原子、炭
素数1個ないし7個の低級アルキル基、アリル基または
アラルキル基を示す。)で表わされるアミンを反応させ
、次いでN−保護アミノ酸(側鎖に官能基ある場合、そ
の官能基は保護されていてもよい)を反応させ、必要に
応じて保護基を除去すると一般式曲 (式中A−Coはアミン基が保護されていてもよいアミ
ノ酸残基を示す。) で表わされるアミノ酸アミドが得られることを見い出し
た。
本発明をさらに詳細に説明すると、本発明の原料として
用いられるハロゲン化リンとしては例えば三ハロゲン化
リンや五ハロゲン化リンなどがあげられ、具体的には例
えば三塩化リン、三臭化リン、五塩化リン、五臭化リン
などがあげられる。オキシハロゲン化リンとしては例え
ばオキシ塩化リン、オキシ臭化リンなどがあげられる。
用いられるハロゲン化リンとしては例えば三ハロゲン化
リンや五ハロゲン化リンなどがあげられ、具体的には例
えば三塩化リン、三臭化リン、五塩化リン、五臭化リン
などがあげられる。オキシハロゲン化リンとしては例え
ばオキシ塩化リン、オキシ臭化リンなどがあげられる。
また使用されるアミン類は一般式(IIで表わされるア
ミンであり、X、Yは同一または異って水素原子または
炭素数1〜7のアルキル基、アリル基、アラルキル基を
示し、分岐可能なものは分岐していても良く環状であっ
ても差支えない。
ミンであり、X、Yは同一または異って水素原子または
炭素数1〜7のアルキル基、アリル基、アラルキル基を
示し、分岐可能なものは分岐していても良く環状であっ
ても差支えない。
X、Yの具体的な例としてはメチル基、エチル基、グロ
ビル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペプチル
基等の炭素数1ないし7の低級アルキル基、フェニル基
およびベンジル基などがあげられる。
ビル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペプチル
基等の炭素数1ないし7の低級アルキル基、フェニル基
およびベンジル基などがあげられる。
一般式(Tlのアミンの具体的な代表例と(7ては、ア
ンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミ
ン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、
ヘプチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ
プロピルアミン、メチルベンジルアミン、エチルベンジ
ルアミン、アニリン、ベンジルアミンなどがあげられる
。
ンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミ
ン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、
ヘプチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ
プロピルアミン、メチルベンジルアミン、エチルベンジ
ルアミン、アニリン、ベンジルアミンなどがあげられる
。
本発明で使用されるN−保護アミノ酸忙おけるアミノ酸
としてはモノアミノモノカルボン酸に限定されるもので
はなく、側鎖に官能基を有するアミノ酸であっても何ら
差し障りない。アミノ酸の具体的な代表例としては、 グリシン、アラニン、β−アラニン、オルニチン、アス
パラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グルタミン
、ピログルタミン酸、ヒスチジン、ヒドロキシリジン、
ヒドロキシプロリン、インロイシン、ロイシン、リジン
、フェニルアラニン、フロリン、セリン、スレオニン、
トリプトファン、チロシン、バリン、フェニルグリシン
、ヒドロキシフェニルグリシン、γ−アミノ酪酸、メチ
オニン、アルギニン、システィンなどがあげられる。
としてはモノアミノモノカルボン酸に限定されるもので
はなく、側鎖に官能基を有するアミノ酸であっても何ら
差し障りない。アミノ酸の具体的な代表例としては、 グリシン、アラニン、β−アラニン、オルニチン、アス
パラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グルタミン
、ピログルタミン酸、ヒスチジン、ヒドロキシリジン、
ヒドロキシプロリン、インロイシン、ロイシン、リジン
、フェニルアラニン、フロリン、セリン、スレオニン、
トリプトファン、チロシン、バリン、フェニルグリシン
、ヒドロキシフェニルグリシン、γ−アミノ酪酸、メチ
オニン、アルギニン、システィンなどがあげられる。
本発明のN−保護アミノ酸の保護基としてはペプチド化
学で用いられるアミン基の保護基を用いることができる
が、中でも好ましい保護基としてはベンジルオキシカル
ボニル基、フェニル基上に低級アルコキシ基、低級アル
キル基、ハロゲン原子、ニトロ基を有するベンジルオキ
シカルボニル基(例えばp−メトキシベンジルオキシカ
ルボニル基、p−クロロベンジルオキシカルボニル基、
p−ブロモベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル基)、ter t−アルコキシ
カルボニルM(例えばter t−ブチルオキシカルボ
ニル基、tert −ペントキシカルボニル基〕、ホル
ミル基およびフタリル基が一般的である。
学で用いられるアミン基の保護基を用いることができる
が、中でも好ましい保護基としてはベンジルオキシカル
ボニル基、フェニル基上に低級アルコキシ基、低級アル
キル基、ハロゲン原子、ニトロ基を有するベンジルオキ
シカルボニル基(例えばp−メトキシベンジルオキシカ
ルボニル基、p−クロロベンジルオキシカルボニル基、
p−ブロモベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル基)、ter t−アルコキシ
カルボニルM(例えばter t−ブチルオキシカルボ
ニル基、tert −ペントキシカルボニル基〕、ホル
ミル基およびフタリル基が一般的である。
側鎖に官能基を有するアミノ酸を使用する場合、この側
鎖官能基は保護されていてもよい。
鎖官能基は保護されていてもよい。
ここで使用される保護基は側鎖官能基の種類に応じ、ペ
プチド化学で通常用いられる保護基を用(・ることかで
きる。側鎖官能基の保護されたアミノ酸の代表例として
は、δ−ベンジルオキシカルボニル又は1−ブトキシカ
ルボニル−オルニチン、アスパラギン酸β−ベンジル又
はt−7’fルエステル、グルタミン酸γ−ベンジル又
はt−ブチルエステル、N ・〜へンジルヒスm チシン、N −)zルヒスチジン、0−ベンジル又はt
−ブチルヒドロキシリジン、O−ベンジル又は1−ブチ
ルヒドロキシプロリン、ε−ペンジルオキシカルホ゛ニ
ル又はt−ブトキシカルボニルリシン、0−ベンジル又
はt−ブチルセリン、0−ベンジル又はt−ブチルスレ
オニン、0−ベンジル又はt−ブチルチロシン、〇−ベ
ンジル又はt−ブチルヒドロキシフェニルクリシン、メ
チオニンスルホキシド、N−)シル又はニトロ又はベン
ジルオキシカルボニルアルギニン、S−ベンジル又はメ
トキシベンジル又はアセトアミトメナルシスナインなど
があげられる。
プチド化学で通常用いられる保護基を用(・ることかで
きる。側鎖官能基の保護されたアミノ酸の代表例として
は、δ−ベンジルオキシカルボニル又は1−ブトキシカ
ルボニル−オルニチン、アスパラギン酸β−ベンジル又
はt−7’fルエステル、グルタミン酸γ−ベンジル又
はt−ブチルエステル、N ・〜へンジルヒスm チシン、N −)zルヒスチジン、0−ベンジル又はt
−ブチルヒドロキシリジン、O−ベンジル又は1−ブチ
ルヒドロキシプロリン、ε−ペンジルオキシカルホ゛ニ
ル又はt−ブトキシカルボニルリシン、0−ベンジル又
はt−ブチルセリン、0−ベンジル又はt−ブチルスレ
オニン、0−ベンジル又はt−ブチルチロシン、〇−ベ
ンジル又はt−ブチルヒドロキシフェニルクリシン、メ
チオニンスルホキシド、N−)シル又はニトロ又はベン
ジルオキシカルボニルアルギニン、S−ベンジル又はメ
トキシベンジル又はアセトアミトメナルシスナインなど
があげられる。
なお、不整炭素を有するアミノ酸の立体配位ことができ
る。すなわち、その一つは先述の溶媒中にハロゲン化リ
ンまたはオキシノ・ロケン化リン(以下ハロゲン化リン
類と省略する。)を溶解させ、水冷下アミン類を加えて
反応させ、しかるのち反応生成物を単離し、溶媒中でN
−保護アミノ酸と反応させる方法であり、他の一つは生
成物を単離することなく溶液のまま次のN−保護アミノ
酸との反応に供する方法である。
る。すなわち、その一つは先述の溶媒中にハロゲン化リ
ンまたはオキシノ・ロケン化リン(以下ハロゲン化リン
類と省略する。)を溶解させ、水冷下アミン類を加えて
反応させ、しかるのち反応生成物を単離し、溶媒中でN
−保護アミノ酸と反応させる方法であり、他の一つは生
成物を単離することなく溶液のまま次のN−保護アミノ
酸との反応に供する方法である。
しかしながら、反応生成物の安定性および操作性の両面
から考えて後者の方法が望ましい。
から考えて後者の方法が望ましい。
本発明に用いる溶媒としては反応に関与しない溶媒であ
れば特に制限はなく、具体的な例としてはジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素のようなハロゲン化炭化
水素類、ジオキサン、テトラヒドロフランのような環状
エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、のヨウナ
芳香族炭化水素類、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエ
ステル、 酢酸n −フロプルエステルのようなエステ
ル類などがあげられる。
れば特に制限はなく、具体的な例としてはジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素のようなハロゲン化炭化
水素類、ジオキサン、テトラヒドロフランのような環状
エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、のヨウナ
芳香族炭化水素類、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエ
ステル、 酢酸n −フロプルエステルのようなエステ
ル類などがあげられる。
本発明の反応試薬であるハロゲン化リン類の量はN−保
護アミノ酸に対して0.5モル当量以上であれば特に制
限はないが1.0ないし1.5モル当量が好ましい。ま
たアミンの量はハロゲン化リン類に対し3〜10モル当
量好ましくは5〜8モル当量である。
護アミノ酸に対して0.5モル当量以上であれば特に制
限はないが1.0ないし1.5モル当量が好ましい。ま
たアミンの量はハロゲン化リン類に対し3〜10モル当
量好ましくは5〜8モル当量である。
本発明に用いる反応温度は特に制限はないが通常室温か
ら溶媒の沸点の間で行うことができるが沸点が60〜1
00℃の溶媒を用い、沸点ないし沸点に近い温度で行う
ことが望ましく、反応は通常2〜8時間で完結する。
ら溶媒の沸点の間で行うことができるが沸点が60〜1
00℃の溶媒を用い、沸点ないし沸点に近い温度で行う
ことが望ましく、反応は通常2〜8時間で完結する。
かくして生成したN−保護アミノ酸アミドはそのもの自
身反応溶媒に溶解する場合は水を加え目的化合物を有機
溶媒層に抽出し、必要とあらば5%炭酸水素ナトリウム
水溶液、飽和食塩水で順次洗浄を行い溶媒を減圧除去し
た後、水または適当な溶媒を加え結晶化させることによ
って簡単に単離することができる。
身反応溶媒に溶解する場合は水を加え目的化合物を有機
溶媒層に抽出し、必要とあらば5%炭酸水素ナトリウム
水溶液、飽和食塩水で順次洗浄を行い溶媒を減圧除去し
た後、水または適当な溶媒を加え結晶化させることによ
って簡単に単離することができる。
目的化合物が反応溶媒に溶解しない場合は、いったん溶
媒を減圧除去した後、抽出溶媒を加え上記と同様の操作
により単離できる。また目的化合物が水に不溶な場合は
溶媒を減圧除去後、水を加え結晶化させることにより単
離できる。
媒を減圧除去した後、抽出溶媒を加え上記と同様の操作
により単離できる。また目的化合物が水に不溶な場合は
溶媒を減圧除去後、水を加え結晶化させることにより単
離できる。
単離されたN−保護アミノ酸アミドは必要に応じてN−
保護基を公知の方法で除去してアミノ酸アミドとするこ
ともできる。
保護基を公知の方法で除去してアミノ酸アミドとするこ
ともできる。
保護基の除去は保護基の種類または溶媒等の種類に応じ
て、溶媒の沸点以下の温度例えば、−50℃〜150℃
好ましくは−400〜120℃の範囲で行うことができ
、溶媒としては無機、有機の種々の溶媒を使用すること
ができるが、無機溶媒としては水、液体アンモニア、液
体フッ化水素等が、有機溶媒としてはC1〜C4のアル
コール、酢酸、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の
水性溶媒、酢酸低級アルキルエステルなどをあげること
ができ、これらは場合により混合溶媒として使用するこ
とができる。
て、溶媒の沸点以下の温度例えば、−50℃〜150℃
好ましくは−400〜120℃の範囲で行うことができ
、溶媒としては無機、有機の種々の溶媒を使用すること
ができるが、無機溶媒としては水、液体アンモニア、液
体フッ化水素等が、有機溶媒としてはC1〜C4のアル
コール、酢酸、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の
水性溶媒、酢酸低級アルキルエステルなどをあげること
ができ、これらは場合により混合溶媒として使用するこ
とができる。
保護基の除去方法としては保護基の種類により、還元(
例えば接触還元またはアルカリ金属とアンモニアによる
還元)、加水分解、酸分解、ヒドラジン分解等の方法が
あげられる。好ましい保護基の種類と好ましい除去法を
第1表に示す。
例えば接触還元またはアルカリ金属とアンモニアによる
還元)、加水分解、酸分解、ヒドラジン分解等の方法が
あげられる。好ましい保護基の種類と好ましい除去法を
第1表に示す。
第1表中において、十記号は保護基が除去できることを
示しており、保護基の除去にはこの記号のついた方法が
使用される。−記号はその方法では保護基が除去されな
いことを示す。士は一部除去または分解を示し、保護基
の除去にはあまり適さないことを示す。
示しており、保護基の除去にはこの記号のついた方法が
使用される。−記号はその方法では保護基が除去されな
いことを示す。士は一部除去または分解を示し、保護基
の除去にはあまり適さないことを示す。
なお本発明で使用できる保護基としては第1表記載のも
のに限定されず、ペプチド化学に於て汎用されているも
のを使用することができる。
のに限定されず、ペプチド化学に於て汎用されているも
のを使用することができる。
又、側鎖に保護された官能基を有するアミノ酸を使用し
た場合は必要に応じ、その保護基を公知の方法で除去す
ることもできる。
た場合は必要に応じ、その保護基を公知の方法で除去す
ることもできる。
本発明によると加圧反応釜などの特殊な反応装置や一2
0°G以下という特殊な反応条件は不要であり、又、カ
ルボジイミドなどの高価な原料を必要とせず、しかも一
般式刊のアミノ酸アミドがラセミ化することなく高純度
、高収率で得ることができる。従って本発明方法はアミ
ノ酸アミドの大量生産に適した方法である。
0°G以下という特殊な反応条件は不要であり、又、カ
ルボジイミドなどの高価な原料を必要とせず、しかも一
般式刊のアミノ酸アミドがラセミ化することなく高純度
、高収率で得ることができる。従って本発明方法はアミ
ノ酸アミドの大量生産に適した方法である。
実施例1゜
クロロホルム30rnl中に三塩化リン]37ψ(10
,0mmol )を加え5℃に冷却し、この溶液にアン
モニアガス1.02 f (60,0mmol)を5〜
20℃の温度範囲で導入する。導入後、N −(ter
t =ブチルオキシカルボニル)−、T、−バリン2.
16 !12−(10,0mmol、 )を加え、加熱
還流下7時間反応させる。反応後反応液を減圧濃縮して
クロロホルムを留去し、残有に酢酸エチル20 mlと
水20m6を加え、生成物を酢酸エチル層に抽出する。
,0mmol )を加え5℃に冷却し、この溶液にアン
モニアガス1.02 f (60,0mmol)を5〜
20℃の温度範囲で導入する。導入後、N −(ter
t =ブチルオキシカルボニル)−、T、−バリン2.
16 !12−(10,0mmol、 )を加え、加熱
還流下7時間反応させる。反応後反応液を減圧濃縮して
クロロホルムを留去し、残有に酢酸エチル20 mlと
水20m6を加え、生成物を酢酸エチル層に抽出する。
抽出液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液]、 Q ml
と飽和食塩水10mgで順次洗浄し、得られた酢酸エチ
ル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ溶媒を減圧にて留
去するとへ−(tert−ブチルオキシカルボニル)−
L−バリンアミド1.60!i’(収率74.3%)が
得られる。
と飽和食塩水10mgで順次洗浄し、得られた酢酸エチ
ル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ溶媒を減圧にて留
去するとへ−(tert−ブチルオキシカルボニル)−
L−バリンアミド1.60!i’(収率74.3%)が
得られる。
融点 156〜157℃
〔α3品0−10.1° (C=1.0.酢酸)このも
のはNMR,IRにおいて別途合成した標準品と完全に
一致した。
のはNMR,IRにおいて別途合成した標準品と完全に
一致した。
実施例2゜
クロロホルム30m1!中に三塩化リン1.37 P(
10,0mmol )を加え5℃に冷却し、この溶液に
アンモニアガス0.85 P (50,0mmol )
を温度20℃以下で導入する。導入後N−ベンジルオキ
シカルボ=#−L−プロリフ 2.49 !i’ (1
0,Ommol)を加え、加熱還流下14時間反応させ
る。反応後反応液を減圧濃縮してクロロホルムを留去し
、残有に水20 mlを加え溶液とし、IN水酸化ナト
リウム水溶液にてpHを8.0に調整する。次に酢酸エ
チル30m1で2回抽出し、酢酸エチル層を飽和食塩水
15m1で洗浄後無水硫酸ナトl)ラムで乾燥する。
10,0mmol )を加え5℃に冷却し、この溶液に
アンモニアガス0.85 P (50,0mmol )
を温度20℃以下で導入する。導入後N−ベンジルオキ
シカルボ=#−L−プロリフ 2.49 !i’ (1
0,Ommol)を加え、加熱還流下14時間反応させ
る。反応後反応液を減圧濃縮してクロロホルムを留去し
、残有に水20 mlを加え溶液とし、IN水酸化ナト
リウム水溶液にてpHを8.0に調整する。次に酢酸エ
チル30m1で2回抽出し、酢酸エチル層を飽和食塩水
15m1で洗浄後無水硫酸ナトl)ラムで乾燥する。
溶媒を減圧濃縮して留去すると油状物が得られる。
11−ヘキサン2Qrnlより結晶化させ戸数、乾燥す
ることによりN−ベンジルオキシカルボニル−L−プロ
リンアミド2.40PC収率97゜6%)が得られる。
ることによりN−ベンジルオキシカルボニル−L−プロ
リンアミド2.40PC収率97゜6%)が得られる。
融点 87−89°C
〔α耳0−32.1° (C=2.0.エタノール)こ
のものはNMR,IR,において別途合成した標準品と
完全に一致した。
のものはNMR,IR,において別途合成した標準品と
完全に一致した。
実施例3
テトラヒドロフラン4Ornl中に三塩化リンl、37
fl□ (10,0mmol )を加え5℃に冷却しこ
の溶液にアンモニアガス1.02 F (60,Orn
mol )を温度20℃以下で導入する。導入後N−(
p−メトキシベンジルオキシカルボニル) −L−7ラ
ニン2.51P (10,0mmol )を加え加熱還
流下25時間反応させる。溶媒を減圧濃縮して留去後実
施例1と同様に処理することによりN−(p−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル)−L−アラニンアミド2.
07!i’(収率82.1%)が得られる。
fl□ (10,0mmol )を加え5℃に冷却しこ
の溶液にアンモニアガス1.02 F (60,Orn
mol )を温度20℃以下で導入する。導入後N−(
p−メトキシベンジルオキシカルボニル) −L−7ラ
ニン2.51P (10,0mmol )を加え加熱還
流下25時間反応させる。溶媒を減圧濃縮して留去後実
施例1と同様に処理することによりN−(p−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル)−L−アラニンアミド2.
07!i’(収率82.1%)が得られる。
融点 j36−137℃
〔α〕9° +19.5° (C二1.0.ジメチルホ
ルムアミド)このものはNMR,IRにおいて別途合成
した標準品と完全に一致した。
ルムアミド)このものはNMR,IRにおいて別途合成
した標準品と完全に一致した。
実施例4゜
クロロホルム30m7!中に三塩化リン1.10P(7
,9mmol )を加え、5℃に冷却し、この溶液にア
ンモニアガス0.67 P(39,5mmol)を温度
20℃以下で導入する。導入後へ一ベンジルオキシカA
/ ホ= /I/ −L−フェニルアラニy2.36F
(7,9mmol )を加え、加熱還流下6時間反応さ
せる。反応後反応液を減圧濃縮して溶媒な留去後、実施
例工と同様に処理することにより粗結晶が得られる。
,9mmol )を加え、5℃に冷却し、この溶液にア
ンモニアガス0.67 P(39,5mmol)を温度
20℃以下で導入する。導入後へ一ベンジルオキシカA
/ ホ= /I/ −L−フェニルアラニy2.36F
(7,9mmol )を加え、加熱還流下6時間反応さ
せる。反応後反応液を減圧濃縮して溶媒な留去後、実施
例工と同様に処理することにより粗結晶が得られる。
さらに50%メタノール水溶液60TLlより再結晶す
ることによりN−ベンジルオキシカルボニル−L−フェ
ニルアラニンアミド1.35 P (収率875%)が
得られる。
ることによりN−ベンジルオキシカルボニル−L−フェ
ニルアラニンアミド1.35 P (収率875%)が
得られる。
融点 160−161°C
〔α几0−7.2° (C=1.0.メタノール〕この
ものはNMR、i Rにおいて別途合成した標準品と完
全に一致した。
ものはNMR、i Rにおいて別途合成した標準品と完
全に一致した。
実施例5
テトラヒドロフラン300 ml中にオキシ塩化リン1
5.30 P (0,1mmol )を加え5℃に冷却
し、この溶液にアンモニアガス8.50 P (0,5
mol )を温度20℃以下で導入する。導入後へ一ベ
ンジルオキシカルボニルーL−フェニルアラニン29.
90g−(0,1mol )を加え、加熱還流下6時間
反応させる。反応後反応液を減圧濃縮して溶媒を留去し
、以下実施例1と同様に処理した後、水170m/!を
加え戸数、乾燥することによりN−ベンジルオキシカル
ボニル−L−フェニルアラニンアミド28.005’(
収率940%)が得られる。
5.30 P (0,1mmol )を加え5℃に冷却
し、この溶液にアンモニアガス8.50 P (0,5
mol )を温度20℃以下で導入する。導入後へ一ベ
ンジルオキシカルボニルーL−フェニルアラニン29.
90g−(0,1mol )を加え、加熱還流下6時間
反応させる。反応後反応液を減圧濃縮して溶媒を留去し
、以下実施例1と同様に処理した後、水170m/!を
加え戸数、乾燥することによりN−ベンジルオキシカル
ボニル−L−フェニルアラニンアミド28.005’(
収率940%)が得られる。
実施例6゜
クロロホルム30m1中に三塩化リン1.l0P(7,
9mmol )を加え5°Cに冷却し、この溶液にアン
モニアガス0.80 P(47,4vtl )を温度2
0℃以下で導入する。導入後、ヘーペンジルオキシカル
ボニルスレオニン2.00 P C7,9mmol )
を加え、加熱還流下10時間反応させる。反応後反応液
を減圧濃縮して溶媒を留去したのち、実施例】と同様に
処理して水LOmlを加え、結晶化させ析出した結晶を
戸数、乾燥することによりN−ベンジルオキシカルボニ
ル−L−スレオニンアミ)”0.99P(収率50%)
が得られる。
9mmol )を加え5°Cに冷却し、この溶液にアン
モニアガス0.80 P(47,4vtl )を温度2
0℃以下で導入する。導入後、ヘーペンジルオキシカル
ボニルスレオニン2.00 P C7,9mmol )
を加え、加熱還流下10時間反応させる。反応後反応液
を減圧濃縮して溶媒を留去したのち、実施例】と同様に
処理して水LOmlを加え、結晶化させ析出した結晶を
戸数、乾燥することによりN−ベンジルオキシカルボニ
ル−L−スレオニンアミ)”0.99P(収率50%)
が得られる。
融点 82−84°C
〔α〕も’ +23.7° (C=1.0.テトラヒド
ロフラン)このものはNMR,I几において別途合成し
た標準品と完全に一致した。
ロフラン)このものはNMR,I几において別途合成し
た標準品と完全に一致した。
実施例7゜
クロロホルム200 ml中にオキシ塩化リン12.1
0 P C79,0mmol )を加え5℃に冷却し、
この溶液にアンモニアガス8.00 S’ (0,47
mmol )を温度20℃以下で導入する。導入後、N
−ベンジルオキシカルボニル−L−スレオニン20.0
g−(79,0mmol )を加え、加熱還流下6時間
反応を行う。反応後反応液を減圧濃縮して溶媒を留去し
水100m1を加え、加熱溶解させる。この溶液を冷却
し、析出した結晶を戸数、乾燥させることによりN−ベ
ンジルオキシカルボニル−L−スレオニンアミド16.
90P(収率85.0%)が得られる。
0 P C79,0mmol )を加え5℃に冷却し、
この溶液にアンモニアガス8.00 S’ (0,47
mmol )を温度20℃以下で導入する。導入後、N
−ベンジルオキシカルボニル−L−スレオニン20.0
g−(79,0mmol )を加え、加熱還流下6時間
反応を行う。反応後反応液を減圧濃縮して溶媒を留去し
水100m1を加え、加熱溶解させる。この溶液を冷却
し、析出した結晶を戸数、乾燥させることによりN−ベ
ンジルオキシカルボニル−L−スレオニンアミド16.
90P(収率85.0%)が得られる。
実施例8゜
実施例7のクロロホルムに変えてテトラヒドロフランを
使用し、以下実施例7と同様に処理することにまりへ−
ベンジルオキシカルボニル−L −スレオニンアミド1
.6.30P(収率82.0係)が得られる。
使用し、以下実施例7と同様に処理することにまりへ−
ベンジルオキシカルボニル−L −スレオニンアミド1
.6.30P(収率82.0係)が得られる。
実施例96
実施例7のクロロホルムに変えて酢酸エチルを反応溶媒
として使用し、以下実施例7と同様に処理することによ
りN−ベンジルオキシカルボニル−L−スレオニンアミ
ドZ6.50P(収率83.0%)が得られる。
として使用し、以下実施例7と同様に処理することによ
りN−ベンジルオキシカルボニル−L−スレオニンアミ
ドZ6.50P(収率83.0%)が得られる。
実施例10゜
クロロホルム50d中にオキシ塩化リン310P (2
0,0mmol )を加え5℃に冷却し、この溶液にア
ンモニアガス2.105’ (60,Ommol )を
温度20℃以下で導入する。導入後室温で30分間放置
し析出している結晶を戸数し、洗浄、乾燥すると塩化ア
ンモニウムを含む反応生成物5.20S’が得られる。
0,0mmol )を加え5℃に冷却し、この溶液にア
ンモニアガス2.105’ (60,Ommol )を
温度20℃以下で導入する。導入後室温で30分間放置
し析出している結晶を戸数し、洗浄、乾燥すると塩化ア
ンモニウムを含む反応生成物5.20S’が得られる。
得られた反応生成物5.20 Y−とN−ベンジルオキ
シカルボニル−L−スレオニン5.0 !iL’(19
゜8mmol )をベンゼア 5 Q rnl中75〜
85°Cの温度で3時間反応させる。反応後反応液を減
圧濃縮して溶媒を留去後、水3Qmlを加え加熱溶解さ
せ溶液とする。冷却し析出した結晶を戸数、洗浄、乾燥
スルことによりペーペンジルオキ7力ルボニルーL−ス
レオニンアミド4.4oP(収率88.0%)が得られ
る。
シカルボニル−L−スレオニン5.0 !iL’(19
゜8mmol )をベンゼア 5 Q rnl中75〜
85°Cの温度で3時間反応させる。反応後反応液を減
圧濃縮して溶媒を留去後、水3Qmlを加え加熱溶解さ
せ溶液とする。冷却し析出した結晶を戸数、洗浄、乾燥
スルことによりペーペンジルオキ7力ルボニルーL−ス
レオニンアミド4.4oP(収率88.0%)が得られ
る。
実施例11゜
クロロホルム30TLl中に三塩化リン1.37P(I
O,Ommol )を溶解させ、冷却下ジエチルアミ
73.66 P(50,0mmol )を滴下し室温で
30分間反応させる。この液にN−ベンジルオキシカル
ボニルグリシン2.10 P (10,0mmol )
を加え加熱還流177時間反応させる。反応後反応液を
減圧濃縮して溶媒を留去し、以下実施例1と同様に処理
することにより油状のN−ベンジルオキシカルボニルグ
リシンジエチルアミド1.58P(収率60.0%)が
得られる。
O,Ommol )を溶解させ、冷却下ジエチルアミ
73.66 P(50,0mmol )を滴下し室温で
30分間反応させる。この液にN−ベンジルオキシカル
ボニルグリシン2.10 P (10,0mmol )
を加え加熱還流177時間反応させる。反応後反応液を
減圧濃縮して溶媒を留去し、以下実施例1と同様に処理
することにより油状のN−ベンジルオキシカルボニルグ
リシンジエチルアミド1.58P(収率60.0%)が
得られる。
このものはNMR,IRにおいて別途合成した標準品と
完全に一致した。
完全に一致した。
実施例12
酢酸エチル50m1中にオキシ塩化リン1.53PC1
0,0mrnol )を溶解させ、冷却下ベンジルアミ
ン6.43 P C60,0mrnol )を滴下し室
温で30分間反応させる。この液にN−ベンジルオキシ
カルボ= /l/ −JJ −7う=ン2.23i?[
10,0mmol )を加え加熱還流下4時間反応させ
る。反応後、水30m1を加え生成物を溶媒に抽出する
。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧濃
縮して留去すると粗生成物が得られる。酢酸エチルとシ
クロヘキサンより再結晶するとN−ベンジルオキシカ/
I’ ホニルL−アラニンベンジルアミ)” 2.90
g−(収率92,0%〕が得られる。
0,0mrnol )を溶解させ、冷却下ベンジルアミ
ン6.43 P C60,0mrnol )を滴下し室
温で30分間反応させる。この液にN−ベンジルオキシ
カルボ= /l/ −JJ −7う=ン2.23i?[
10,0mmol )を加え加熱還流下4時間反応させ
る。反応後、水30m1を加え生成物を溶媒に抽出する
。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧濃
縮して留去すると粗生成物が得られる。酢酸エチルとシ
クロヘキサンより再結晶するとN−ベンジルオキシカ/
I’ ホニルL−アラニンベンジルアミ)” 2.90
g−(収率92,0%〕が得られる。
融点 141−142℃
〔α〕舌’ +8.7° (C二2,0.ジメチルホル
ムアミド)このものはNMR,IRにおいて別途合成し
た標準品と完全に一致した。
ムアミド)このものはNMR,IRにおいて別途合成し
た標準品と完全に一致した。
実施例13゜
酢酸エチル50m1中にオキシ塩化リン1.53.P(
10,0mmol )を溶解させ、冷却下ベンジルアミ
ン6.43 P (60,0mmol )を滴下し室温
で30分間尺反応せる。この液にヘーペンジルオキシ力
ルポニルグリシン2.10 F (10,0mmol)
を加え、加熱還流下6時間反応させる。以下実施例12
と同様に処理することにより粗生成物が得られる。この
ものをアセトンと水より再結晶するとN−ベンジルオキ
シカルボニルグリシンベンジルアミド2.307・(収
率88.5%)が得られる。
10,0mmol )を溶解させ、冷却下ベンジルアミ
ン6.43 P (60,0mmol )を滴下し室温
で30分間尺反応せる。この液にヘーペンジルオキシ力
ルポニルグリシン2.10 F (10,0mmol)
を加え、加熱還流下6時間反応させる。以下実施例12
と同様に処理することにより粗生成物が得られる。この
ものをアセトンと水より再結晶するとN−ベンジルオキ
シカルボニルグリシンベンジルアミド2.307・(収
率88.5%)が得られる。
融点 119−120°に
のものはNMR,IRにおいて別途合成した標準品と完
全に一致した。
全に一致した。
実施例J4
テトラヒドロフラン50ml中にオキシ塩化リン1.5
3 P (10,0mmol )を溶解させ、冷却下イ
ソヘンチルアミン5.23 g−(60,0mmol、
)を滴下し、室温で30分間反応させる。この液にN−
ベンジルオキシカルボニル−L−ロイシン2.65 !
i’(10,Ornmol )を加え、加熱還流下6時
間反応させる。反応後反応液を減圧濃縮し溶媒を留去し
、残有に酢酸エチル50rnlと水50m1を加え生成
物を酢酸エチルに抽出する。抽出液を0.5N塩酸溶液
30m1と5%炭酸水素す) IJウム水溶液30m1
および飽和食塩水30m1で順次洗浄し、得られた酢酸
エチル溶液を無水硫酸す) IJウムで乾燥させ、溶媒
な減圧濃縮にて留去すると粗生成物が得られる。得られ
た粗生成物をイソプロピルエーテルがら再結晶スルトヘ
ーベンジルオキシ力ルボニルーL−ロイシンイソペンチ
ルアミド2.80 !7 (収$83.7%)が得られ
る。
3 P (10,0mmol )を溶解させ、冷却下イ
ソヘンチルアミン5.23 g−(60,0mmol、
)を滴下し、室温で30分間反応させる。この液にN−
ベンジルオキシカルボニル−L−ロイシン2.65 !
i’(10,Ornmol )を加え、加熱還流下6時
間反応させる。反応後反応液を減圧濃縮し溶媒を留去し
、残有に酢酸エチル50rnlと水50m1を加え生成
物を酢酸エチルに抽出する。抽出液を0.5N塩酸溶液
30m1と5%炭酸水素す) IJウム水溶液30m1
および飽和食塩水30m1で順次洗浄し、得られた酢酸
エチル溶液を無水硫酸す) IJウムで乾燥させ、溶媒
な減圧濃縮にて留去すると粗生成物が得られる。得られ
た粗生成物をイソプロピルエーテルがら再結晶スルトヘ
ーベンジルオキシ力ルボニルーL−ロイシンイソペンチ
ルアミド2.80 !7 (収$83.7%)が得られ
る。
融点 93−94℃
Cα〕召5 −18.7° (C= 2.0 、−r−
タ/ −m )このものはNMR、I R,において別
途合成した標準品と完全に一致した。
タ/ −m )このものはNMR、I R,において別
途合成した標準品と完全に一致した。
実施例15゜
クロロホルム50m1中にオキシ塩化リン1.535’
(10,0mmol )を溶解させ、冷却下エチルベ
ンジルアミン8.10 P (60,0mmol )を
滴下し室温で30分間反応させる。この液にN−ベンジ
ルオキシカルボニル−L−フェニルアラニン2.995
L(10,Onunol )を加え加熱還流下2時間反
応させる。以下実施例14と同様に処理すると油状の粗
生成物が得られる。これをシリカゲル3005Lおよび
展開溶媒としてトルエン−酢酸エチルノ混合溶媒を用い
るカラムクロマトグラフィーを行い、目的物を含むフラ
クションを集め減圧濃縮により溶媒を留去すると油状の
ペーベンジルオキシ力ルボニルーL−フェニルアラニン
エチルベンジルアミド2.62P(収率63.0%)が
得られる。
(10,0mmol )を溶解させ、冷却下エチルベ
ンジルアミン8.10 P (60,0mmol )を
滴下し室温で30分間反応させる。この液にN−ベンジ
ルオキシカルボニル−L−フェニルアラニン2.995
L(10,Onunol )を加え加熱還流下2時間反
応させる。以下実施例14と同様に処理すると油状の粗
生成物が得られる。これをシリカゲル3005Lおよび
展開溶媒としてトルエン−酢酸エチルノ混合溶媒を用い
るカラムクロマトグラフィーを行い、目的物を含むフラ
クションを集め減圧濃縮により溶媒を留去すると油状の
ペーベンジルオキシ力ルボニルーL−フェニルアラニン
エチルベンジルアミド2.62P(収率63.0%)が
得られる。
〔α耀 −28° (C二1.0.メタノール)このも
のはNMR,1几において別途合成した標準品と完全に
一致した。
のはNMR,1几において別途合成した標準品と完全に
一致した。
実施例16゜
ヘーベンジルオキシ力ルボニルーL−プロリン−、r
ミl’ 2.00 F (8,1mmol)をメタノー
ル30m1に溶解し、パラジウム黒0.20!i’を加
え室温、常圧で2時間接触還元を行う。反応後触媒を炉
別しろ液を減圧濃縮して溶媒を留去すると油状の目的物
が得られる。これにエーテル20m1を加え結晶化させ
、析出した結晶を泥地、乾燥するとL−プロリンアミド
0.90PC収率97.0%)が得られる。
ミl’ 2.00 F (8,1mmol)をメタノー
ル30m1に溶解し、パラジウム黒0.20!i’を加
え室温、常圧で2時間接触還元を行う。反応後触媒を炉
別しろ液を減圧濃縮して溶媒を留去すると油状の目的物
が得られる。これにエーテル20m1を加え結晶化させ
、析出した結晶を泥地、乾燥するとL−プロリンアミド
0.90PC収率97.0%)が得られる。
融点 101−102°C
〔α几5−86.6° (C二10.メタノール)この
ものはNu、IRにおいて別途合成した標準品と完全に
一致した。
ものはNu、IRにおいて別途合成した標準品と完全に
一致した。
実施例17゜
N−(p−メトキシベンジルオキシカルボニル)−1,
−アラニンアミド2.00 !?(7,9mmo])を
用い実施例14と同iに処理すると油状のLJ的物が得
られる。これにイソプロピルエ・−チル1.0mlml
−ヘキサン20m1を加え結晶化させ、析出した結晶を
戸数し乾燥するとL−アラニンアミド0.681(収率
98.0%)が得られる。
−アラニンアミド2.00 !?(7,9mmo])を
用い実施例14と同iに処理すると油状のLJ的物が得
られる。これにイソプロピルエ・−チル1.0mlml
−ヘキサン20m1を加え結晶化させ、析出した結晶を
戸数し乾燥するとL−アラニンアミド0.681(収率
98.0%)が得られる。
融点 71−72℃
〔α]25+6.5°(C=2.0.水)このものはN
MR,IR5において別途合成した標準品と完全に一致
[−だ。
MR,IR5において別途合成した標準品と完全に一致
[−だ。
実施例18゜
N−tert −7”チルオキシカルボニル−L−バリ
ンアミド1.、50 F (7,0mmol )を4N
塩化水素ジオキザン溶液10m1に溶かし室温で1時間
攪拌する。
ンアミド1.、50 F (7,0mmol )を4N
塩化水素ジオキザン溶液10m1に溶かし室温で1時間
攪拌する。
溶媒を減圧濃縮により留去し、乾燥エーテルで洗浄する
とL−バリンアミド塩酸塩1.06s’(収率99.0
%〕が得られる。
とL−バリンアミド塩酸塩1.06s’(収率99.0
%〕が得られる。
融点 262−263°C
〔α〕六〇+34.1° (C=1.0.メタノール)
このものはNMR,IRにおいて別途合成した標準品と
完全に一致した。
このものはNMR,IRにおいて別途合成した標準品と
完全に一致した。
特許出願人 日本化薬株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ハロゲン化リンおよびオキシハロゲン化リンから選ばれ
た少なくとも1種のリン化合物と一般式 (式中XおよびYは同一もしくは異なって水素原イ、炭
素数1個ないし7個の低級アルキル基、アリル基または
アラルキル基を示す。)で表わされるアミンを反応させ
、次いでN−保護アミノ酸(側鎖に官能基ある場合、そ
の官能基は保護されていてもよい)を反応させ、必要に
応じて保護基を除去することを特徴とする、一般式 (式中A−COはアミン基が保護されていてもよいアミ
ノ酸残基を示す。) で表わされるアミノ酸アミドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10659284A JPS60252455A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | アミノ酸アミドの新規製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10659284A JPS60252455A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | アミノ酸アミドの新規製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60252455A true JPS60252455A (ja) | 1985-12-13 |
| JPH0380147B2 JPH0380147B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14437445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10659284A Granted JPS60252455A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | アミノ酸アミドの新規製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60252455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002098903A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | A & Pep Inc. | Method of preparing peptide with high yield and high purity using 2-(4-nitrophenylsulfonyl)ethoxycarbonyl-amino acids |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545931A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Prearation of n,n-dialkyltoluamide |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10659284A patent/JPS60252455A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545931A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Prearation of n,n-dialkyltoluamide |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002098903A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | A & Pep Inc. | Method of preparing peptide with high yield and high purity using 2-(4-nitrophenylsulfonyl)ethoxycarbonyl-amino acids |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380147B2 (ja) | 1991-12-24 |
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