JPS60253240A - 半導体装置の評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体装置をソケットに挿入した場合の熱
ストレスによる接触抵抗の変化を応用した半導体装置の
評価方法に関するものである。

〔従来技術〕

従来のこの種の評価方法として、第１図に示すものがあ
った。この図において、１は基板、２はこの基板ＩＫ接
着され、たソケット、３はこのソケット２に付属してい
る接触端子、４は前記ソケット２に挿入したインチリー
ドされていない半導体装置、５はこの半導体装置４のリ
ード、６は前記接触端子３およびリード５にそれぞれ取
り付けられた検出端子である。

次に従来の評価方法について説明する。基板１にソケッ
ト２を接着後半田付けにより固定する。

このソケット２に半導体装置４を挿入後、接触端子３と
リード５に検出端子６を半田付けする。それぞれの検出
端子６間の抵抗を抵抗計で測定する。

この値がソケット２の接触端子３と半導体装置４のリー
ド５との接触抵抗である。

次に基板１を高温保存用装置、および低温保存用装置に
交互に入れることを繰り返すことＫよる温度サイクルで
、ソケット２および半導体装置４に熱ストレスを加える
。

ソケット２および半導体装置４に熱ストレスが加えられ
れば、接触端子３とリード５の材質およびメッキの違い
により、線膨張係数が異なり、接触部分にずれを生じる
。これを繰り返すことＫより接触部分の導電度が劣化し
、抵抗が増加する。

このように従来は、検出端子６間の抵抗測定。

温度サイクルを繰り返し実施することにより、熱ストレ
スによる接触抵抗の変化を検出し半導体装置の評価をし
ていた。

上記従来の方法では、半導体装置４とソケット２に熱ス
トレスを加えるため、高温保存用の装置と低温保存用の
装置とに交互に入れかえる作業が必要であり、作業性に
劣るという欠点があった。

〔発明の概要〕

この発明は、上記のような欠点をなくすためになされた
もので、半導体装置を通電状態ｉＣして、自己発熱させ
ることで熱ストレスを加えることＫより、評価できる方
法を提供することを目的としている。以下この発明を図
面について説明する。

〔発明の実施例〕

第２図はこの発明の一実施例を示すもので、１６ピンデ
ユアル・ライン・パッケージを例にした樹脂封止形の半
導体装置の評価例である。第２図において、１〜６は第
１図と同じものであり、１は前記半導体装１１４に収納
されているＩＣチップ等の半導体チップ、８はこの半導
体チップ１とｙ−ド５とを接続している内部金属細線、
９は前記半導体チップＴを接続したり一ド５以外のり一
ド５を１ピンおきに内部金属細線または外付けで金属線
を用いて接続した接続線、１０は接続されていないピン
どうしを接触端子３側で接続した外付は配線で、この外
付は配線１０の両９ａＫ検出端子６が摩り付けられてい
る。１１は前記半導体チップ７を動作させるために基板
１上に配線した固体抵抗器等より構成された動作回路、
１２は前記半導体チップ１および動作回路１１の電源、
１３はこの電源１２を制御するスイッチである。

次に動作について説明する。

従来と同じように検出端子６間の抵抗を、抵抗計で測定
することによりソケット２と半導体装置４のリード５間
の抵抗値を測定する。次にスイッチ１３を閉じることに
より、電圧を半導体チップ７および動作回路１１に印加
すると、半導体チップ７は動作状態となる。この時消費
電力に応じて半導体チップ１がジュール熱を発生し、半
導体装置４は自己発熱しり一ド５と接触端子３に熱スト
レスを与えることができる。

次にスイッチ１３を開放すれば半導体チップ１゜動作回
路１１は停止状態になり、半導体装置４は自己発熱を停
止する。以上のようにスイッチ１３の開閉を繰り返すこ
とＫより、リード５と接触端子３間に熱変化を与えるこ
とで、熱ストレスを加えられる。抵抗測定と、通電状態
、停止状態を繰り返すことで、熱ストレスによる接触抵
抗の変化が評価できる。

そして、電圧値、および動作回路１１の負荷抵抗等の値
を変化するととＫより、自己発熱量をコントロールし、
種々の条件が設定できる。また、外付は配線１０．検出
端子６の接続ピンをかえることＫより、任意のピン間の
変化が評価できる。

なお、上記実施例では樹脂封止形の半導体装置４につい
て述べたが、自己発熱による熱ストレスを応用したもの
で、樹脂封止形のみならず、リードとソケットにより接
続する半導体チップてに適用することができる。

また、基板１上Ｖｃ４ｉ数の回路を作成し、動作回路１
１の条件をかえることにより、一度で複数の熱ストレス
条件の評価を実施できる。

〔発明の効果〕

以上説明したようにこの発明は、外部電源のオン、オフ
により半導体チップを動作せしめて半導体装置を自己発
熱させ、半導体装置のリードとソケットの接触端子との
接触抵抗を測定し半導体装置の評価をするようにしたの
で、従来のように高温、低温保存用の装置を使用するこ
となしに複数の熱ストレスを与えることができ、容易に
種々の条件における評価ができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の評価方法を示す半導体装置あ側面図、第
２図はこの発明の一実施例による評価方法を示す半導体
装置の側面図であ・る。 図中、１は基板、２はソケット、３は接触端子、４は半
導体装置、５はリード、６は検出端子、１は半導体チッ
プ、８は内部金属細線、９はリードの接続線、１０は外
付げ配線、１１は動作回路、１２は電源、１３はスイッ
チである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大岩増雄　（外２名） 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置をソケットに装着した時に、前記半導体装置
   に熱ストレスを加え、そのリードと前記ソケットの接触
   端子間の接触抵抗の熱ストレス変化を測定し評価する方
   法において、前記半導体装置を通電状態にすることによ
   る自己発熱を応用して前記熱ストレスを加え、所要の評
   価を行うことを特徴とする半導体装置の評価方法。