JPS60256905A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60256905A JPS60256905A JP59113342A JP11334284A JPS60256905A JP S60256905 A JPS60256905 A JP S60256905A JP 59113342 A JP59113342 A JP 59113342A JP 11334284 A JP11334284 A JP 11334284A JP S60256905 A JPS60256905 A JP S60256905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- metal magnetic
- magnetic head
- magnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体中に磁化信号を記録、再生する薄
膜磁気ヘッドに関するものである。
膜磁気ヘッドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、磁気ヘッドはフェライト、センダスト等の材料を
機械加工によってコアを製作しこのコアに巻線を施して
いた。そのため高精度化、量産性に限界があり近年は薄
膜磁気ヘッドに関心が集まり一部量産も始捷っている。
機械加工によってコアを製作しこのコアに巻線を施して
いた。そのため高精度化、量産性に限界があり近年は薄
膜磁気ヘッドに関心が集まり一部量産も始捷っている。
薄膜磁気ヘッドは半導体の製法である薄膜形成技術や写
真食刻技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを実現したもの
である。
真食刻技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを実現したもの
である。
以下に薄膜磁気ヘッドの構成に“ついて説明する。
薄膜磁気ヘッドは磁芯となる磁性薄膜１巻線となる導電
性薄膜、導電性薄膜と磁性薄膜の絶縁材。
性薄膜、導電性薄膜と磁性薄膜の絶縁材。
およびギャップ材となる絶縁薄膜を蒸着、電着等の方法
を用いて付着し写真食刻技術にて所定の形状に加工する
。薄膜磁気ヘッドは従来の磁気ヘッドに比べて面積的に
も体積的にも非常に微細化されており、磁性薄膜は実効
透磁率の高い材料、例えばＦｅ−Ｎｉ合金等の金属磁性
材料が多く用いられる。導電性薄膜は微細化による発熱
を考慮して比抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ、ＡＡ等の材料が
用いられ、絶縁材料はフォトレジスト、Ｓｉｏ２．八ｔ
２ｏ３ 等が用いられる。これらの薄膜磁気ヘッドは、
媒体走行の摩耗を考慮して耐摩耗性材料例えばＡｔ２０
３．Ｓｉｏ２等の基板とカバーにより保護した構成であ
る。
を用いて付着し写真食刻技術にて所定の形状に加工する
。薄膜磁気ヘッドは従来の磁気ヘッドに比べて面積的に
も体積的にも非常に微細化されており、磁性薄膜は実効
透磁率の高い材料、例えばＦｅ−Ｎｉ合金等の金属磁性
材料が多く用いられる。導電性薄膜は微細化による発熱
を考慮して比抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ、ＡＡ等の材料が
用いられ、絶縁材料はフォトレジスト、Ｓｉｏ２．八ｔ
２ｏ３ 等が用いられる。これらの薄膜磁気ヘッドは、
媒体走行の摩耗を考慮して耐摩耗性材料例えばＡｔ２０
３．Ｓｉｏ２等の基板とカバーにより保護した構成であ
る。
薄膜磁気ヘッドは、薄膜形成技術、写真食刻技術を用い
て加工す、るため、磁気ヘッドの小型化。
て加工す、るため、磁気ヘッドの小型化。
高精度化が安易であり、さらに磁芯が薄膜で形成される
ため、■高周波での透磁率の劣化が少ない、■記録に寄
与するヘッド磁界が急峻であり高分解能の記録ができる
、■マルチトランクにした場合、隣接トラックとの対向
面積が非常に少ないので各ヘッド間のクロストークがほ
とんど問題にならないなどの特徴がある。
ため、■高周波での透磁率の劣化が少ない、■記録に寄
与するヘッド磁界が急峻であり高分解能の記録ができる
、■マルチトランクにした場合、隣接トラックとの対向
面積が非常に少ないので各ヘッド間のクロストークがほ
とんど問題にならないなどの特徴がある。
以上のような利点のある薄膜磁気ヘッドであるが、記録
媒体の走行面である金属磁性薄膜に高硬度なＦｅ−Ａｔ
−Ｓｉ合金、アモルファス合金による薄膜形成、写真食
刻が難かしくＦｅ−Ｎｉ合金が主流であった。そのため
記録媒体走行による金属磁性薄膜の摩耗や塑性流動等の
問題があり薄膜磁気ヘッドの寿命を短かくする原因とな
っていた。
媒体の走行面である金属磁性薄膜に高硬度なＦｅ−Ａｔ
−Ｓｉ合金、アモルファス合金による薄膜形成、写真食
刻が難かしくＦｅ−Ｎｉ合金が主流であった。そのため
記録媒体走行による金属磁性薄膜の摩耗や塑性流動等の
問題があり薄膜磁気ヘッドの寿命を短かくする原因とな
っていた。
発明の目的
本発明は、金属磁性薄膜の記録媒体走行面に高硬度な金
属磁性材料を用いて記録媒体走行による薄膜磁気ヘッド
の摩耗、塑性流動等の問題を解決し長寿命の薄膜磁気ヘ
ッドを得ることを目的とする。
属磁性材料を用いて記録媒体走行による薄膜磁気ヘッド
の摩耗、塑性流動等の問題を解決し長寿命の薄膜磁気ヘ
ッドを得ることを目的とする。
発明の構成
本発明は、非磁性基板上に下部金属磁性薄膜を形成し、
この下部金属磁性薄膜上にヘッドギャップとなる第１絶
縁薄膜を介して導電性薄膜にて巻線を形成し、さらに導
電性薄膜上に第２絶縁薄膜を介し、かつ後部で下部金属
磁性薄膜と磁気的に接合するように中抜部金属磁性薄膜
と上部金属磁性薄膜を形成する薄膜磁気ヘッドにおいて
、下部金属磁性薄膜にアモルファス合金、Ｆｅ−ＡＡ−
Ｓｔ金合金中抜部金属磁性薄膜にＦｅ−Ｎｉ合金、上部
金属磁性薄膜にＦｅ−Ａ４−８ｔ合金で構成した薄膜磁
気ヘッドである。この構成の薄膜磁気へ、ノドであれば
、高硬度なＦｅ−Ａｔ−８ｔ合金及びアモルファス合金
等を１〜２μｍの薄膜にしてリフトオフ及びイオンビー
ムエツチングで加工が可能であり、１〜２１ｔｍと薄く
なった金属磁性薄膜の磁束飽和を防ぐため電着が容易な
Ｆ＠−Ｎｉ合金を記録媒体走行面以外の部分に積層する
ことで媒体走行による摩耗劣化の少ない安定な薄膜磁気
記録再生が行なえるものである。
この下部金属磁性薄膜上にヘッドギャップとなる第１絶
縁薄膜を介して導電性薄膜にて巻線を形成し、さらに導
電性薄膜上に第２絶縁薄膜を介し、かつ後部で下部金属
磁性薄膜と磁気的に接合するように中抜部金属磁性薄膜
と上部金属磁性薄膜を形成する薄膜磁気ヘッドにおいて
、下部金属磁性薄膜にアモルファス合金、Ｆｅ−ＡＡ−
Ｓｔ金合金中抜部金属磁性薄膜にＦｅ−Ｎｉ合金、上部
金属磁性薄膜にＦｅ−Ａ４−８ｔ合金で構成した薄膜磁
気ヘッドである。この構成の薄膜磁気へ、ノドであれば
、高硬度なＦｅ−Ａｔ−８ｔ合金及びアモルファス合金
等を１〜２μｍの薄膜にしてリフトオフ及びイオンビー
ムエツチングで加工が可能であり、１〜２１ｔｍと薄く
なった金属磁性薄膜の磁束飽和を防ぐため電着が容易な
Ｆ＠−Ｎｉ合金を記録媒体走行面以外の部分に積層する
ことで媒体走行による摩耗劣化の少ない安定な薄膜磁気
記録再生が行なえるものである。
実施例の説明
本発明の実施例を第１図及び第２図に基いて説明する。
第１甲、第２図に示すように３１０２あるいはＡｔ２０
３などの非磁性基板１上にスノζ・ツタなどの方法でＦ
ｅ −Ａ ）１．−３ ｉ合金、アモルファスの強磁
性体を３〜５μｍ付着しリフトオフ等の方法にて下部金
属磁性薄膜２を形成する。さらにへ、ノドギャップとな
るＳｉｏ２．Ａｔ２ｏ３等の第１絶縁薄膜３を蒸着、ス
パッタ等の方法を用いて０．５μｍ程度付着し、その上
に巻線となるＣｕ 、 Ａｇ 、 Ａｔなどの導電体を
電着、蒸着で２〜３μｍ付着し所定の第１導電薄膜４を
形成する。第１導電薄膜４と中抜部金属磁性薄膜５及び
第２導電薄膜６を電気的に絶縁するため第２絶縁薄膜７
をフォトレジスト等で形成し、その上に第１導電薄膜４
をＣｕ、Ａｇ。
３などの非磁性基板１上にスノζ・ツタなどの方法でＦ
ｅ −Ａ ）１．−３ ｉ合金、アモルファスの強磁
性体を３〜５μｍ付着しリフトオフ等の方法にて下部金
属磁性薄膜２を形成する。さらにへ、ノドギャップとな
るＳｉｏ２．Ａｔ２ｏ３等の第１絶縁薄膜３を蒸着、ス
パッタ等の方法を用いて０．５μｍ程度付着し、その上
に巻線となるＣｕ 、 Ａｇ 、 Ａｔなどの導電体を
電着、蒸着で２〜３μｍ付着し所定の第１導電薄膜４を
形成する。第１導電薄膜４と中抜部金属磁性薄膜５及び
第２導電薄膜６を電気的に絶縁するため第２絶縁薄膜７
をフォトレジスト等で形成し、その上に第１導電薄膜４
をＣｕ、Ａｇ。
Ａｔ等の金属材料で所定の形状に加工する。下部金属磁
性薄膜２と後部で磁気的に結合し、かつ記録媒体走行面
８に出ないようにＦ ｅ −Ｎ ｉ合金を電着し金属磁
性薄膜６を３〜６μｍ形成する。
性薄膜２と後部で磁気的に結合し、かつ記録媒体走行面
８に出ないようにＦ ｅ −Ｎ ｉ合金を電着し金属磁
性薄膜６を３〜６μｍ形成する。
その上にＦｅ−Ａｔ−８ｔ合金アモルファス合金などの
高硬度金属磁性材料をスパッタ等の方法で１〜２μｍ程
度付着し上部金属磁性薄膜９を形成する。
高硬度金属磁性材料をスパッタ等の方法で１〜２μｍ程
度付着し上部金属磁性薄膜９を形成する。
薄膜部を外力より保護するためＳｉＯ２””２０３等の
絶縁材料をスパッタで２０〜３０μｍ付着し保護薄膜１
ｏを作り、さらに記録媒体１１の走行による摩耗から薄
膜磁気ヘッドを保護するためガラス、樹脂などの接着剤
１２によりカバ一部材１３を接着する。
絶縁材料をスパッタで２０〜３０μｍ付着し保護薄膜１
ｏを作り、さらに記録媒体１１の走行による摩耗から薄
膜磁気ヘッドを保護するためガラス、樹脂などの接着剤
１２によりカバ一部材１３を接着する。
他の実施例として第２絶縁薄膜了を感光性ポリイミド等
の耐熱性薄膜で形成する事により４５０℃前後の温度ま
で耐える薄膜構成にして、下部金属磁性薄膜２．中抜部
金属磁性薄膜５及び上部金属磁性薄膜９を蒸着、電着等
の方法で形成した後、薄膜磁気ヘッドの磁束の流れと直
角方向の磁界中で３００℃〜４５０℃に加熱する事によ
り、下部金属磁性薄膜２．中抜部金属磁性薄膜５及び上
部金属磁性薄膜９の使用周波数帯域での実効透磁率を約
２倍に向上できる。
の耐熱性薄膜で形成する事により４５０℃前後の温度ま
で耐える薄膜構成にして、下部金属磁性薄膜２．中抜部
金属磁性薄膜５及び上部金属磁性薄膜９を蒸着、電着等
の方法で形成した後、薄膜磁気ヘッドの磁束の流れと直
角方向の磁界中で３００℃〜４５０℃に加熱する事によ
り、下部金属磁性薄膜２．中抜部金属磁性薄膜５及び上
部金属磁性薄膜９の使用周波数帯域での実効透磁率を約
２倍に向上できる。
以上のような本実施例の構成の薄膜磁気ヘッドは、非磁
性基板１上の下部金属磁性薄膜２と略直角な面８は記録
媒体１１と当接する面であり矢印１４は媒体の移動方向
である。この結果第１導電薄膜４及び第１導電薄膜６に
電流を流すことにょシ誘導される磁束は上部金属磁性薄
膜９より記録媒体１１を通って下部金属磁性薄膜２．中
抜部金属磁性薄膜５と導ひかれ上部金属磁性薄膜９へ戻
る。以上のような本実施例によれば媒体走行面８に露出
している非磁性基板１．下部金属磁性薄膜２、第１絶縁
薄膜３．上部金属磁性薄膜９．保護薄膜１ｏ２．カバ一
部材１３が耐摩耗性材料であるため薄膜磁気へノドの摩
耗が少なく寿命を長くすることができる。
性基板１上の下部金属磁性薄膜２と略直角な面８は記録
媒体１１と当接する面であり矢印１４は媒体の移動方向
である。この結果第１導電薄膜４及び第１導電薄膜６に
電流を流すことにょシ誘導される磁束は上部金属磁性薄
膜９より記録媒体１１を通って下部金属磁性薄膜２．中
抜部金属磁性薄膜５と導ひかれ上部金属磁性薄膜９へ戻
る。以上のような本実施例によれば媒体走行面８に露出
している非磁性基板１．下部金属磁性薄膜２、第１絶縁
薄膜３．上部金属磁性薄膜９．保護薄膜１ｏ２．カバ一
部材１３が耐摩耗性材料であるため薄膜磁気へノドの摩
耗が少なく寿命を長くすることができる。
発明の効果
本発明の薄膜磁気ヘッドは従来薄膜形成が困難であるが
耐摩耗性に優れているＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金。
耐摩耗性に優れているＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金。
アモルファス合金をリフトオフ技術等で形成し、従来か
ら電着、蒸着が容易であるが耐摩耗性に劣るＦ ｅ −
’Ｎ ｉ合金をうまく組合せて、耐摩耗性に優れた薄膜
磁気ヘッドを容易に製作でき、その実用的効果は大きい
。
ら電着、蒸着が容易であるが耐摩耗性に劣るＦ ｅ −
’Ｎ ｉ合金をうまく組合せて、耐摩耗性に優れた薄膜
磁気ヘッドを容易に製作でき、その実用的効果は大きい
。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの部
分断面斜視図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ′断面図
である。 １・・・・・・非磁性体基板、２，５．９・・・・・金
属磁性薄膜、３，７・・・絶縁薄膜、４，６・・・・・
・導電性薄膜。
分断面斜視図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ′断面図
である。 １・・・・・・非磁性体基板、２，５．９・・・・・金
属磁性薄膜、３，７・・・絶縁薄膜、４，６・・・・・
・導電性薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）非磁性体基板上に下部金属磁性薄膜を形成し、前
記下部金属磁性薄膜の上にヘッドギャップとなる第１絶
縁薄膜を介し導電性薄膜にて巻線を形成し、前記導電性
薄膜上に第２絶縁薄膜を介し、かつ後部で前記下部金属
磁性薄膜と磁気的に結合するように中後部金属磁性薄膜
と上部金属磁性薄膜を形成するとともに、前記下部金属
磁性薄膜及び前記上部金属磁性薄膜を高硬度な磁性材料
で形成し、前記中後部金属磁性薄膜を薄膜製作の容易な
金属磁性薄膜で構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 Ｑ）下部金属磁性薄膜がアモルファス合金、上部金属磁
性薄膜がＦｅ−ＡＬ−８ｉ合金、中後部金属磁性薄膜が
Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる特許請求の範囲第１項記載の薄
膜磁気ヘッド。 （３）第２絶縁薄膜が耐熱性薄膜からなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載Ω薄膜磁気ヘッド０ （４）耐熱性薄膜が感光性ポリイミドからなることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の薄膜磁気ヘッド。 （５）第２絶縁薄膜が耐熱性薄膜からなり、下部金属磁
性薄膜、中後部金属磁性薄膜及び上部金属磁性薄膜を形
成した後に、ヘッドの磁束の流れと直角方向の磁界中で
３００１：〜４５０℃に加熱することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113342A JPS60256905A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113342A JPS60256905A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60256905A true JPS60256905A (ja) | 1985-12-18 |
Family
ID=14609811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113342A Pending JPS60256905A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60256905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2658646A1 (fr) * | 1990-02-21 | 1991-08-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique a deux materiaux magnetiques, et tete obtenue par ce procede. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150116A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| JPS60119613A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP59113342A patent/JPS60256905A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150116A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| JPS60119613A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2658646A1 (fr) * | 1990-02-21 | 1991-08-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique a deux materiaux magnetiques, et tete obtenue par ce procede. |
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