JPS60257198A - 共振形電波吸収体 - Google Patents
共振形電波吸収体Info
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- JPS60257198A JPS60257198A JP11069484A JP11069484A JPS60257198A JP S60257198 A JPS60257198 A JP S60257198A JP 11069484 A JP11069484 A JP 11069484A JP 11069484 A JP11069484 A JP 11069484A JP S60257198 A JPS60257198 A JP S60257198A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、広帯域に渡たる電波吸収特性を有する共振形
電波吸収体に関する。
電波吸収体に関する。
一般に、電波吸収体は、周波数に無関係に電波を吸収す
るものが望ましい。
るものが望ましい。
誘電形電波吸収体又は磁性形電波吸収体においては、こ
の広帯域に渡たる電波吸収特性を得るため等の理由によ
り、吸収体の表面に波形乃至ピラミッド形の突起を設け
ている。しカル、このようにすると、表面が平坦でなく
なり、あるいは厚さが厚くなるため使用上程々の制限を
受けることになる。
の広帯域に渡たる電波吸収特性を得るため等の理由によ
り、吸収体の表面に波形乃至ピラミッド形の突起を設け
ている。しカル、このようにすると、表面が平坦でなく
なり、あるいは厚さが厚くなるため使用上程々の制限を
受けることになる。
２−
他方、平坦な表面を有する吸収体として、共振形電波吸
収体が知られている。
収体が知られている。
この共振形電波吸収体の原理を第１図及び第２図を参照
して説明する。
して説明する。
第１図に示した如く共振形電波吸収体は、導電層１０と
反射層１２とを備えており、これらの導電層１０と反射
層１２との間は厚さｄの空隙１４が設けられている。導
電層１０はインサージョンロス■。を有する。即ち、導
電層１０は、当てられた電波のＩ。を反射し、１−Ｉ。
反射層１２とを備えており、これらの導電層１０と反射
層１２との間は厚さｄの空隙１４が設けられている。導
電層１０はインサージョンロス■。を有する。即ち、導
電層１０は、当てられた電波のＩ。を反射し、１−Ｉ。
を透過せしめる特性を有し、且つある程度の電気抵抗を
有する層である。反射層１２は当てられた電波の実質的
に全てを反射する。そして、導電層１０で反射した電波
と、導電層１０を透過し反射層１２で反射し導電層１０
を再度透過して外部に出た電波とが逆位相であると、こ
れらは相互に干渉して打ち消し合う作用をする。従って
、次の式を満足する場合、その電波は吸収されることと
なる。
有する層である。反射層１２は当てられた電波の実質的
に全てを反射する。そして、導電層１０で反射した電波
と、導電層１０を透過し反射層１２で反射し導電層１０
を再度透過して外部に出た電波とが逆位相であると、こ
れらは相互に干渉して打ち消し合う作用をする。従って
、次の式を満足する場合、その電波は吸収されることと
なる。
２ｄ＝ｎλ十１
一３＝
ｄ：空隙の厚さ
λ：吸収される電波の波長
＋１＝０．１．２．３・・・・・
従って、この形の電波吸収体においては、吸収特性が極
大を示す最低周波数をｆ。とすると、ｆ＝Ｆｏ、３Ｆ。
大を示す最低周波数をｆ。とすると、ｆ＝Ｆｏ、３Ｆ。
、５Ｆ、、φ・・
で吸収特性が極大を示すことになり、高い吸収特性が得
られる周波数は、一定の関係を有しているものに限られ
る。第２図に、この吸収特性を示す。
られる周波数は、一定の関係を有しているものに限られ
る。第２図に、この吸収特性を示す。
上記の通りであるので任意の関係にある例えば２つの周
波数の電波は、従来の共振形電波吸収体によっては、適
切に吸収することができない。
波数の電波は、従来の共振形電波吸収体によっては、適
切に吸収することができない。
本発明は、上記した通りの状況を鑑みてなされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、表面が平坦で且つ種々の周波数の電波
を適切に吸収することができる電波吸収体を提供するこ
とである。
を適切に吸収することができる電波吸収体を提供するこ
とである。
４−
更に、本発明の目的は、任意の関係にある複数の周波数
の電波を好適に吸収することがでｂる共振形電波吸収体
を提供することである。
の電波を好適に吸収することがでｂる共振形電波吸収体
を提供することである。
本発明に従うと、上記した目的及び他の目的が、電波の
一部を反射し一部を透過せしめる第１の導電層と、該第
１の導電層から間隔を置いて配置された反射層とを具備
する共振形電波吸収体において、該第１の導電層と該反
射層との開に、電波の一部を反射し一部を透過せしめる
少なくとも一層の導電層が配置されていることを特徴と
する共振形電波吸収体を提供することによって、達成さ
れる。
一部を反射し一部を透過せしめる第１の導電層と、該第
１の導電層から間隔を置いて配置された反射層とを具備
する共振形電波吸収体において、該第１の導電層と該反
射層との開に、電波の一部を反射し一部を透過せしめる
少なくとも一層の導電層が配置されていることを特徴と
する共振形電波吸収体を提供することによって、達成さ
れる。
次に、第３図及び第４図を参照して、本発明の好適具体
例を説明する。
例を説明する。
まず、第３図示した電波吸収体は、第１の導電層１６、
第２の導電層１８及び反射層２０を具備する。第１の導
電層１６及び第２の導電層１８は、５− それぞれ当てられた電波の一部を反射せしめ、残りを透
過せしめる性質を有し且つある程度の電気抵抗を有する
。反射層２０は、当てられた電波の実質的に全てを反射
する性質を有する。第１の導電層１６と第２の導電層１
８との間には、第１の中間層２２が配置されており、第
２の導電層１８と反射層２０との開には、第２の中間層
２４が配置されている。この具体例では、第１の中間層
２２及び第２の中間層２４は電波を吸収する特性は有し
ておらず、第１の導電層１６と第２の導電層１８とを、
第２の導電層１８と反射層２０とを離間せしめる機能の
みを有する。ここで、第１の導電層１６及び第２の導電
層１８はインサージョンロス１１及びＩ２を有する。即
ち、例えば、第１の導電層１６に当たった電波のうち、
（１−Ｉ ＋）が反射し、１１がこれを透過する。
第２の導電層１８及び反射層２０を具備する。第１の導
電層１６及び第２の導電層１８は、５− それぞれ当てられた電波の一部を反射せしめ、残りを透
過せしめる性質を有し且つある程度の電気抵抗を有する
。反射層２０は、当てられた電波の実質的に全てを反射
する性質を有する。第１の導電層１６と第２の導電層１
８との間には、第１の中間層２２が配置されており、第
２の導電層１８と反射層２０との開には、第２の中間層
２４が配置されている。この具体例では、第１の中間層
２２及び第２の中間層２４は電波を吸収する特性は有し
ておらず、第１の導電層１６と第２の導電層１８とを、
第２の導電層１８と反射層２０とを離間せしめる機能の
みを有する。ここで、第１の導電層１６及び第２の導電
層１８はインサージョンロス１１及びＩ２を有する。即
ち、例えば、第１の導電層１６に当たった電波のうち、
（１−Ｉ ＋）が反射し、１１がこれを透過する。
第３図に示した電波吸収体に電波Ｗ０が当たると、まず
、第１の導電層１６においてその一部Ｗ、（＝Ｗ。刈１
− Ｉ 、））が反射し、残りの部分ｗ２６一 （＝ｗｏｘｒ、）がこれを透過する。第１の導電層１６
を透過した電波Ｗ２は第２の導電層１８において、その
一部Ｗ３（＝Ｗｏｘ ｒ ＋刈１−Ｌ））が反射し残り
の部分Ｗ４（＝ＷｏＸ Ｉ 、 Ｘ Ｉ ２）が、第２
の導電層１８を透過する。第２の導電層１８を反射した
電波Ｗ３の一部Ｗ４（＝ＷｏＸＴ、Ｘ（１−Ｉ２）Ｘ（
１−Ｉ、））は再び第１の導電層１６において反射し、
残りの部分Ｗｓ （＝ Ｗ ｏ Ｘ Ｉ ＋刈１−Ｌ）
ｘＬ）は第１の導電層１６を透過する。
、第１の導電層１６においてその一部Ｗ、（＝Ｗ。刈１
− Ｉ 、））が反射し、残りの部分ｗ２６一 （＝ｗｏｘｒ、）がこれを透過する。第１の導電層１６
を透過した電波Ｗ２は第２の導電層１８において、その
一部Ｗ３（＝Ｗｏｘ ｒ ＋刈１−Ｌ））が反射し残り
の部分Ｗ４（＝ＷｏＸ Ｉ 、 Ｘ Ｉ ２）が、第２
の導電層１８を透過する。第２の導電層１８を反射した
電波Ｗ３の一部Ｗ４（＝ＷｏＸＴ、Ｘ（１−Ｉ２）Ｘ（
１−Ｉ、））は再び第１の導電層１６において反射し、
残りの部分Ｗｓ （＝ Ｗ ｏ Ｘ Ｉ ＋刈１−Ｌ）
ｘＬ）は第１の導電層１６を透過する。
第１の導電層１６において反射した部分Ｗ１と、内部に
入り第２の導電層１８で反射した後詰１の導電層１６を
透過した部分Ｗ６とが、下記の通りの干渉条件を満たす
と干渉することになる。
入り第２の導電層１８で反射した後詰１の導電層１６を
透過した部分Ｗ６とが、下記の通りの干渉条件を満たす
と干渉することになる。
ｄｌ：第１の導電層と第２の導電層との間の間隔
λ１：干渉する電波の波長
ｎ＝０．１．２．３・・・
従って、この条件下で吸収される最低、極太用７−
波数をＦｌとすると、この電波吸収体は、Ｆい３Ｆ、、
５Ｆ１・・・の周波数で極大を示す吸収特性を有するこ
とになる。
５Ｆ１・・・の周波数で極大を示す吸収特性を有するこ
とになる。
同様に、第１の導電層１６を透過して第２の導電層１８
で反射する部分と第２の導電層１８を透過して反射層２
０で反射し第２の導電層１８を透過する部分とは、下記
の通りの干渉条件を満たすと干渉することになる。
で反射する部分と第２の導電層１８を透過して反射層２
０で反射し第２の導電層１８を透過する部分とは、下記
の通りの干渉条件を満たすと干渉することになる。
ｄ２：第２の導電層と反射層との開の間隔λ２；干渉す
る電波の波長 同様に、この条件下で吸収される最低、極大周波数をＦ
２とすると、この電波吸収体は、Ｆ２．３Ｆ２．５Ｆ２
・・・の周波数で極大を示す吸収特性を有することにな
る。
る電波の波長 同様に、この条件下で吸収される最低、極大周波数をＦ
２とすると、この電波吸収体は、Ｆ２．３Ｆ２．５Ｆ２
・・・の周波数で極大を示す吸収特性を有することにな
る。
更に、第１の導電層１６において反射した部分Ｗ１と、
第１及び第２の導電層１６及び１８を透過した後反射層
２０で反射し第２の導電層１８及び第１の導電層１６を
透過した部分とは、下記の８− 通りの干渉条件を満たすと干渉することとなる。
第１及び第２の導電層１６及び１８を透過した後反射層
２０で反射し第２の導電層１８及び第１の導電層１６を
透過した部分とは、下記の８− 通りの干渉条件を満たすと干渉することとなる。
＾３：干渉する電波の波長
この条件下で吸収される最低、極大周波数をＦ３とする
と、この電波吸収体は、Ｆ３．３Ｆ、、５Ｆ３・・・の
周波数で極大を示す吸収特性を有することになる。
と、この電波吸収体は、Ｆ３．３Ｆ、、５Ｆ３・・・の
周波数で極大を示す吸収特性を有することになる。
上記した干渉条件の外に、例えば、第１の導電層１６に
おいて反射した部分Ｗ１と、第１の導電層１６を透過し
第２の導電層１８で反射し次いで第１の導電層１６で反
射し更に第２の導電層１８で反射ししかる後、第１の導
電層１６を透過する部分との間等種々の場合の干渉条件
を考えることがで忽る。このように数多くの干渉条件に
おいて干渉することは、第３図に示した電波吸収体は、
数多くの波長の電波を吸収する特性を有することを意味
し、広い周波数範囲に渡り電波を吸収することになる。
おいて反射した部分Ｗ１と、第１の導電層１６を透過し
第２の導電層１８で反射し次いで第１の導電層１６で反
射し更に第２の導電層１８で反射ししかる後、第１の導
電層１６を透過する部分との間等種々の場合の干渉条件
を考えることがで忽る。このように数多くの干渉条件に
おいて干渉することは、第３図に示した電波吸収体は、
数多くの波長の電波を吸収する特性を有することを意味
し、広い周波数範囲に渡り電波を吸収することになる。
第３図に示した電波吸収体の吸収特性のモデル９−
を第４図に示し、た。これは、前記した３つの干渉条件
を満たす場合に、主として有効な吸収が行なわれると理
解し作成したものであり、実際上は更に平滑化した吸収
特性を有する。
を満たす場合に、主として有効な吸収が行なわれると理
解し作成したものであり、実際上は更に平滑化した吸収
特性を有する。
上記した第１の導電層１６及び第２の導電層１８のイン
サージョンロス１１及びＩ２は、種々の条件を考慮して
最適のものを選択することができる。
サージョンロス１１及びＩ２は、種々の条件を考慮して
最適のものを選択することができる。
例えば、第１の導電層１６で反射された部分と第２の導
電層１８で反射された部分とが同一振幅になるようにし
て所定の高域周波数の電波を干渉せしめ、且つ第１の導
電層１６で反射された部分と反射層２０で反射された部
分とが同一振幅になるようにして所定の低域周波数の電
波を干渉せしめるようにするには、次の通りの方程式（
１）及び（２）を満足する１１及びＩ２をめればよい。
電層１８で反射された部分とが同一振幅になるようにし
て所定の高域周波数の電波を干渉せしめ、且つ第１の導
電層１６で反射された部分と反射層２０で反射された部
分とが同一振幅になるようにして所定の低域周波数の電
波を干渉せしめるようにするには、次の通りの方程式（
１）及び（２）を満足する１１及びＩ２をめればよい。
Ｉ？ （１−Ｌ）＝ｌ−Ｉ、・・・（１）１？ Ｉ’＝
１−Ｉ、・・・（２） 上記方程式を満足する■、及びＩ２の値は次の通りであ
る。
１−Ｉ、・・・（２） 上記方程式を満足する■、及びＩ２の値は次の通りであ
る。
１０−
Ｌ Ｌ：０．７７（−１１４ｄＢ）
１２弁０．６１（−２，１５ｄＢ）
」―記した具体例において、高域周波数ＦＨ及び低域周
波数ＦＬを効果的に吸収する中間層の厚さは次の通りに
計算できる。
波数ＦＬを効果的に吸収する中間層の厚さは次の通りに
計算できる。
まず、中間層内にての電波の伝搬速度Ｖは次の通りであ
る。
る。
一−ρ−
’４フ
Ｃ；光速
ε：比誘電率
μ：比透磁率
波長λと伝搬速度νとの関係は次の通りである。
λ＝ユニ
ー
ｆ：周波数
上記したｎを０とすると、次の通りになる。
Ｃ
ｆＪ７７
そして、ε＝１．４、μ＝１、Ｃ＝３Ｘ１０８（ｍ１１
− ／ｓ）とし、ＦＨ＝９．４１．０（ＭＨｚ）、Ｆ Ｉ−
＝ ３ 。
− ／ｓ）とし、ＦＨ＝９．４１．０（ＭＨｚ）、Ｆ Ｉ−
＝ ３ 。
０５０（ＭＨｚ）とすると、
ｃｌ（９，４Ｊ Ｏ）′Ｆ６．７（ｍｍ）ｄ（３，０５
０）≠２ ＩＩ 、 Ｏ（ｍｍ）となる。
０）≠２ ＩＩ 、 Ｏ（ｍｍ）となる。
従って、例えば、第１の中間層１６の厚さｄｌを６．７
（ｍ＋ｎ）とし、第２の中間層の厚さｄ２を１４．３（
＝２１．０−６．７）（ｍｍ）とすることによって、上
記高域周波数及び低域周波数の電波の双方を効果的に吸
収することができる。
（ｍ＋ｎ）とし、第２の中間層の厚さｄ２を１４．３（
＝２１．０−６．７）（ｍｍ）とすることによって、上
記高域周波数及び低域周波数の電波の双方を効果的に吸
収することができる。
上記説明においては、第１の導電層１６と反射層２０と
の間に単一の導電層、即ち第２の導電層１８のみを有す
る具体例を示したが、第１の導電層１６と反射層２０と
の開に、複数の導電層を配置することもできる。複数の
導電層を配置することによって、吸収特性は一層平滑化
されて、種々の波長の電波を吸収する特性を得ることが
できる。
の間に単一の導電層、即ち第２の導電層１８のみを有す
る具体例を示したが、第１の導電層１６と反射層２０と
の開に、複数の導電層を配置することもできる。複数の
導電層を配置することによって、吸収特性は一層平滑化
されて、種々の波長の電波を吸収する特性を得ることが
できる。
更に、第１の中間層２２及び第２の中間層２４としては
、軽量で機械的強度の大きい材料、例え１２− は発泡ポリエチレンシートを用いることがでトる。
、軽量で機械的強度の大きい材料、例え１２− は発泡ポリエチレンシートを用いることがでトる。
次に、本発明の実施例を第６図及び第７図を参照しで説
明する。
明する。
実車例」
第５図の通りに実施例１を作成した。第１の導電層３０
を炭素被膜で形成した。そのインサージョンロス■、は
−１（ｄＢ）であった。第１の導電層３０上に１５倍発
発泡リエチレンで形成した保護カバー３２を設けた。第
１の中間層３４を厚さ９ｍｍの３０倍発発泡リエチレン
で形成した。その比誘電率εは１．４であり、比透磁率
μは１であった。第２の導電層３６も炭素被膜で形成し
た。そのインサージョンロス■２は−２，５ｄＢであっ
た。
を炭素被膜で形成した。そのインサージョンロス■、は
−１（ｄＢ）であった。第１の導電層３０上に１５倍発
発泡リエチレンで形成した保護カバー３２を設けた。第
１の中間層３４を厚さ９ｍｍの３０倍発発泡リエチレン
で形成した。その比誘電率εは１．４であり、比透磁率
μは１であった。第２の導電層３６も炭素被膜で形成し
た。そのインサージョンロス■２は−２，５ｄＢであっ
た。
第２の中間層３８を厚さ１１ｎ＋ｍの３０倍発発泡リエ
チレンで形成した。その比誘電率及び比透磁率は第１の
中間層３４と同一であった。反射層４０を厚さ０．０５
ｍｍのアルミ箔で形成した。
チレンで形成した。その比誘電率及び比透磁率は第１の
中間層３４と同一であった。反射層４０を厚さ０．０５
ｍｍのアルミ箔で形成した。
上記の通りに形成した電波吸収体の電波吸収時１３−
性の実測値は第６図に示す通りであった。
第６図に示されている如く、この実施例１の電波吸収体
は非常に広い帯域に渡り平滑化された電波吸収特性を有
する。
は非常に広い帯域に渡り平滑化された電波吸収特性を有
する。
次蕪倒−１
第７図の通りに実施例２を作成した。第１、第２及び第
３の導電層５゛０．５２．５４を炭素被膜で形成し、こ
れらのインサージョンロス■１、■２及び■３は、それ
ぞれ、−１，８（ｄＢ）、−３，２（ｄＢ）及び−４，
２（ｄＢ）であった。第１の導電層５０上に１５倍発発
泡リエチレンで形成された厚さ１．５ｍｍの保護カバー
５６を設けた。第１、第２及び第３の中間層５８．６０
及び６２は、それぞれ、厚さ５帥の３０倍発発泡リエチ
レンで形成し、それらの比誘電率εは１．４であり、比
透磁率μは１であった。反射層６４を厚さ０．００５ｍ
ｍのアルミ箔で形成した。
３の導電層５゛０．５２．５４を炭素被膜で形成し、こ
れらのインサージョンロス■１、■２及び■３は、それ
ぞれ、−１，８（ｄＢ）、−３，２（ｄＢ）及び−４，
２（ｄＢ）であった。第１の導電層５０上に１５倍発発
泡リエチレンで形成された厚さ１．５ｍｍの保護カバー
５６を設けた。第１、第２及び第３の中間層５８．６０
及び６２は、それぞれ、厚さ５帥の３０倍発発泡リエチ
レンで形成し、それらの比誘電率εは１．４であり、比
透磁率μは１であった。反射層６４を厚さ０．００５ｍ
ｍのアルミ箔で形成した。
上記の通りに形成した電波吸収体の電波吸収特性の実測
値は第８図に示す通りであった。
値は第８図に示す通りであった。
１４−
第８図に示されている如く、実施例２の電波吸収体は、
広い帯域に渡り平滑化された電波吸収特性を有し、特に
、ｌ０ＧＩ−（ｚ以上で、多くの減衰極が現われて平滑
化されている電波吸収特性を有する。
広い帯域に渡り平滑化された電波吸収特性を有し、特に
、ｌ０ＧＩ−（ｚ以上で、多くの減衰極が現われて平滑
化されている電波吸収特性を有する。
北」し例
第９図の通りに比較例を作成した。導電層７０を炭素被
膜で形成し、このインサージョンロスは、−４，１（ｄ
Ｂ）であった。導電層７０の上に１５倍発発泡リエチレ
ンで形成された厚さ１ 、５ ｍｍの保護カバー７２を
設けた。中間層７４は、厚さ１４ｍｍの３０倍発発泡リ
エチレンで形成し、その比誘導率εは１．４であり、比
透磁率μは１であった。
膜で形成し、このインサージョンロスは、−４，１（ｄ
Ｂ）であった。導電層７０の上に１５倍発発泡リエチレ
ンで形成された厚さ１ 、５ ｍｍの保護カバー７２を
設けた。中間層７４は、厚さ１４ｍｍの３０倍発発泡リ
エチレンで形成し、その比誘導率εは１．４であり、比
透磁率μは１であった。
反射層７６を厚さ０．０５ｍｍのアルミ箔で形成した。
上記の通りに形成した電波吸収体の電波吸収特性の実測
値は、第１０図に示す通りであっｔこ。
値は、第１０図に示す通りであっｔこ。
本発明によると、表面が平坦で且つ種々の周波数の電波
を適切に吸収することができる電波吸収体を提供するこ
とができ、任意の関係にある複数の周波数の電波を好適
に吸収することがで外る共振形電波吸収体を提供するこ
とかで外る。
を適切に吸収することができる電波吸収体を提供するこ
とができ、任意の関係にある複数の周波数の電波を好適
に吸収することがで外る共振形電波吸収体を提供するこ
とかで外る。
第１図は、従来の共振形電波吸収体の断面図。
第２図は、第１図の共振形電波吸収体の電波吸収特性を
示すグラフ。 第３図は、本発明の好適具体例に従う共振形電波収体の
断面図。 第４図は、第３図の共振形電波吸収体の電波吸収特性を
示すグラフ。 第５図は、本発明の実施例１に従う共振形電波吸収体の
断面図。 第６図は、第５図の共振形電波吸収体の電波吸収特性の
実測値のグラフ。 第７図は、本発明の実施例２に従う共振形電波吸収体の
断面図。 第８図は、第７図の共振形電波吸収体の電波吸収特性の
実測値のグラフ。 第９図は、比較例に従う共振形電波吸収体の断面図。 第１０図は、第９図の共振形電波吸収体の電波吸収特性
の実測値のグラフ。 １０・・・導電層 １２・・・反射層 １６・・・第１の導電層 １８・・・第２の導電層 ２０・・・反射層 １７一 特開昭ＧＯ−２５７１９８（７）
示すグラフ。 第３図は、本発明の好適具体例に従う共振形電波収体の
断面図。 第４図は、第３図の共振形電波吸収体の電波吸収特性を
示すグラフ。 第５図は、本発明の実施例１に従う共振形電波吸収体の
断面図。 第６図は、第５図の共振形電波吸収体の電波吸収特性の
実測値のグラフ。 第７図は、本発明の実施例２に従う共振形電波吸収体の
断面図。 第８図は、第７図の共振形電波吸収体の電波吸収特性の
実測値のグラフ。 第９図は、比較例に従う共振形電波吸収体の断面図。 第１０図は、第９図の共振形電波吸収体の電波吸収特性
の実測値のグラフ。 １０・・・導電層 １２・・・反射層 １６・・・第１の導電層 １８・・・第２の導電層 ２０・・・反射層 １７一 特開昭ＧＯ−２５７１９８（７）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 電波の一部を反射し一部を透過せしめる第１の導
電層と、該第１の導電層から間隔を置いて配置された反
射層とを具備する共振形電波吸収体において、該第１の
導電層と該反射層との間に、電波の一部を反射し一部を
透過せしめる少なくとも一層の導電層が配置されている
ことを特徴とする共振形電波吸収体。 ２、該第１の導電層と該反射層との間に、単一の第２の
導電層が配置されており、該第１の導電層のインサージ
ョンロスが約０．８であり、該第２の導電層のインサー
ジョンロスが約０．６である特許請求の範囲第１項記載
の共振形電波吸収体。 ３、該第１の導電層と該反射層との開に、複数の導電層
が配置されている特許請求の範囲第１１− 項記載の共振形電波吸収体。 ４、該第１の導電層と該反射層とが、電波吸収特性を有
する材料を少なくともその一部分に含む中間層によって
離間せしめられている特許請求の範囲第１項又は第３項
記載の共振形電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11069484A JPS60257198A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 共振形電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11069484A JPS60257198A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 共振形電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257198A true JPS60257198A (ja) | 1985-12-18 |
Family
ID=14542079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11069484A Pending JPS60257198A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 共振形電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257198A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177998A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収体 |
| JPS63197399A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-08-16 | 間久部 六郎 | 電波利用設備を収容するための建造物 |
| JPS641298A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-05 | Fujita Corp | Wave absorbing wall |
| JP2001189585A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Daido Steel Co Ltd | 高次吸収ピークを利用した電磁波吸収体 |
| JP2011066094A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nitta Corp | 電磁波吸収体、パーティション、電波暗箱、建材、無線通信システムおよび無線通信方法 |
| JP2021034678A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 電波吸収体 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11069484A patent/JPS60257198A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177998A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収体 |
| JPS63197399A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-08-16 | 間久部 六郎 | 電波利用設備を収容するための建造物 |
| JPS641298A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-05 | Fujita Corp | Wave absorbing wall |
| JP2001189585A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Daido Steel Co Ltd | 高次吸収ピークを利用した電磁波吸収体 |
| JP2011066094A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nitta Corp | 電磁波吸収体、パーティション、電波暗箱、建材、無線通信システムおよび無線通信方法 |
| JP2021034678A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 電波吸収体 |
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