JPS60257514A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
- Publication number
- JPS60257514A JPS60257514A JP11406284A JP11406284A JPS60257514A JP S60257514 A JPS60257514 A JP S60257514A JP 11406284 A JP11406284 A JP 11406284A JP 11406284 A JP11406284 A JP 11406284A JP S60257514 A JPS60257514 A JP S60257514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- plasma
- acicular
- discharge power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、高周波グロー放電を利用して薄膜を形成する
プラズマ装置に関する。
プラズマ装置に関する。
従来分野
一般に、グロー放電は、供給電源の種類によ・って大別
すると、直流法、高周波法、マイクロ波法等に分類でき
る。このうち、高周波グロー放電法は、プラズマＣＶＤ
、スパッタリング、反応性蒸着等の薄膜形成法として最
も一般的に利用されている。この高周波グロー放電法に
は誘導結合方式と容量結合方式があり、１３．５６ＭＨ
ｚの周波数が最もよく用いられる。中でも、容量結合方
式の平行平板型の対向電極は、放電の安定性や電力効率
の点で優れているためよく使用される。
すると、直流法、高周波法、マイクロ波法等に分類でき
る。このうち、高周波グロー放電法は、プラズマＣＶＤ
、スパッタリング、反応性蒸着等の薄膜形成法として最
も一般的に利用されている。この高周波グロー放電法に
は誘導結合方式と容量結合方式があり、１３．５６ＭＨ
ｚの周波数が最もよく用いられる。中でも、容量結合方
式の平行平板型の対向電極は、放電の安定性や電力効率
の点で優れているためよく使用される。
ところで、グロー放電の発生（プラズマの発生）には、
導入ガスの種類、ガス圧力、投入高周波電力、電極面積
、電極間距離等が寄与する。このため、導入ガス、ガス
圧力、電極面積及び電極間距離を固定した場合には、プ
ラズマの発生及び維持のために必要な最小放電パワーが
存在し、これより小さいパワーではプラズマが安定して
存在しないことになる。一方、アモルファスシリコンａ
−８ｉ膜の成膜では、放電パワーが低い程、欠陥の少な
い高品質の膜が得られることが知られている。
導入ガスの種類、ガス圧力、投入高周波電力、電極面積
、電極間距離等が寄与する。このため、導入ガス、ガス
圧力、電極面積及び電極間距離を固定した場合には、プ
ラズマの発生及び維持のために必要な最小放電パワーが
存在し、これより小さいパワーではプラズマが安定して
存在しないことになる。一方、アモルファスシリコンａ
−８ｉ膜の成膜では、放電パワーが低い程、欠陥の少な
い高品質の膜が得られることが知られている。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、低い放
電パワーにて安定したプラズマ状態を維持することがで
きるプラズマ装置を得ることを目的とする。
電パワーにて安定したプラズマ状態を維持することがで
きるプラズマ装置を得ることを目的とする。
構成
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、容量結合方式・平行平板型のプラズマＣｖＤ（化
学気相成長法）装置の基本構成及び作用について説明す
る。反応容器１内にＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，ＳｉＦ４．
ＰＨ３，Ｂ２Ｈ６，ＮＨ３等の原料ガスをガス導入口２
から導入させ、基板側電極（アノード）３と高周波側電
極（カソード）４との間に高周波電源５により１３．５
６ＭＨｚの高周波電圧を印加してプラズマを発生させる
。
学気相成長法）装置の基本構成及び作用について説明す
る。反応容器１内にＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，ＳｉＦ４．
ＰＨ３，Ｂ２Ｈ６，ＮＨ３等の原料ガスをガス導入口２
から導入させ、基板側電極（アノード）３と高周波側電
極（カソード）４との間に高周波電源５により１３．５
６ＭＨｚの高周波電圧を印加してプラズマを発生させる
。
このプラズマ中で原料ガスを分解・反応させて基板６下
面に非晶質半導体膜（ａ−８ｉ膜）及び絶縁膜を成膜さ
せるものである。なお、この成膜処理中は余剰原料ガス
を排気ロアから除去させ、反応容器】内を所定圧力に維
持させる。又、基板６はヒータ８によって１００〜４０
０℃に加熱さ、れる。
面に非晶質半導体膜（ａ−８ｉ膜）及び絶縁膜を成膜さ
せるものである。なお、この成膜処理中は余剰原料ガス
を排気ロアから除去させ、反応容器】内を所定圧力に維
持させる。又、基板６はヒータ８によって１００〜４０
０℃に加熱さ、れる。
このような基本構成において、本実施例では対向電極の
一方である高周波側電極４に基板側電極、、１１ 対向
面に位置させて多数の針状金属９ａを配列してなる針状
金属集合体９を設けたものである。つまり、高周波側電
極４は針状電極構造とされている。
一方である高周波側電極４に基板側電極、、１１ 対向
面に位置させて多数の針状金属９ａを配列してなる針状
金属集合体９を設けたものである。つまり、高周波側電
極４は針状電極構造とされている。
このような針状金属集合体９を備えた針状電極によれば
、単純に電極３，４のみによる平行平面電極による場合
に比べて、電極部での電界密度が大きいために、放電が
起こり易い状態となる６従って、必要とされる最小放電
パワーを低くすることができ、低い放電パワーで安定し
たプラズマの発生及び維持を達成できる。この結果、ａ
−３ｉ膜の成膜に好都合となり、低いパワーでドープで
きるためプラズマ中の電子による基板６へのダメージを
低減でき、かつ、成膜速度が急速でなく遅いので歪の少
ない膜質の良好な成膜が可能となる。
、単純に電極３，４のみによる平行平面電極による場合
に比べて、電極部での電界密度が大きいために、放電が
起こり易い状態となる６従って、必要とされる最小放電
パワーを低くすることができ、低い放電パワーで安定し
たプラズマの発生及び維持を達成できる。この結果、ａ
−３ｉ膜の成膜に好都合となり、低いパワーでドープで
きるためプラズマ中の電子による基板６へのダメージを
低減でき、かつ、成膜速度が急速でなく遅いので歪の少
ない膜質の良好な成膜が可能となる。
又、針状金属９ａによる針状金属集合体９が電極４の一
部でなく全面にわたって多数配列して構成されているの
で、作製された薄膜の均一性も大面積にわたって良好と
なる。
部でなく全面にわたって多数配列して構成されているの
で、作製された薄膜の均一性も大面積にわたって良好と
なる。
なお、針状金属９ａの形状であるが、針の長さは１−２
０ ｏ＋ｍ、針の直径は０．５−５−３ｎで、針と針と
の間隔は電極３，４間距離の１／１０以下であることが
望ましい。
０ ｏ＋ｍ、針の直径は０．５−５−３ｎで、針と針と
の間隔は電極３，４間距離の１／１０以下であることが
望ましい。
効果
本発明は、上述したように対向電極の一方に針状金属集
合体を設けたので、電極部での電界密度を大きくして放
電し易い状態にすることができ、よって、最小放電パワ
ーを低くすることができ、低い放電パワーでも安定した
プラズマ状態を維持することができ、この結果、特にａ
−８ｉ膜の成膜にあっては、プラズマによる基板へのダ
メージを低減し、かつ、成膜速度を低くして歪の少ない
高品質の膜質のものとして成膜することができるもので
ある。
合体を設けたので、電極部での電界密度を大きくして放
電し易い状態にすることができ、よって、最小放電パワ
ーを低くすることができ、低い放電パワーでも安定した
プラズマ状態を維持することができ、この結果、特にａ
−８ｉ膜の成膜にあっては、プラズマによる基板へのダ
メージを低減し、かつ、成膜速度を低くして歪の少ない
高品質の膜質のものとして成膜することができるもので
ある。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は概略側
面図、第２図はその要部を拡大して示す斜視図である。 ３〜４・・・対向電極、９・・・針状金属集合休出 願
人 株式会社 リ コ −
面図、第２図はその要部を拡大して示す斜視図である。 ３〜４・・・対向電極、９・・・針状金属集合休出 願
人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- 容量結合方式・平行平板型の対向電極を備えて高周波グ
ロー放電を利用して薄膜を形成するプラズマ装置におい
て、一方の対向電極の電極対向面に針状金属集合体を設
けたことを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11406284A JPS60257514A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11406284A JPS60257514A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257514A true JPS60257514A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14628074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11406284A Pending JPS60257514A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196118A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11406284A patent/JPS60257514A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196118A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
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