JPS6025853B2 - 表示素子駆動回路 - Google Patents
表示素子駆動回路Info
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- JPS6025853B2 JPS6025853B2 JP4177778A JP4177778A JPS6025853B2 JP S6025853 B2 JPS6025853 B2 JP S6025853B2 JP 4177778 A JP4177778 A JP 4177778A JP 4177778 A JP4177778 A JP 4177778A JP S6025853 B2 JPS6025853 B2 JP S6025853B2
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- Japan
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- circuit
- display element
- switching
- capacitance
- display
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- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光表示素子の駆動回路にするものである。
テレビジョンやェレベータ等の各種機磯・装置において
は、各種の動作状態を表示するための表示装置が数多く
用いられている。
は、各種の動作状態を表示するための表示装置が数多く
用いられている。
従釆の表示装置としては、例えば第IL図(aは正面図
、bは側面図)に示す如く、押ボタンスイッチで、その
ボタン頭部が発光するものがある。
、bは側面図)に示す如く、押ボタンスイッチで、その
ボタン頭部が発光するものがある。
すなわち第1図において、ボタンーをスイッチ本体2の
方へ押し込むことによってスイッチがオン又はオフにな
る。そしてこの動作に連動して発光ダイオード3(又は
電球等)が点灯し、その光がボタン1を構成している透
明プラスティック内を通過してボタン1の前面から放射
し、あたかもボタンーの頭部が発光しているように見え
るものである。なお第1図の4は配線用の端子である。
上記のごとき押ボタン式表示装置においては、【ィ’構
造が複雑であること、‘oー発光部が大面積にすること
が難しく、かつ装置の奥行が大きくなる、し一パネルに
取付けるには取付け孔が必要であり、同一平面内に多数
取付けに〈し、等の欠点がある。上記の欠点を改善した
表示装置として第2図(aは正面図、bは側面図及び回
路図)に示すごとき静亀容量変化検出型センサを有した
表示装置がある。すなわち第2図において、表示部を兼
ね′たセンサパネル5と接地面との間の容量変化(例え
ば人間がセンサパネル5の前面に接触したことによる容
量変化)を検出回路7で検出し、その信号によってスイ
ッチング回路8をオン.オフすることにより、発光ダイ
オード6(又は電球)を点滅させ、センサパネル5を介
して前方へ光を放射するものである。なお第2図におい
て9は電源である。上記のごとき静電容量変化検出型の
表示装置は現在、ェレベータ等に広く用いられているが
、この装置の場合も大面積表示は難しく、また電球等の
取付けが必要なため奥行きも大きくなるので実装上に問
題がある。本発明は上記のごとき従来技術の欠点を解消
し薄型で大面積表示が可能であり、かつ実装の容易な表
示装置を実現っるための表示素子駆動回路を提供するこ
とを目的とする。
方へ押し込むことによってスイッチがオン又はオフにな
る。そしてこの動作に連動して発光ダイオード3(又は
電球等)が点灯し、その光がボタン1を構成している透
明プラスティック内を通過してボタン1の前面から放射
し、あたかもボタンーの頭部が発光しているように見え
るものである。なお第1図の4は配線用の端子である。
上記のごとき押ボタン式表示装置においては、【ィ’構
造が複雑であること、‘oー発光部が大面積にすること
が難しく、かつ装置の奥行が大きくなる、し一パネルに
取付けるには取付け孔が必要であり、同一平面内に多数
取付けに〈し、等の欠点がある。上記の欠点を改善した
表示装置として第2図(aは正面図、bは側面図及び回
路図)に示すごとき静亀容量変化検出型センサを有した
表示装置がある。すなわち第2図において、表示部を兼
ね′たセンサパネル5と接地面との間の容量変化(例え
ば人間がセンサパネル5の前面に接触したことによる容
量変化)を検出回路7で検出し、その信号によってスイ
ッチング回路8をオン.オフすることにより、発光ダイ
オード6(又は電球)を点滅させ、センサパネル5を介
して前方へ光を放射するものである。なお第2図におい
て9は電源である。上記のごとき静電容量変化検出型の
表示装置は現在、ェレベータ等に広く用いられているが
、この装置の場合も大面積表示は難しく、また電球等の
取付けが必要なため奥行きも大きくなるので実装上に問
題がある。本発明は上記のごとき従来技術の欠点を解消
し薄型で大面積表示が可能であり、かつ実装の容易な表
示装置を実現っるための表示素子駆動回路を提供するこ
とを目的とする。
本発明の要点は、表示素子兼センサとして薄型表示素子
(ェレクトロルミネッセンス素子、液晶表示素子、ェレ
クトロクロミツク素子等)を用い該素子の対抗電極(又
は並置された電極)を容量検出型のセンサとして使用し
た場合に生ずる問題点を特殊な駆動回路によって解決し
たことにある。
(ェレクトロルミネッセンス素子、液晶表示素子、ェレ
クトロクロミツク素子等)を用い該素子の対抗電極(又
は並置された電極)を容量検出型のセンサとして使用し
た場合に生ずる問題点を特殊な駆動回路によって解決し
たことにある。
以下、まず薄型表示素子の電極を直接、センサとして使
用した場合の問題点についてェレクトロルミネッセン素
子(以下EL素子と略記する)を例として説明する。
用した場合の問題点についてェレクトロルミネッセン素
子(以下EL素子と略記する)を例として説明する。
第3図はEL素子駆動回路の一例図である。
第3図において、1 川ま人体カギEL素子1 4の電
極とパネルを介して接触したときの静電容量(電極と指
との間の静電容量で数pF程度)、11は人体のインピ
ーダンス(50〜60日2では10のインピーダンスに
比して十分に小さな値である)12は人体に譲起される
ハムノイズ、13はスイッチング素子、14はEL素子
、15はMC電源である。第3図の回路は、人体がパネ
ルを介してEL素子14の電極に接触したときに生ずる
P点の電圧変化を検出し(検出回路は図示を省略)、そ
れによってスイッチング素子13をオンにすることによ
り、AC電源15からEL素子14に電流15が流れて
発光するものである。しかしEL素子14は電極間に誘
電体層をサンドイッチ礎造したものであり、電極間の静
電容量は100岬F/の程度もある。
極とパネルを介して接触したときの静電容量(電極と指
との間の静電容量で数pF程度)、11は人体のインピ
ーダンス(50〜60日2では10のインピーダンスに
比して十分に小さな値である)12は人体に譲起される
ハムノイズ、13はスイッチング素子、14はEL素子
、15はMC電源である。第3図の回路は、人体がパネ
ルを介してEL素子14の電極に接触したときに生ずる
P点の電圧変化を検出し(検出回路は図示を省略)、そ
れによってスイッチング素子13をオンにすることによ
り、AC電源15からEL素子14に電流15が流れて
発光するものである。しかしEL素子14は電極間に誘
電体層をサンドイッチ礎造したものであり、電極間の静
電容量は100岬F/の程度もある。
これに対し人体がパネルを介して電極に接触したときの
静電容量(前記の10)はせし、ぜし、数pFにすぎな
いので、P点の電圧変化は非常に小さいものになる。
静電容量(前記の10)はせし、ぜし、数pFにすぎな
いので、P点の電圧変化は非常に小さいものになる。
例えば第4図は第3図の等価回路であり、Z。
,Z,.,Z,3,Z,4はそれぞれ10,1 1,1
3,14のインピーダンス(ただしZ,3はスイッチン
グ素子13の電極間容量で3pF程度)であり、V。は
人体のハムノイズである。第4図において、50HZに
おけるP点の電圧Vpは、Z13乙4Vp=乙3乙4十
(Z,3十Z,4)(乙。
3,14のインピーダンス(ただしZ,3はスイッチン
グ素子13の電極間容量で3pF程度)であり、V。は
人体のハムノイズである。第4図において、50HZに
おけるP点の電圧Vpは、Z13乙4Vp=乙3乙4十
(Z,3十Z,4)(乙。
十Z,.)V。二1仇hVとなる。したがって検出回路
は1皿V程度の変化を検出することが必要となるが、各
素子のバラッキや雑音等を考慮すると、1瓜hV程度の
極小レベルの変化を検知することは困難であり、実用化
出釆なかつた。
は1皿V程度の変化を検出することが必要となるが、各
素子のバラッキや雑音等を考慮すると、1瓜hV程度の
極小レベルの変化を検知することは困難であり、実用化
出釆なかつた。
本発明は、表示素子の前後にスイッチング素子を設けて
回路のインピーダンスを高くし、ハムノィズを高レベル
で検出できるようにしたことにより、上記の問題点を解
決したものである。
回路のインピーダンスを高くし、ハムノィズを高レベル
で検出できるようにしたことにより、上記の問題点を解
決したものである。
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。第5図
は本発明に用いるEL素子の一例の正面図、第6図は第
5図のA−A′断面図である。
は本発明に用いるEL素子の一例の正面図、第6図は第
5図のA−A′断面図である。
第5図及び第6図において、まず透明なガラス基板16
(例えば40×4仇舷)の片面にln203ネサ膜(例
えば膜厚2000A、シート抵抗1500/係)を形成
し、次にエッチングによって所定のパタンを残してネサ
膜を取除くことにより電極17を形成する。次にェレク
トロルミネッセンス用蛍光体印刷ペーストを用いてスク
リーン印刷することにより、表示層18を形成する。な
お表示層18の膜厚は、10rm以下になると絶縁耐圧
が不足し、40〆m以上になると十分な発光を得るのに
高電圧を要するので、10〜40一m程度にすることが
望ましい。次にアルミニウム蒸着により対向電極19を
形成する。
(例えば40×4仇舷)の片面にln203ネサ膜(例
えば膜厚2000A、シート抵抗1500/係)を形成
し、次にエッチングによって所定のパタンを残してネサ
膜を取除くことにより電極17を形成する。次にェレク
トロルミネッセンス用蛍光体印刷ペーストを用いてスク
リーン印刷することにより、表示層18を形成する。な
お表示層18の膜厚は、10rm以下になると絶縁耐圧
が不足し、40〆m以上になると十分な発光を得るのに
高電圧を要するので、10〜40一m程度にすることが
望ましい。次にアルミニウム蒸着により対向電極19を
形成する。
上記の素子は電極17,19間に交流又は方形波電界を
印加することによって発光する。次に、第7図は本発明
の原理図である。
印加することによって発光する。次に、第7図は本発明
の原理図である。
第7図において、2川まEL素子25の電極にパネルを
介して人体が接触したときの静電容量21は人体の静電
容量、22は人体のハムノィズ23及び24はEL素子
の両端に設けられ、相互に同位相で開閉するスイッチン
グ素子、25はEL素子、26はEL素子25と並列に
接続された放電用の抵抗(駆動用電源が交流電源の場合
は不要)、27は駆動用の直流電源である。
介して人体が接触したときの静電容量21は人体の静電
容量、22は人体のハムノィズ23及び24はEL素子
の両端に設けられ、相互に同位相で開閉するスイッチン
グ素子、25はEL素子、26はEL素子25と並列に
接続された放電用の抵抗(駆動用電源が交流電源の場合
は不要)、27は駆動用の直流電源である。
第7図の回路において、スイッチング素子23,24が
開閉すると、EL素子25に方形波電界が印加されてE
L素子25が発光する。
開閉すると、EL素子25に方形波電界が印加されてE
L素子25が発光する。
上記の回路において、スイッチング素子23,24がオ
フのときの等価回路は第8図に示すようになる。
フのときの等価回路は第8図に示すようになる。
第8図において、EL素子25と並列抵抗26の合成イ
ンピーダンスをZ25、静電容量20,21のインピー
ダンスをそれぞれZの, Z,、スイッチング素子23
,24の電極間容量のインピーダンスをそれぞれZ3,
Z4とし、ハムノイズをV。
ンピーダンスをZ25、静電容量20,21のインピー
ダンスをそれぞれZの, Z,、スイッチング素子23
,24の電極間容量のインピーダンスをそれぞれZ3,
Z4とし、ハムノイズをV。
とした場合、例えば50日2におけるハムノィズV。に
よるA点の電圧V^は、Z4(Z23十Z25) V^=Z4(Z2十Z肉)十(Z。
よるA点の電圧V^は、Z4(Z23十Z25) V^=Z4(Z2十Z肉)十(Z。
十Z,XZ3十乙4十Z5)V。ニ1.3Vとなる。上
記のように、EL素子の両側にスイッチング素子を入れ
てそれをオフにし、回路のインピーダンスを上げること
により、A点におけるハムノィズを大きくして検出可能
にすることが出来る。
記のように、EL素子の両側にスイッチング素子を入れ
てそれをオフにし、回路のインピーダンスを上げること
により、A点におけるハムノィズを大きくして検出可能
にすることが出来る。
次に、第9図は上記の原理に基づいた本発明の一実施例
の回路図である。第9図において、スイッチング回路2
9は、トランジスタのスイッチング素子34,35等か
ら構成されており、制御入力端子28に与えられる制御
信号に応じて2個のスイッチング素子34,35が同位
相で開閉するものである。
の回路図である。第9図において、スイッチング回路2
9は、トランジスタのスイッチング素子34,35等か
ら構成されており、制御入力端子28に与えられる制御
信号に応じて2個のスイッチング素子34,35が同位
相で開閉するものである。
次に、人体がEL素子25の電極にパネルを介して接触
することによってA点に注入されたハムノィズは、直流
阻止用のコンデンサ36を介して増幅回路30に与えら
れ、増幅回路30‘ま入力信号を適当なしベルに増幅し
たのちローパスフィルタ31に送る。
することによってA点に注入されたハムノィズは、直流
阻止用のコンデンサ36を介して増幅回路30に与えら
れ、増幅回路30‘ま入力信号を適当なしベルに増幅し
たのちローパスフィルタ31に送る。
ローパスフィルタ31は、ハムノィズの周波数(50〜
60HZ)より高い周波数成分(例えばスイッチング素
子34,35のスイッチタイミングのずれによるスパイ
クノイズ成分等)を取り除いてハムノィズ成分のみを出
力する。
60HZ)より高い周波数成分(例えばスイッチング素
子34,35のスイッチタイミングのずれによるスパイ
クノイズ成分等)を取り除いてハムノィズ成分のみを出
力する。
この出力を整流回路32で整流した信号でトランジスタ
37,38からなるスイッチング回路を制御すれば、出
力端子33には、ハムノィズが注入されている間は高レ
ベル、注入されていない場合は低レベルになる判別信号
が得られる。この判別信号を、例えばフリップフロップ
回路等を用いた処理回路39を与え、表示素子の動作モ
ードに応じた処理を行なう。
37,38からなるスイッチング回路を制御すれば、出
力端子33には、ハムノィズが注入されている間は高レ
ベル、注入されていない場合は低レベルになる判別信号
が得られる。この判別信号を、例えばフリップフロップ
回路等を用いた処理回路39を与え、表示素子の動作モ
ードに応じた処理を行なう。
そして処理回路39の出力に応じて発振器40を動作さ
せ、その発振出力をスイッチング回路29の制御入力端
子28に与えてスイッチング素子34,35を開閉させ
ることにより、EL素子25を任意の勤作モ−ドで点滅
させることが出来る。上記の動作モードとしては、例え
ば、‘ィ)指を触れている間のみ点灯し、指をはなすと
消灯するもの、{ロは旨を触れると点灯し、一定時間後
に消灯するもの、し一指を触れると点灯し、指をはなし
ても点灯を続け、再び指を触れると消灯するもの、等が
考えられるが、そのような機能をもった処理回路39は
、いずれもフリップフロップ回路とタイマ回路等の公知
の回路を粗合せることによって容易に実現することが出
来る。
せ、その発振出力をスイッチング回路29の制御入力端
子28に与えてスイッチング素子34,35を開閉させ
ることにより、EL素子25を任意の勤作モ−ドで点滅
させることが出来る。上記の動作モードとしては、例え
ば、‘ィ)指を触れている間のみ点灯し、指をはなすと
消灯するもの、{ロは旨を触れると点灯し、一定時間後
に消灯するもの、し一指を触れると点灯し、指をはなし
ても点灯を続け、再び指を触れると消灯するもの、等が
考えられるが、そのような機能をもった処理回路39は
、いずれもフリップフロップ回路とタイマ回路等の公知
の回路を粗合せることによって容易に実現することが出
来る。
また第9図の場合、発振器40の出力信号をハムノィズ
の周波数より十分高い周波数(例えば500HZ)の方
形波とすることにより、直流電源27を用いてEL素子
25を点灯させ、かつA点から注入されるハムノィズを
他の信号と区別して正確に検出することが出釆る。
の周波数より十分高い周波数(例えば500HZ)の方
形波とすることにより、直流電源27を用いてEL素子
25を点灯させ、かつA点から注入されるハムノィズを
他の信号と区別して正確に検出することが出釆る。
なお上記の説明においては、表示素子としてEL素子を
用いた場合を例示したが、液晶素子、ェレクトロクロミ
ック素子を用いた場合も同様に本発明を適用することが
出釆る。
用いた場合を例示したが、液晶素子、ェレクトロクロミ
ック素子を用いた場合も同様に本発明を適用することが
出釆る。
以上説明したごとく本発明によれば、薄型表示素子の電
極をセンサとして用いることが可能となるので、非常に
薄型になり、かつ取付けが容易になる等実装性が向上し
、しかもセンサ全面が発光体となるので大面積のものを
容易に実現できるという効果がある。
極をセンサとして用いることが可能となるので、非常に
薄型になり、かつ取付けが容易になる等実装性が向上し
、しかもセンサ全面が発光体となるので大面積のものを
容易に実現できるという効果がある。
第1図及び第2図はそれぞれ従来装置の一例図、第3図
はEL素子駆動回路の一例図、第4図は第3図の等価回
路図、第5図は本発明に用いる薄型表示素子の一例の正
面図、第6図は第5図のA−A′断面図、第7図は本発
明の原理図、第8図は第7図の等価回路図、第9図は本
発明の一実施例の回路図である。 1・・・・・・ボタン、2・・・・・・スイッチ本体、
3・・・・・・発光ダイオード、4・・…・端子、5…
…センサパネル、6・…・・発光ダイオード、7・・・
・・・検出回路、8・・・・・・スイッチング回路、9
・・・・・・電源、IQ・・・・・・接触時の静電容量
、11・・・・・・人体の静電容量、12.・・・・・
ハムノィズ、13・・・・・・スイッチング素子、14
・・・・・・EL素子、15・・・・・・AC電源、1
5′・・・・・・電流、16・・・・・・ガラス基板、
17・・・・・・電極、18・・・…表示層、19・・
…・対向電極、20・・・・・・接触時の静電容量、2
1・・・・・・人体の静電容量、22・・・…ハムノィ
ズ、23・・・・・・スイッチング素子、25・・・・
・・EL素子、26・・・・・・抵抗、27・・・・・
・直流電源、28……制御入力端子、29……スイッチ
ング回路、30・・・・・・増幅回路、31・・・・・
・ローパスフィルタ、32・・・…整流回路、33…・
・・出力端子、34,35…・・・スイッチング素子、
36・・・・・・コンデンサ、37,38……トランジ
スタト39……処理回路、40・…・・発振器。 矛l図 才2図 才3図 矛4図 オ5図 氷6図 オフ図 才8図 才9図
はEL素子駆動回路の一例図、第4図は第3図の等価回
路図、第5図は本発明に用いる薄型表示素子の一例の正
面図、第6図は第5図のA−A′断面図、第7図は本発
明の原理図、第8図は第7図の等価回路図、第9図は本
発明の一実施例の回路図である。 1・・・・・・ボタン、2・・・・・・スイッチ本体、
3・・・・・・発光ダイオード、4・・…・端子、5…
…センサパネル、6・…・・発光ダイオード、7・・・
・・・検出回路、8・・・・・・スイッチング回路、9
・・・・・・電源、IQ・・・・・・接触時の静電容量
、11・・・・・・人体の静電容量、12.・・・・・
ハムノィズ、13・・・・・・スイッチング素子、14
・・・・・・EL素子、15・・・・・・AC電源、1
5′・・・・・・電流、16・・・・・・ガラス基板、
17・・・・・・電極、18・・・…表示層、19・・
…・対向電極、20・・・・・・接触時の静電容量、2
1・・・・・・人体の静電容量、22・・・…ハムノィ
ズ、23・・・・・・スイッチング素子、25・・・・
・・EL素子、26・・・・・・抵抗、27・・・・・
・直流電源、28……制御入力端子、29……スイッチ
ング回路、30・・・・・・増幅回路、31・・・・・
・ローパスフィルタ、32・・・…整流回路、33…・
・・出力端子、34,35…・・・スイッチング素子、
36・・・・・・コンデンサ、37,38……トランジ
スタト39……処理回路、40・…・・発振器。 矛l図 才2図 才3図 矛4図 オ5図 氷6図 オフ図 才8図 才9図
Claims (1)
- 1 電源、第1のスイツチング素子、薄型表示素子及び
上記第1のスイツチング素子と同位相で開閉する第2の
スイツチング素子を直列に接続してなるループ回路と、
人体が上記薄型表示素子の電極に接近または接触したと
きに注入さるハムノイズを検出する検出回路と、該検出
回路の出力に応じて上記第1および第2のスイツチング
素子を同一位相で開閉制御する回路とを具備することを
特徴とする表示素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177778A JPS6025853B2 (ja) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | 表示素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177778A JPS6025853B2 (ja) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | 表示素子駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54134376A JPS54134376A (en) | 1979-10-18 |
| JPS6025853B2 true JPS6025853B2 (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=12617792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4177778A Expired JPS6025853B2 (ja) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | 表示素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025853B2 (ja) |
-
1978
- 1978-04-11 JP JP4177778A patent/JPS6025853B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54134376A (en) | 1979-10-18 |
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