JPS60258828A

JPS60258828A - 撮像管の製法

Info

Publication number: JPS60258828A
Application number: JP11430784A
Authority: JP
Inventors: Takaomi Hanabusa; 隆臣花房; Masayasu Hayashi; 正健林
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1984-06-04
Filing date: 1984-06-04
Publication date: 1985-12-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、ガラスパルプ内面に導電体を被着した後、レ
ーザービームで所定ノ５ターンにカッティングして電極
を形成する撮像管の製法に関する。

背景技術とその問題点第１図は静電集束・静電偏向型（Ｓ−Ｓ型）の撮像管の
構成を示している。同図において、に、ｑｌ及びＧ２は
夫々電子銃を構成するカソード、第１グリツド電極及び
第２グリツド電極、そして、ＬＡはビーム制限開孔であ
る。また、Ｑａ　、　Ｇ４及びＧ５は、夫々第３、第４
及び第５グリツド電極である。

これらの電極０３〜Ｇ５は１例えばガラスノくルブ（図
示せず）の内面にニッケル、クロム等の金属が蒸着ある
いはメッキされた後、所定パターンにカッティングされ
て形成される。電極０３〜Ｇ５により集束用の電極系が
構成されると共に、電極Ｇ４は偏向電極を兼ねている。

また、Ｇ６はメツシシー状電極％ＴＡはターゲットであ
る。

この撮像管の電極Ｇ３〜ｑ５は、例えば第２図にその展
開図を示すようなパターンとされている。

図面の簡単化のため、この第２図においては金属の被着
されていない部分を黒線で示している。例えば、電極Ｇ
４は一様な偏向′電界を得るために、絶縁されて入り組
んでいる４つの電極部Ｈ十、■＋。

Ｈ−及び■−が円周方向に交互に配された、いわゆるア
ローパターンとされている。また、Ｔ）ｌ＋　＋　Ｔ’
Ｊ＋＋ＴＨ−及びＴＶ−は夫々電極部８＋、　Ｖ＋、庄
及びＶ−からのリードであり、電極ｑ３の領域に、′遊
離ｑ３〜（Ｊｓが形成されると同時に同様に形成される
。電極部Ｈ＋、）ｉ−は水平偏向用の颯憧都であり、一
方電極部Ｖ＋、　Ｖ−は垂直偏向用の屯憾部である。図
示せずも、電極部Ｈ十及びＨ−には、夫々所定嵐圧を中
心に対称的に変化する水平周期ののこぎり波電圧が印加
され、一方電極部Ｖ十及び■−には、夫夫所定電圧を中
心に対称的に変化する垂直周期ののこぎり波電圧が印加
され、水平及び垂直偏向走査が行なわれる。

ところで、上述例のようにガラスバルブ内面に被着され
た例えばニッケル・クロム等の金属を所定パターンにカ
ッティングして電極０３〜Ｇ５を形成するのに、従来は
円形のレーザービームな用いて行なっている。この場合
、電極Ｇ４の％電極部Ｈ＋　〜Ｖ−の円周方向の面積分
布の正しい分布（コサイン分布）からのずれを小さくし
て偏向リニアリティーの悪化を防止するため、レーザー
ビームの径は比較的小さく選ばれている。第３図は、こ
の円形のレーザービームの１度の走査によるカッティン
グの様子を示しており、「ｅＪ印はレーサービームな示
している。

電１］１　上述例のような撮像管においては、電極ｑ４の
各電極部Ｈ十〜Ｖ−間には巨畝十ｖしかかからないが、
電極ｑ３及びリードＴＨ十〜ＴＶ−間には１ＵＮＶがか
かる。そのため、電極ｑ３及びリードＴＨ十〜ＴＶ−間
のギャップの幅を広げ所定の耐圧を確保する必要がある
。従って、電極ｑ３及びリードＴＨ＋〜ＴＶ−間、例え
ば第３図においてａ　−ｂ　−ｃ　−ｄ　−ｅ−・・・
の部分ではレーザービームを２度以上走査させてカッテ
ィングし、ギャップの幅が広げられる。

このように従来の方法によれば、レーザービームによる
カッティングに要する時間が長（、生産性の向上の障害
となっている。

尚、レーザービームの径を太き（、例えば２倍としてカ
ッティングに要する時間を短か（することが考えられる
。第４図は、この径を太き（したレーザービームの１度
の走査によるカッティングの様子を示しており、「ノ」
印はレーザービームな示している。この場合、電極Ｇ３
及びリードＴＨ＋〜ＴＶ−間のギャップの幅は、レーザ
ービームの１度の走査によるカッティングで充分な広さ
となり、レーザービームの２度以上の走査は不要となり
、カッティングに要する時間を短かくすることができる
。しかしこの場合、電極Ｇ４の各電極部旦十〜Ｖ−間の
円周方向の間隔が一定でなくなり（第４図矢印参照）、
各電極部Ｈ十〜Ｖ−の円周方向の面積分布の正しい分布
からのずれが大となり、偏向リニアリティーが悪化する
不都合がある。

発明の目的本発明方法は斯る点に鑑み、例えば第１図例に示すよ５
な８・Ｓ型の撮像管を製造するに当って、偏向リニアリ
ティを悪化させることな（、レーザービームによるカッ
ティングに要する時間を短かくでき、生産性が向上する
ようにしたものである。

発明の概要本発明方法は上記目的を達成するため、ガラスバルブ内
面に導電体を被着した後、円周方向に長軸を有するだ円
形のレーザービームで所定パターンにカッティングして
′に極を形成するものである。

実施例以下、本発明製法の一例￥説明する。

本例においては、ガラスバルブ内面に例えばニッケル、
クロム等の金緬馨蒸着あるいはメッキした後、円周方向
に長軸を有するだ円形のレーザービームで所定パターン
にカッティングして電極を形成する。

第５図は、このだ円形のレーザービームの１度の走査に
よるカッティングの様子を示Ｕており、「０」印はレー
ザービームを示している。尚、この第５図において、第
３図及び第４図と対応する部分には同一符号を付し、重
複説明は省略する。

この場合、円周方向に長軸を有するだ円形のレーザービ
ームでカッティングするので、、ｔｌｎＧ４の各電極部
Ｈ十〜Ｖ−間の円周方向の間隔が略一定に形成される（
第５図矢印参照）。

また、円周方向に長軸を有するだ円形のレーザービーム
でカッティングするので、電極０３及びリードｉ’ｉ十
〜ＴＶ−間のうち管軸方向の部分、例えば第５図におい
て、ａ−ｂ　、　ｃ−ｄ　、　ｅ−ｆ　、−＝・の部分
のギャップの幅は広く形成されるが１円周方向の部分、
例えば第５図において、ｂ−ｃ、ｄ’　＋　’　ｇ　＋
・・・・の部分のギャップの幅は狭（形成される。従っ
て、この円周方向の部分（管軸方向の部分に比べて短か
い）ではレーザービームを２度以上走査させてカッティ
ングし、ギャップの幅が広げられる。

本例によれば、電極ｑ３及びリードＴＨ＋〜ＴＶ−間の
ギャップの幅は、円周方向の部分を除き、レーザービー
ムの１度の走査によるカッティングで充分な広さに形成
されるので、従来方法（第３図参照）Ｋよるものに比ベ
カッティング［９する時間を短かくすることができ、生
産性が向上する。

しかも、本例によれば、電極Ｇ４の各電極部Ｈ十〜■−
間の円周方向の間隔が略一定に形成されるので、各電極
部Ｈ十〜■−の円周方向の面積分布の正しい分布からの
ずれが小さく、従来方法によるものと同様の偏向リニア
リティな得ることができる。

尚、上述は電極ｑ４がアローパターンの偏向電極とされ
ると共に、電極ｑ３の領域に電極ｑ４の各を極部Ｈ＋〜
■−のリードＴＨ十〜ＴＶ−が形成される１、　Ｓ　−
Ｓ型の撮像管に着目したものであるが、同様・１の構造を有する他の撮像管を製造する上でも有効である
。

発明の効果以上述べたよ５に本発明製法によれば、円周方向に長軸
を有するだ円形のレーザービームで所定パターンにカッ
ティングするものであるから、例えば第１図例に示すよ
うなＳ−８型の撮障管の製造にあたっては、偏向リニア
リティを悪化させることなくカッティングに要する時間
を短かくでき、生産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は静電集束・静電偏向型の撮像管の構成図、第２
図はその１１Ｌ極パターンを示す展開図、第３図及び第
４図は夫々従来方法の説明のための図、第５図は本発明
製法の説明のための図である。Ｑａ　、　０４及びｑ５は夫々第３、第４及び第５グリ
ツド電極、Ｈ十〜■−は夫々嵯愼部、ＴＨ十〜ＴＶ−は
夫々リードである。口＝二二二二ト←

Claims

【特許請求の範囲】

ガラスバルブ内面に導電体を被着した後、円周方向に長
軸を有するだ円形のレーザービームで所定パターンにカ
ッティングして電極を形成する撮像管の製法。