JPS61107252A

JPS61107252A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS61107252A
Application number: JP59227894A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-10-31
Filing date: 1984-10-31
Publication date: 1986-05-26
Also published as: JPH0235299B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現−像、必要に応じて転写、定着などの処
理を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は８５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無、公害である点
で例えば特開昭５４−８８３４．１号公報や特開昭５８
−８３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以後ｒ　ａ−ＳｉＪと略記する）から成
る光受容部材が注目されている。

当年ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
ｔｏ１２ΩＣ１１以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
・この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある　　□
程度低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出
来る様にしたものとしては１例えば、特開昭５４−１２
１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭
５７−４１７２号公報に記載されである様に光受容層を
伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として
、光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５
７−５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、
同５８１５ｉＩＩ号、同５８１８０号、同５８１８１号
の各公報に記載されである様に支持体と光受容層の藺、
又は／及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構
造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材
が提案されている。

この様な提案によって、ａ　−９ｉ系先光受容材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入として、
ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ原藻で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１ｏｏｏ。

人の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボ
ン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける
方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アル
ミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、
サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面で、の光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光　　、）′□は
残存する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−
９ｉ暦を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形
成される光受容層の暦品質が著しく低下すること、樹脂
層がａ−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメージを
受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態
の悪化によるその後のａ−９ｉ層の形成に悪影響を与え
ること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、＠３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■１　となる、
透過光Ｉ、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光Ｌ　＋に２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
８と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止′して光受容層内部での多重反射を防止
する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、
光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１Ｒ
４０２での表面での反射光Ｒ２ｅ第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト、等の方法によって支持体表面を不
規則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラ
ツキが多く、且つ同一ロー２トに於いても粗面度に不均
一があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄｌ　＝　（ｍ＋展）入が成立ち、夫々明部また
は暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚
ｄｘ　、ｄｚ　、ｄ３．（１４の夫々の差のあるため明
暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐、圧性及び光
感度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供す
ることでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが出来る電子写真用に適した光受容部材を
提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の暦とが支持体側より順に設けられた多層
構成の光受容層とを有しており、前記第１の層中に於け
るゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であ
ると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素
原子の中から選択される少なくとも一種を含有する事を
複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層８０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
８０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）１に入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１暦７０１と第２暦７０２の界
面７０３と第２！７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光量。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（’ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の
明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７〜ｄＢ）であっても同様に云え
る為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２Ｍまで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１ｏに対
して１反射光Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ４ＪＳが存在する。そ
の為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが生
ずる。。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
暦の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じコ　　　　　ない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｔ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポッ、ト径をＬとすれば、ｔ≦して
ある。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
！に於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｔ、　）は、照射光の
波長を入とすると、入ｃｔ、　　−ｄ、　　≧　　□。

　ｎ（ｎ：第２層８０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係に９°′″＋ａパ、　　　　　　　　　　　
　　　、。

但し、平行な層界面を形成する暦は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の暦、第２の暦各暦の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ｐｃｖｎ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多重Ｉｊｔ旋構造、又は交叉螺旋構造とさ
れても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は１本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統、−され
ていることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自
由度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を宥する支持体におていは、支持体上に形成
されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言うも
のとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、゛第１は光受容層を構成するａ−９ｉ暦は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ暦の暦品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸かあると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した暦堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００ｇ　〜
０．３ｇｍ　、より好ましくは２００−〜ｌ　ＪＬＩＩ
　、最適には５０％〜５−であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５鱗、
より好ましくは０．３ｇ〜３μｓ、最適には０．８ｇｍ
〜２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッ
チと最大深さが上記の範囲にある場　　　　）合、凹部
（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度
〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度
〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはＱ
、ｌＨ〜２鱗、より好ましくは０．１−〜１．５μ、最
適には０．２μｓ〜１μｓとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の暦とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっており、前記第１の層中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となって
いるため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従゛って、本発明の光受容部材に就いて詳
細に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

８１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−Ｓｉ（
Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有する
第２の層（Ｓ）　１００３とが順に積層された層構造を
有する。

第１の暦（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１００１の設けられである
側とは反対の側（光受容Ｊｉｉ）　１００１の表面１０
０５側）の方に対して前記支持体１００１側の方に多く
分布した状態となる様に前記第１の暦（Ｇ）　１００２
中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の暦（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２
のＦＷ’　（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有され
ておらず、この様なＮｓ造に光受容部を形成することに
よって、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の一長の光に対して光感度が優れている
光受容部材とし得るものである。

又、第１の７！’　（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体側より第２の暦（Ｓ）に向って減少する変化が与えら
れているので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間
に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端
部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大き
くすることにより、半導体レーザ等を使用した場合の、
第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を
第１の５（Ｇ）’に於いて、実質的に完全に吸収するこ
とが出来、支持体面からの反射による干渉を防止するこ
とが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料　　　　　゛の
夫々がシリコン原子という共通の構成要素を有している
ので積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。

第１１図乃至第１９図には１本発明における光受容部材
の第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於
いて、ＦＪ厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各
々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示して
おり、これらの図は模式的なものと理解されたい、実際
の分布としては、本発明の目的が達成される可く、所望
される分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ≦８
）又はＣｉ（Ｌ≦ｉ≦１７）の値な選ぶか、或いは分布
カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべきである
。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、　ｔｓは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を
、１丁は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を
示す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（
Ｇ）は１．側より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の暦（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔ８より１、の位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され１位置ｔ１よりは濃度らより界面位１１ｔｔ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは実質的に
零とされる（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置１丁におい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置１．より位置し２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度らと一定値とされ、
位置ｔ２と位置を丁との間において、徐々に連続的に減
少され、位置１丁において１分布濃度Ｃは実質的に零と
されている第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔｌＢより位置り、に至るまで、濃度Ｃ６より初め
連続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的
に減少されて、位置ＬＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは１位置１．と位置１４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置１丁に於ては分布濃度Ｃは零とされ
る０位置ｔ４と位置ｔ□との間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位１ｆｔ丁に至るまで減少されて
いる。

第１８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置Ｌ
ｓより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り１位置ｔ
５より位置１丁までは濃度Ｃ９より濃度Ｃ１６まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置ｔｓより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｔ
ｔより実質的に零に至る様に一次関数的に連続して減少
し零に至っている。

第１８図においては、位置１．より位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ＋２より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され１位置ｔ６と位ａｌ
ｔｒとの間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例
が示されている。

第１８図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは、位３１Ｌｍにおいて濃度０１４であり、
位置ｔ７に至るまではこの濃度ＣＩＡより初めはゆっく
りと減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少
されて位置ｔ７では濃度ＣｔＳとされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ・
で濃度ＣＩ＆となり１位置ｔ・と位置ｔ・との　　　　
１間では、徐々に減少されて位！！Ｌｓにおいて、濃度
０１７に至る０位置ｔ９と位置ｔ７との間においては、
濃度ＣＩ７より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の暦（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面１゜側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の暦（Ｇ）に設けられてい
るのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の暦（Ｇ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
終以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位ａｔｅ
より５層厚までの全暦債城（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１×１
０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の暦（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５ＩＬ以内
（Ｌａから５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ履ａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
７５　（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくはｌ　−４０ａｔｏｍｉ
ｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には
５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　ＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｓ＋　、
より好ましくは１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏｍｉｃ　ＰＰ
■とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の暦（Ｇ）と第２の暦（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

ｊ　　　　　　本発明に於いて、第１のＭ　（Ｇ）の層
厚丁目は、好ましくは３０Ａ〜５０ル、より好ましくは
、４０Ａ〜４０島、最適には、５０Ａ〜３０ｐとされる
のが望ましい。

又、第２のＷ　（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜
８０ル、より好ましくは１〜８０ｐ最適には２〜５０終
とされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ−と第２の暦（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁１＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ口＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００鉢、より好適
には１〜８０終、最適には２〜５０＃Ｌとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚丁−及び層厚Ｔとしては、好ましくは■ＩＩ
／Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適
切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚丁１及び層厚Ｔの数値の　　　
　　）；選択に於いて、より好ましくは、Ｔ、　／　Ｔ
≦０．８．最適にはＴＩ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満
足される様に層厚ｒ＝及び層厚Ｔの値が決定されるのが
望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐ■以上の場合には、第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ、とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ル以下、より好ましくは２５終以下、最適には２０ＩＬ
以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の暦（Ｇ）及
び＠２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、ツー、素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、　ａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構
成される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
０例えば、グロー放電法によって、ａ　−５ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ　）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには
、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｓ（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたター
ゲットを使用してスパッタリングする際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ，、５ｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、Ｓｉ、Ｈｌ。等のガス状態の又ガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉｚＨａ　＊が好ま
しいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
，、Ｇｅ２Ｈ６＋　Ｇｅ３Ｈ６１Ｇｅ４Ｈｔｏ　Ｉ　Ｇ
ｅ５Ｈ１２ｔＧｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６１ＧｅｅＨｔ
ｓ　＋　Ｇｅｔｊ４２Ｇ等のガス状態の又はガス化し得
る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効
率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３）１
Ｂが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有、効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、　ＢｒＦ、αＦ、αＦａ　＋　
ＢｒＦ５　。

ＢｒＦ３．ＩＦ３．　ＩＦ７　、Ｉα、ＩＢｒ等ノハロ
ゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４．　ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガ　　　）ニスと共にＳ
ｔを供給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用
しなくとも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−
９ｉＧｅから成る第１の暦（Ｇ）を形成する事が出来る
。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の暦（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の暦（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−９ｉＧａ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンプレーティジグ法の場合には１例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にノ＼口　　　：ゲン原
子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いもので
ある。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
１２。

ＳｉＨ２α２　、５ｒＨＣ１３、５ｉＨ２Ｂｒ２　、’
　５ｉＨＢｒ３等（７）　ハＣ２ゲン置換水素化硅素、
及びＧｅＨＦ３　、　ＧａＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧａＨα３　、　ＧｅＨ２α２　、　ＧｅＨ３αｍ　Ｇ
　ｅ　ＨＢＴ３＋ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨ３Ｂｒ、
　ＧｅＨＩ３　、　ＧｅＨ２Ｉ２　、　ＧａＨ３Ｉ等の
水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦａ。

Ｇｅα４　、　ＧｅＢｒ４．　ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．
　Ｇｅα２　、　ＧｅＢｒ２　。

ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の暦、　　　　
　　（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性のル制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の暦（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いはＳｒＨ，、Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを
供給する為＋７）ゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは−ＧｅＨ４１Ｇｅ２Ｈ６＋　Ｇｅ３Ｈ６＋　
ＧｅａＨｔｏ　＊　Ｇｅ５Ｈｓｚ　＋Ｇ１５６８１４　
ｗ　Ｇｅｔ）（１６ｅ　Ｇａ６Ｈｔａ　、　ＧｅｇＨ２
Ｇ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコ
ン又はシリフン化合物とを堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）−、。

は、好ましくは０．０１〜４０山鵬ｉｃ％、より好適に
　　　　１　□は０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最
適には０．１〜２５ａｔｏ膳ｉｃ％とされるのが望まし
い。

第１のＷ　（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈｅ　Ｘ　）で構成
される第２の暦（Ｓ）を形成するには、前記した第１の
暦（Ｇ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又はン及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけば良い
。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均−、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ　）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が
。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（００％）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｃ
ＩＯＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けちれる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０ＯＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｓｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｓｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされ　　　　：るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔａの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
にはｌＯａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、ｇ子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の暦には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば゛、第１の層中には、酸
素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば
酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良
い。

第２０図乃至第２８ｒＩ４には、本発明における光受容
部材の層領域（ｏｃｎ）中に含有される原子（ＯＣＮ）
の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示さ
れる。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
１Ｔは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＲ）は１．側より１Ｔ側に向って層形成がなされ
る。

第２０図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
００％）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第ｌの
典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（０Ｏ
Ｎ）の表面とが接する界面位置１．よりｔｌの位置まで
は、原子（０ＯＮ）の分布濃度ＣがＣ４なる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度もより界面位置１丁に
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置１．
においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちとされ
る。

第２１図に示される例においては、含有される原子（０
ＯＮ）の分布濃度Ｃは位置ｔｓより１丁に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位Ｎｔ丁において濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には、位置１Ｂより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、位
置ｔ２と位置１．との間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置１．より位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され１位置１丁において、実質的に零とされ
ている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ｔａと位置ｔ３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置１丁においては濃度Ｃ１０とされる０位
置ｔ３と位置１丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している。

第２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ａより位置ｔ４までは濃度ＣＯの一定値を取り、位置ｔ
４より位Ｒｔτまでは濃度０１２より濃度Ｃ１３までは
一次関数的に減少する分布状態とされ第２６図に示す例
においては、位置ｉｓより位置１゜に至るまで、原子（
ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃｔａ　　　　＋、。

より実質的に零に至る様に一次関数的に減少して　、　
　　′いる。

第２７図においては、位置１．より位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＳ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣｔＳより０１
６までの一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置１Ｔと
の間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示さ
れている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置１．においては濃度Ｃ１フであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｔｔより初めは緩やかに
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔもと位置ｔ７との間にお°いては、初め急激に減
少されて、七の後は、緩やかに徐々に減少されて位置し
７で濃度０１９となり、位置ｔ７と位置し８との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃
度Ｃ２゜に至る０位置ｔ８と位置１丁の間においては濃
度Ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図にｉす、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（０ＯＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に
設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域ＣＢ）は、第２０図乃至第２８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位１１ｔｓより５１Ｌ以内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位１ｔ
ｔｓより５ル厚までの全領域（Ｌ丁）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌ丁）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ丁）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが２好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ−以
上、最適には１０００ａｔｏ＋ｓｉｃ　ｐｐ層層上上さ
れる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ＩＬ以内
（Ｌａから５終厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ層
ａＸが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が暦接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２６図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（０（：Ｎ）導入用の出発物質を前記した光受容
層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガスイ５５．６□□８４．．
え６゜。や。□。６゜　　　（゛が使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）　、二酸化窒素（Ｎｏｔ）　、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（８２０３）　、四二酸
化窒素（Ｎ２０ｍ）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸
化窒素（ＮＯｓ）　、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジ
シロキサン（Ｈ３５ｉＯＳｉＨ３）、トリシクロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ□０ＳｉＴｏ）等の低級シクロキサ
ン、メタン（Ｃ）１４）　、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロ
パン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃｏ　Ｈ１ｏ　）
　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭
化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）。

プロピレン（Ｃ：３Ｈ＆）、ブテン−１（ＣａＨｓ）、
ブチｙ−２（Ｃａ）Ｉｇ）　、　インブチレフ　（Ｃａ
Ｈｓ）　、ペンテン（ＣｓＨｓｏ）等の炭素数２〜５の
エチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチル
アセチレン（Ｃ３Ｈ４）　、ブチン（Ｃａ　Ｈｓ　）等
の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）
、アンモニア（ＮＨ３）　、　　ヒドラジン（Ｈ，、Ｎ
ＮＨ２）　、アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニ
ウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化
窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
ＳｉＯ□、Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、ｓ五等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状ｔｉ　
（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ
）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変
化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される
。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（０ＯＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＱＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを１例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｔと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方イ　　　　　　　向に於いて、予
め変化させておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｏｒ、　Ｍａ、　Ａ
ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等
の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又゛は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａ１．
　Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、τａ、　Ｖ
、〒ｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ｔＴ
ｏ（Ｉｎ２Ｏ３＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設け
ることによって導電性が付与され、或いはポリエステル
フィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　
ＡＩ、Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｘｉ、　Ａｕ％Ｃｒ、
Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、
支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機能的強度の点から、好ましくはＩ
ＱＪＬ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されてＣす、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下、　ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２００
３はＧｅＨ，ガス（純度８９．９１１１１３％、以下Ｇ
ａＨ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９
．９９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＨｅ
ガス（純度９１３．９９９％）ボンベ、２００８はＨ２
ガス（純度１３９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又。

沈入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１７〜
２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開かれてい
ることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて
反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次に真
空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒにな
った時点で補助゛バルブ２０３２．２０３３、流出バル
ブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯガス、２００６よりＨ２ガスをバ
ルブ２Ｇ２２．２０２３．２０２４．２０２６を開いて
出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２９．２０３１
の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、流入バルブ２０１
２．２０１３．２０１４．２０１Ｂを徐々に開けて、マ
スフロコントローラ２００７．２０ＱＢ。

２００９、２０１１内に夫々流入させる。引き続いて流
出バルブ２０１？、　２０１８．２０１８．２０２１、
補助バルブ２０３２、２０３３を徐々に開いて夫々のガ
スを反応室２００１に流入させる。このときのＳ　ｉ　
Ｈ４ガス流量、ＧａＨ４ガス流量、ＮＯガス流量とＨ２
ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２０１
７．２０１８．２０１９．２０２１を調整し、また、反
応室２００１内の圧力が所望の値になるように真空計２
０３８の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口を
調整する。そして、基体２０３７の温度が加熱ヒーター
２０３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定され
ていることを確認した後、電源２０４０を所望の電力に
設定して反昌　　　　心室２００１内にグロー放電を生
起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従っ
て、Ｇｅ）１４ガスの流量を手動あるいは外部駆動モー
タ等の方法によってバルブ２０１８の開口を暫時変化さ
せる操作を行って形成される層中に含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の暦（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の暦（Ｓ）
を形成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
２０３７はモーター２０３８により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

）、１実施例１剋支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■）を、旋盤で第３０図ＣＢ）に示す様な表面性に
加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２９図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光
受容部材を作製した。

なお、第１Ｒは、ＧｅＨ，及びＳｉＨ，の各ガスの流量
を第３１図のようになるように、マスフロコントローラ
ー２００７及び２００Ｂをコンピューター（）ＩＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第３
０図（Ｃ）の様であった。この場合、Ｍ支持体の中央と
阿端部とでの平均層厚の層厚差は２Ｑであった。

以上の電子写真用光受容部材について、第３３図に示す
画像露光装Ｗｌ（レーザー光の波長？８０ｎｍ、スポッ
ト径８０騨）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。得られた画像には、干渉縞は模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例２第２表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、第２８図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１Ｍは、ＧｅＨ，及びＳ　ｉ　Ｈ４の各ガスの
流量を第３２図のようになるように、マスフロコントロ
ーラー２００７及び２００８をコンピュータ（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞は模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例３第３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、第２９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−９ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

尚、第１層は、Ｇｅ）［４及びＳｉＨ４の各ガスの流量
を第３３図のようになるように、マスフロコントローラ
ー２００７及び２００８をコンピュータ（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７Ｂｏｎ麿、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞は模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例４Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）、第４０図、第４１図に示
すような表面性に３種類、旋盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２３図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ　−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

ｉ　　　　　　尚、第１層は、ＧｅＨ４及びＳ脇の各ガ
スの流量を第３４図のようになるように、マスフロコン
トローラー２００７及び２００８をコンピュータ（）Ｉ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

これらの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様にして、第３９因に示す画像露光装置（レーザー光の
波長７８０ｎ腸、スポット径８０μｓ）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像
には、そのいずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に
十分なものであった。

実施例５実施例４において使用したＮＨ，ガスをＮＯガスに変え
た以外は実施例４と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

これらの電子写真用光受容部材について第３８図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像転写して画
像を得たところ、得られた画像には、そのいずれにも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。１
′。

実施例６実施例４に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨａガスに変
えた以外は実施例４と同様の条件と手順に従ってａ−９
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

これらの電子写真用光受容部材について第３９図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像転写して画
像を得たところ、得られた画像には、そのいずれにも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例７Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｔｓ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）の表面性に旋盤で加工
し、第２８図の膜堆積装置により、第５表に示す条件で
第３５図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮＯガ
スの流量比を層形成時間とともに変化させる以外は、実
施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製し
た。

こうして得られた電子写真用光受容部材について、第３
８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７日０ｎ■
、スポット径８０騨）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得たところ、得られた画像には、干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例８Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ　）
　８０＋＊ｍ）を、第３０図ＣＢ）の表面性に旋盤で加
工し、第２９図の膜堆積装置により、第６表に示す条件
で第３６図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮＨ
３ガスの流量比を層形成時間とともに変化させる以外は
、実施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作
製した。

このようにして得られた電子写真用光受容部材について
、第３８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎ■、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得たところ、得られた画像には
干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）の表面性にＬ℃盤で加工し
、第２９図の膜堆積装置により、第７表に示す条件で第
３７図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮｏガス
の流量比を層形成時間とともに変化させる以外は、実施
例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製した
。

このようにして得られた電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７１
ＪＯｎｍ、スポット径８０岸）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得たところ、得られた画像に
は干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１０実施例９に於て使用したＮＯガ′スをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ
茶系電子写真光受容部材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎ厘、スポット径ａｏｇ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得たところ、得られた画像には
、干渉縞模様はｍｌｌ１されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１１実施例、９に於て使用したＮｏガスをＣ）！４ガスに変
えた以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７［
１０ｎｍ、スポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得たところ、得られた画像
には、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１２Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７１１１１１、径（
ｒ　）　８０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）の表面性に旋盤
で加工し、第２８図の膜堆積装置により、第８表に示す
条件で第３８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って
ＣＨ４ガスの流量比を層形成時間とともに変化させる以
外は、実施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材
を作製した。

このようにして得られた電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
Ｇａｍ、スポット径８０Ｑ　）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得たところ、得られた画像に
は、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの雫あっ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図からＪ＠２８図は、層領域（ＯＣＮ）中の原子
（Ｏ，Ｃ，＊）の分布状態を説明するための説明図であ
る。第２９図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第３０図及び第４０図乃至第４１図は、実施例で用いた
Ｍ支持体の表面状態の説明図である。第３１図から第３８図は、実施例におけるガス流量の変
化を示す説明図である。第３３図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
１ｓ２の暦１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面２８０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
２８０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレ
ンズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２８０５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の平面図２８０８・・・・・・・・・・
・・・・・・・・露光装置の側面図第２図第３図第４図第５図（Ｄ）第６図（Ａ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（
日）（Ｃ）第７図第１１図＠１２図第１３図第１４図第１５図第１６図第１７図第１８図第１９図第２０図第２１図第２２図第２３図第２４図第２５図第２６図第２７図 □Ｃ第２８図第３１図第３２図第３３図第３４図ブスラえ量よしガ入流量ｊＣブ入ｉＬｔル第３７図つ″入テ晃量Ｅｌ第３８図第３９図（ＪＪｍ）第４０図（）１ｍ）第４１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と
を有しており、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原
子の分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前記光
受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択
される少なくとも一種を含有する事を特徴とする光受容
部材。
（２）前記光受容層に含有される酸素原子、炭素原子、
窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子の分
布状態が、層厚方向に不均一である特許請求の範囲第１
項に記載の光受容部材。
（３）前記光受容層に含有される酸素原子、炭素原子、
窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子の分
布状態が、層厚方向に均一である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（１０）前記凸部は、機械的加工によって形成された特
許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。