JPS60261129A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60261129A JPS60261129A JP11725684A JP11725684A JPS60261129A JP S60261129 A JPS60261129 A JP S60261129A JP 11725684 A JP11725684 A JP 11725684A JP 11725684 A JP11725684 A JP 11725684A JP S60261129 A JPS60261129 A JP S60261129A
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- Japan
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- mixed gas
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- gas
- quartz window
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- Pending
Links
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ウェハ処理に用いる光（、’ＶＤ装置（レ
ーザＣＶＤ装置も含む）に関するものである。
ーザＣＶＤ装置も含む）に関するものである。
従来の技術
光ＣＶＤ装置ｔは、反応容器の内部に基板を設け、該容
器の１側に石英窓音形成し、その外側に紫外線ランプを
設け、ａ容器に供給される最適組成比の混合ガスを紫外
線ランプの光エネルギにより分解してウェハに漢を成長
せしめるものであるが、窓にも膜が生成し、窓をくもら
せる。そのため紫外線ランプの入射光量が減少し膜の成
長速度が小ざくなる。
器の１側に石英窓音形成し、その外側に紫外線ランプを
設け、ａ容器に供給される最適組成比の混合ガスを紫外
線ランプの光エネルギにより分解してウェハに漢を成長
せしめるものであるが、窓にも膜が生成し、窓をくもら
せる。そのため紫外線ランプの入射光量が減少し膜の成
長速度が小ざくなる。
そこで従来、容器の石英窓に適当な油′ｆｔ塗布したり
、不活性ガスを吹きつけて反応ガスを窓から除去してい
る。
、不活性ガスを吹きつけて反応ガスを窓から除去してい
る。
発明が解決しようとする問題点
しかし従来例では不純物が、反応雰囲気中に混入したり
、不活性ガスを導入することにより気流に影響を与え、
圧力が変化することにより反応条件の設定が複雑になる
。
、不活性ガスを導入することにより気流に影響を与え、
圧力が変化することにより反応条件の設定が複雑になる
。
本発明は、上記に鑑み、反応容器に反応ガス以外の不必
要なガスなどを導入せずに石英窓のくもり？防止するこ
とを目的とする。
要なガスなどを導入せずに石英窓のくもり？防止するこ
とを目的とする。
間１点を解決するための手段
本発明は、反応容器の内部に基板を設け、該容器の１１
１１に石英窓を形成し、その外−に紫外線ランプ？設け
、又前記容器内に少なくとも２本のガス供給管を設け、
前記窓側のガス供給管に、膜成長速度の遅い組成比の混
合ガスを供給し、池の供給管に基板上で最適ｌＩｉ或比
となる混合ガスを供給する光ＣｖＤ装置である。
１１に石英窓を形成し、その外−に紫外線ランプ？設け
、又前記容器内に少なくとも２本のガス供給管を設け、
前記窓側のガス供給管に、膜成長速度の遅い組成比の混
合ガスを供給し、池の供給管に基板上で最適ｌＩｉ或比
となる混合ガスを供給する光ＣｖＤ装置である。
作用
本発明は、紫外線ランプの光を石英窓ρ）ら容器内１（
照射し、反応ガス乞光エネルギで分解しウーエハに堆積
させる光ＣｖＤ装置において、生成膜の成長速度が反応
ガスの混合比により変化することに鑑み、石英窓側のガ
ス供−給管に＠適□組成比と異なる組成比の反応ガスを
供給して、石英窓近傍の膜成長速度乞遅らせると共に、
池のガス供＃Ｉ管に基板上で最適ｆｆｌ或比となる混合
ガスτ供給して膜成長速度が極大の伏ＩＩＪ４でウェハ
の膜成長乞行なわしめる〇 実施例 本発明の実施側音添附図面により説・明するが窒化膜を
光ＣｖＤで生成する場合について述べる。
照射し、反応ガス乞光エネルギで分解しウーエハに堆積
させる光ＣｖＤ装置において、生成膜の成長速度が反応
ガスの混合比により変化することに鑑み、石英窓側のガ
ス供−給管に＠適□組成比と異なる組成比の反応ガスを
供給して、石英窓近傍の膜成長速度乞遅らせると共に、
池のガス供＃Ｉ管に基板上で最適ｆｆｌ或比となる混合
ガスτ供給して膜成長速度が極大の伏ＩＩＪ４でウェハ
の膜成長乞行なわしめる〇 実施例 本発明の実施側音添附図面により説・明するが窒化膜を
光ＣｖＤで生成する場合について述べる。
矛１図において、ｌは反応容器、２は石英窓３から反応
容器１円に光音照射する紫外線ランプ（ＵＶランプ）４
．５はガス供給管で、４は、石英窓３に最適組成比と異
なる組成比の混合ガス乞供給する供給管、５は基板６上
に最適組成比で反応を行なわしめる混合ガスな供給する
ガス供給管、８はウェハ７χ加熱する赤外線ランプ（Ｉ
ＦＬランプ）９は、使用済の混合ガスを排気する排気管
である。
容器１円に光音照射する紫外線ランプ（ＵＶランプ）４
．５はガス供給管で、４は、石英窓３に最適組成比と異
なる組成比の混合ガス乞供給する供給管、５は基板６上
に最適組成比で反応を行なわしめる混合ガスな供給する
ガス供給管、８はウェハ７χ加熱する赤外線ランプ（Ｉ
ＦＬランプ）９は、使用済の混合ガスを排気する排気管
である。
矛３図は、膜成長速度（μ／ｍｉｎ ）と組成比との関
係ビ示す図で、シラン５ｉＩ（４トアンモニ７ＮＨ。
係ビ示す図で、シラン５ｉＩ（４トアンモニ７ＮＨ。
の混合比がａの時膜成長速度は極大を示し、組成比が異
なると小どくなり、ｂの時は、極端罠小さくなることを
示す。
なると小どくなり、ｂの時は、極端罠小さくなることを
示す。
次に、本実地例の作動について説明すると、基板６上に
ウェハ７を載置し、ＵＶランプ２、ＩＲ，ランプ８を点
灯すると共に、ガス供給管４．５から混合ガスを反応容
器１円に供給し排気管９より混合ガスを排気する。
ウェハ７を載置し、ＵＶランプ２、ＩＲ，ランプ８を点
灯すると共に、ガス供給管４．５から混合ガスを反応容
器１円に供給し排気管９より混合ガスを排気する。
又、石英窓３近傍のガス供給管４には、最適組成比と異
なる（７３図ｂ）シラン５ＩＨ４とアンモニアＮＨ，の
混合ガスを供給し、矢印Ａ４方向に噴射せしめ、更にウ
ェハ７近傍のガス供給管５には、最適組成比（矛３図ａ
）よりシラン８ｉＨ４の組成が大きい（矛３図Ｃ）シラ
ン８１に−１４とアンモニアＮＨ，の混合ガスを供給し
、矢印Ａ５方向に噴射せしめ、ウェハ７上で最適組成比
（７３図＆）で反応させる。
なる（７３図ｂ）シラン５ＩＨ４とアンモニアＮＨ，の
混合ガスを供給し、矢印Ａ４方向に噴射せしめ、更にウ
ェハ７近傍のガス供給管５には、最適組成比（矛３図ａ
）よりシラン８ｉＨ４の組成が大きい（矛３図Ｃ）シラ
ン８１に−１４とアンモニアＮＨ，の混合ガスを供給し
、矢印Ａ５方向に噴射せしめ、ウェハ７上で最適組成比
（７３図＆）で反応させる。
ＵＶランプ２の光は、 Ａ３方向に照射され、石英窓３
ン！ｍって反応容器１円の混合ガスに光エネルギを与え
る。
ン！ｍって反応容器１円の混合ガスに光エネルギを与え
る。
光エネルギ乞与えられた混合ガスは、 Ｎ、 Ｈ，，８
１，１１，に分解されて活性化し、シリコンＳ１の過化
物が生成され、基板６上のウェハ７に堆積して膜成長が
行なわれる。
１，１１，に分解されて活性化し、シリコンＳ１の過化
物が生成され、基板６上のウェハ７に堆積して膜成長が
行なわれる。
膜成長速度は、最適組成比の混合ガスの供給乞受けるウ
ェハ７近傍が、極層に速く、最適組成比乞異なる混合ガ
スの供＋ｉ＆を受ける石英ｉ、１１１ｉｉは遅い。
ェハ７近傍が、極層に速く、最適組成比乞異なる混合ガ
スの供＋ｉ＆を受ける石英ｉ、１１１ｉｉは遅い。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく本発明の
前述の要旨の範囲内で具体的技術手段及び付加を行なっ
て実施することが可能である。
前述の要旨の範囲内で具体的技術手段及び付加を行なっ
て実施することが可能である。
例えば、組成比によって成長する！ＩＩＪ質が変化する
場合、窓につく膜の光透過率がよく多くなる方向の組成
比の混合ガスケ石英窓側のガス供給管に供給すれば、石
英窓のくもりの影響乞更に抑えることができる。
場合、窓につく膜の光透過率がよく多くなる方向の組成
比の混合ガスケ石英窓側のガス供給管に供給すれば、石
英窓のくもりの影響乞更に抑えることができる。
本発明は、光ＣＶＤ装置ｆｔのみならずレーザＣＶＤ装
置に適用可能であり、又矛３図の様な最適組成比を示す
反応系一般に利用でさる。
置に適用可能であり、又矛３図の様な最適組成比を示す
反応系一般に利用でさる。
発明の効果
本発明は、石英窓側のガス供給管に、膜成長速度の遅い
組成比の混合ガスを供給するので、石英窓のくもりの影
響ｆｘｒｘ＜すことができる。
組成比の混合ガスを供給するので、石英窓のくもりの影
響ｆｘｒｘ＜すことができる。
従って、紫外線ランプの入射光量が減少し、膜の成長速
度が小さくなるのを防止することができる。
度が小さくなるのを防止することができる。
又、本７Ａ明は、反応に必要な混合ガスのみｔ反応容器
内に供給するので、従来例のように、不純物が反応雰囲
気中に混入したり不活性ガスの影響による反応容器内の
圧力変化などの問題ｔ生ずることはない。
内に供給するので、従来例のように、不純物が反応雰囲
気中に混入したり不活性ガスの影響による反応容器内の
圧力変化などの問題ｔ生ずることはない。
矛１図は、本発明の実施例７示す斜現喝、矛２図は１′
−１図の要部拡大断面図、ナ３図は模成長速度と組成比
との関係２示す図である。 １・・反応８台 ２・・・紫外線ランプ ３・・・石英窓 ４．５・・・ガス供給管 ６・・・基板 ８・・・赤外砿ランプ 代理人升埋士 屑 藤 侑 （はか ２名） 手続補正書 昭和５９年７ｒ］、Ｊ）日 特許庁長官 志 賀 字数 昭和５９年時願第１１７２５６ 号 ２、発明の名称 光ＣＶＤ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 庄 所 神奈川県津久井郡城山町用尻３２１０−１名称
チル・サームコ体式会社 ４、代理人 ５、補正の対象明細優の「発明の心な説明」の鷲及び図
面 、・でシ（１ ６、補正の内容 １ 明ｆａ蓬４頁６行の 「ウェハ７」を 「基板６」に補正する。 ２ 同頁９行の 「μ／ｍ１ｎＪを ［μｍ ／ ｗｉｎ Ｊに補正する。 ３ 同頁１１行の 「混合比」を 「組成比」に補正する。 ４ 同頁１２行の 「異なる」を 「ａと異なるコに補正する。 ５５頁１１〜１２行の ｒＮ＋、’（ｓ、Ｓｌ、八に」を削除する。 ６６貞３行の 「工く多く」を 「エリ多く」に補正する。 ７ 同頁６行の 「できる。ｊの次に 「又、窓側のガス供給管に供給する混合ガスは、 ｆＩ
ｉｉ比が４、すなわち、−成分の反応ガスだけでもよい
。」を加入する０ ８ 才３図を別紙の通９補［Ｅする。 第 ３ 図
−１図の要部拡大断面図、ナ３図は模成長速度と組成比
との関係２示す図である。 １・・反応８台 ２・・・紫外線ランプ ３・・・石英窓 ４．５・・・ガス供給管 ６・・・基板 ８・・・赤外砿ランプ 代理人升埋士 屑 藤 侑 （はか ２名） 手続補正書 昭和５９年７ｒ］、Ｊ）日 特許庁長官 志 賀 字数 昭和５９年時願第１１７２５６ 号 ２、発明の名称 光ＣＶＤ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 庄 所 神奈川県津久井郡城山町用尻３２１０−１名称
チル・サームコ体式会社 ４、代理人 ５、補正の対象明細優の「発明の心な説明」の鷲及び図
面 、・でシ（１ ６、補正の内容 １ 明ｆａ蓬４頁６行の 「ウェハ７」を 「基板６」に補正する。 ２ 同頁９行の 「μ／ｍ１ｎＪを ［μｍ ／ ｗｉｎ Ｊに補正する。 ３ 同頁１１行の 「混合比」を 「組成比」に補正する。 ４ 同頁１２行の 「異なる」を 「ａと異なるコに補正する。 ５５頁１１〜１２行の ｒＮ＋、’（ｓ、Ｓｌ、八に」を削除する。 ６６貞３行の 「工く多く」を 「エリ多く」に補正する。 ７ 同頁６行の 「できる。ｊの次に 「又、窓側のガス供給管に供給する混合ガスは、 ｆＩ
ｉｉ比が４、すなわち、−成分の反応ガスだけでもよい
。」を加入する０ ８ 才３図を別紙の通９補［Ｅする。 第 ３ 図
Claims (1)
- 反応容器の内部に基板を設け、該′８器の１４ｉｌＩＫ
石英窓を杉或し、その外側に紫外線ランプを設け、又、
前記容器内に少なくとも２本のガス供給管を設け、前記
窓側のガス供給管に、膜成長速度の遅い組成比の混合ガ
スを供給し、他のガス供給管に基板上でＮｌａ組成比と
なる混合ガスを供給することを特徴とする光ＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11725684A JPS60261129A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11725684A JPS60261129A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光ｃｖｄ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26100889A Division JPH0340423A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261129A true JPS60261129A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14707257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11725684A Pending JPS60261129A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261129A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187033A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-17 | Seiko Epson Corp | Vapor phase chemical growth device |
| JPS5895818A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Ushio Inc | 被膜形成方法 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11725684A patent/JPS60261129A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187033A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-17 | Seiko Epson Corp | Vapor phase chemical growth device |
| JPS5895818A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Ushio Inc | 被膜形成方法 |
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