JPS60262136A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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- JPS60262136A JPS60262136A JP59118186A JP11818684A JPS60262136A JP S60262136 A JPS60262136 A JP S60262136A JP 59118186 A JP59118186 A JP 59118186A JP 11818684 A JP11818684 A JP 11818684A JP S60262136 A JPS60262136 A JP S60262136A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填 。
成し、その電極間に液晶化合物を充填 。
し、多数の画素を形成して画像或いは情報の表示を行う
液晶表示素子は、よく知られている。この表示素子の駆
動法としては、走査電極群に、順次、周期的にアドレス
信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号をア
ドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割駆
動が採用されているが、この表示素子及びその駆動法は
、以下に述べる如き致命的とも言える大きな欠点を有し
ていた。
液晶表示素子は、よく知られている。この表示素子の駆
動法としては、走査電極群に、順次、周期的にアドレス
信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号をア
ドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割駆
動が採用されているが、この表示素子及びその駆動法は
、以下に述べる如き致命的とも言える大きな欠点を有し
ていた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ” 、 Ｖａｔ、 １
８． Ｎｏ、４（１９７＋、 ２．１５） 、 Ｐ、
１２７〜＋２８ （７）Ｖｏ Ｉ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅ
ｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ″に示されたＴＮｊ （ｔｗｉｓｔｅｄ
ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであ′□”
リ、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をも
つ、ネマチック液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構
造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分
子が互いに並行に配列した構造を形成している。一方、
電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネマチック液
晶が電界方向に配列し、この結果光調変調を起すことが
できる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ” 、 Ｖａｔ、 １
８． Ｎｏ、４（１９７＋、 ２．１５） 、 Ｐ、
１２７〜＋２８ （７）Ｖｏ Ｉ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅ
ｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ″に示されたＴＮｊ （ｔｗｉｓｔｅｄ
ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであ′□”
リ、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をも
つ、ネマチック液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構
造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分
子が互いに並行に配列した構造を形成している。一方、
電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネマチック液
晶が電界方向に配列し、この結果光調変調を起すことが
できる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの−
１−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため、画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される
領域（所謂パ半選択点″）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば１表示素子は正常に動作するわけである。しかし、こ
の方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる本質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの−
１−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため、画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される
領域（所謂パ半選択点″）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば１表示素子は正常に動作するわけである。しかし、こ
の方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる本質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強調電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強調電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、（電界効果トランジスタ） Ｆ
ＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第一端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極に表示信号を印加する
とともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソー
スもしくは、ドレインを共通端子に接続してゲートに走
査信号を印加する時分割駆動であることを特徴とするも
のである。
液晶素子の駆動方法は、（電界効果トランジスタ） Ｆ
ＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第一端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極に表示信号を印加する
とともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソー
スもしくは、ドレインを共通端子に接続してゲートに走
査信号を印加する時分割駆動であることを特徴とするも
のである。
一層具体的には、走査信号線（ゲート電極）に所定の走
査信号を印加するとともに、表示信号線（ストライプ状
の対向電極群）に表示画像信号を印加することによって
第一の配向状態に基づく表示状態と第二の配向状態に基
づく表示状態を同時に書き込むことを第２の特徴として
いる。
査信号を印加するとともに、表示信号線（ストライプ状
の対向電極群）に表示画像信号を印加することによって
第一の配向状態に基づく表示状態と第二の配向状態に基
づく表示状態を同時に書き込むことを第２の特徴として
いる。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテｔ−ｋ、”Ｌ
Ｅ ＪＯｌｌＲＮＡＬ ［ｌＥ ＰＨＹＳＩＧＬＩＥＬ
ＥＴＴＥＲ５” ３Ｂ （しＥ１９） １９７５． ｒ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌｓ Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔ−ｔｅｒｓ″３Ｂ （１１） １９８０、ｒ Ｓｕ
ｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ； ”固体物理”
１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載され
ており、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を
用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテｔ−ｋ、”Ｌ
Ｅ ＪＯｌｌＲＮＡＬ ［ｌＥ ＰＨＹＳＩＧＬＩＥＬ
ＥＴＴＥＲ５” ３Ｂ （しＥ１９） １９７５． ｒ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌｓ Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔ−ｔｅｒｓ″３Ｂ （１１） １９８０、ｒ Ｓｕ
ｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ； ”固体物理”
１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載され
ており、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を
用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（）ＩＯＢＡｃＰｃ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（）ＩＯＢＡｃＰｃ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳｍ１ｔ相又はＳ＋ａ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物がＳｍ１ｔ相又はＳ＋ａ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌと１′は、Ｉｎ２（１５、５ｎ０２やＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳａｃ零相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン） （Ｐ↓）４を有している。
である。ｌと１′は、Ｉｎ２（１５、５ｎ０２やＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳａｃ零相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン） （Ｐ↓）４を有している。
基板１と１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント（Ｐ上）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えばｉｐ）には、第２図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造は、はどけ（非らせん構造１）、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は上向き（４ｄ）又は下向（４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を
所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ
′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４
ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状
態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配向
する。
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント（Ｐ上）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えばｉｐ）には、第２図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造は、はどけ（非らせん構造１）、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は上向き（４ｄ）又は下向（４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を
所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ
′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４
ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状
態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配向
する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このよｊ） うな応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現さト （れるには、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく
、一般的には、０．５ ｐ〜２０川、特にｌＩＬ〜５ｐ
Ｌが適している。この種の強誘電性液晶を用いたマトリ
クス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、例えばク
ラークとラガバルにより、米国特許第４３６７９２４号
明細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このよｊ） うな応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現さト （れるには、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく
、一般的には、０．５ ｐ〜２０川、特にｌＩＬ〜５ｐ
Ｌが適している。この種の強誘電性液晶を用いたマトリ
クス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、例えばク
ラークとラガバルにより、米国特許第４３６７９２４号
明細書で提案されている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（簿膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧を逆
にする車により、いずれをドレインとしていずれをソー
スとしても使用しうるという事にもとづいている。アク
ティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ構造
の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多結晶
シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。又Ｆ
ＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっても同様
に行う事も可能である。
（簿膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧を逆
にする車により、いずれをドレインとしていずれをソー
スとしても使用しうるという事にもとづいている。アク
ティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ構造
の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多結晶
シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。又Ｆ
ＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっても同様
に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ Ｃ
ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ ＞ Ｖｓ であり す、ＶＧ＞ｖＳ＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ
＋Ｖ、の時非導通状態となる。
の閾値電圧とするとＶ ＞ Ｖｓ であり す、ＶＧ＞ｖＳ＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ
＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｇ、 Ｓ
Ｐ型ＦＥＴにおいてはｖ ＜ｖ とし、Ｖｃ ＜Ｓ
ｖ ＋ｖ −ｃ’導通状態トナリ、Ｖ ＞Ｖ８＋Ｖ。
ＳＰ Ｇ
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
最初に走査電極ＧＮが選択された場合について述べる。
第６図（ａ）は走査信号であって、位相ｔ１においてそ
れぞれ選択された走査電極ＧＮに印加される電気信号と
それ以外の走査電極（選択されない走査電極）ＧＮ＋１
．ＧＮ＋２に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号であって位相ｔ１においてそれぞれ
選択された表示電極ＣＣと選択されない表示電極ＣＮ＋
１にＮ’ Ｎ＋２ 与えられる電気信号を示している。
れぞれ選択された走査電極ＧＮに印加される電気信号と
それ以外の走査電極（選択されない走査電極）ＧＮ＋１
．ＧＮ＋２に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号であって位相ｔ１においてそれぞれ
選択された表示電極ＣＣと選択されない表示電極ＣＮ＋
１にＮ’ Ｎ＋２ 与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極６（ＧＮ）に与えられる電極信号は、第６図（ａ）
に示される如く位相（時間）ｔｌでは、＋ｖｏを、位相
（時間）ｔ２では、−ｖＧである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極６（ＧＮ）に与えられる電極信号は、第６図（ａ）
に示される如く位相（時間）ｔｌでは、＋ｖｏを、位相
（時間）ｔ２では、−ｖＧである。
一方、それ以外の走査電極ＧＮ＋□、ＧＭ＋２は第６図
（ａ）に示す如く位相ｔ１では一■。である。また、選
択された表示電極ＣＮ、ＣＮ＋２に与えられる電気信号
は、第６図（ｂ）に示される如＜＋Ｖｏであり、また選
択されない表示電極Ｃに与えらＮ＋１ れる電気信号は−ｖＣである。以上に於て各々の電圧値
は、以下の関係を満足する所望の値に設定される。
（ａ）に示す如く位相ｔ１では一■。である。また、選
択された表示電極ＣＮ、ＣＮ＋２に与えられる電気信号
は、第６図（ｂ）に示される如＜＋Ｖｏであり、また選
択されない表示電極Ｃに与えらＮ＋１ れる電気信号は−ｖＣである。以上に於て各々の電圧値
は、以下の関係を満足する所望の値に設定される。
走査電極ｆｆ１−ｑラインに表示電極ｎ＝文あ信号線で
「明」、表示電極ｎｑ文で「暗」を同時書込みする場合
１ ．１［ｖＧＩＩｌ−ｖＰ＞ｖＬｃ＋ｖｓ（Ｉｎ＝ｑ）］
ｖｓ ＋ｖＬｃくｖＣｎ （ｍ＝ｑｌｎ＝５Ｌ）ｖ
ｓ ｖ ＬＧ〉ｖ ｃｎ（ｍ＝ ｑ 、 ｎ ｘ ｘ
）（ｍ洪ｑ、ｎ洪１ ｖＧｍ−ＶＰ ＜ｖＣｎ （ｍ＃ｑ、 ｎ＝ Ｍ）但し
、各記号は下記の事項を表わす。
「明」、表示電極ｎｑ文で「暗」を同時書込みする場合
１ ．１［ｖＧＩＩｌ−ｖＰ＞ｖＬｃ＋ｖｓ（Ｉｎ＝ｑ）］
ｖｓ ＋ｖＬｃくｖＣｎ （ｍ＝ｑｌｎ＝５Ｌ）ｖ
ｓ ｖ ＬＧ〉ｖ ｃｎ（ｍ＝ ｑ 、 ｎ ｘ ｘ
）（ｍ洪ｑ、ｎ洪１ ｖＧｍ−ＶＰ ＜ｖＣｎ （ｍ＃ｑ、 ｎ＝ Ｍ）但し
、各記号は下記の事項を表わす。
ｖＧｍ＝ゲート電極（走査信号）電圧
Ｖｃｎ：対向電極（表示信号）電圧
ｖＳ ：ソース又はドレイン（共通端子）電圧ｖＬ６：
強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート、ソース
間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ〜Ｎまで繰返し書込みを行う。この
際、対向電極は第１２図に示す様にストライブ形状のも
のとすることができる。
強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート、ソース
間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ〜Ｎまで繰返し書込みを行う。この
際、対向電極は第１２図に示す様にストライブ形状のも
のとすることができる。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ （明）
上側、０ＦＦ（暗）下側の各表示状態を表わす。すなわ
ち、第６図及び第７図より明らかな如く、選択された走
査線上にある画素Ｐ 、Ｐ Ｎ、Ｎ Ｎ＋２．Ｎで は、位相ｔ１に於て、閾値ＶＬ６を越える電圧Ｖ ＬＣ
＜ Ｖ。−ｖＳが印加される。又、同一走査線上に存在
する画素Ｐ では位相ｔ、にＮ＋１．Ｎ 於て閾値−■、。を越える電圧−Ｖ Ｌ ｃ ＞ Ｖ
ｃ−ｖＳが印加される。従って、選択された走査電極線
トに於て１表示電極が選択されたか否かに応じて、選択
された場合には、液晶分子は第一の配向状態に配向を揃
え、画素はＯＮ （明）となり、選択されない場合には
第二の配向状態に配向を揃え、画素はＯＦＦ （暗）と
なる。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ （明）
上側、０ＦＦ（暗）下側の各表示状態を表わす。すなわ
ち、第６図及び第７図より明らかな如く、選択された走
査線上にある画素Ｐ 、Ｐ Ｎ、Ｎ Ｎ＋２．Ｎで は、位相ｔ１に於て、閾値ＶＬ６を越える電圧Ｖ ＬＣ
＜ Ｖ。−ｖＳが印加される。又、同一走査線上に存在
する画素Ｐ では位相ｔ、にＮ＋１．Ｎ 於て閾値−■、。を越える電圧−Ｖ Ｌ ｃ ＞ Ｖ
ｃ−ｖＳが印加される。従って、選択された走査電極線
トに於て１表示電極が選択されたか否かに応じて、選択
された場合には、液晶分子は第一の配向状態に配向を揃
え、画素はＯＮ （明）となり、選択されない場合には
第二の配向状態に配向を揃え、画素はＯＦＦ （暗）と
なる。
一方、第７図に示される如く、選択されない走査線上で
は、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線北風外の各画
素ＰＮ、Ｎ＋１ ”Ｎ＋１．Ｎ＋□。
は、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線北風外の各画
素ＰＮ、Ｎ＋１ ”Ｎ＋１．Ｎ＋□。
ＰＮ＋２．Ｎ＋１・ Ｎ、Ｎ＋２・ Ｎ＋１．Ｎ＋２・
Ｎ＋２．Ｎ＋２におけＰＰ Ｐ る液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査された
ときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を、そのま
ま保持している。即ち、走査電極が選択されたときにそ
のｌライフ分の信号の書き込みが行われ、ｌフレームが
終了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保
持し得るわけである。従って、走査電極数が増えても、
実質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下
は全く生じない。
Ｎ＋２．Ｎ＋２におけＰＰ Ｐ る液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査された
ときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を、そのま
ま保持している。即ち、走査電極が選択されたときにそ
のｌライフ分の信号の書き込みが行われ、ｌフレームが
終了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保
持し得るわけである。従って、走査電極数が増えても、
実質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下
は全く生じない。
次に、ディスプレイ装置として駆動を行った場合を考え
てみる。第５図に於て、走査電極ＧＮ。
てみる。第５図に於て、走査電極ＧＮ。
Ｎ＋１・ Ｎ・２・°°°と表示電極ＣＮ・ＯＮ・１・
ＯＮ・２・°°°０Ｇ 交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極ＣＮ上の表示に注目すると
、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋２に対応する画素では「明」状
態であり、それ以外の画素は「暗」状態である。走査信
号ＧＮが走査されたとき、時間ｔ１に於て画素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｎ には、閾値ｖＬＣを越える電圧が印加されるため。
ＯＮ・２・°°°０Ｇ 交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極ＣＮ上の表示に注目すると
、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋２に対応する画素では「明」状
態であり、それ以外の画素は「暗」状態である。走査信
号ＧＮが走査されたとき、時間ｔ１に於て画素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｎ には、閾値ｖＬＣを越える電圧が印加されるため。
前歴に関係なく、画素ＰＮ、Ｎ、ＰＮ＋２．Ｎは一方向
の安定状態、即ち「明」状態に転移（スイ・ンチ）する
。その後は、ＣＮ＋１．ＣＮ＋２・・・が走査される間
は第７図に示される如く画素Ｐ 、Ｐ Ｎ、Ｎ Ｎ＋２．Ｎ ’± 「明」状態を保ち得る。
の安定状態、即ち「明」状態に転移（スイ・ンチ）する
。その後は、ＣＮ＋１．ＣＮ＋２・・・が走査される間
は第７図に示される如く画素Ｐ 、Ｐ Ｎ、Ｎ Ｎ＋２．Ｎ ’± 「明」状態を保ち得る。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ） 、
（ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可能
であり、この様に配置するとシャッターア１／イ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ） 、
（ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可能
であり、この様に配置するとシャッターア１／イ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ Ｉ ＸＩＯ’ 〜Ｉ Ｘｌ０６Ｈ２
１０＜ ｌ Ｖ、Ｉ ＜６０Ｖ （波高値）０．３ ＜
ｌ ′ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ Ｉ ＸＩＯ’ 〜Ｉ Ｘｌ０６Ｈ２
１０＜ ｌ Ｖ、Ｉ ＜６０Ｖ （波高値）０．３ ＜
ｌ ′ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１２
図のＢ−Ｂ′線で切断した部分断面図であり、以上に示
す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すものである
。
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１２
図のＢ−Ｂ′線で切断した部分断面図であり、以上に示
す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すものである
。
第１０図は、本発明の方法で用いうる液晶素子のｌ ｔ
っの具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の
基板２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子
をドーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成し
た半導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファ
スシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８
と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続し
た画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
っの具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の
基板２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子
をドーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成し
た半導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファ
スシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８
と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続し
た画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′ノ
上には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴｉ
ｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′ノ
上には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴｉ
ｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ０よりの反射光Ｉ、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８′の背後に反射板１８ （乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ０よりの反射光Ｉ、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８′の背後に反射板１８ （乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＦＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ”線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ”部分断面図である。 １．１’；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ↓） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ９層 １１、ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半導体
１７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板 １１１
．１９′、偏光板２０．２０’；ガラス、プラスチ・ン
ク等の透明基板２１、対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２８；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ，液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ 子 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １）善 雄 第２図 第３図 走 ＠ ＠ 極 第４図 第５図 灸 示 走 魚 ＠ 極 第６図 （ｑ） 第７図
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＦＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ”線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ”部分断面図である。 １．１’；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ↓） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ９層 １１、ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半導体
１７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板 １１１
．１９′、偏光板２０．２０’；ガラス、プラスチ・ン
ク等の透明基板２１、対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２８；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ，液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ 子 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １）善 雄 第２図 第３図 走 ＠ ＠ 極 第４図 第５図 灸 示 走 魚 ＠ 極 第６図 （ｑ） 第７図
Claims (2)
- （１） ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接
続した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基
板と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を
有し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安
定状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子
の駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状
態となる信号印加と回期させてＦＥＴのゲート以外の端
子である第一端子と第二端子の間で電界を形成すること
によって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成し
た電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成
することによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配
列を制御する第二位相を有し、前記対向電極に表示信号
を印加するとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子の
うち、ソースもしくはドレインを共通端子に接続してゲ
ートに走査信号を印加する時分割駆動であることを特徴
とする液晶素子の駆動法。 - （２）走査信号線に所定の走査信号を印加するとともに
、表示信号線に表示画像信号を印加することによって、
第一の配向状態に共づく表示状態と、第二の配向状態に
共づ〈表示状態を同時に書き込むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の液晶素子の駆動法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118186A JPS60262136A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118186A JPS60262136A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262136A true JPS60262136A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14730275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118186A Pending JPS60262136A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262136A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235815A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-21 | ザ ゼネラル エレクトリツク カンパニー，ピーエルシー | 液晶表示装置 |
| JPS63124034A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
| US4770501A (en) * | 1985-03-07 | 1988-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method of driving the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230121A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-15 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59118186A patent/JPS60262136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230121A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-15 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4770501A (en) * | 1985-03-07 | 1988-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method of driving the same |
| JPS61235815A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-21 | ザ ゼネラル エレクトリツク カンパニー，ピーエルシー | 液晶表示装置 |
| JPS63124034A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
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