JPS60262458A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS60262458A JPS60262458A JP59118090A JP11809084A JPS60262458A JP S60262458 A JPS60262458 A JP S60262458A JP 59118090 A JP59118090 A JP 59118090A JP 11809084 A JP11809084 A JP 11809084A JP S60262458 A JPS60262458 A JP S60262458A
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- Japan
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- solid
- optical sensor
- state imaging
- lens
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な固体撮像装置の製造方法に関する。より
詳しくは、光センサの実効的な開口率を高イすることが
でき、しかも製造中及び製造後における劣化の生じる惧
れのない新規な固体撮像装置の製造方法を提供しようと
するものである。
詳しくは、光センサの実効的な開口率を高イすることが
でき、しかも製造中及び製造後における劣化の生じる惧
れのない新規な固体撮像装置の製造方法を提供しようと
するものである。
背景技術とその問題点
第２図は固体撮像デバイスの従来例を示す断面図であり
、同図において、ａは単結晶シリコンからなる半導体基
板、ｂは該半導体基板ａの表面部に選択的に形成された
光センサ、Ｃは半導体基板ａの表面部に選択的に形成さ
れた垂直転送レジスタ、ｄは半導体表面上に形成された
Ｓ ｉ ０２膜、ｅは該Ｓ ｉ Ｏ２膜ｄ内に埋設され
、半導体表面の光センサ以外の領域への光を遮るフォト
シールド膜で、例えばアルミニウムからなる。
、同図において、ａは単結晶シリコンからなる半導体基
板、ｂは該半導体基板ａの表面部に選択的に形成された
光センサ、Ｃは半導体基板ａの表面部に選択的に形成さ
れた垂直転送レジスタ、ｄは半導体表面上に形成された
Ｓ ｉ ０２膜、ｅは該Ｓ ｉ Ｏ２膜ｄ内に埋設され
、半導体表面の光センサ以外の領域への光を遮るフォト
シールド膜で、例えばアルミニウムからなる。
このような固体撮像デバイスは構造−Ｌセルの面積に占
めるセンサ開口面積の割合、即ち、センサ開口率を１０
０％にすることは不可能であり、一般に２０〜３０％に
すぎない。従って、入射した光のごく一部しか光センサ
ｂによって受光されず、感度が低かった。
めるセンサ開口面積の割合、即ち、センサ開口率を１０
０％にすることは不可能であり、一般に２０〜３０％に
すぎない。従って、入射した光のごく一部しか光センサ
ｂによって受光されず、感度が低かった。
そこで、固体撮像デバイスの実効的開口率を高めるべく
、デバイスの表面に屈折光学素子たるしンチキュラーレ
ンズを形成し、光センサの開口部からずれたところに向
い本来なら光センサ内に入射されない光をレンチキュラ
ーレンズにより開口部に集光する技術が例えば特開昭５
５−１２４３６６号公報等によって公表されている。そ
して、その公報においてはレンチキュラーレンズの材料
としてガラスを用いることが記載されているが、どのよ
うな方法でレンズ素子の曲率半径を制御するかは示され
ていない。そして、実際上充分な集光効果を得られるよ
うにするためにはレンズ素子の曲率半径を相当に小さく
する必要があるが、レンズ素子の曲率半径を小さくする
ことは実際に非常に難しい。又、レンズを樹脂により形
成することも開発されている。熱可塑性樹脂を使うと樹
脂層の形成後それを再溶融することにより表面張力で層
表面がまるみを帯びるようにすることができる。従って
、比較的集光効果の高いレンズが得られる可能性がある
。しかしながら、樹脂は熱に弱く、経時変化が生じ易い
ので製造工程中、あるいは製造後において劣化、変形す
る可能性がある。
、デバイスの表面に屈折光学素子たるしンチキュラーレ
ンズを形成し、光センサの開口部からずれたところに向
い本来なら光センサ内に入射されない光をレンチキュラ
ーレンズにより開口部に集光する技術が例えば特開昭５
５−１２４３６６号公報等によって公表されている。そ
して、その公報においてはレンチキュラーレンズの材料
としてガラスを用いることが記載されているが、どのよ
うな方法でレンズ素子の曲率半径を制御するかは示され
ていない。そして、実際上充分な集光効果を得られるよ
うにするためにはレンズ素子の曲率半径を相当に小さく
する必要があるが、レンズ素子の曲率半径を小さくする
ことは実際に非常に難しい。又、レンズを樹脂により形
成することも開発されている。熱可塑性樹脂を使うと樹
脂層の形成後それを再溶融することにより表面張力で層
表面がまるみを帯びるようにすることができる。従って
、比較的集光効果の高いレンズが得られる可能性がある
。しかしながら、樹脂は熱に弱く、経時変化が生じ易い
ので製造工程中、あるいは製造後において劣化、変形す
る可能性がある。
そのため、信頼性、安定性に欠けるという問題があった
。
。
発明の目的
しかして、本発明は、光センサの実効的な開口率を高く
することができ、しかも製造中及び製造後における劣化
の生じる惧れのない新規な固体撮像装置の製造方法を提
供しようとするものである。
することができ、しかも製造中及び製造後における劣化
の生じる惧れのない新規な固体撮像装置の製造方法を提
供しようとするものである。
発明の概要
」１記目的を達成するため本発明固体撮像装置の製造方
法は、固体撮像デバイスが形成された半導体基板上に無
機材料からなる第１の透明層を形成し、該第１の透明層
に対しそれが光センサの開口部上に残存するような選択
的エツチング処理を施し、その後、半導体基板上に無機
材料からなる第２の透明層を形成することにより各光セ
ンサの開口部上に上記第２の透明層からなり上記開口部
に集光するレンズが構成されるようにすることを特徴と
するものである。
法は、固体撮像デバイスが形成された半導体基板上に無
機材料からなる第１の透明層を形成し、該第１の透明層
に対しそれが光センサの開口部上に残存するような選択
的エツチング処理を施し、その後、半導体基板上に無機
材料からなる第２の透明層を形成することにより各光セ
ンサの開口部上に上記第２の透明層からなり上記開口部
に集光するレンズが構成されるようにすることを特徴と
するものである。
実施例
以下に、本発明固体撮像装置の製造方法を添付図面に従
って詳細に説明する。
って詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明固体撮像装置の製造方
法の実施の一例を工程順に説明するための断面図である
。
法の実施の一例を工程順に説明するための断面図である
。
（Ａ）第１図（Ａ）に示すように固体撮像デバイスが形
成された半導体基板１表面の絶縁膜２表面−Ｌに無機材
料からなる第１の透明層（膜厚ｌ〜３ルｍ）３を形成す
る。第１の透明層３を形成する無機材料としてはシリコ
ンナイトライド、シリコン酸化膜、タンタル酸化膜ある
いはチタン酸化膜（ＴｉＯ２）等が好ましい。そして、
その＄９材料を例えばＣＶＤ （プラズマＣＶＤ法）や
スパッタ蒸着法により成長させることにより第１の透明
層３を形成する。
成された半導体基板１表面の絶縁膜２表面−Ｌに無機材
料からなる第１の透明層（膜厚ｌ〜３ルｍ）３を形成す
る。第１の透明層３を形成する無機材料としてはシリコ
ンナイトライド、シリコン酸化膜、タンタル酸化膜ある
いはチタン酸化膜（ＴｉＯ２）等が好ましい。そして、
その＄９材料を例えばＣＶＤ （プラズマＣＶＤ法）や
スパッタ蒸着法により成長させることにより第１の透明
層３を形成する。
尚、第１図において４は半導体基板１の表面部に選択的
に形成された光センサ、５は半導体基板■の表面部に選
択的に形成された垂直転送レジスタ、６は半導体基板１
の表面を覆う絶縁膜２内に埋設されたフォトシールド膜
で、光センサ４と重なり合わないように位置され、光セ
ンサ４以外の領域に向う光を遮る。
に形成された光センサ、５は半導体基板■の表面部に選
択的に形成された垂直転送レジスタ、６は半導体基板１
の表面を覆う絶縁膜２内に埋設されたフォトシールド膜
で、光センサ４と重なり合わないように位置され、光セ
ンサ４以外の領域に向う光を遮る。
（Ｂ）次に、第１図（Ｂ）に示すように、第１の透明層
３に対してそれが各光センサ４．４上に残存するような
等方性選択的エツチング処理を施す。この選択的エツチ
ングは通常の半導体製造プロセスにおいて用いられるフ
ォトリングラフィ技術を利用して行う。
３に対してそれが各光センサ４．４上に残存するような
等方性選択的エツチング処理を施す。この選択的エツチ
ングは通常の半導体製造プロセスにおいて用いられるフ
ォトリングラフィ技術を利用して行う。
７はこのエッチグにより形成された第１の透明層３の凹
部である。本固体撮像装置の製造方法においては各凹部
７．７、・争・が垂直転送レジスタ５．５、・・・と平
行に延びるように形成され、その結果、後の説明で明ら
かなように最終的には垂直転送レジスタ５．５、・・・
と平行なかまぼこ状の集光用レンズが形成されるように
なっている。しかし、縦横に散在する光センサ４．４、
・Φ・に対応する位置に島状に第１の透明層３．３、ｅ
・・を散在させるようにし、その結果、最終的に魚眼状
の集光用レンズが形成されるようにしても良い。かまぼ
こ状のレンズを形成するよりも魚眼状のレンズを形成す
る方が各光センサ４の開口部にその四方から集光される
ようにできるのでより実効的開口率を高めることができ
るけれども製造が面倒であるという欠点を有しており、
本実施例ではかまぼこ状の集光レンズが形成されるよう
にしているのである。
部である。本固体撮像装置の製造方法においては各凹部
７．７、・争・が垂直転送レジスタ５．５、・・・と平
行に延びるように形成され、その結果、後の説明で明ら
かなように最終的には垂直転送レジスタ５．５、・・・
と平行なかまぼこ状の集光用レンズが形成されるように
なっている。しかし、縦横に散在する光センサ４．４、
・Φ・に対応する位置に島状に第１の透明層３．３、ｅ
・・を散在させるようにし、その結果、最終的に魚眼状
の集光用レンズが形成されるようにしても良い。かまぼ
こ状のレンズを形成するよりも魚眼状のレンズを形成す
る方が各光センサ４の開口部にその四方から集光される
ようにできるのでより実効的開口率を高めることができ
るけれども製造が面倒であるという欠点を有しており、
本実施例ではかまぼこ状の集光レンズが形成されるよう
にしているのである。
本工程で行われるエツチングは等方性エツチングである
ので、残存する第１の透明層３．３、・・・の断面形状
はコニーデ状になり、その側面は斜面８となる。
ので、残存する第１の透明層３．３、・・・の断面形状
はコニーデ状になり、その側面は斜面８となる。
（Ｃ）その後、第１図（Ｃ）に示すように半導体基板１
表面上に無機材料からなる第２の透明層９をＣＶＤ法に
より形成する。その無機材料は第１の透明層３の無機材
料と同じ材質ないしは同じ屈折率であることが集光効果
を高めるうえで好ましい。そして、そのＣＶＤ法は処理
温度が低くて済むプラズマＣＶＤ法がデバイスに与える
影響を少なくできるので好ましい。
表面上に無機材料からなる第２の透明層９をＣＶＤ法に
より形成する。その無機材料は第１の透明層３の無機材
料と同じ材質ないしは同じ屈折率であることが集光効果
を高めるうえで好ましい。そして、そのＣＶＤ法は処理
温度が低くて済むプラズマＣＶＤ法がデバイスに与える
影響を少なくできるので好ましい。
このように、各光センサ垂直列４．４、・・上に第１の
透明層３．３、・拳・が下地層として形成された半導体
基板１表面−Ｌに透明な無機材料をＣＶＤ法により成長
させることにより、各光センサ垂直列４．４、・・赤土
において隆起し、各隣接光センサ垂直列４．４、聞出に
おいて凹む第２の透明層９が形成され、その隆起はＣＶ
Ｄ法が持つ平担化特性により丸みを帯びたものとなるの
でかまぼこ状の凸レンズ１０．１０、・・・を成す。従
って、この凸レンズ１Ｏ１ｌｏ、・・・は光センサ４．
４、・・・から両側にずれた位置に向かう光もその集光
機能によって光センサ４．４、・・・へ集光する。依っ
て、各光センサ４．４、・・・の感度は高まり、その実
効的な開口率を高くすることができる。
透明層３．３、・拳・が下地層として形成された半導体
基板１表面−Ｌに透明な無機材料をＣＶＤ法により成長
させることにより、各光センサ垂直列４．４、・・赤土
において隆起し、各隣接光センサ垂直列４．４、聞出に
おいて凹む第２の透明層９が形成され、その隆起はＣＶ
Ｄ法が持つ平担化特性により丸みを帯びたものとなるの
でかまぼこ状の凸レンズ１０．１０、・・・を成す。従
って、この凸レンズ１Ｏ１ｌｏ、・・・は光センサ４．
４、・・・から両側にずれた位置に向かう光もその集光
機能によって光センサ４．４、・・・へ集光する。依っ
て、各光センサ４．４、・・・の感度は高まり、その実
効的な開口率を高くすることができる。
そして、凸レンズ１０．１０の曲率半径は第１も
の透明Ｒ３の高さ、あるいはその幅等により大きくした
り小さくしたりすることができ、充分な集光効果が得ら
れるようにコントロールできる。特に、本発明により従
来より凸レンズ１０．１０の曲率半径を小さくすること
ができるので、ＣＣＤの小型化により各光センサ間の間
隔が狭まってもそれに応じてレンズの曲率半径を小さく
し、充分な集光効果を得ることができる。実際上感度を
２〜３倍に高め得ることが確認されている。
り小さくしたりすることができ、充分な集光効果が得ら
れるようにコントロールできる。特に、本発明により従
来より凸レンズ１０．１０の曲率半径を小さくすること
ができるので、ＣＣＤの小型化により各光センサ間の間
隔が狭まってもそれに応じてレンズの曲率半径を小さく
し、充分な集光効果を得ることができる。実際上感度を
２〜３倍に高め得ることが確認されている。
又、第１の透明層３及び第２の透明層９を仮にレジン等
の有機材料により形成した場合にはそれが高い温度で劣
化するので製造工程中あるいは製造後において劣化、特
性の変動等が生じる惧れがあるが、本発明においては、
第１の透明層及び第２の透明層を無機材料により形成す
るので第１の透明層及び第２の透明層が製造工程中ある
いは製造後において劣化したり、集光特性等の特性が変
動したりする慣れが全くない。
の有機材料により形成した場合にはそれが高い温度で劣
化するので製造工程中あるいは製造後において劣化、特
性の変動等が生じる惧れがあるが、本発明においては、
第１の透明層及び第２の透明層を無機材料により形成す
るので第１の透明層及び第２の透明層が製造工程中ある
いは製造後において劣化したり、集光特性等の特性が変
動したりする慣れが全くない。
発明の効果
以上に述べたように、本発明固体撮像装置の製造方法は
、固体撮像デバイスが形成された半導体基板上に無機材
料からなる第１の透明層を形成し、該第１の透明層に対
しそれが光センサの開口部上に残存するような選択的エ
ツチング処理を施し、その後、半導体基板上に無機材料
からなる第２の透明層を形成することにより各光センサ
の開１１部上に上記第２の透明層からなり上記開口部に
集光するレンズが構成されるようにすることを特徴とす
るものである。従って、各光センサの開口部上の第２の
透明層からなるレンズによって光センサからずれたとこ
ろに向う光も光センサの開口部に集光される。そして、
第１の透明層の高さ、幅等を変えることにより集光効果
が高まるようにレンズの曲率を制御することができ得る
。依って、光センサの感度を高め、実効的な開口率を高
くすることができる。
、固体撮像デバイスが形成された半導体基板上に無機材
料からなる第１の透明層を形成し、該第１の透明層に対
しそれが光センサの開口部上に残存するような選択的エ
ツチング処理を施し、その後、半導体基板上に無機材料
からなる第２の透明層を形成することにより各光センサ
の開１１部上に上記第２の透明層からなり上記開口部に
集光するレンズが構成されるようにすることを特徴とす
るものである。従って、各光センサの開口部上の第２の
透明層からなるレンズによって光センサからずれたとこ
ろに向う光も光センサの開口部に集光される。そして、
第１の透明層の高さ、幅等を変えることにより集光効果
が高まるようにレンズの曲率を制御することができ得る
。依って、光センサの感度を高め、実効的な開口率を高
くすることができる。
又、第１の透明層及び第２の透明層を無機材料により形
成するので高温で劣化したり、不良が発生したり、各種
特性が変動したりする惧れがなく、品質の安定性を高く
することができる。
成するので高温で劣化したり、不良が発生したり、各種
特性が変動したりする惧れがなく、品質の安定性を高く
することができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明固体撮像装置の製造方
法の実施の一例を工程順に示す断面図、第２図は固体撮
像デバイスの従来例を示す断面図である。 符号の説明 ｌ・・・半導体基板、 ３・番・第１の透明層、 ４・φφ光センサ、９・・・
第２の透明層、１０・舎・レンズ出 願 人 ソニー株
式会社 代理人弁理士 小 松 祐 治 回 尾 川 秀 昭 １ 第１図 （Ａ） ＣＢ＞ （Ｃ）
法の実施の一例を工程順に示す断面図、第２図は固体撮
像デバイスの従来例を示す断面図である。 符号の説明 ｌ・・・半導体基板、 ３・番・第１の透明層、 ４・φφ光センサ、９・・・
第２の透明層、１０・舎・レンズ出 願 人 ソニー株
式会社 代理人弁理士 小 松 祐 治 回 尾 川 秀 昭 １ 第１図 （Ａ） ＣＢ＞ （Ｃ）
Claims (1)
- （１）固体撮像デバイスが形成された半導体基板上に無
機材料からなる第１の透明層を形成し、該第１の透明層
に対しそれが光センサの開口部上に残存するような選択
的エツチング処理を施し、その後、半導体基板上に無機
材料からなる第２の透明層を形成することにより各光セ
ンサの開口部上に上記第２の透明層からなり上記開口部
に集光するレンズが構成されるようにすることを特徴と
する固体撮像装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118090A JPS60262458A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118090A JPS60262458A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262458A true JPS60262458A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14727744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118090A Pending JPS60262458A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262458A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382723B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| US6903395B2 (en) | 2002-02-05 | 2005-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including interlayer lens |
| KR20080062141A (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
| JP2009157397A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-07-16 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子 |
| US8253142B1 (en) * | 1999-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| US9030744B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-05-12 | Infineon Technologies Ag | Fabrication of micro lenses |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59118090A patent/JPS60262458A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8253142B1 (en) * | 1999-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| US8729650B2 (en) | 1999-08-27 | 2014-05-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| KR100382723B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| US6605851B2 (en) | 2000-11-13 | 2003-08-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor with large radius micro-lenses |
| US6933161B2 (en) | 2000-11-13 | 2005-08-23 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method of forming an image sensor with large radius micro-lenses |
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| US9030744B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-05-12 | Infineon Technologies Ag | Fabrication of micro lenses |
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