JPH05134111A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH05134111A
JPH05134111A JP3300668A JP30066891A JPH05134111A JP H05134111 A JPH05134111 A JP H05134111A JP 3300668 A JP3300668 A JP 3300668A JP 30066891 A JP30066891 A JP 30066891A JP H05134111 A JPH05134111 A JP H05134111A
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Hidetsugu Koyama
英嗣 小山
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 従来技術により、遮光膜９を形成した後、マ
イクロレンズ材料より大きい屈折率の透明樹脂であるポ
リイミド樹脂をスピンコート法により塗布した後、２０
０〜２５０℃で５〜１０分間ベークし、平坦化膜１０ａ
を形成する。その後、アクリル樹脂をスピンコート法に
より塗布した後、パターニングを行い、１５０〜１６０
℃でメルトし、マイクロレンズ１１を形成する。 【効果】 マイクロレンズに対する斜め入射光の受光部
への集光率の低下が従来より抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロレンズを有す
る固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の固体撮像装置の構造断面図
を示す。図３に示すように、Ｎ型半導体基板１上のＰウ
ェル領域２の表面部に受光部３及び転送部４が設けら
れ、それらの上部にシリコン酸化膜５が堆積しており、
その上部に、ポリシリコン電極６が設けられている。該
ポリシリコン電極６上にもシリコン酸化膜５が堆積して
おり、その上部にタングステンシリサイド７を設け、該
タングステンシリサイド７の上部にＢＰＳＧ膜８を堆積
し、その上部に転送部４へ光が入射しない様に遮光メタ
ル９が設けられ、その上にアクリル樹脂等により平坦化
膜１０ｂが設けられている。
【０００３】現在では、前記平坦化膜１０ｂ上に、入射
光の利用率を高めるために、平坦化膜材料とほぼ同じ屈
折率を有する透明樹脂を用いてマイクロレンズ１１を設
け、実質的な開口率を向上させることを行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４は、カメラ等の光
学系機構の断面図を示し、図４において、１２は光学系
レンズ，１３は絞り，１４は固体撮像装置を示す。
【０００５】一般に、固体撮像装置１４は、図４に示す
ように、光学系レンズ１２で光を集め、結像する場所に
置かれる。この場合、絞り１３の開口部の大きさによ
り、図４（ａ），（ｂ）に示す様に結像されるため、図
４（ａ）の場合は、図５（ａ）の、図４（ａ）における
入射光路に示すように、受光部３に集光されるが、図４
（ｂ）のように、絞りを開いた状態では、図５（ｂ）
の、図４（ｂ）における入射光路に示すように斜め入射
する光により、マイクロレンズ１１の結像位置が受光部
３から横へずれる。このように、絞り３の開口部が大き
くなるにつれ、マイクロレンズ１１による集光率が低下
する。
【０００６】本発明は、斜め入射光に対して、集光率の
減少を抑制する手段を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、平坦化膜上にマイクロレンズを設けたもので、該平
坦化膜にマイクロレンズより大きい屈折率を有する透明
樹脂を用いたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】上記構成を有する固体撮像装置を用いることに
より、図６の本発明に係る固体撮像装置の入射光路に示
すように、受光面に対して従来より直角に近い入射光に
なる。
【０００９】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の構造断面図、図
２は本発明の一実施例の製造工程図を示す。図１及び図
２において、１はＮ型半導体基板、２はＰウェル層、３
は受光部、４は転送部、５はシリコン酸化膜、６はポリ
シリコン電極、７はタングステンシリサイド、８はＢＰ
ＳＧ膜、９は遮光膜、１０ａは屈折率がマイクロレンズ
材料の屈折率より大きい平坦化、１１は屈折率が１より
大きいマイクロレンズを示す。
【００１１】本発明は、平坦化膜１０ａがマイクロレン
ズ１１より大きい屈折率を有する材料を用いて形成され
ていることが特徴である。
【００１２】次に、製造工程について、図２に基づいて
説明する。
【００１３】まず、従来技術により、Ｎ型半導体基板１
上にＰウェル層２を形成し、該Ｐウェル層２の表面部に
受光部３および転送部４を形成し、その後、シリコン酸
化膜５を堆積し、ポリシリコン電極６を形成し、その
後、該ポリシリコン電極６を覆う様に、シリコン酸化膜
５を再び堆積させ、前記電極６上部にタングステンシリ
サイド７を形成し、ＢＰＳＧ膜８を堆積した後、遮光膜
９としてアルミニウムシリサイド膜を形成する（図２
（ａ））。
【００１４】次に、平坦化膜材料として、ポリイミド樹
脂をスピンコート法で塗布し、２００〜２５０℃で５〜
１０分間ベークし、平坦化膜１０ａを形成する（図２
（ｂ））。平坦化膜材料としては、マイクロレンズ材料
より屈折率が大きければよく、本実施例に限定されな
い。また、膜厚は素子によって異なる。
【００１５】次に、レンズ材料として、屈折率が１より
大きいアクリル樹脂等をスピンコート法により、塗布
し、フォトエッチング工程により、パターニング後、１
５０〜１６０℃でメルトし、その後乾燥させることによ
り、マイクロレンズ１１を形成する（図２（ｃ））。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
いることにより、マイクロレンズによる結像位置の横へ
のずれが、従来よりも小さくなり、斜め入射光による集
光率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構造断面図である。
【図２】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図３】従来の固体撮像装置の構造断面図である。
【図４】カメラ等の光学系機構の断面図である。
【図５】図４に示す機構における従来の固体撮像装置の
入射光路図である。
【図６】図４に示す機構における本発明に係る固体撮像
装置の入射光路図である。
【符号の説明】
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐウェル層 ３ 受光部 ４ 転送部 ５ シリコン酸化膜 ６ ポリシリコン電極 ７ タングステンシリサイド ８ ＢＰＳＧ膜 ９ 遮光膜（ＡｌＳｉ膜） １０ａ 平坦化膜（屈折率ｎ1＞ｎ0＝マイクロレンズの
屈折率） １０ｂ 平坦化膜（屈折率ｎ2＞１） １１ マイクロレンズ（屈折率ｎ0＞１）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平坦化膜上にマイクロレンズを設けた固
    体撮像装置において、前記平坦化膜に、前記マイクロレ
    ンズより大きい屈折率を有する透明樹脂を用いたことを
    特徴とする固体撮像装置。
JP3300668A 1991-11-15 1991-11-15 固体撮像装置 Pending JPH05134111A (ja)

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