JPS60262972A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60262972A JPS60262972A JP11794084A JP11794084A JPS60262972A JP S60262972 A JPS60262972 A JP S60262972A JP 11794084 A JP11794084 A JP 11794084A JP 11794084 A JP11794084 A JP 11794084A JP S60262972 A JPS60262972 A JP S60262972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrodes
- electrode
- metal electrode
- needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、高周波グロー放電を利用して薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置に関する。
プラズマＣＶＤ装置に関する。
従来技術
現在、アモルファスシリコンａ−８ｉの成膜法としては
、容量結合方式・平行平板型の高周波グロー放電方式が
主流である。第６図はその一例を示すもので、反応室１
内に電極２，３を上下に対向配置し、ガス導入口４から
原料ガスを導入するとともに排気口５から余剰ガスを排
気させて反応室１内を所定圧力にした状態で、電極２，
３間に高周波電源６により高周波電圧を印加してプラズ
マを発生させる。このプラズマ中で原料ガスを分解・反
応させて電極３上の基板７上に非晶質半導体ｌ１ＩＩ（
ａ−３ｉ膜）及び絶縁膜を成膜させるものである。なお
、基板７はヒータ８によって所定温度に加熱される。
、容量結合方式・平行平板型の高周波グロー放電方式が
主流である。第６図はその一例を示すもので、反応室１
内に電極２，３を上下に対向配置し、ガス導入口４から
原料ガスを導入するとともに排気口５から余剰ガスを排
気させて反応室１内を所定圧力にした状態で、電極２，
３間に高周波電源６により高周波電圧を印加してプラズ
マを発生させる。このプラズマ中で原料ガスを分解・反
応させて電極３上の基板７上に非晶質半導体ｌ１ＩＩ（
ａ−３ｉ膜）及び絶縁膜を成膜させるものである。なお
、基板７はヒータ８によって所定温度に加熱される。
この方式において、高周波電源６に接続された電極２は
、アース電位に保たれた他方の電極３に対し負にバイア
スされる。この為、カソード側に置かれた基板７上に成
長するａ−８ｉ中に５ｉｊＨｋ＋ 等のような正イオン
が取込まれ、膜特性の劣化をもたらすことになる。かと
云って、基板７をアノード側に置いても、やはりプラズ
マ中にさらされるために、（ＳｉＨｚ）ｎの形で膜中に
入り易くなり、電子等の衝撃によるダメージを受け易く
膜特性が劣化する。
、アース電位に保たれた他方の電極３に対し負にバイア
スされる。この為、カソード側に置かれた基板７上に成
長するａ−８ｉ中に５ｉｊＨｋ＋ 等のような正イオン
が取込まれ、膜特性の劣化をもたらすことになる。かと
云って、基板７をアノード側に置いても、やはりプラズ
マ中にさらされるために、（ＳｉＨｚ）ｎの形で膜中に
入り易くなり、電子等の衝撃によるダメージを受け易く
膜特性が劣化する。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので。
基板が直接プラズマ中にさらされることがなく、イオン
による影響を少なくして、膜厚や膜質の良好な薄膜を形
成することができるプラズマＣＶＤ装置を得ることを目
的とする。
による影響を少なくして、膜厚や膜質の良好な薄膜を形
成することができるプラズマＣＶＤ装置を得ることを目
的とする。
構成
本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明
する。まず、第１図は概略を示すものであり、反応室１
０内には基板１１を支持する基板支持台１２がヒータ１
３とともに設けられている。
する。まず、第１図は概略を示すものであり、反応室１
０内には基板１１を支持する基板支持台１２がヒータ１
３とともに設けられている。
この水平に載置される基板１１に対向させて上方には本
発明の特徴とする針状電極同軸型円筒電極構成による電
極部１４が設けられている。この電極部１４付近の構成
を第２図ないし第４図に示す。
発明の特徴とする針状電極同軸型円筒電極構成による電
極部１４が設けられている。この電極部１４付近の構成
を第２図ないし第４図に示す。
まず、アースされた支持体１５の下面に複数個の円筒状
金属電極１６が突出形成されている。そして、各円筒状
金属電極１６内の中央には針状金属電極１７が配置され
ている。この針状金属電極１７はテフロン等の絶縁物１
８を介して支持され、円筒状金属電極１６とは絶縁され
ている。これらの針状金属電極１７は高周波電源１９に
接続されており、カソードとなるものである。従って１
円筒状金属電極１６がアノードとなる。２０は絶縁物で
ある。又、前記支持体１５内の空間に連通ずるガス導入
口２１が形成されているとともに、前記絶縁物１８には
針状金属電極１７周りに複数個のガス導入孔２２が形成
され、原料ガスを円筒状金属電極１６内に導入し得るよ
うに設定されている。又、反応室１０の下部にはガス排
気口２３が形成されている。
金属電極１６が突出形成されている。そして、各円筒状
金属電極１６内の中央には針状金属電極１７が配置され
ている。この針状金属電極１７はテフロン等の絶縁物１
８を介して支持され、円筒状金属電極１６とは絶縁され
ている。これらの針状金属電極１７は高周波電源１９に
接続されており、カソードとなるものである。従って１
円筒状金属電極１６がアノードとなる。２０は絶縁物で
ある。又、前記支持体１５内の空間に連通ずるガス導入
口２１が形成されているとともに、前記絶縁物１８には
針状金属電極１７周りに複数個のガス導入孔２２が形成
され、原料ガスを円筒状金属電極１６内に導入し得るよ
うに設定されている。又、反応室１０の下部にはガス排
気口２３が形成されている。
ここで１寸法的には、円筒状金属電極１６は直径が３〜
３０■程度、長さが５〜５０■程度である。針状金属電
極１７は直径０．５〜３ｍ程度、長さが５〜５０■程度
である。ガス導入孔２２は直径０ 、１〜３ ｍ程度、
個数は０．１〜１個／ｗａ”程度である。
３０■程度、長さが５〜５０■程度である。針状金属電
極１７は直径０．５〜３ｍ程度、長さが５〜５０■程度
である。ガス導入孔２２は直径０ 、１〜３ ｍ程度、
個数は０．１〜１個／ｗａ”程度である。
このような構成において、ガス導入口２１からガス導入
孔２２を介して導入される原料ガス、例えばシランガス
ＳｉＨ４は１円筒状金属電極１６内を通過する間に、こ
の円筒状金属電極１６と針状金属電極１７との間の高周
波グロー放電によって分解され、Ｓｔ＊、 ＳｉＨ”
、 Ｈ” 等のラジカルやＳよｊＨｋ＋ のようなイオ
ンを生じる。このうち、イオンの多くはカソードである
針状金属電極１７側に捕捉される。一方、成膜に必要な
ラジカルの一部は基板１１上に堆積する。
孔２２を介して導入される原料ガス、例えばシランガス
ＳｉＨ４は１円筒状金属電極１６内を通過する間に、こ
の円筒状金属電極１６と針状金属電極１７との間の高周
波グロー放電によって分解され、Ｓｔ＊、 ＳｉＨ”
、 Ｈ” 等のラジカルやＳよｊＨｋ＋ のようなイオ
ンを生じる。このうち、イオンの多くはカソードである
針状金属電極１７側に捕捉される。一方、成膜に必要な
ラジカルの一部は基板１１上に堆積する。
このように１本実施例によれば、５ｉｊＨｋ＋のような
イオンの影響の少ないａ−８ｉ膜を成膜できるものであ
る。このとき、基板１１が直接プラズマ中にさらされる
ことがないので、電子による基板１１上の膜へのダメー
ジも少ない。更には、電極部１４が円筒状金属電極１６
と針状金属電極１７とを対として多数波べて配置しであ
るので、大面積の基板ｌｌ上に膜厚や膜質の均一性のよ
い膜を得ることができるものである。
イオンの影響の少ないａ−８ｉ膜を成膜できるものであ
る。このとき、基板１１が直接プラズマ中にさらされる
ことがないので、電子による基板１１上の膜へのダメー
ジも少ない。更には、電極部１４が円筒状金属電極１６
と針状金属電極１７とを対として多数波べて配置しであ
るので、大面積の基板ｌｌ上に膜厚や膜質の均一性のよ
い膜を得ることができるものである。
第５図は変形例を示すもので１円筒状金属電極１６′を
支持体１５に形成した穴により構成したものである。針
状金属電極１７等は同様である。
支持体１５に形成した穴により構成したものである。針
状金属電極１７等は同様である。
効果
本発明は、上述したように対向電極を円筒状金属電極と
その内部中央に配置させた針状金属電極とにより構成し
て複数個並べたので、基板が高周波グロー放電によるプ
ラズマ中に直接さらされることがなく、かつ、イオンを
捕捉でき、よって、イオンの影響が少なくて、膜厚や膜
質の均一性のよい成膜を行なうことができるものである
。
その内部中央に配置させた針状金属電極とにより構成し
て複数個並べたので、基板が高周波グロー放電によるプ
ラズマ中に直接さらされることがなく、かつ、イオンを
捕捉でき、よって、イオンの影響が少なくて、膜厚や膜
質の均一性のよい成膜を行なうことができるものである
。
第１図は本発明の一実施例を示す概略側面図、第２図は
その要部を拡大して示す縦断側面図、第３図は斜視図、
第４図は底面図、泥５図は変形例を示す斜視図、第６図
は従来例を示す側面図である。 １６・・・円筒状金属電極、１７・・・針状金属電極出
願 人 株式会社 リ コ − ′Ｉ±７：、’ｌ・す１ Ｊｓ、３図 ３ｕ図 −３９３
その要部を拡大して示す縦断側面図、第３図は斜視図、
第４図は底面図、泥５図は変形例を示す斜視図、第６図
は従来例を示す側面図である。 １６・・・円筒状金属電極、１７・・・針状金属電極出
願 人 株式会社 リ コ − ′Ｉ±７：、’ｌ・す１ Ｊｓ、３図 ３ｕ図 −３９３
Claims (1)
- 容量結合方式の高周波グロー放電を利用して薄膜を形成
するプラズマＣＶＤ装置において、対向電極を円筒状金
属電極とこの円筒状金属電極内の中央に配置させた針状
金属電極とにより構成して複数個設けたことを特徴とす
るプラズマＣＶＤ装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11794084A JPS60262972A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11794084A JPS60262972A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262972A true JPS60262972A (ja) | 1985-12-26 |
| JPH0561350B2 JPH0561350B2 (ja) | 1993-09-06 |
Family
ID=14723984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11794084A Granted JPS60262972A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262972A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915807A (en) * | 1988-09-29 | 1990-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer |
| JP2001098358A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Ulvac Japan Ltd | カーボン薄膜の成膜装置、及びカーボン薄膜製造方法 |
| JP2005293854A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hiroshi Takigawa | プラズマ生成用電源回路、プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及び目的物 |
| US20110000432A1 (en) * | 2008-06-12 | 2011-01-06 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | One atmospheric pressure non-thermal plasma reactor with dual discharging-electrode structure |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11794084A patent/JPS60262972A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915807A (en) * | 1988-09-29 | 1990-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer |
| JP2001098358A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Ulvac Japan Ltd | カーボン薄膜の成膜装置、及びカーボン薄膜製造方法 |
| JP2005293854A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hiroshi Takigawa | プラズマ生成用電源回路、プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及び目的物 |
| WO2005101927A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Kurita Seisakusho Co., Ltd. | プラズマ生成用電源回路、プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及び目的物 |
| US7719198B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-18 | Hirofumi Takikawa | Power supply circuit for plasma generation, plasma generating apparatus, plasma processing apparatus and plasma processed object |
| US20110000432A1 (en) * | 2008-06-12 | 2011-01-06 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | One atmospheric pressure non-thermal plasma reactor with dual discharging-electrode structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0561350B2 (ja) | 1993-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |