JPS60264115A - ダイオ−ド減衰器 - Google Patents
ダイオ−ド減衰器Info
- Publication number
- JPS60264115A JPS60264115A JP12098884A JP12098884A JPS60264115A JP S60264115 A JPS60264115 A JP S60264115A JP 12098884 A JP12098884 A JP 12098884A JP 12098884 A JP12098884 A JP 12098884A JP S60264115 A JPS60264115 A JP S60264115A
- Authority
- JP
- Japan
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- diode
- operational amplifier
- control voltage
- voltage
- att
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- Granted
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241000272201 Columbiformes Species 0.000 description 1
- 241001492658 Cyanea koolauensis Species 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はダイオード減衰器に関し、特に超高周波帯にて
使用されるダイオード減衰器に関する。
使用されるダイオード減衰器に関する。
従来技術
半導体ダイオードはその順方向電圧対電流特性が対数特
性を有しているために可変減衰素子として用いられてい
る。しかしながら、そのＲＦ（高周波）抵抗値ははｙ順
方向電流により定まるので、入力制御電圧に対して直線
的に減衰量を変化させかつ温度特性を良好にすることは
困難となっている。
性を有しているために可変減衰素子として用いられてい
る。しかしながら、そのＲＦ（高周波）抵抗値ははｙ順
方向電流により定まるので、入力制御電圧に対して直線
的に減衰量を変化させかつ温度特性を良好にすることは
困難となっている。
一般に、第１図に示す如く特性コンダクタンスＧ０のＲ
Ｆ線路１，２の１部を有限のコンダクタンスＧをもつ素
子にて接地すると、その減衰量ＡＴＴは、 ＡＴＴ ＝２０ｔＤｇｔｏ （１＋ Ｇ／ ２Ｇｏ ）
−−−（１）で与えられるが、このコンダクタンス素
子０としてダイオードを使用した場合に上述した減衰量
の直線的変化や温度特性を良好にすることが要求される
。
Ｆ線路１，２の１部を有限のコンダクタンスＧをもつ素
子にて接地すると、その減衰量ＡＴＴは、 ＡＴＴ ＝２０ｔＤｇｔｏ （１＋ Ｇ／ ２Ｇｏ ）
−−−（１）で与えられるが、このコンダクタンス素
子０としてダイオードを使用した場合に上述した減衰量
の直線的変化や温度特性を良好にすることが要求される
。
発明の目的
本発明の目的は直線的な変化をなす減衰特性を有するダ
イオード減衰器を提供することである。
イオード減衰器を提供することである。
本発明によるダイオード減衰器は、帰還部に減衰用ダイ
オードと同等性のダイオードと抵抗との直列回路を有し
入力に制御電圧が印加された演算増幅器（以下オペアン
プと称す）を含み、このオペアンプの出力電圧を高周波
信号線路１部接地用の前記減衰用ダイオードの制御電圧
として用いたことを特徴とする。
オードと同等性のダイオードと抵抗との直列回路を有し
入力に制御電圧が印加された演算増幅器（以下オペアン
プと称す）を含み、このオペアンプの出力電圧を高周波
信号線路１部接地用の前記減衰用ダイオードの制御電圧
として用いたことを特徴とする。
以下に第２図を用いて本発明の詳細な説明する。
図において、ＲＦ線路１，２の途中を接地する減衰用ダ
イオードＤ２が設けられており、このダイオードＤ２の
ための制御用電圧がオペアンプ３によシ発生される。こ
のオペアンプ３の正相入力は接地されておシ、その逆相
入力には入力抵抗Ｒ２を介して制御電圧ＶＩが印加され
ている。そして、このオペアンプ３の帰還部には、ダイ
オードＤ２と同特性のダイオードＤ１と抵抗Ｒ１との直
列回路が設けられている。このオペアンプ３の出力電圧
Ｖ。
イオードＤ２が設けられており、このダイオードＤ２の
ための制御用電圧がオペアンプ３によシ発生される。こ
のオペアンプ３の正相入力は接地されておシ、その逆相
入力には入力抵抗Ｒ２を介して制御電圧ＶＩが印加され
ている。そして、このオペアンプ３の帰還部には、ダイ
オードＤ２と同特性のダイオードＤ１と抵抗Ｒ１との直
列回路が設けられている。このオペアンプ３の出力電圧
Ｖ。
、がＲＦチョーク回路を介してダイオードＤ２のアノー
ドへ印加されている。
ドへ印加されている。
とのＲＦチョーク回路は、ボルテージフォロワ機能を有
するオペアンプ４と、ＲＣＣショー回路を構成する抵抗
Ｒ３，Ｒ４及びコンデンサＣ，、Ｃ２とからなる。
するオペアンプ４と、ＲＣＣショー回路を構成する抵抗
Ｒ３，Ｒ４及びコンデンサＣ，、Ｃ２とからなる。
か＼る構成において、ダイオードの整流特性は、その温
度特性に注目して考えると、 工ｏ ＝ Ａ６ （ｑ／ＫＴ） （ＶＤ−φＢ）６００
１９０１００１０．（２）または、 ＶＤ ＝ （ＫＴ／ｑ） ｔａｇ ｅ （工Ａ／Ａ）＋
φｎ ・−・・−−−−（２）’となる。Ａは定数、ｑ
は電子電荷量、Ｋはポルツマン定数、Ｔは絶対温度、φ
Ｂはビルティングポテンシャルである。よって、ダイオ
ードＲＦコンダクタンスＧは、 Ｇ ＝ ”Ｉ／ＢＶ＝ （ｑ／ ＫＴ ） Ａｅ （ｑ
／’ＫＴ） （Ｖ−φＢ）＝ （ｑ／ＫＴ） ＩＤ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・（３）となる。
度特性に注目して考えると、 工ｏ ＝ Ａ６ （ｑ／ＫＴ） （ＶＤ−φＢ）６００
１９０１００１０．（２）または、 ＶＤ ＝ （ＫＴ／ｑ） ｔａｇ ｅ （工Ａ／Ａ）＋
φｎ ・−・・−−−−（２）’となる。Ａは定数、ｑ
は電子電荷量、Ｋはポルツマン定数、Ｔは絶対温度、φ
Ｂはビルティングポテンシャルである。よって、ダイオ
ードＲＦコンダクタンスＧは、 Ｇ ＝ ”Ｉ／ＢＶ＝ （ｑ／ ＫＴ ） Ａｅ （ｑ
／’ＫＴ） （Ｖ−φＢ）＝ （ｑ／ＫＴ） ＩＤ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・（３）となる。
こ＼で、オペアンプ３の出力電圧■ｏは、オペアンプの
性質から、 鳩＝ ＶＤＩ ＋ ＲＩ ＩＤＩ ・・・・・・・・・
・・・（４）■Ｄ１＝ｖ■／Ｒ２・・・・・・・・・・
・・（５）なる関係がある。ＶＤｌ、ＩＤ、はダイオー
ドＤ、の電圧、電流を示す。（４） 、 （５）式と先
の（２）７式とから、Ｎ’（１＝ＶＤｔ ＋ （ＲＩ
／ Ｒ２） Ｖｒ＝ （ＫＴ／ｑ ） ｌｏｇ ｅ ＜
Ｉ Ｄ １ ／Ａ）＋φＢ＋（爬／Ｒ２）ＶＩ ・・
・・・・・・・・・・（６）となシ、この鳩がＲＦ可変
減衰用ダイオードＤ。
性質から、 鳩＝ ＶＤＩ ＋ ＲＩ ＩＤＩ ・・・・・・・・・
・・・（４）■Ｄ１＝ｖ■／Ｒ２・・・・・・・・・・
・・（５）なる関係がある。ＶＤｌ、ＩＤ、はダイオー
ドＤ、の電圧、電流を示す。（４） 、 （５）式と先
の（２）７式とから、Ｎ’（１＝ＶＤｔ ＋ （ＲＩ
／ Ｒ２） Ｖｒ＝ （ＫＴ／ｑ ） ｌｏｇ ｅ ＜
Ｉ Ｄ １ ／Ａ）＋φＢ＋（爬／Ｒ２）ＶＩ ・・
・・・・・・・・・・（６）となシ、この鳩がＲＦ可変
減衰用ダイオードＤ。
へ印加されるから、その電流より２は（２） 、 （５
）式から、Ｉ Ｄａ ＝ Ａ ｅ ’ ｑ／ＫＴ） （
％−φＢ）： （Ｖｌ／Ｒ２） ｅ（ｑ／Ｋｒ） （Ｒ
１／％ ）Ｖｌ 、、、（７）となる。先に示した（１
）式の減衰量ＡＴＴは、（７）。
）式から、Ｉ Ｄａ ＝ Ａ ｅ ’ ｑ／ＫＴ） （
％−φＢ）： （Ｖｌ／Ｒ２） ｅ（ｑ／Ｋｒ） （Ｒ
１／％ ）Ｖｌ 、、、（７）となる。先に示した（１
）式の減衰量ＡＴＴは、（７）。
（３）式を用いて、
ＡＴＴ ＝２０＃ｇｘｏ （１＋ （１／ ２Ｇ０）
（ｑ／ＫＴ） ＩＤ１１ ）＝２０ ｔｏｇｌｏ （１
＋ （１／２ＧＯＲ１） （ｑ／ＫＴ ）（Ｒ，”ＶＢ
２） 、。（（１／ＫＴ） （ＲＩＶＩ／Ｒ２））＝
２０ ｂｇｔｏ （１＋（’／２Ｇｏ ＲＩ ） ”
’ ） ”’ ”・（８）となる。こ＼に、 ｗ ＝ （ｑ／ＫＴ） （Ｒｓ”Ｉ／Ｒ，）とする。（
８）式において、２が十分大きい場合には、ＡＴＴ中２
０１ｔ３ｇ＋ｏ （（’／２Ｇｏ ＲＩ ） ｚ ｅ
” ）＝ ２Ｑ ｌｏｇｒｏ （’／２Ｑ、 Ｒ，）
ｚ＋αｙａ ・・・・・・（９）となる。αは定数であ
る。２が十分大であると、制御電圧ｖ、を変化させても
２０ ｔａｇ ｔｏ （”／２ Ｇｏ Ｒ１）”なる項
の変化は小さくなシ、よって（９）式で示されるＡＴＴ
ははソオペアンプ３の印加制御電圧Ｖ！に比例して変化
することになる。
（ｑ／ＫＴ） ＩＤ１１ ）＝２０ ｔｏｇｌｏ （１
＋ （１／２ＧＯＲ１） （ｑ／ＫＴ ）（Ｒ，”ＶＢ
２） 、。（（１／ＫＴ） （ＲＩＶＩ／Ｒ２））＝
２０ ｂｇｔｏ （１＋（’／２Ｇｏ ＲＩ ） ”
’ ） ”’ ”・（８）となる。こ＼に、 ｗ ＝ （ｑ／ＫＴ） （Ｒｓ”Ｉ／Ｒ，）とする。（
８）式において、２が十分大きい場合には、ＡＴＴ中２
０１ｔ３ｇ＋ｏ （（’／２Ｇｏ ＲＩ ） ｚ ｅ
” ）＝ ２Ｑ ｌｏｇｒｏ （’／２Ｑ、 Ｒ，）
ｚ＋αｙａ ・・・・・・（９）となる。αは定数であ
る。２が十分大であると、制御電圧ｖ、を変化させても
２０ ｔａｇ ｔｏ （”／２ Ｇｏ Ｒ１）”なる項
の変化は小さくなシ、よって（９）式で示されるＡＴＴ
ははソオペアンプ３の印加制御電圧Ｖ！に比例して変化
することになる。
特に、Ｇ、 Ｒ，が０．４すなわち、Ｒ１がＲＦ回路の
特性インピーダンスの０．４倍の場合には、（ｑ／に’
ｒ）（ＲＩｖ工／Ｒ２）が十分大でなくともＡＴＴとｖ
Ｘとの直線関係が維持されることが計算上明らかとなシ
、ＶＩの広い変化範囲で直線性が保たれるのである。
特性インピーダンスの０．４倍の場合には、（ｑ／に’
ｒ）（ＲＩｖ工／Ｒ２）が十分大でなくともＡＴＴとｖ
Ｘとの直線関係が維持されることが計算上明らかとなシ
、ＶＩの広い変化範囲で直線性が保たれるのである。
尚、第２図の例では、ボルテージフォロワ回路であるオ
ペアンプ４の帰還電圧として、ダイオードＤ２への印加
電圧を用いておシ、この印加電圧の監視を行うと共に、
オペアンプ３による電圧発生部とＲＦ回路との分離を行
うようにして、広帯域化を図っている。もつとも、ＲＣ
Ｃショー回路ではなくＬ＜２’型のチョーク回路を用い
ても良い。
ペアンプ４の帰還電圧として、ダイオードＤ２への印加
電圧を用いておシ、この印加電圧の監視を行うと共に、
オペアンプ３による電圧発生部とＲＦ回路との分離を行
うようにして、広帯域化を図っている。もつとも、ＲＣ
Ｃショー回路ではなくＬ＜２’型のチョーク回路を用い
ても良い。
及Ｊ１と１里
叙上の如く、本発明によれば、制御電圧に対して直線的
に減衰特性を変化させることが可能となる効果がある。
に減衰特性を変化させることが可能となる効果がある。
第１図は本発明に用いるＲＦ線路を示す図、第２図は本
発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明 １．２・・・・・・ＲＦ線路 ３．４・・・・・・オペアンプ ＤＩ、Ｄ２・・・・・・ダイオード 出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 柳川 信 第１図 第２図 ｒつ
発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明 １．２・・・・・・ＲＦ線路 ３．４・・・・・・オペアンプ ＤＩ、Ｄ２・・・・・・ダイオード 出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 柳川 信 第１図 第２図 ｒつ
Claims (2)
- （１）高周波信号線路の１部を接地するダイオードを有
するダイオード減衰器であって、帰還部に前記ダイオー
ドと同特性のダイオードと抵抗との直列回路を有し入力
に所定制御電圧が印加された演算増幅手段を含み、この
演算増幅手段の出力電圧を前高周波信号線路の１部接地
用ダイオードの制御電圧として用いるようにしたことを
特徴とするダイオード減衰器。 - （２）前記抵抗の抵抗値を前記高周波信号線路の特性イ
ンピーダンスの略０．４倍に設定してなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項のダイオード減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098884A JPS60264115A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ダイオ−ド減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098884A JPS60264115A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ダイオ−ド減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264115A true JPS60264115A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0257371B2 JPH0257371B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14799998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12098884A Granted JPS60264115A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ダイオ−ド減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310964A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | Ｐｉｎアッテネータ回路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3006127U (ja) * | 1994-07-04 | 1995-01-17 | アイリスオーヤマ株式会社 | ペットフード収納容器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619210A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Wave detecting circuit |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12098884A patent/JPS60264115A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619210A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Wave detecting circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310964A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | Ｐｉｎアッテネータ回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0257371B2 (ja) | 1990-12-04 |
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