JPH0257371B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0257371B2 JPH0257371B2 JP59120988A JP12098884A JPH0257371B2 JP H0257371 B2 JPH0257371 B2 JP H0257371B2 JP 59120988 A JP59120988 A JP 59120988A JP 12098884 A JP12098884 A JP 12098884A JP H0257371 B2 JPH0257371 B2 JP H0257371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- operational amplifier
- attenuation
- circuit
- control voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はダイオード減衰器に関し、特に超高周
波帯にて使用されるダイオード減衰器に関する。
波帯にて使用されるダイオード減衰器に関する。
従来技術
半導体ダイオードはその順方向電圧対電流特性
が対数特性を有しているために可変減衰素子とし
て用いられている。しかしながら、そのRF（高周
波）抵抗値はほゞ順方向電流により定まるので、
入力制御電圧に対して直線的に減衰量を変化させ
かつ温度特性を良好にすることは困難となつてい
る。
が対数特性を有しているために可変減衰素子とし
て用いられている。しかしながら、そのRF（高周
波）抵抗値はほゞ順方向電流により定まるので、
入力制御電圧に対して直線的に減衰量を変化させ
かつ温度特性を良好にすることは困難となつてい
る。
一般に、第１図に示す如く特性コンダクタンス
G0のRF線路１，２の１部を有限のコンダクタン
スＧをもつ素子にて接地すると、その減衰量
ATTは、 ATT＝20log10（１＋Ｇ／2G0） ……(1) で与えられるが、このコンダクタンス素子(G)とし
てダイオードを使用した場合に上述した減衰量の
直線的変化や温度特性を良好にすることが要求さ
れる。
G0のRF線路１，２の１部を有限のコンダクタン
スＧをもつ素子にて接地すると、その減衰量
ATTは、 ATT＝20log10（１＋Ｇ／2G0） ……(1) で与えられるが、このコンダクタンス素子(G)とし
てダイオードを使用した場合に上述した減衰量の
直線的変化や温度特性を良好にすることが要求さ
れる。
発明の目的
本発明の目的は直線的な変化をなす減衰特性を
有するダイオード減衰器を提供することである。
有するダイオード減衰器を提供することである。
発明の構成
本発明によるダイオード減衰器は、帰還部に減
衰用ダイオードと同等性のダイオードと抵抗との
直列回路を有し入力に制御電圧が印加された演算
増幅器（以下オペアンプと称す）を含み、このオ
ペアンプの出力電圧を高周波信号線路１部接地用
の前記減衰用ダイオードの制御電圧として用いた
ことを特徴とする。
衰用ダイオードと同等性のダイオードと抵抗との
直列回路を有し入力に制御電圧が印加された演算
増幅器（以下オペアンプと称す）を含み、このオ
ペアンプの出力電圧を高周波信号線路１部接地用
の前記減衰用ダイオードの制御電圧として用いた
ことを特徴とする。
実施例
以下に第２図を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
図において、RF線路１，２の途中を接地する
減衰用ダイオードD2が設けられており、このダ
イオードD2のための制御用電圧がオペアンプ３
により発生される。このオペアンプ３の正相入力
は接地されており、その逆相入力には入力抵抗
R2を介して制御電圧V〓が印加されている。そし
て、このオペアンプ３の帰還部には、ダイオード
D2と同特性のダイオードD1と抵抗R1との直列回
路が設けられている。このオペアンプ３の出力電
圧V0がRFチヨーク回路を介してダイオードD2の
アノードへ印加されている。
減衰用ダイオードD2が設けられており、このダ
イオードD2のための制御用電圧がオペアンプ３
により発生される。このオペアンプ３の正相入力
は接地されており、その逆相入力には入力抵抗
R2を介して制御電圧V〓が印加されている。そし
て、このオペアンプ３の帰還部には、ダイオード
D2と同特性のダイオードD1と抵抗R1との直列回
路が設けられている。このオペアンプ３の出力電
圧V0がRFチヨーク回路を介してダイオードD2の
アノードへ印加されている。
このRFチヨーク回路は、ボルテージフオロワ
機能を有するオペアンプ４と、RCチヨーク回路
を構成する抵抗R3，R4及びコンデンサC1，C2と
からなる。
機能を有するオペアンプ４と、RCチヨーク回路
を構成する抵抗R3，R4及びコンデンサC1，C2と
からなる。
かゝる構成において、ダイオードの整流特性
は、その温度特性に注目して考えると、 ID＝Ae(q/KT)(VD-〓B) ……(2) または、 VD＝（KT／ｑ）log ｅ（IA／Ａ）＋φB……(2)′ となる。Ａは定数、ｑは電子電荷量、Ｋはボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度、φBはビルテイングポ
テンシヤルである。よつて、ダイオードRFコン
ダクタンスＧは、 Ｇ＝∂I／∂V＝（ｑ／KT）Ae(q/KT)(V-〓B
)＝（ｑ／KT）ID……(3) となる。
は、その温度特性に注目して考えると、 ID＝Ae(q/KT)(VD-〓B) ……(2) または、 VD＝（KT／ｑ）log ｅ（IA／Ａ）＋φB……(2)′ となる。Ａは定数、ｑは電子電荷量、Ｋはボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度、φBはビルテイングポ
テンシヤルである。よつて、ダイオードRFコン
ダクタンスＧは、 Ｇ＝∂I／∂V＝（ｑ／KT）Ae(q/KT)(V-〓B
)＝（ｑ／KT）ID……(3) となる。
こゝで、オペアンプ３の出力電圧V0は、オペ
アンプの性質から、 V0＝VD1＋R1ID1 ……(4) ID1＝VI／R2 ……(5) なる関係がある。VD1、ID1はダイオードD1の電
圧、電流を示す。(4)、(5)式と先の(2)′式とから、 V0＝VD1＋（R1／R2）VI＝（KT／ｑ）log ｅ（ID1／
Ａ）＋φB＋（R1／R2）VI……(6) となり、このV0がRF可変減衰用ダイオードD2へ
印加されるから、その電流ID2は(2)、(5)式から、 ID2＝Ae(q/KT)(V0-〓B)＝（VI／R2）e(q/KT)(R1/
R2)VI……(7) となる。先に示した(1)式の減衰量ATTは、(7)、
(3)式を用いて、 ATT＝20log10｛１＋（1/2G0）（ｑ／KT）ID2｝＝20log1
0｛１＋（1/2G0R1）（ｑ／KT）（R1VI／R2） ・e(q/KT)(R1VI/R2)｝＝20log10｛１＋（１／2G0R1）
ｘ ex｝……(8) となる。こゝに、 ｘ＝（ｑ／KT）（R1VI／R2） とする。(8)式において、ｘが十分大きい場合に
は、 ATT≒20log10｛（1/2G0R1）ｘ ex｝＝20log10（1/
2G0R1）ｘ＋αx……(9) となる。αは定数である。ｘが十分大であると、
制御電圧VIを変化させて20log10（1/2G0R1）ｘな
る項の変化は小さくなり、よつて(9)式で示される
ATTはほゞオペアンプ３の印加制御電圧VIに比
例して変化することになる。
アンプの性質から、 V0＝VD1＋R1ID1 ……(4) ID1＝VI／R2 ……(5) なる関係がある。VD1、ID1はダイオードD1の電
圧、電流を示す。(4)、(5)式と先の(2)′式とから、 V0＝VD1＋（R1／R2）VI＝（KT／ｑ）log ｅ（ID1／
Ａ）＋φB＋（R1／R2）VI……(6) となり、このV0がRF可変減衰用ダイオードD2へ
印加されるから、その電流ID2は(2)、(5)式から、 ID2＝Ae(q/KT)(V0-〓B)＝（VI／R2）e(q/KT)(R1/
R2)VI……(7) となる。先に示した(1)式の減衰量ATTは、(7)、
(3)式を用いて、 ATT＝20log10｛１＋（1/2G0）（ｑ／KT）ID2｝＝20log1
0｛１＋（1/2G0R1）（ｑ／KT）（R1VI／R2） ・e(q/KT)(R1VI/R2)｝＝20log10｛１＋（１／2G0R1）
ｘ ex｝……(8) となる。こゝに、 ｘ＝（ｑ／KT）（R1VI／R2） とする。(8)式において、ｘが十分大きい場合に
は、 ATT≒20log10｛（1/2G0R1）ｘ ex｝＝20log10（1/
2G0R1）ｘ＋αx……(9) となる。αは定数である。ｘが十分大であると、
制御電圧VIを変化させて20log10（1/2G0R1）ｘな
る項の変化は小さくなり、よつて(9)式で示される
ATTはほゞオペアンプ３の印加制御電圧VIに比
例して変化することになる。
特に、G0R1が0.4すなわち、R1がRF回路の特
性インピーダンスの0.4倍の場合には、（ｑ／KT）
（R1VI／R2）が十分大でなくともATTとVIとの
直線関係が維持されることが計算上明らかとな
り、VIの広い変化範囲で直線性が保たれるので
ある。
性インピーダンスの0.4倍の場合には、（ｑ／KT）
（R1VI／R2）が十分大でなくともATTとVIとの
直線関係が維持されることが計算上明らかとな
り、VIの広い変化範囲で直線性が保たれるので
ある。
尚、第２図の例では、ボルテージフオロワ回路
であるオペアンプ４の帰還電圧として、ダイオー
ドD2への印加電圧を用いており、この印加電圧
の監視を行うと共に、オペアンプ３による電圧発
生部とRF回路との分離を行うようにして、広帯
域化を図つている。もつとも、RCチヨーク回路
ではなくLC型のチヨーク回路を用いても良い。
であるオペアンプ４の帰還電圧として、ダイオー
ドD2への印加電圧を用いており、この印加電圧
の監視を行うと共に、オペアンプ３による電圧発
生部とRF回路との分離を行うようにして、広帯
域化を図つている。もつとも、RCチヨーク回路
ではなくLC型のチヨーク回路を用いても良い。
発明の効果
叙上の如く、本発明によれば、制御電圧に対し
て直線的に減衰特性を変化させることが可能とな
る効果がある。
て直線的に減衰特性を変化させることが可能とな
る効果がある。
第１図は本発明に用いるRF線路を示す図、第
２図は本発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、１，２……RF線路、
３，４……オペアンプ、Ｄ１，Ｄ２……ダイオー
ド。
２図は本発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、１，２……RF線路、
３，４……オペアンプ、Ｄ１，Ｄ２……ダイオー
ド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波信号線路の一部を接地するダイオード
と、前記ダイオードによる減衰量を制御する制御
回路とを含むダイオード減衰器であつて、帰還部
に前記ダイオードと同特性のダイオードと抵抗と
の直列回路を有し入力に所定制御電圧が印加され
た演算増幅手段を前記制御回路に用い、前記制御
電圧を変化制御して前記ダイオードによる減衰量
を制御するようにしたことを特徴とするダイオー
ド減衰器。 ２ 前記抵抗を前記高周波信号線路の特性インピ
ーダンスの略0.4倍に設定してなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のダイオード減衰
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098884A JPS60264115A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ダイオ−ド減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098884A JPS60264115A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ダイオ−ド減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264115A JPS60264115A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0257371B2 true JPH0257371B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14799998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12098884A Granted JPS60264115A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ダイオ−ド減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3006127U (ja) * | 1994-07-04 | 1995-01-17 | アイリスオーヤマ株式会社 | ペットフード収納容器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310964A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | Ｐｉｎアッテネータ回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619210A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Wave detecting circuit |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12098884A patent/JPS60264115A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3006127U (ja) * | 1994-07-04 | 1995-01-17 | アイリスオーヤマ株式会社 | ペットフード収納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60264115A (ja) | 1985-12-27 |
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