JPS60264346A - 耐放射線光フアイバ - Google Patents
耐放射線光フアイバInfo
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- JPS60264346A JPS60264346A JP59117867A JP11786784A JPS60264346A JP S60264346 A JPS60264346 A JP S60264346A JP 59117867 A JP59117867 A JP 59117867A JP 11786784 A JP11786784 A JP 11786784A JP S60264346 A JPS60264346 A JP S60264346A
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- Japan
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- optical fiber
- radiation
- geo2
- glass
- core
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- Pending
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は耐放射線光ファイバ、さらに詳しくは放射線、
特にγ−線の照射環境下、たとえば宇宙空間などにおい
て生じる光損失増加量が少なく、耐放射線特性に優れた
光ファイバに関するものである。
特にγ−線の照射環境下、たとえば宇宙空間などにおい
て生じる光損失増加量が少なく、耐放射線特性に優れた
光ファイバに関するものである。
石英系ガラスにγ−線が照射された場合、紫外線吸収が
生じ光ファイバにおいても使用する波長域（０，６〜１
．７μｌ１１）で、吸収のすそひきの影響から光損失が
増加することが知られている。これらのことに関しては
、たとえば、Ｅ、Ｊ、Ｆｒ１ｅｂｅｌ とＭ、Ｅ、Ｇｉ
ｎｇｒｉｃｈによって” Ｒａｄｉａｔｉｏｎ−Ｉｎｄ
ｕｃｅｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｂ
ａｎｄｓ ｉｎ Ｌｏｗ Ｌｏｓｓ ０ｐｔｉｃａｌ
Ｆｉｂｅｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ″ （Ｊ、Ｎｏｎ
−Ｃｒｙｏｔ、５ｏｌｉｄｓ ｖｏ１３８−３９ Ｐ２
４５ ： １９８０）なる論文に詳述されている。
生じ光ファイバにおいても使用する波長域（０，６〜１
．７μｌ１１）で、吸収のすそひきの影響から光損失が
増加することが知られている。これらのことに関しては
、たとえば、Ｅ、Ｊ、Ｆｒ１ｅｂｅｌ とＭ、Ｅ、Ｇｉ
ｎｇｒｉｃｈによって” Ｒａｄｉａｔｉｏｎ−Ｉｎｄ
ｕｃｅｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｂ
ａｎｄｓ ｉｎ Ｌｏｗ Ｌｏｓｓ ０ｐｔｉｃａｌ
Ｆｉｂｅｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ″ （Ｊ、Ｎｏｎ
−Ｃｒｙｏｔ、５ｏｌｉｄｓ ｖｏ１３８−３９ Ｐ２
４５ ： １９８０）なる論文に詳述されている。
上記論文においては、石英ガラスまたは種々のドーパン
トを添加した石英ガラスをコアとする低損失光ファイバ
に関して、放射線（Ｔ−線）による光損失増加量が比較
しである。
トを添加した石英ガラスをコアとする低損失光ファイバ
に関して、放射線（Ｔ−線）による光損失増加量が比較
しである。
これによると、光ファイバのなかでは、何も添加されて
いない純石英コア光ファイバが最も耐放射線に優れ、次
ぎにＧｅＯ２をドープした光ファイハが優れている。Ｐ
およびＢを含む光ファイバは耐放射線特性に劣り、短波
長側だけでなく長波長側（１〜１．７μｍ）でも大きな
光損失増加量を示す。
いない純石英コア光ファイバが最も耐放射線に優れ、次
ぎにＧｅＯ２をドープした光ファイハが優れている。Ｐ
およびＢを含む光ファイバは耐放射線特性に劣り、短波
長側だけでなく長波長側（１〜１．７μｍ）でも大きな
光損失増加量を示す。
このように、ドーパントの種類としては大雑把に何が優
れているかが明らかになったが、同しドーパントにおい
ても、損失増加量は異なることが知られており、たとえ
ば５１０２コアやＳｉＯ２−Ｇｅ０２コア光フアイバに
おいて具体的にどうすれば耐放射線に優れた光ファイバ
になるか不明であった。
れているかが明らかになったが、同しドーパントにおい
ても、損失増加量は異なることが知られており、たとえ
ば５１０２コアやＳｉＯ２−Ｇｅ０２コア光フアイバに
おいて具体的にどうすれば耐放射線に優れた光ファイバ
になるか不明であった。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、放射線を
照射したとき光損失増加量の少ない、すなわち耐放射線
に優れた光ファイバを提供することを目的とする。
照射したとき光損失増加量の少ない、すなわち耐放射線
に優れた光ファイバを提供することを目的とする。
したがって本発明による耐放射線光ファイバはＳｉＯ２
に５モル％以ＪＩＧｅ０２をドープしたガラス１１ を
１アとする光ファイバであ−て・少なくとも１０ｐｐｍ
以上のハロゲン元素を含有することを特徴とするもので
ある。
に５モル％以ＪＩＧｅ０２をドープしたガラス１１ を
１アとする光ファイバであ−て・少なくとも１０ｐｐｍ
以上のハロゲン元素を含有することを特徴とするもので
ある。
また本発明による第二の耐放射線光ファイバばＳｉＯＱ
ガラスもしくはＳｊｏ ２に５モル％未満のＧｅ０１ｌ
をドープしたガラスをコアとする光フ１イハであって、
ハロゲン元素を含有しないことを特徴とするものである
。
ガラスもしくはＳｊｏ ２に５モル％未満のＧｅ０１ｌ
をドープしたガラスをコアとする光フ１イハであって、
ハロゲン元素を含有しないことを特徴とするものである
。
本発明者らはＳｉ０２およびＳｉ０２−Ｇｅ０２ ：７
ア光フアイバを対象にどのような組成のときに耐放射線
に優れた光ファイバになるかを種々検討し、本発明に至
ったものであり、特にハロゲン元素不純物の影響が大き
いことを明らかにしたものである。したがって、本発明
による耐放射線光ファイバによれば、放射線を照射した
とき光損失増加量の少ない、すなわち耐放射線が良好で
あるという利点がある。
ア光フアイバを対象にどのような組成のときに耐放射線
に優れた光ファイバになるかを種々検討し、本発明に至
ったものであり、特にハロゲン元素不純物の影響が大き
いことを明らかにしたものである。したがって、本発明
による耐放射線光ファイバによれば、放射線を照射した
とき光損失増加量の少ない、すなわち耐放射線が良好で
あるという利点がある。
本発明による耐放射線光ファイバは、前述のようにＳｉ
Ｏ２に５モル％以上ＧｅＯ２をドープしたガラスをコア
とする光ファイバであって、少なくとも１０ｐｐｍ以上
のハロゲン元素を含有するものである。このようなハロ
ゲン元素としては塩素、フン素などを例として上げるこ
とができる。
Ｏ２に５モル％以上ＧｅＯ２をドープしたガラスをコア
とする光ファイバであって、少なくとも１０ｐｐｍ以上
のハロゲン元素を含有するものである。このようなハロ
ゲン元素としては塩素、フン素などを例として上げるこ
とができる。
後述の実施例より明らかなように、ＳｉＯ２にＧｅＯ２
を５モル％以上含む光ファイバにあっては、ハロゲン元
素を含有せしめることにより、放射線を照射したときの
光損失増加量を減少できるからである。
を５モル％以上含む光ファイバにあっては、ハロゲン元
素を含有せしめることにより、放射線を照射したときの
光損失増加量を減少できるからである。
ハロゲン元素の含有量は１．Ｏｐ ｐ ｍ以上であるが
、このハロゲン元素含有量が１０ｐｐｍ未満であると、
充分な耐放射線効果かえられないおそれがあるからであ
る。
、このハロゲン元素含有量が１０ｐｐｍ未満であると、
充分な耐放射線効果かえられないおそれがあるからであ
る。
また、本発明による第二の耐放射線光ファイバは、前述
のようにＳｉ０２ガラスもしくはＳｉ０９に５モル％未
満のＧｅＯＱをドープしたガラスをコアとする光ファイ
バであって、ハロゲン元素を含有しないものいである。
のようにＳｉ０２ガラスもしくはＳｉ０９に５モル％未
満のＧｅＯＱをドープしたガラスをコアとする光ファイ
バであって、ハロゲン元素を含有しないものいである。
これは後述の実施例より明らかなように、５１０２ガラ
スないしＳｉ０２にＧｅＯｗが５モル％未満しか含まれ
ないときは、ハロゲン元素を含有するとき耐放射線効果
が低下するからでる。
スないしＳｉ０２にＧｅＯｗが５モル％未満しか含まれ
ないときは、ハロゲン元素を含有するとき耐放射線効果
が低下するからでる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
下記の３種類の光ファイバを以下の方法で製造した。
（Ａ ）塩素を含有しないＳｉＯ２−ＧｅＯ９系光フア
イバ。
イバ。
特願昭５８−２１３２０２号に詳述された方法により製
造した。すなわち、アルコキシドＳｉ （ＯＣ２Ｈｓ
）ａ 、Ｇｅ （ＯＣ９１１ｓ ）ル液体原料を所定の
比率に混合し、これを超音波振動により霧化して、酸水
素バーナに供給し、まずＶＡＤ法（ｖａｐｏｒ−ｐｈａ
ｓｅ ａｘｉａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と同様にス
ート母材を作製し、次ぎにこれを不活性ガス雰囲気下で
１５００℃以上の温度で透明ガラス化し、光フアイバ用
母材を得る。
造した。すなわち、アルコキシドＳｉ （ＯＣ２Ｈｓ
）ａ 、Ｇｅ （ＯＣ９１１ｓ ）ル液体原料を所定の
比率に混合し、これを超音波振動により霧化して、酸水
素バーナに供給し、まずＶＡＤ法（ｖａｐｏｒ−ｐｈａ
ｓｅ ａｘｉａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と同様にス
ート母材を作製し、次ぎにこれを不活性ガス雰囲気下で
１５００℃以上の温度で透明ガラス化し、光フアイバ用
母材を得る。
この母材を石英ガラスジャケット管に挿入して光ファイ
バに線引した。
バに線引した。
このような方法によって製造された光ファイバは出発原
料がアルコキシドであり、しがも途中に塩素系試薬を用
いる工程が何もないので、まったく塩素を含まないＳｉ
−ＧｅＯ２系光フアイバを製造することができる。
料がアルコキシドであり、しがも途中に塩素系試薬を用
いる工程が何もないので、まったく塩素を含まないＳｉ
−ＧｅＯ２系光フアイバを製造することができる。
同様ニＳｉ （ＯＣＩＩ ３） ４、Ｓｔ （ＯＣＱＩ
Ｉ ５） ４を原オ；１とすることにより、純石英ガラ
スも製造するごとができ、このガラスはクランドに硼素
（Ｂ ）やフッ素（Ｆ ）を含有した石英ガラスを用い
ることにより光ファイバとすることができる。
Ｉ ５） ４を原オ；１とすることにより、純石英ガラ
スも製造するごとができ、このガラスはクランドに硼素
（Ｂ ）やフッ素（Ｆ ）を含有した石英ガラスを用い
ることにより光ファイバとすることができる。
（Ｂ ） １０〜２０ｐｐｍ （Ｄ塩素を含有するＳｉ
Ｏ２ＧｅＯ２系光ファイバ。
Ｏ２ＧｅＯ２系光ファイバ。
塩化物５ｉＣＩ ４およびＧｅＣｌ４を出発原料として
、ＶＡＤ法によりスート母材、透明ガラス母材を作製し
た。ただし、本製造方法においては塩素系脱水剤による
高温下での脱水処理をおこなっておらず塩素含有量は１
０〜２０ｐＰＩＩｌである。塩素含有量の定量は、放射
下分析により行ったものである。
、ＶＡＤ法によりスート母材、透明ガラス母材を作製し
た。ただし、本製造方法においては塩素系脱水剤による
高温下での脱水処理をおこなっておらず塩素含有量は１
０〜２０ｐＰＩＩｌである。塩素含有量の定量は、放射
下分析により行ったものである。
（Ｃ） ５００−１０００ｐｐｍ塩素を含有する５ｉ０
２−Ｇｅ０２系光フアイバ。
２−Ｇｅ０２系光フアイバ。
塩化物５ｉＣＩ４ 、ＧｅＣｌ４を出発材料としテＶＡ
Ｄ法によりスート母材を製造した。次ぎに塩素系脱水剤
により脱水処理を行うと、５００〜１１０００ｐｐ塩素
含有の光ファイバが得られた。
Ｄ法によりスート母材を製造した。次ぎに塩素系脱水剤
により脱水処理を行うと、５００〜１１０００ｐｐ塩素
含有の光ファイバが得られた。
以上の３種類の光ファイバの特性を下記の表に示す。
第１表
」−記３種類の光ファイバを用いて、Ｔ−線照射による
光損失増加実験を行った。第１図における照射率は５．
４ ＸＩＯ” ｒａｄｓ／ｈｏｕｒであり、用いた光フ
ァイバは八〇 （コアとクラッドの屈折率）−１％、長
さ２００〜２５０ ｍ 、測定波長０．８５μｍであっ
た。
光損失増加実験を行った。第１図における照射率は５．
４ ＸＩＯ” ｒａｄｓ／ｈｏｕｒであり、用いた光フ
ァイバは八〇 （コアとクラッドの屈折率）−１％、長
さ２００〜２５０ ｍ 、測定波長０．８５μｍであっ
た。
この第１図より明らかなように光ファイバＢおよびＣは
同程度の比較的低い損失増加を示しているのに対し、Ｃ
１０を含有しない光ファイバＡは高い損失増加量を示し
ている。
同程度の比較的低い損失増加を示しているのに対し、Ｃ
１０を含有しない光ファイバＡは高い損失増加量を示し
ている。
第２図に測定波長１．３μｍでの全照射量に対するｔ０
失増加を示す。第１図の場合と比較すると小さい値であ
るが、光ファイバへの値が光ファイバＢ、Ｃに比べて大
きいのは同様の結果である。
失増加を示す。第１図の場合と比較すると小さい値であ
るが、光ファイバへの値が光ファイバＢ、Ｃに比べて大
きいのは同様の結果である。
γ−線照射ではガラス中に欠陥が生じ、その欠陥に起因
する吸収が紫外線波長域に現れる。５ｉＯ２Ｇｅ０２で
は波長０．２６μｍに吸収が生じており、第１図、第２
図に示したものはこの吸収のスソ引きと考えることがで
きる。長波長にいくほど、光損失の増加量が減少するの
はこのためである。
する吸収が紫外線波長域に現れる。５ｉＯ２Ｇｅ０２で
は波長０．２６μｍに吸収が生じており、第１図、第２
図に示したものはこの吸収のスソ引きと考えることがで
きる。長波長にいくほど、光損失の増加量が減少するの
はこのためである。
実施例２
ＧｅＯｖ ドーパントの量を変化させた実施例１で示し
た方法で製造された前記＾、Ｂ、Ｃの３種類の光ファイ
バを多数本作製し光損失の増加■を測定した。
た方法で製造された前記＾、Ｂ、Ｃの３種類の光ファイ
バを多数本作製し光損失の増加■を測定した。
総照射量は１０’ ｒａｄｓであり、光ファイバのパラ
メータ（長さ、コア径、ファイバｉ￥）は全て等しくし
である。
メータ（長さ、コア径、ファイバｉ￥）は全て等しくし
である。
第３図に波ｆｉｏ、８５μｍにおける損失増加量とＧｅ
Ｏ２含有量（八〇 （％））の関係を示す。ここでＧｅ
０２含有量を屈折率との関係ばＹ、Ｙ、ＩＩｕａｎｇ等
によって、Ｊ、Ｎｏｎ−Ｃｒ１ｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏ
ｌｉｄｓ ｖｏ１２７． （＋９７８） Ｐ２９〜３７
に発表されており、約Δｎ−１％で１０モル％のＧｅＯ
２に対応していることがわがっている。第４図にＳｉＯ
２−ＧｅＯ２２成分径における八〇 （％）とＧｅＯ２
モル％との関係を示す。第５図に波長１．３μｍにおけ
る損失増加量とＧｅＯ２含有量（Δｎ （％））の関係
を示す。
Ｏ２含有量（八〇 （％））の関係を示す。ここでＧｅ
０２含有量を屈折率との関係ばＹ、Ｙ、ＩＩｕａｎｇ等
によって、Ｊ、Ｎｏｎ−Ｃｒ１ｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏ
ｌｉｄｓ ｖｏ１２７． （＋９７８） Ｐ２９〜３７
に発表されており、約Δｎ−１％で１０モル％のＧｅＯ
２に対応していることがわがっている。第４図にＳｉＯ
２−ＧｅＯ２２成分径における八〇 （％）とＧｅＯ２
モル％との関係を示す。第５図に波長１．３μｍにおけ
る損失増加量とＧｅＯ２含有量（Δｎ （％））の関係
を示す。
第３図および第５図より明らかなように、ＧｅＯ２含有
量が多い組成（たとえばΔｎ ＝０．５％以上、ＧｅＯ
Ｑ濃度５モル％以上）では優れていることがわかる。一
方、ＧｅＯ２が少ない組成（Δｎ ＝０．５％未満）領
域では、塩素を含有しない光ファイバが耐放射線性に優
れている。さらに直線をＧｅＯ９０モル％、すなわち純
ＳｉＯｅガラスに外挿して考えると、ＳｉＯ２ガラスコ
ア光フアイバでは、塩素を含有しないものが優れている
ことがわかる。
量が多い組成（たとえばΔｎ ＝０．５％以上、ＧｅＯ
Ｑ濃度５モル％以上）では優れていることがわかる。一
方、ＧｅＯ２が少ない組成（Δｎ ＝０．５％未満）領
域では、塩素を含有しない光ファイバが耐放射線性に優
れている。さらに直線をＧｅＯ９０モル％、すなわち純
ＳｉＯｅガラスに外挿して考えると、ＳｉＯ２ガラスコ
ア光フアイバでは、塩素を含有しないものが優れている
ことがわかる。
ＣＩ２およびＧｅＯｐ、がＳｉＯ２中で共存する場合、
耐放射線特性に優れる現象に対して、必ずしも明確な説
明は現在においてなされていない。しかし上記３Ｍ類の
光ファイバのＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定により、た
とえばΔｎ ＝１％のＳｉ０９−ＧｅＯ２コア光ファイ
バではＧｅ欠陥濃度に対応するＥＳＲ吸収強度がＡ ＞
Ｂ ＞Ｃの順になっていることから、ＣＩ２はＧｅが関
与する欠陥を減少させる働きをしていることが発明者ら
の実験により明らかである。
耐放射線特性に優れる現象に対して、必ずしも明確な説
明は現在においてなされていない。しかし上記３Ｍ類の
光ファイバのＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定により、た
とえばΔｎ ＝１％のＳｉ０９−ＧｅＯ２コア光ファイ
バではＧｅ欠陥濃度に対応するＥＳＲ吸収強度がＡ ＞
Ｂ ＞Ｃの順になっていることから、ＣＩ２はＧｅが関
与する欠陥を減少させる働きをしていることが発明者ら
の実験により明らかである。
１、・□
（１１）
〔発明の効果〕
以」二説明したように本発明による耐放射線光ファイバ
によれば、放射線が照射されたとき光損失増加量の小さ
いので、放射線の多い宇宙空間などに放置される機具な
どの光ファイバとして使用できるという利点がある。
によれば、放射線が照射されたとき光損失増加量の小さ
いので、放射線の多い宇宙空間などに放置される機具な
どの光ファイバとして使用できるという利点がある。
第１図は全照射量に対して３種類の光ファイバの損失増
加量（波長０．８５μｍ）を示した図、第２図は測定波
長１．３μｍでの全照射量に対する増加損失を示す図、
第３図は波長０．８５μｍにおける増加損失とＧｅ０２
の含有量（Δｎ （％）で示す）との関係を示す図、第
４図はＳｉＯ２−ＧｅＯ２系における八〇 （％）とＧ
ｅＯｐ、モル％との関係をしめず図、第５図は波長１．
３μｍにおける増加損失とＧｅＯ２含有量（八〇 （％
））の関係を示す図である。 出願人代理人 雨 宮 正 季 （１２）
加量（波長０．８５μｍ）を示した図、第２図は測定波
長１．３μｍでの全照射量に対する増加損失を示す図、
第３図は波長０．８５μｍにおける増加損失とＧｅ０２
の含有量（Δｎ （％）で示す）との関係を示す図、第
４図はＳｉＯ２−ＧｅＯ２系における八〇 （％）とＧ
ｅＯｐ、モル％との関係をしめず図、第５図は波長１．
３μｍにおける増加損失とＧｅＯ２含有量（八〇 （％
））の関係を示す図である。 出願人代理人 雨 宮 正 季 （１２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１３ｉＯＬｌに５モル％以上Ｇｅ０９をドープした
ガラスをコアとする光ファイバであって、少なくとも１
０ｐｐｍ以上のハロゲン元素を含有することを特徴とす
る耐放射線光ファイバ。 ＋２１ ８ｉ０２ガラスもしくはＳｉ０２に５モル％未
満のＧｅＯＱをドープしたガラスをコアとする光ファイ
バであって、ハロゲン元素を含有しないことを特徴とす
る耐放射線光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117867A JPS60264346A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 耐放射線光フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117867A JPS60264346A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 耐放射線光フアイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264346A true JPS60264346A (ja) | 1985-12-27 |
Family
ID=14722249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117867A Pending JPS60264346A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 耐放射線光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264346A (ja) |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59117867A patent/JPS60264346A/ja active Pending
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