JPS6027117A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6027117A JPS6027117A JP58137119A JP13711983A JPS6027117A JP S6027117 A JPS6027117 A JP S6027117A JP 58137119 A JP58137119 A JP 58137119A JP 13711983 A JP13711983 A JP 13711983A JP S6027117 A JPS6027117 A JP S6027117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- atmosphere
- melted
- semiconductor device
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造方法、特に絶縁体上に半
導体結晶層を形成する方法に関するものである。
導体結晶層を形成する方法に関するものである。
半導体装置の高速化、尚密度化のため、回路素子を誘電
体で分離して浮誘容量の少ない半導体集積回路を製造す
る試みがなされており、その一方法として絶縁体上に半
導体層を形成し、その半導体結晶中に回路素子を構成す
る方法がある。
体で分離して浮誘容量の少ない半導体集積回路を製造す
る試みがなされており、その一方法として絶縁体上に半
導体層を形成し、その半導体結晶中に回路素子を構成す
る方法がある。
従来、この半導体結晶層を形１戎する方法として、絶縁
体上に多結晶または非晶質の半導体層を堆積し、その表
面にレーデ光または成子線等のエネルギー線ｆ：Ｉｔ’
ｌ射することによって表面層のみを加熱し、単結晶の半
導体層を形成する方法がある。
体上に多結晶または非晶質の半導体層を堆積し、その表
面にレーデ光または成子線等のエネルギー線ｆ：Ｉｔ’
ｌ射することによって表面層のみを加熱し、単結晶の半
導体層を形成する方法がある。
オ１図に従来の半導体装置の製造方法を示す。
図において、（１１は絶縁性基板となるべき石英基板で
ある。この上にＭ ＢＦｉ法により厚さ５０００にの多
結晶ＧａＡｓ １２１を堆積する。この基板を、′８器
（３）内に入れて、レーザ光および′電子線等のエネル
ギー線（６）を細く絞って走査しながらＧａＡｓ（２）
上にｌｆｔ４射してＧａＡｓを溶融し単結晶ないしは大
きな結晶粒のＧａＡｓにする。エネルギー線照射α射の
場合は容器（３）内には、窒詣あるいは不活性気体を醇
入口（排出口） ｔｒ＋ 、 （ｂ）を通してノが入す
る。
ある。この上にＭ ＢＦｉ法により厚さ５０００にの多
結晶ＧａＡｓ １２１を堆積する。この基板を、′８器
（３）内に入れて、レーザ光および′電子線等のエネル
ギー線（６）を細く絞って走査しながらＧａＡｓ（２）
上にｌｆｔ４射してＧａＡｓを溶融し単結晶ないしは大
きな結晶粒のＧａＡｓにする。エネルギー線照射α射の
場合は容器（３）内には、窒詣あるいは不活性気体を醇
入口（排出口） ｔｒ＋ 、 （ｂ）を通してノが入す
る。
電子礫照射の場合は容器（３）内は真空にしてνく。
後は公知のプロセスに従ってこのＧａＡｓ上にデバイス
全作成する。
全作成する。
ところが上記従来の方法では、Ａｓの蒸気圧が高いため
、エネルギー線１）α射時に、溶融したＧａＡｇ中のＡ
ｓが雰囲気中に放出され、再結晶化ＧａＡ６膜の化学当
量性が崩れるという欠点があった。
、エネルギー線１）α射時に、溶融したＧａＡｇ中のＡ
ｓが雰囲気中に放出され、再結晶化ＧａＡ６膜の化学当
量性が崩れるという欠点があった。
このうろ明は上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされブこもので、絶縁性基板上に設けた非晶質
又は多結晶のＧａＡｓ層を％ｈｓ”４囲気下でのエネル
ギー線■１α射による加熱によシ若融し、再結晶するこ
とによシ、再結晶化したＧａＡｓ層の結晶性が良く、膜
質の向上した半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものでちる。
ためになされブこもので、絶縁性基板上に設けた非晶質
又は多結晶のＧａＡｓ層を％ｈｓ”４囲気下でのエネル
ギー線■１α射による加熱によシ若融し、再結晶するこ
とによシ、再結晶化したＧａＡｓ層の結晶性が良く、膜
質の向上した半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものでちる。
第２図に、この発明の一実施例による半導体装置の製造
方法を示す。図において、ｉｌｌ〜＋５１ Ｉ′ｉオ１
図と同じてあシ、（６）はエネルギー線であるが、レー
ザ光、赤外線および可視光線等音用いる。父、（７）は
Ａｓ 蒸気を発生させるだめのａ、ｓ、１８）はるつは
、（９）はるつばを加熱するためのヒータである。
方法を示す。図において、ｉｌｌ〜＋５１ Ｉ′ｉオ１
図と同じてあシ、（６）はエネルギー線であるが、レー
ザ光、赤外線および可視光線等音用いる。父、（７）は
Ａｓ 蒸気を発生させるだめのａ、ｓ、１８）はるつは
、（９）はるつばを加熱するためのヒータである。
さて、上記扮閉容器（３）を排気して後このＧａＡ ｓ
ｊ莫（２）にレーザ光等のエネルギー線を照射して再結
晶化させるわけであるが、エネルギー線照射時に、ヒー
タ（９）を加コ（＼して、Ａｅｔ７）の温度を、ＧａＡ
３の融点（１２５Ｂ”Ｃ１と同じＫなるように制御して
おく。エネルギー線の１１便射を受けると、ＧａＡｓ（
２）は溶融し、ｊ（（１射が終了するとＧａ１ｉｓは同
化、再結晶化する。Ｏａ Ａ ｓが溶融している際、Ａ
ｓはづＹ囲気中に蒸発するが、雰囲気がＧａＡｓの射線
時のＡｓの飽和蒸気圧と等しい圧力（約７．６ｔｏｒｒ
ＪのＡＢブメ１１４気であるため、Ａｓが雰囲気中に放
出する数と雰囲気中からＧａＡｓ中へ入射するＡｅの数
は４＋。
ｊ莫（２）にレーザ光等のエネルギー線を照射して再結
晶化させるわけであるが、エネルギー線照射時に、ヒー
タ（９）を加コ（＼して、Ａｅｔ７）の温度を、ＧａＡ
３の融点（１２５Ｂ”Ｃ１と同じＫなるように制御して
おく。エネルギー線の１１便射を受けると、ＧａＡｓ（
２）は溶融し、ｊ（（１射が終了するとＧａ１ｉｓは同
化、再結晶化する。Ｏａ Ａ ｓが溶融している際、Ａ
ｓはづＹ囲気中に蒸発するが、雰囲気がＧａＡｓの射線
時のＡｓの飽和蒸気圧と等しい圧力（約７．６ｔｏｒｒ
ＪのＡＢブメ１１４気であるため、Ａｓが雰囲気中に放
出する数と雰囲気中からＧａＡｓ中へ入射するＡｅの数
は４＋。
しくなる熱平衡に達する。従ってＧａＡｓの結晶粒は、
１ヒ学当頃性が崩九ることなく太さ、′７：結晶粒、ま
たは単結晶に成長する。
１ヒ学当頃性が崩九ることなく太さ、′７：結晶粒、ま
たは単結晶に成長する。
なお、上記実施例では、謬１ｊｌｌ気をＧａＡｓ（谷１
蝕時のＡｓ飽和蒸気圧と等しい圧力のＡｓ亦凹気とした
が、多少異なってもＪガ期の目的を洋することができる
。
蝕時のＡｓ飽和蒸気圧と等しい圧力のＡｓ亦凹気とした
が、多少異なってもＪガ期の目的を洋することができる
。
又、上記実施例では、 Ａｅの圧力を温度によって制御
したか、（４１のＪＪＬ気口にボンダｔとり付けて、こ
れによって制御してもよい。
したか、（４１のＪＪＬ気口にボンダｔとり付けて、こ
れによって制御してもよい。
さらに、参考として、絶縁性基板上に設ける非晶質又は
多結晶の半導体が工ｎＰ およびＧａＰなどの場合は、
Ｐ雰囲気中でエネルギー線による溶融、再結晶ケおこな
えば上記一実施例のＧａＡｓの場合と同様の効果を得る
ことができる。
多結晶の半導体が工ｎＰ およびＧａＰなどの場合は、
Ｐ雰囲気中でエネルギー線による溶融、再結晶ケおこな
えば上記一実施例のＧａＡｓの場合と同様の効果を得る
ことができる。
以上説明したとうり、この発明は、絶縁性基板上に設け
７ヒ非結晶又は多結晶のＧａＡｓ層を、ＡＳｄ囲気下で
のエネルギーＡＪｔ照射による加熱により溶融し、再結
晶することにより結晶性が艮く、膜質の向上しｌｔ半導
体装置をｒｉＷることができる。
７ヒ非結晶又は多結晶のＧａＡｓ層を、ＡＳｄ囲気下で
のエネルギーＡＪｔ照射による加熱により溶融し、再結
晶することにより結晶性が艮く、膜質の向上しｌｔ半導
体装置をｒｉＷることができる。
第１図は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図、第
２図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す断面図である。 図において（１１は石英基板、（２）は多ｉｇ晶Ｇ ａ
Ａ ｇｊ曽、（３）は密閉容器、（４）は糾気口、（
６）はエネルギー線、（７）はＡＥＩ 、 （８１はる
つは、（９）はヒータである。 なお、図中、同一符号は同一、叉Ｉ／ｉ４目当部分を示
す。 代理人 大暑 増雄
２図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す断面図である。 図において（１１は石英基板、（２）は多ｉｇ晶Ｇ ａ
Ａ ｇｊ曽、（３）は密閉容器、（４）は糾気口、（
６）はエネルギー線、（７）はＡＥＩ 、 （８１はる
つは、（９）はヒータである。 なお、図中、同一符号は同一、叉Ｉ／ｉ４目当部分を示
す。 代理人 大暑 増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１＋ 絶縁性基板上に８役けた非晶質又は多結晶のＧ
ａＡｓ層をエネルギー線照射による加熱により溶融し再
結晶するものにおいて、エネルギー線照射時の雰囲気が
Ａｓ雰囲気であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 （２） エネルギー線照射時の雰囲気が、Ｇ’ａＡｆｉ
の溶融温度におけるＡｓ の飽和蒸気圧雰囲気であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲オ１項記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137119A JPS6027117A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137119A JPS6027117A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027117A true JPS6027117A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15191265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137119A Pending JPS6027117A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007097103A1 (ja) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Ihi Corporation | 化合物半導体の活性化方法及び装置 |
| JP2008300617A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ihi Corp | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58137119A patent/JPS6027117A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007097103A1 (ja) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Ihi Corporation | 化合物半導体の活性化方法及び装置 |
| JP2007227629A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 化合物半導体の活性化方法及び装置 |
| US7888250B2 (en) | 2006-02-23 | 2011-02-15 | Ihi Corporation | Method and apparatus for activating compound semiconductor |
| JP2008300617A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ihi Corp | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH084067B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61244020A (ja) | 欠陥が局限された配向された単結晶シリコンフイルムを絶縁支持体上に製造する方法 | |
| JPS6115319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60154549A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2510157B2 (ja) | 半導体の改質処理方法 | |
| JPS5892213A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS6018913A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS623089A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS59139624A (ja) | 試料の加熱方法 | |
| JPH0831741A (ja) | Ｋセル型蒸着源 | |
| JPS63102310A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS5994412A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS62299011A (ja) | 多結晶薄膜基板のアニ−ル方法 | |
| JP2747823B2 (ja) | ガリウムヒ素層の製造方法及びガリウムヒ素・アルミニウムガリウムヒ素積層体の製造方法 | |
| JP3163773B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPS58212123A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS6213815B2 (ja) | ||
| JPS61179523A (ja) | 単結晶薄膜形成方法 | |
| JPS59121826A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPH0453124A (ja) | 単結晶シリコン薄膜の製造方法およびその装置 | |
| JPS6092607A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JPS59202622A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH01239093A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS6221789A (ja) | 再結晶化法 | |
| JPS58165316A (ja) | 半導体装置の製造方法 |