JPS6027695A - 化合物半導体単結晶製造装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶製造装置Info
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- JPS6027695A JPS6027695A JP13287283A JP13287283A JPS6027695A JP S6027695 A JPS6027695 A JP S6027695A JP 13287283 A JP13287283 A JP 13287283A JP 13287283 A JP13287283 A JP 13287283A JP S6027695 A JPS6027695 A JP S6027695A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は液体封止引き上げ法による化合物半導体単結
晶の製造装置に関し、更に詳しくは、単結晶製造装置の
高圧容器内に汚染防止壁を設けて結晶原料融液の合成工
程式るいは結晶引き上げ工程において蒸散する高蒸気圧
材料などの蒸散物の耐着による高圧容器内部の汚染を防
止するようにした単結晶製造装置に関するものである。
晶の製造装置に関し、更に詳しくは、単結晶製造装置の
高圧容器内に汚染防止壁を設けて結晶原料融液の合成工
程式るいは結晶引き上げ工程において蒸散する高蒸気圧
材料などの蒸散物の耐着による高圧容器内部の汚染を防
止するようにした単結晶製造装置に関するものである。
最近■−ｖ族化合物半導体は高品質な単結晶が得られる
ようになり、高速集積回路、光−電子集積回路、エレク
）ｏエクス素子用材料として広く利用されるようになっ
てきた。■−■族化合物半導体の中でもガリウム砒素（
ＧａＡｇ）はシリコンに較べて電子移動度がはるかに早
く、比抵抗が１０７０・−以上の高品質大型ウェハーが
容易に得られることなどにより注目を浴びている。この
ようなＧαＡ８単結晶は現在上として、結晶原料融液を
直接合成する高圧液体封止引き上げ法により製造されて
いる。この単結晶製造装置の一実施例を第１図の概略図
により説明すると、ｌは高圧容器であって、この高圧容
器／内にはその外周を炭素材料等のルツボ支持治具ｑに
収納保持されたルツボ３を設け、このルツボ３は回転支
持軸りにより回転且つ上下動できるように支持され、ル
ツボ３の周囲には加熱炉コを設けて、ルツボを所定の温
度に加熱、維持する。ルツボ３の上部には下端に種結晶
７を取４４けた引き上げ軸ｇを設け、この引き上げ軸は
回転すると共に上下動するように構成されている。加熱
炉コの外周には炭素部材で構成された保温材／ｌが設け
られている。
ようになり、高速集積回路、光−電子集積回路、エレク
）ｏエクス素子用材料として広く利用されるようになっ
てきた。■−■族化合物半導体の中でもガリウム砒素（
ＧａＡｇ）はシリコンに較べて電子移動度がはるかに早
く、比抵抗が１０７０・−以上の高品質大型ウェハーが
容易に得られることなどにより注目を浴びている。この
ようなＧαＡ８単結晶は現在上として、結晶原料融液を
直接合成する高圧液体封止引き上げ法により製造されて
いる。この単結晶製造装置の一実施例を第１図の概略図
により説明すると、ｌは高圧容器であって、この高圧容
器／内にはその外周を炭素材料等のルツボ支持治具ｑに
収納保持されたルツボ３を設け、このルツボ３は回転支
持軸りにより回転且つ上下動できるように支持され、ル
ツボ３の周囲には加熱炉コを設けて、ルツボを所定の温
度に加熱、維持する。ルツボ３の上部には下端に種結晶
７を取４４けた引き上げ軸ｇを設け、この引き上げ軸は
回転すると共に上下動するように構成されている。加熱
炉コの外周には炭素部材で構成された保温材／ｌが設け
られている。
上記の如き構成の単結晶製造装置において、ルツボ３に
は結晶原料及び液体封止剤を所定世人１’Ｌ ％アルゴ
ン、窒素等の不活性ガスを高圧容器ｌ内に圧入して加圧
し、加熱炉コにより結晶原料の溶融温度以上の温度で加
熱してルツボ内の結晶原料及び液体封止剤を溶融させる
。
は結晶原料及び液体封止剤を所定世人１’Ｌ ％アルゴ
ン、窒素等の不活性ガスを高圧容器ｌ内に圧入して加圧
し、加熱炉コにより結晶原料の溶融温度以上の温度で加
熱してルツボ内の結晶原料及び液体封止剤を溶融させる
。
ルツボ３内の原料が完全に溶融し、上部に液体封止剤層
６が、下部に結晶原料融液層５が形成したら、引き上げ
軸ざを下降させ、種結晶７を結晶原料融液層夕と接触さ
せ、種結晶７を所定の速度で回転させながら引き上げて
結晶１０を成長させる。
６が、下部に結晶原料融液層５が形成したら、引き上げ
軸ざを下降させ、種結晶７を結晶原料融液層夕と接触さ
せ、種結晶７を所定の速度で回転させながら引き上げて
結晶１０を成長させる。
ルツボ３に入れる結晶原料は、例えば、■−Ｖ族化合物
の場合、Ａｌｌ Ｊ Ｐなどの高蒸気圧の■族元素とＧ
α、Ｉｎなどの低融点の■族元素であり、主として高圧
、高温下でこれらの元素より結晶原料融液を合成する際
に高蒸気圧°原料は低融点原料に較べてはるかに多く蒸
散し、１００〜１５０℃に冷却されている高圧容器／の
上部内面に耐着する。この内面の附着物は高品質の単結
晶作成の上に大きな支障となり、その除去のためこれま
で多くの時間を要し、ＡＪ 、 Ｐなどの中毒による危
険に曝されていた。この附着物による高圧容器内壁の汚
染を防止するため液体封止剤の充填量を増加させるなど
の方法が試みられていたが、上記の附着物は主として結
晶原料融液を合成させる際に形成され、単に液１体封止
剤の充填量を増加させても殆ど効果がなかった。
の場合、Ａｌｌ Ｊ Ｐなどの高蒸気圧の■族元素とＧ
α、Ｉｎなどの低融点の■族元素であり、主として高圧
、高温下でこれらの元素より結晶原料融液を合成する際
に高蒸気圧°原料は低融点原料に較べてはるかに多く蒸
散し、１００〜１５０℃に冷却されている高圧容器／の
上部内面に耐着する。この内面の附着物は高品質の単結
晶作成の上に大きな支障となり、その除去のためこれま
で多くの時間を要し、ＡＪ 、 Ｐなどの中毒による危
険に曝されていた。この附着物による高圧容器内壁の汚
染を防止するため液体封止剤の充填量を増加させるなど
の方法が試みられていたが、上記の附着物は主として結
晶原料融液を合成させる際に形成され、単に液１体封止
剤の充填量を増加させても殆ど効果がなかった。
この発明の目的は結晶原料融液を合成し、結晶の引き上
げを行うときに生じる高圧容器内の内面の汚染を容易に
防止し、高品質の化合物半導体単結晶を形成する液体封
止引き上げ法による化合物半導体単結晶製造装置を提供
することにある。
げを行うときに生じる高圧容器内の内面の汚染を容易に
防止し、高品質の化合物半導体単結晶を形成する液体封
止引き上げ法による化合物半導体単結晶製造装置を提供
することにある。
第１図に示した単結晶製造装置の高圧容器ｌの上部は通
常水冷された容器材（ステンレス）が露出しており、結
晶原料融液の合成の際に蒸散した高蒸気圧原料などの蒸
散物はこの露出部分に耐着し、結晶作成中にこの附着物
が容器材を構成している鉄、クロムなどを伴ってルツボ
内へ落下し、ルツボ内の結晶原料融液を汚染するので、
高品質の単結晶を製造するためには、この附着物への対
策が重要な問題であった。
常水冷された容器材（ステンレス）が露出しており、結
晶原料融液の合成の際に蒸散した高蒸気圧原料などの蒸
散物はこの露出部分に耐着し、結晶作成中にこの附着物
が容器材を構成している鉄、クロムなどを伴ってルツボ
内へ落下し、ルツボ内の結晶原料融液を汚染するので、
高品質の単結晶を製造するためには、この附着物への対
策が重要な問題であった。
そこで、この発明においては、蒸散物が耐着し易い高圧
容器内部を炭素またはパイロリティックボロンナイトラ
イド（ＰＥＮ）製の汚染防止壁で被覆して、この壁に蒸
散する高蒸気圧原料などの蒸散物を積極的に耐着させて
、高圧容器内壁の内面の汚染を防止するようにする。
容器内部を炭素またはパイロリティックボロンナイトラ
イド（ＰＥＮ）製の汚染防止壁で被覆して、この壁に蒸
散する高蒸気圧原料などの蒸散物を積極的に耐着させて
、高圧容器内壁の内面の汚染を防止するようにする。
第２図は直径５０〜７５間程度の単結晶を製造する装置
に本発明による汚染防止壁を設けた一実施例を示し、高
圧容器／の上半分内周面に内周面と同じ型状のカップ状
の汚染防止壁１２を着脱ができるように設ける。この防
止壁の材質は耐熱性を必要とするが、更に結晶成長の際
に不純物となるような物質を発散しないような物質であ
ることが必要で、加工の容易性、経済性をも考慮すると
上述の如き条件に合致する物質としては、炭素、ＰＢＮ
などが挙げられる。シリコンをドープした結晶作成の場
合は石英を用いることもできる。
に本発明による汚染防止壁を設けた一実施例を示し、高
圧容器／の上半分内周面に内周面と同じ型状のカップ状
の汚染防止壁１２を着脱ができるように設ける。この防
止壁の材質は耐熱性を必要とするが、更に結晶成長の際
に不純物となるような物質を発散しないような物質であ
ることが必要で、加工の容易性、経済性をも考慮すると
上述の如き条件に合致する物質としては、炭素、ＰＢＮ
などが挙げられる。シリコンをドープした結晶作成の場
合は石英を用いることもできる。
結晶原料融液の合成工程中成るいは結晶成長工程中、高
圧容器のルツボは１１００ Ｎ１２５０ ℃に加熱され
ているが、高圧容器の上部は水冷されて１００〜２００
℃であり、高圧容器の上部内面を上述の如きカップ状汚
染防止壁／、２で被覆することにより結晶原料融液の合
成中成るいは結晶成長中にルツボより蒸散する高気圧材
料などの蒸散物はこの汚染防止壁／コに耐着し、高圧容
器内壁への耐着を防止する。汚染防止壁に耐着した蒸散
物は炭素材、ＰＢＮの方がステンレスに較べて耐着力が
大きいため、ステンレスのように容易に落下せずルツボ
内の結晶原料融液の汚染を防止する。
圧容器のルツボは１１００ Ｎ１２５０ ℃に加熱され
ているが、高圧容器の上部は水冷されて１００〜２００
℃であり、高圧容器の上部内面を上述の如きカップ状汚
染防止壁／、２で被覆することにより結晶原料融液の合
成中成るいは結晶成長中にルツボより蒸散する高気圧材
料などの蒸散物はこの汚染防止壁／コに耐着し、高圧容
器内壁への耐着を防止する。汚染防止壁に耐着した蒸散
物は炭素材、ＰＢＮの方がステンレスに較べて耐着力が
大きいため、ステンレスのように容易に落下せずルツボ
内の結晶原料融液の汚染を防止する。
結晶成長工程が完了後は汚染防止壁は高圧容器より取り
外し、新しい防止壁を装着すると共にとり外した汚染防
止壁は蒸着物を取り除き再使用に供する。
外し、新しい防止壁を装着すると共にとり外した汚染防
止壁は蒸着物を取り除き再使用に供する。
この汚染防止壁の形状は高圧容器の内周面と必ずしも同
じ形状とする必要はなく、中央に引き上げ軸ｇが貫通す
る孔を設けた半円形または半楕円状であって、開口面が
ルツボより充分大きく、保温部材ｌｌ上に設置できるよ
うな形状で充分な効果を得ることができる。
じ形状とする必要はなく、中央に引き上げ軸ｇが貫通す
る孔を設けた半円形または半楕円状であって、開口面が
ルツボより充分大きく、保温部材ｌｌ上に設置できるよ
うな形状で充分な効果を得ることができる。
このように汚染防止壁を用いることにより結晶製造後の
高圧容器内の清掃作業が著しく軽減し、更に高圧容器拐
からの鉄、クロム、ニッケルなどの不純物のルツボ内へ
の混入を阻止し、高品質の単結晶を形成することができ
る。また使用した防止壁の蒸着物の除去作業は防止壁の
形状が単純であり、高圧容器より取り出して行うため、
容易となり、作業時間も著しく短縮され人体への危険が
それだけ少くなる。
高圧容器内の清掃作業が著しく軽減し、更に高圧容器拐
からの鉄、クロム、ニッケルなどの不純物のルツボ内へ
の混入を阻止し、高品質の単結晶を形成することができ
る。また使用した防止壁の蒸着物の除去作業は防止壁の
形状が単純であり、高圧容器より取り出して行うため、
容易となり、作業時間も著しく短縮され人体への危険が
それだけ少くなる。
第３図は直径７５ｍｍ程度以上の単結晶を製造する装置
の一実施例の概略図であり、ルツボ３は保温部材１／の
中に埋込まれている。高圧容器ｌのルツボ上の空間は第
２図の実施例の場合に較べてはるかに大きく、ルツボよ
り′蒸散する高気圧材料どの蒸散物は高圧容器の土壁ば
かりでなく側壁にも附着する。このためこのような大型
の結晶製造装置においては、適当な長さのルツボ外径よ
り直径が大きく且つ直径の異なった複数の円筒状汚染防
止壁ｌコα、 ／２ｂを保温部材／／上にルツボ３と同
心状に設け、更にその外周に底面中央にす１き上げ軸ｇ
が貫通する孔を穿設したカップ状の汚染防止壁／、２ｃ
を開口端がルツボ外周に設けられた円筒状汚染防止壁／
コα、／：ｌｂを内蔵するように保温部材ｌｌ上に設置
する。これらの汚染防止壁の高さは図示の如く高圧容器
の上面に届くような高さにする必要はなく、カップ状汚
染防止壁／２ｔ３の上面の温度が３００℃以下の温度に
維持されるような高さとする。これらの汚染防止壁の材
質は第１図の実施例と同様に炭素またはＰＢＮである。
の一実施例の概略図であり、ルツボ３は保温部材１／の
中に埋込まれている。高圧容器ｌのルツボ上の空間は第
２図の実施例の場合に較べてはるかに大きく、ルツボよ
り′蒸散する高気圧材料どの蒸散物は高圧容器の土壁ば
かりでなく側壁にも附着する。このためこのような大型
の結晶製造装置においては、適当な長さのルツボ外径よ
り直径が大きく且つ直径の異なった複数の円筒状汚染防
止壁ｌコα、 ／２ｂを保温部材／／上にルツボ３と同
心状に設け、更にその外周に底面中央にす１き上げ軸ｇ
が貫通する孔を穿設したカップ状の汚染防止壁／、２ｃ
を開口端がルツボ外周に設けられた円筒状汚染防止壁／
コα、／：ｌｂを内蔵するように保温部材ｌｌ上に設置
する。これらの汚染防止壁の高さは図示の如く高圧容器
の上面に届くような高さにする必要はなく、カップ状汚
染防止壁／２ｔ３の上面の温度が３００℃以下の温度に
維持されるような高さとする。これらの汚染防止壁の材
質は第１図の実施例と同様に炭素またはＰＢＮである。
上述の如く、ルツボの開口部外周に円筒状の汚染防止壁
とカップ状の汚染防止壁を設置することにより、結晶原
料融液合成中、成るいは結晶成長中にルツボより蒸散す
る高蒸気圧材料などの蒸散物は先ず防止壁／２αの内周
面と接触するが、防止壁ｌコαはルツボ開口端に直接面
しているため高温で殆ど附着することなく上昇し、温度
の低い防止壁／２ｂの内周面、成るいは防止壁／コＣの
上面、内周面に附着する。尚、図示の実施例では円筒状
の汚染防止壁は二つ用いた場合を示したが、高圧容器の
内径に応じて、一つ成るいは三つ以上を用いることもで
きる。上述の如く、大型の結晶引き上げ装置には、汚染
防止壁で空間を所定の大きさに仕切ることによってルツ
ボより蒸散する蒸散物を有効に附着させ、高圧容器内面
の蒸散物による汚染を防止し、蒸散物の落下による結晶
原料融液の汚染を阻止することになる。
とカップ状の汚染防止壁を設置することにより、結晶原
料融液合成中、成るいは結晶成長中にルツボより蒸散す
る高蒸気圧材料などの蒸散物は先ず防止壁／２αの内周
面と接触するが、防止壁ｌコαはルツボ開口端に直接面
しているため高温で殆ど附着することなく上昇し、温度
の低い防止壁／２ｂの内周面、成るいは防止壁／コＣの
上面、内周面に附着する。尚、図示の実施例では円筒状
の汚染防止壁は二つ用いた場合を示したが、高圧容器の
内径に応じて、一つ成るいは三つ以上を用いることもで
きる。上述の如く、大型の結晶引き上げ装置には、汚染
防止壁で空間を所定の大きさに仕切ることによってルツ
ボより蒸散する蒸散物を有効に附着させ、高圧容器内面
の蒸散物による汚染を防止し、蒸散物の落下による結晶
原料融液の汚染を阻止することになる。
本発明の一実施例を述べると、第２図に示すように高圧
容器の上部内面に厚さ５１１Ｉ１１の炭素板で構成され
たカップ状の汚染防止壁を装着し、直径約１００１１１
１１１ ％深さ約１００ ｍｍのＰＥＮ製ルツボにガリ
ウムと砒素をｓｏｏ を宛、液体封止剤として酸化ホル
ン１６０ ｆ入れ、２０気圧のアルゴン雰囲気下で１３
００℃で加熱をして結晶原料融液の合成を行い、続いて
、約１２４０ ℃に加熱温度を下げ、７時間の結晶引き
上げにより直径約５０Ｍ１長さ約１００ ｔｕｒｎのガ
リウム砒素単結晶が得られた。上記操作において汚染防
止壁に附着した砒素などの蒸散物は約２３ｆ１高圧容器
の内面に附着した蒸散物はＩｆ以下で、汚染防止壁を使
用しないときの操作において通常高圧容器内壁への蒸散
物の耐着量約２５ｆより低く、高圧容器内面の清掃は殆
ど必要としなかった。
容器の上部内面に厚さ５１１Ｉ１１の炭素板で構成され
たカップ状の汚染防止壁を装着し、直径約１００１１１
１１１ ％深さ約１００ ｍｍのＰＥＮ製ルツボにガリ
ウムと砒素をｓｏｏ を宛、液体封止剤として酸化ホル
ン１６０ ｆ入れ、２０気圧のアルゴン雰囲気下で１３
００℃で加熱をして結晶原料融液の合成を行い、続いて
、約１２４０ ℃に加熱温度を下げ、７時間の結晶引き
上げにより直径約５０Ｍ１長さ約１００ ｔｕｒｎのガ
リウム砒素単結晶が得られた。上記操作において汚染防
止壁に附着した砒素などの蒸散物は約２３ｆ１高圧容器
の内面に附着した蒸散物はＩｆ以下で、汚染防止壁を使
用しないときの操作において通常高圧容器内壁への蒸散
物の耐着量約２５ｆより低く、高圧容器内面の清掃は殆
ど必要としなかった。
この発明による単結晶の製造装置は上記の説明で明らか
なように高圧容器内に設置されたルツボの開口面と高圧
容器内面との間に汚染防止壁を設けることにより高圧容
器の内面の汚染が防止されるので、高圧容器の清掃労力
が軽減されると共７．に作業時間も短縮され、装置の稼
動時間が増えて経済的である。更に、高圧容器自体から
発散する不純物をも抑制し、高品質の単結晶が得られる
ようになり、高蒸気圧原料と低融点原料による０ａＡｓ
、 ＧａＰ 、 ＩｆＬＰ 、 ＩｎＡｇなどの単結
晶の製造に好適に用い得ることができる。
なように高圧容器内に設置されたルツボの開口面と高圧
容器内面との間に汚染防止壁を設けることにより高圧容
器の内面の汚染が防止されるので、高圧容器の清掃労力
が軽減されると共７．に作業時間も短縮され、装置の稼
動時間が増えて経済的である。更に、高圧容器自体から
発散する不純物をも抑制し、高品質の単結晶が得られる
ようになり、高蒸気圧原料と低融点原料による０ａＡｓ
、 ＧａＰ 、 ＩｆＬＰ 、 ＩｎＡｇなどの単結
晶の製造に好適に用い得ることができる。
第１図は通常の液体封止引き上げ法による化合物半導体
単結晶製造装置の一実施例を示す概略断面図、第２図は
この発明による単結晶製造装置の一実施例を示す概略断
面図、第３図はこの発明による単結晶製造装置の他の実
施例を示す概略断面図である。 ｌ・・・高圧容器、コ・・・加熱炉、３・・・ルツボ、
り・・・結晶原料融液、６・・・液体封止剤、？・・・
種結晶、ざ・・・引き上げ軸、／θ・・・成長結晶、／
／・・・保温部材、１２・・・汚染防止壁。
単結晶製造装置の一実施例を示す概略断面図、第２図は
この発明による単結晶製造装置の一実施例を示す概略断
面図、第３図はこの発明による単結晶製造装置の他の実
施例を示す概略断面図である。 ｌ・・・高圧容器、コ・・・加熱炉、３・・・ルツボ、
り・・・結晶原料融液、６・・・液体封止剤、？・・・
種結晶、ざ・・・引き上げ軸、／θ・・・成長結晶、／
／・・・保温部材、１２・・・汚染防止壁。
Claims (1)
- 高圧容器内に設置したルツボに結晶原料を入れ、高温高
圧下で結晶原料融液の合成と′結晶の引き上げを行う化
合物半導体単結晶製造装置において、炭素またはパイロ
リティックボロンナイトライドから成りルツボから蒸散
する蒸散物を耐着する汚染防止壁をルツボ開口面と高圧
容器内面とめ間に着脱できるように介在させたことを特
徴とする化合物半導体単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13287283A JPS6027695A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13287283A JPS6027695A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027695A true JPS6027695A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15091520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13287283A Pending JPS6027695A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027695A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5186784A (en) * | 1989-06-20 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Process for improved doping of semiconductor crystals |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654296A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Toshiba Corp | Manufacturing device for single crystal |
| JPS606916A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Olympus Optical Co Ltd | 測長内視鏡 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13287283A patent/JPS6027695A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654296A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Toshiba Corp | Manufacturing device for single crystal |
| JPS606916A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Olympus Optical Co Ltd | 測長内視鏡 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5186784A (en) * | 1989-06-20 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Process for improved doping of semiconductor crystals |
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