JPS6041037B2 - 半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置 - Google Patents
半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置Info
- Publication number
- JPS6041037B2 JPS6041037B2 JP56195298A JP19529881A JPS6041037B2 JP S6041037 B2 JPS6041037 B2 JP S6041037B2 JP 56195298 A JP56195298 A JP 56195298A JP 19529881 A JP19529881 A JP 19529881A JP S6041037 B2 JPS6041037 B2 JP S6041037B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- dissociation pressure
- high dissociation
- melt
- pressure compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、硯化ガリウム、リン化ガリウム、および枇
化インジウムなどの半導体用高解離圧化合物単結晶の製
造装置に関するものである。
化インジウムなどの半導体用高解離圧化合物単結晶の製
造装置に関するものである。
従釆、半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装贋として
は、第１図に概略縦断面図で例示されるように、メイン
ヒータ７によって加熱されて融液となる高解離圧化合物
としての例えば磁化ガリウム８を収容し、回転軸９の上
端部に固定された黒鉛サセプタ１０によって支持された
びん形の石英製回転るつぼ２と、アフターヒータ３によ
って加熱されて雛液となるシール用酸化ほう素５を収容
した状態で前記るつぼ２の上端部に鉄合装着された石英
製隊め込み蓋４を遺して前記るつぼ２内に貴挿され、先
端部にはチャック１１を介して枇化ガリウムなどの種結
晶１２を取付けた回転引上軸６とを、金属容器１内に密
閉装着し、前記金属容器１内を排気系１４から排気して
真空とした後、前記隊め込み蓋４内の酸化ほう素５をア
フターヒータ３によって加熱して葛虫液となすことによ
って前記るつぼ２の上端部をシールし、ついで不活性ガ
ス導入系１３よりアルゴンなどの不活用ガスを導入して
前記るつぼ２の外部を不活性ガス雰囲気としつつ、前記
るつぼ２内の磁化ガリウム８をメインヒータ７によって
加熱して融液とすると共に、前記回転引上軸６と前記び
ん形のるつぼ２とを回転させながら前記回転引上軸６の
先端部にチャック１１を介して取付けた種結晶１２を枇
化ガリウム葛虫液８に接触すべく前記回転引上軸６を降
下させ、引続いてこれを同じく回転させながら引上げる
ことによって単結晶１５を成長させる装置（以下従来単
結晶製造装置という）が提案されている。この従来単結
晶製造装置は、成長単結晶１５が上記酸化ほう素敵液シ
ール５によって高温下で不活性ガス雰囲気に曝されるこ
とがないため、単結晶１５の表面からの枕素の解離が抑
制されるようになることから、単結晶表面近傍の結晶性
が阻害されることがないという利点を有するが、反面、
【ａ｝ 枇化ガリウム融液８の表面からの蒸発物がぴん
形の石英製回転るつぼ２の加熱壁内面に王として枇化ガ
リウムとして付着し、ついには外部から視界をさえぎつ
て引上げ中の成長単結晶１５の観察を不可能ならしめる
のみならず、ときおり前記付着枇化ガリウムの小片が枇
化ガリウム融液８の表面に直接剥離落下して単給晶成長
条件を乱し、単結晶化を防害すること。
は、第１図に概略縦断面図で例示されるように、メイン
ヒータ７によって加熱されて融液となる高解離圧化合物
としての例えば磁化ガリウム８を収容し、回転軸９の上
端部に固定された黒鉛サセプタ１０によって支持された
びん形の石英製回転るつぼ２と、アフターヒータ３によ
って加熱されて雛液となるシール用酸化ほう素５を収容
した状態で前記るつぼ２の上端部に鉄合装着された石英
製隊め込み蓋４を遺して前記るつぼ２内に貴挿され、先
端部にはチャック１１を介して枇化ガリウムなどの種結
晶１２を取付けた回転引上軸６とを、金属容器１内に密
閉装着し、前記金属容器１内を排気系１４から排気して
真空とした後、前記隊め込み蓋４内の酸化ほう素５をア
フターヒータ３によって加熱して葛虫液となすことによ
って前記るつぼ２の上端部をシールし、ついで不活性ガ
ス導入系１３よりアルゴンなどの不活用ガスを導入して
前記るつぼ２の外部を不活性ガス雰囲気としつつ、前記
るつぼ２内の磁化ガリウム８をメインヒータ７によって
加熱して融液とすると共に、前記回転引上軸６と前記び
ん形のるつぼ２とを回転させながら前記回転引上軸６の
先端部にチャック１１を介して取付けた種結晶１２を枇
化ガリウム葛虫液８に接触すべく前記回転引上軸６を降
下させ、引続いてこれを同じく回転させながら引上げる
ことによって単結晶１５を成長させる装置（以下従来単
結晶製造装置という）が提案されている。この従来単結
晶製造装置は、成長単結晶１５が上記酸化ほう素敵液シ
ール５によって高温下で不活性ガス雰囲気に曝されるこ
とがないため、単結晶１５の表面からの枕素の解離が抑
制されるようになることから、単結晶表面近傍の結晶性
が阻害されることがないという利点を有するが、反面、
【ａ｝ 枇化ガリウム融液８の表面からの蒸発物がぴん
形の石英製回転るつぼ２の加熱壁内面に王として枇化ガ
リウムとして付着し、ついには外部から視界をさえぎつ
て引上げ中の成長単結晶１５の観察を不可能ならしめる
のみならず、ときおり前記付着枇化ガリウムの小片が枇
化ガリウム融液８の表面に直接剥離落下して単給晶成長
条件を乱し、単結晶化を防害すること。
‘ｂー シール用酸化ほう素融液５の回転引上軸６を伝
う流下をできるだけ少なくするために、前記回転引上軸
６と石英製隊め込み蓋４との間隙を可能な限り小さくし
ているので、ともすると前記回転引上軸６とびん形の石
英製回転るつぼ２との円滑な相互反対回転に支障をきた
すことがいまいま発生し、その度ごとに前記回転るつぼ
２に振動をもたらし、この回転るつぼ２の振動は枇化ガ
リウム融液８の表面に伝豚して単結晶１５の品質および
収率に悪影響を及ぼすこと。
う流下をできるだけ少なくするために、前記回転引上軸
６と石英製隊め込み蓋４との間隙を可能な限り小さくし
ているので、ともすると前記回転引上軸６とびん形の石
英製回転るつぼ２との円滑な相互反対回転に支障をきた
すことがいまいま発生し、その度ごとに前記回転るつぼ
２に振動をもたらし、この回転るつぼ２の振動は枇化ガ
リウム融液８の表面に伝豚して単結晶１５の品質および
収率に悪影響を及ぼすこと。
｛ｃ｝ 石英製回転るつぼ２は、特殊な形状を有するび
ん形の一体ものであるため高価であり、袴に近年の大蓬
単結晶（直径：３〜４インチ）の要求に対処するため、
これを大型化するに際しては、一段と高価なものとなり
、かつ大型化するほど回転るつぼ内外の圧力差によって
変形しやすくなるばかりでなく、下方部分にかかる重量
も大きくなって変形の原因となり、このように回転るつ
ぼ２が変形した場合、上記回転引上鞠６との相互反応方
向回転がスムーズに行なわれなくなって実質的に単結晶
の製造が困難になること。｛ｄ｝ 鞍め込み蓋４が石英
で製造されているために１回の単結晶成長ごとに破損し
、その度ごとに新しいものと取換えなければならず、製
造コスト上昇の原因となること。などの問題点を有する
ものであった。
ん形の一体ものであるため高価であり、袴に近年の大蓬
単結晶（直径：３〜４インチ）の要求に対処するため、
これを大型化するに際しては、一段と高価なものとなり
、かつ大型化するほど回転るつぼ内外の圧力差によって
変形しやすくなるばかりでなく、下方部分にかかる重量
も大きくなって変形の原因となり、このように回転るつ
ぼ２が変形した場合、上記回転引上鞠６との相互反応方
向回転がスムーズに行なわれなくなって実質的に単結晶
の製造が困難になること。｛ｄ｝ 鞍め込み蓋４が石英
で製造されているために１回の単結晶成長ごとに破損し
、その度ごとに新しいものと取換えなければならず、製
造コスト上昇の原因となること。などの問題点を有する
ものであった。
この発明は、上記従釆単結晶製造装置のもつ問題点を解
決し、もって半導体用高解離圧化合物単結晶を結晶性お
よび量産性よく、かつ大蓬化可能にして経済的に製造す
る装置を提供するもので、回転軸の上端部に支持され、
かつ高解離圧化合物融液（この高解離圧化合物融液は多
結晶のものを直接溶融して形成しても、またこれを構成
する成分単体、例えば枇化ガリウムであればＧａとＡＳ
とを装入し、加熱反応させて形成してもよい）およびこ
れを被覆するための酸化ほう素融液を保持するるつぼと
、上端部にシール用酸化ほう素藤液を保持するＭｏまた
はＭｏ合金製の鮫め込み蓋を有し、かつ前記るつぼ内径
より小径の外径を有する下端部が上記高解離圧化合物融
液被覆用酸化ほう素融液中に浸糟された状態で保持動さ
れた石英製炉芯管と、必要に応じて前記炉芯管の下方部
における少なくとも前記被覆用酸化ほう素融液中に浸没
されている部分を、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、室化けし、
素、炭化けし、素、窒化ボ。
決し、もって半導体用高解離圧化合物単結晶を結晶性お
よび量産性よく、かつ大蓬化可能にして経済的に製造す
る装置を提供するもので、回転軸の上端部に支持され、
かつ高解離圧化合物融液（この高解離圧化合物融液は多
結晶のものを直接溶融して形成しても、またこれを構成
する成分単体、例えば枇化ガリウムであればＧａとＡＳ
とを装入し、加熱反応させて形成してもよい）およびこ
れを被覆するための酸化ほう素融液を保持するるつぼと
、上端部にシール用酸化ほう素藤液を保持するＭｏまた
はＭｏ合金製の鮫め込み蓋を有し、かつ前記るつぼ内径
より小径の外径を有する下端部が上記高解離圧化合物融
液被覆用酸化ほう素融液中に浸糟された状態で保持動さ
れた石英製炉芯管と、必要に応じて前記炉芯管の下方部
における少なくとも前記被覆用酸化ほう素融液中に浸没
されている部分を、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、室化けし、
素、炭化けし、素、窒化ボ。
ン、炭化ボロン、炭素、Ｍｏ、Ａｕ、およびＰｔなどの
酸化ほう素融液および高解離圧化合物融液中の揮発性成
分に対して鱗反応性の材料からなる保護層で被覆し、上
記石英製炉芯管を貫通し、回転および引上げ自在に装着
され、かつ先端部に種結晶が敬付けてある回転引上軸と
、上記石英製炉芯管内における上記回転引上甑に・固着
された、上記高解離圧化合物を構成する揮発性成分の単
体を保持する受皿と、を備えたことを特徴とする半導体
用高解離圧化合物単績晶の製造装置に特徴を有するもの
である。
酸化ほう素融液および高解離圧化合物融液中の揮発性成
分に対して鱗反応性の材料からなる保護層で被覆し、上
記石英製炉芯管を貫通し、回転および引上げ自在に装着
され、かつ先端部に種結晶が敬付けてある回転引上軸と
、上記石英製炉芯管内における上記回転引上甑に・固着
された、上記高解離圧化合物を構成する揮発性成分の単
体を保持する受皿と、を備えたことを特徴とする半導体
用高解離圧化合物単績晶の製造装置に特徴を有するもの
である。
つぎに、この発明の装置を図面を参照しながら具体的に
説明する。第２図はこの発明の実施袋贋が概略縦断面図
で示されている。
説明する。第２図はこの発明の実施袋贋が概略縦断面図
で示されている。
図示されるように、【ａー 高解離圧化合物融液８およ
びこれを被覆するための酸化ほう素融液１６を保持する
石英製るつぼ２′の形状を単純化したこと。
びこれを被覆するための酸化ほう素融液１６を保持する
石英製るつぼ２′の形状を単純化したこと。
｛ｂ）下端部をるつぼ２′の内径よりも小径の外径とし
た石英製炉芯管１７が支持台２０上に支持され、しかも
この炉芯管１７は、るつぼ２′および／または支持台２
０の上下動により単結晶引上げに伴う高解離圧化合物融
液８の葛虫液面降下に追従して、炉芯管下端部が常に被
覆用酸化ほう素融液１６中の所定位直にあうように上下
動位置調節自在に支持されていること。
た石英製炉芯管１７が支持台２０上に支持され、しかも
この炉芯管１７は、るつぼ２′および／または支持台２
０の上下動により単結晶引上げに伴う高解離圧化合物融
液８の葛虫液面降下に追従して、炉芯管下端部が常に被
覆用酸化ほう素融液１６中の所定位直にあうように上下
動位置調節自在に支持されていること。
【ｃー シール用酸化ほう素融液５を保持する鉄め込み
蓋４をＭｏまたはＭｏ合金製としたこと。
蓋４をＭｏまたはＭｏ合金製としたこと。
｛ｄ｝ 炉芯管１７内を、高解離圧化合物を構成する揮
発性成分（例えば高解離圧化合物が硯化ガリウムであれ
ば枇素）の雰囲気とするための前記揮発性成分単体１９
を保持する受皿１８を炉芯管１７内における上記回転引
上軸６に設けたこと。‘ｅ｝ 炉芯管１７の少なくとも
被覆用酸化ほう素融液浸濃部分を、必要に応じて酸化ほ
う素融液１６および高藤隣圧化合物融液８中の揮発性成
分とほとんど反応しない（簸反応性）保護層で被覆した
こと。
発性成分（例えば高解離圧化合物が硯化ガリウムであれ
ば枇素）の雰囲気とするための前記揮発性成分単体１９
を保持する受皿１８を炉芯管１７内における上記回転引
上軸６に設けたこと。‘ｅ｝ 炉芯管１７の少なくとも
被覆用酸化ほう素融液浸濃部分を、必要に応じて酸化ほ
う素融液１６および高藤隣圧化合物融液８中の揮発性成
分とほとんど反応しない（簸反応性）保護層で被覆した
こと。
以上【ａ’〜【ｅ’の点以外は、第１図に示される従来
単結晶製造装置と同じであるので、同じ部材には同一の
符号を付し、さらに操作態様もほぼ同様であるので、前
述の説明を援用し、重複説明を省略する。
単結晶製造装置と同じであるので、同じ部材には同一の
符号を付し、さらに操作態様もほぼ同様であるので、前
述の説明を援用し、重複説明を省略する。
したがって、この発明の装置によれば、
‘ａ｝ 受皿１８内に保持された揮発性成分の単体１９
がアフターヒータ３によって加熱されて気化するため、
炉芯管１７内が前記揮発性成分の亥囲気となり、単結晶
の成長は前記揮発性成分の雰囲気中で行なわれるように
なることから、前記成長単結晶表面から揮発性成分が解
離して単結晶表面近傍の結晶性が阻害されることがない
。
がアフターヒータ３によって加熱されて気化するため、
炉芯管１７内が前記揮発性成分の亥囲気となり、単結晶
の成長は前記揮発性成分の雰囲気中で行なわれるように
なることから、前記成長単結晶表面から揮発性成分が解
離して単結晶表面近傍の結晶性が阻害されることがない
。
｛ｂ）高解離圧化合物融液８が酸化ほう素敵液１６によ
って被覆されているため、前記高解離圧化合物融液から
の蒸発が著しく抑制され、この結果炉芯管１７の加熱壁
内面への蒸発物質の付着がきわめて少なくなることから
、内部観察が妨げられることがなく、例え前記加熱壁内
面にわずかに付着した物質が剥離して落下しても、前記
被覆用酸化ほう素融液１６上への落下となるため、単結
晶成長条件が阻害されることがなく、飛躍的に単結晶化
率を向上させることができること。
って被覆されているため、前記高解離圧化合物融液から
の蒸発が著しく抑制され、この結果炉芯管１７の加熱壁
内面への蒸発物質の付着がきわめて少なくなることから
、内部観察が妨げられることがなく、例え前記加熱壁内
面にわずかに付着した物質が剥離して落下しても、前記
被覆用酸化ほう素融液１６上への落下となるため、単結
晶成長条件が阻害されることがなく、飛躍的に単結晶化
率を向上させることができること。
‘ｃ｝ 炉芯管１７を、その下端部がるつぼ２′の内径
よりも小径の外径を有するものとし、かつ炉芯管下端部
が常に被覆用酸化ほう素融液１６中の所定位置にあるよ
うにるつぼ２′および／または支持台２０を上下動位置
調節自在に設置したので、炉芯管１７に振動がもたらさ
れた場合でも前記るつぼ２には振動が全く伝わらず、し
かもその形状を単純化することができるため、従釆単結
晶製造装置におけるびん形の回転るつぼ２に比して製造
コストは著しく安く、さらに単結晶の大蓬化に際しても
特に大型のものを使用する必要がないばかりでなく、炉
芯管１７の内外に生じた圧力差は被援用酸化ほう秦軸液
１６の融液面の上下動によって吸収され、炉芯管の内外
面にかかる圧力は常に同一となることから、炉芯管に変
形が起ることがほとんどないこと。
よりも小径の外径を有するものとし、かつ炉芯管下端部
が常に被覆用酸化ほう素融液１６中の所定位置にあるよ
うにるつぼ２′および／または支持台２０を上下動位置
調節自在に設置したので、炉芯管１７に振動がもたらさ
れた場合でも前記るつぼ２には振動が全く伝わらず、し
かもその形状を単純化することができるため、従釆単結
晶製造装置におけるびん形の回転るつぼ２に比して製造
コストは著しく安く、さらに単結晶の大蓬化に際しても
特に大型のものを使用する必要がないばかりでなく、炉
芯管１７の内外に生じた圧力差は被援用酸化ほう秦軸液
１６の融液面の上下動によって吸収され、炉芯管の内外
面にかかる圧力は常に同一となることから、炉芯管に変
形が起ることがほとんどないこと。
｛ｄ）シ−ル用酸化ほう素融液５を収容する舷め込み蓋
４を、酸化ほう素融液や高温の揮発性成分に対してすぐ
れた耐食性を示すＭｏまたはＭｏ合金製としたので、欧
め込み蓋４の半永久的使用が可能となり、しかもこの鉄
め込み蓋４を石葵製炉芯管１７に対してすり合せ蓋とす
ることにより十分な気密が確保できること。
４を、酸化ほう素融液や高温の揮発性成分に対してすぐ
れた耐食性を示すＭｏまたはＭｏ合金製としたので、欧
め込み蓋４の半永久的使用が可能となり、しかもこの鉄
め込み蓋４を石葵製炉芯管１７に対してすり合せ蓋とす
ることにより十分な気密が確保できること。
｛ｃ’炉芯管１７内における回転引上甑６に設直した高
解離圧化合物を構成する揮発性成分の単体１９を保持す
る受皿（ＭｏまたはＭｏ合金製とするのが望ましい）１
８により、炉芯管内に前記揮発性成分の雰囲気が形成さ
れるほか、藤め込み蓋４から回転引上軸６を伝って流下
する酸化ほう素融液が受け溜めされるようになることか
ら、成長単結晶がこれら流下する酸化ほう素融液によっ
て悪影響を受けることがないこと。
解離圧化合物を構成する揮発性成分の単体１９を保持す
る受皿（ＭｏまたはＭｏ合金製とするのが望ましい）１
８により、炉芯管内に前記揮発性成分の雰囲気が形成さ
れるほか、藤め込み蓋４から回転引上軸６を伝って流下
する酸化ほう素融液が受け溜めされるようになることか
ら、成長単結晶がこれら流下する酸化ほう素融液によっ
て悪影響を受けることがないこと。
などの工業上有用な効果がもたらされ、この結果単結晶
の大蚤化、最尺化、製造時間の短縮、および単結晶化率
の改善などの量産性向上、並びに低転位化などの結晶性
向上がはかれた状態で半導体用高解離圧化合物単結晶を
製造コスト安く製造することができるようになるのであ
る。
の大蚤化、最尺化、製造時間の短縮、および単結晶化率
の改善などの量産性向上、並びに低転位化などの結晶性
向上がはかれた状態で半導体用高解離圧化合物単結晶を
製造コスト安く製造することができるようになるのであ
る。
第１図は従来単結晶製造装置を示す概略縦断面図、第２
図はこの発明の単結晶製造装置を示す概略縦断面図であ
る。 図面において、１・・・・・・金属容器、２・・・・・
・びん形石英製回転るつぼ、２′・・…・単純形状の石
英製るつぼ、３・・・・・・アフターヒータ、４・・・
・・・鉄め込み蓋、５・・・・・・シール用酸化ほう素
融液、６・・・・・・回転引上軸、７・・・・・・メイ
ンヒータ、８・・・・・・高解離圧化合物融液、９・・
・・・・回転軸、１１・・・・・・チャック、１２・・
・・・・種結晶、１３・・・・・・不活性ガス導入系、
１４・・・・・・排気系、１５・・・・・・成長単結晶
、１６・・・・・・被覆用酸化ほう秦幕虫液、１７・・
・・・・石英製炉芯管、１８・・・・・・受皿、１９・
・・・・・揮発性成分単体、２０・・・・・・炉芯管支
持台。 発’図第２図
図はこの発明の単結晶製造装置を示す概略縦断面図であ
る。 図面において、１・・・・・・金属容器、２・・・・・
・びん形石英製回転るつぼ、２′・・…・単純形状の石
英製るつぼ、３・・・・・・アフターヒータ、４・・・
・・・鉄め込み蓋、５・・・・・・シール用酸化ほう素
融液、６・・・・・・回転引上軸、７・・・・・・メイ
ンヒータ、８・・・・・・高解離圧化合物融液、９・・
・・・・回転軸、１１・・・・・・チャック、１２・・
・・・・種結晶、１３・・・・・・不活性ガス導入系、
１４・・・・・・排気系、１５・・・・・・成長単結晶
、１６・・・・・・被覆用酸化ほう秦幕虫液、１７・・
・・・・石英製炉芯管、１８・・・・・・受皿、１９・
・・・・・揮発性成分単体、２０・・・・・・炉芯管支
持台。 発’図第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 回転軸の上端部に支持され、かつ高解離圧化合物融
液およびこれを被覆するための酸化ほう素融液を保持す
るるつぼと、上端部にシール用酸化ほう素融液を保持す
るＭｏまたはＭｏ合金製の嵌め込み蓋を有し、かつ前記
るつぼ内径より小径の外径を有する下端部が上記高解離
圧化合物融液被覆用酸化ほう素融液中に浸漬された状態
で保持された石英製炉芯管と、上記石英製炉芯管を貫通
し、回転および引上げ自在に装着され、かつ先端部に種
結晶が取付けてある回転引上軸と、上記石英製炉芯管内
における上記回転引上軸に固着された、上記高解離圧化
合物を構成する揮発性成分の単体を保持する受皿と、を
備えたことを特徴とする半導体用高解離圧化合物単結晶
の製造装置。 ２ 上記特許請求の範囲第１項記載の半導体用高解離圧
化合物単結晶の製造装置において、上記石英製炉芯管の
少なくとも上記被覆用酸化ほう素融液浸漬部分が、酸化
ほう素融液および高解離圧化合物融液中の揮発性成分に
対して難反応性の材料から成る保護層で被覆されたこと
を特徴とする半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195298A JPS6041037B2 (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195298A JPS6041037B2 (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899195A JPS5899195A (ja) | 1983-06-13 |
| JPS6041037B2 true JPS6041037B2 (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=16338822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56195298A Expired JPS6041037B2 (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041037B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538861U (ja) * | 1991-10-19 | 1993-05-25 | 太陽誘電株式会社 | 貫通コンデンサ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036397A (ja) * | 1983-08-06 | 1985-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物単結晶育成装置 |
| JPS6051698A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Res Dev Corp Of Japan | 砒素化合物単結晶成長装置 |
| JPS60264390A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の育成方法 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56195298A patent/JPS6041037B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538861U (ja) * | 1991-10-19 | 1993-05-25 | 太陽誘電株式会社 | 貫通コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5899195A (ja) | 1983-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5891245A (en) | Single crystal pulling method and apparatus for its implementation | |
| WO1992001826A1 (fr) | Procede et appareil pour fabriquer un monocristal | |
| TWI272321B (en) | Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus | |
| JPS6041037B2 (ja) | 半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置 | |
| JPH09183687A (ja) | 単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法、及び単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構 | |
| JP2723249B2 (ja) | 結晶育成方法および結晶育成用るつぼ | |
| JPS5913480B2 (ja) | ２重融液シ−ルの引上法による半導体用高解離圧化合物単結晶の成長法およびその装置 | |
| JPH07330482A (ja) | 単結晶成長方法及び単結晶成長装置 | |
| WO2003068696A1 (en) | Production method for compound semiconductor single crystal | |
| JP2690420B2 (ja) | 単結晶の製造装置 | |
| JP2000313690A (ja) | 半導体単結晶の製造方法およびこれに用いられる固体の半導体原料塊 | |
| JP2002234792A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP3392245B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0543381A (ja) | 溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JPH03247582A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置 | |
| JP2830315B2 (ja) | 高解離圧単結晶の製造装置 | |
| JP3938674B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3125681B2 (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の成長方法 | |
| JPH11189499A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH04139030A (ja) | 単結晶の成長方法および成長装置 | |
| JPS59141494A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH0483794A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法と装置 | |
| JP2005200224A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPS6027695A (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JPH07206584A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 |