JPS6027698A - 液相成長法およびポリホスフイド結晶 - Google Patents
液相成長法およびポリホスフイド結晶Info
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- JPS6027698A JPS6027698A JP59133477A JP13347784A JPS6027698A JP S6027698 A JPS6027698 A JP S6027698A JP 59133477 A JP59133477 A JP 59133477A JP 13347784 A JP13347784 A JP 13347784A JP S6027698 A JPS6027698 A JP S6027698A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は結晶性ポリホスフィトの液晶成長法に係る。よ
シ詳しく述べると、いろいろな処理に用いるＫＰ、５の
大きい結晶の成長、シリコンおよびシリコン集積回路装
置への燐層の適用、ならびに、ｍ−ｖ型半導体のＭＩＳ
装置における絶縁層としての燐層の適用に係る。
シ詳しく述べると、いろいろな処理に用いるＫＰ、５の
大きい結晶の成長、シリコンおよびシリコン集積回路装
置への燐層の適用、ならびに、ｍ−ｖ型半導体のＭＩＳ
装置における絶縁層としての燐層の適用に係る。
本発明の方法で作成するポリホスフィトの大きい結晶は
電気光学装置に、また旋光子としても使用できる。
電気光学装置に、また旋光子としても使用できる。
従来の技術
出願人はカートネーション状リン物質からなる半導体を
開示した（特開昭５８−１３５１１５号公）啜他）。エ
レクトロニクス装置および電気光学装置に、また旋光子
として用いるために、これらの材料の大きい結晶を形成
することが高く望まれる。同様に、とのような材料を砒
化ガリウムや燐化ガリウムのような■−■型半導体上に
成長してＭＩＳ装置の１層（絶縁層）を形成することが
高く望まれる。詳しくは我々が本願と同日付で出願した
特許願（１）の「高ゾニクチドの使用、半導体装置およ
び新規な形態のプニクチド」を参照されたい。
開示した（特開昭５８−１３５１１５号公）啜他）。エ
レクトロニクス装置および電気光学装置に、また旋光子
として用いるために、これらの材料の大きい結晶を形成
することが高く望まれる。同様に、とのような材料を砒
化ガリウムや燐化ガリウムのような■−■型半導体上に
成長してＭＩＳ装置の１層（絶縁層）を形成することが
高く望まれる。詳しくは我々が本願と同日付で出願した
特許願（１）の「高ゾニクチドの使用、半導体装置およ
び新規な形態のプニクチド」を参照されたい。
発明の開示
％一体積の容器内で出発供給物を等温で加熱し、ノーキ
ング（一定の温度における加熱）シ、冷却する凝縮相法
（ｃｏｎｄｅｎｓ＠ｄ ｐｈａｓｅ ｐｒｏｃｅｓｓ
）で作成した結晶および塊状の多結晶のＫＰ、５材料０
．５〜２．０グラムを、外径１０１１１１１％内径６ｍ
＋または外径１１ｆｆｉＩＩ＋１内径９ｍの石英管（ア
ンプル）に装入した。管（アンプル）内を１ＱＴｏｒｒ
に真空引きし、真空下で密封した。
ング（一定の温度における加熱）シ、冷却する凝縮相法
（ｃｏｎｄｅｎｓ＠ｄ ｐｈａｓｅ ｐｒｏｃｅｓｓ
）で作成した結晶および塊状の多結晶のＫＰ、５材料０
．５〜２．０グラムを、外径１０１１１１１％内径６ｍ
＋または外径１１ｆｆｉＩＩ＋１内径９ｍの石英管（ア
ンプル）に装入した。管（アンプル）内を１ＱＴｏｒｒ
に真空引きし、真空下で密封した。
第１図を参照すると、密封石英アンプル２０はＫＰ、５
凝縮相の充填材料２２と基体２４を含む。アンプル２０
を炉に入れ、図（第１図）に示すように傾け、６５５℃
に加熱して即、５充填材料２２を溶融する。次いで、ア
ンプルを第２図に示すように傾けて融液を基体２４と接
触させる。
凝縮相の充填材料２２と基体２４を含む。アンプル２０
を炉に入れ、図（第１図）に示すように傾け、６５５℃
に加熱して即、５充填材料２２を溶融する。次いで、ア
ンプルを第２図に示すように傾けて融液を基体２４と接
触させる。
これはアンプルを含む炉全体を傾けて行なうことができ
る。次いで、アンプル２０を６〜６０′ＡＲの速度で６
４０℃に徐冷し、それからアングル２０を第３図に示す
ように最初の向きに傾け、室温に急冷する。徐冷中に基
体２４上に多結晶膜２６が形成される。
る。次いで、アンプル２０を６〜６０′ＡＲの速度で６
４０℃に徐冷し、それからアングル２０を第３図に示す
ように最初の向きに傾け、室温に急冷する。徐冷中に基
体２４上に多結晶膜２６が形成される。
１１０面に沿って健闘しだ砒化ガリウムおよび１１１面
に沿って健闘した燐化ガリウムの研摩したウェハ、石英
上２０００１のニッケル蒸着層、石英、およびニッケル
箔を基体として用いた。すべての場合に融液から直接に
ＫＰ 、 ５のウィスカおよびプレー）レット（小板）
が塊状に結晶化するのが観察された。全部の基体上に多
結晶ＫＰ、５膜が成長した。燐化ガリウム基体から成長
ＫＰ、５膜を弁開することによって３×３１１１１の結
晶ＫＰ、５プレートレットを得た。燐化ガリウムの２面
上にＫＰ、５膜の二次元的成長が観察された。成長層の
表面の形態の検討からトポタキシャル成長であることが
示され、ＫＰ’、５を砒化ガリウム、燐化ガリウムおよ
び燐化インジウムのＭＩＳ装置のめ線層としての薄膜に
応用する基礎が提供された。
に沿って健闘した燐化ガリウムの研摩したウェハ、石英
上２０００１のニッケル蒸着層、石英、およびニッケル
箔を基体として用いた。すべての場合に融液から直接に
ＫＰ 、 ５のウィスカおよびプレー）レット（小板）
が塊状に結晶化するのが観察された。全部の基体上に多
結晶ＫＰ、５膜が成長した。燐化ガリウム基体から成長
ＫＰ、５膜を弁開することによって３×３１１１１の結
晶ＫＰ、５プレートレットを得た。燐化ガリウムの２面
上にＫＰ、５膜の二次元的成長が観察された。成長層の
表面の形態の検討からトポタキシャル成長であることが
示され、ＫＰ’、５を砒化ガリウム、燐化ガリウムおよ
び燐化インジウムのＭＩＳ装置のめ線層としての薄膜に
応用する基礎が提供された。
融液にニッケル箔またはニッケル粉末１〜５重量％を配
合し、融液を６７０℃の温度に昇温し、それから基体と
接触させて６３０℃まで徐冷することによってＱ、５の
生成時における二、ケルのドーピングを達成した。
合し、融液を６７０℃の温度に昇温し、それから基体と
接触させて６３０℃まで徐冷することによってＱ、５の
生成時における二、ケルのドーピングを達成した。
式野、５（式中、Ｍはアルカリ金属である・）の他のア
ルカリ金ハポリスルフ（ドも同様に融液から成長すると
考えられる。
ルカリ金ハポリスルフ（ドも同様に融液から成長すると
考えられる。
発明の目的
従って、本発明の目的はポリホスフィト材料を提供する
ことである。
ことである。
本発明のもう１つの目的は液相成長法でポリホスフィト
材料を提供することである。
材料を提供することである。
本発明の別の目的はいろいろな基体上に液相成長法でポ
リホスフィト膜を提供することである。
リホスフィト膜を提供することである。
本発明の更に別の目的はポリホスフィトの太きい結晶を
提供することである。
提供することである。
本発明の更にまた別の目的は半導体装置、電気光学装置
、光学用塗膜、および旋光子を提供することである。
、光学用塗膜、および旋光子を提供することである。
本発明のその他の目的は一部分は自明であシ、一部分は
明細書の他の記載から明らかになるであろう。
明細書の他の記載から明らかになるであろう。
従って、本発明はいくつかの工程としまたはそれ以上の
そうした工程の他の工程との相互関係、ならびにこの明
細書において例示する要素の特徴、特性および関係を有
する製品を含む。本発明の範囲は特許請求の範囲に記載
する。
そうした工程の他の工程との相互関係、ならびにこの明
細書において例示する要素の特徴、特性および関係を有
する製品を含む。本発明の範囲は特許請求の範囲に記載
する。
実施例
アンプルは最初に充填材料を溶融するために６５０〜６
７０℃に加熱しなければならない。充填材料にドーノ臂
ントのニッケルを含める場合にはもつと高い温度範囲が
好ましい。融液を基体と接触させたときの徐冷速度は前
述のように６〜６０４である。融液がまだ基体と接触し
ている最終冷却温度は６４０〜６４５℃である。
７０℃に加熱しなければならない。充填材料にドーノ臂
ントのニッケルを含める場合にはもつと高い温度範囲が
好ましい。融液を基体と接触させたときの徐冷速度は前
述のように６〜６０４である。融液がまだ基体と接触し
ている最終冷却温度は６４０〜６４５℃である。
すべての場合に大量の結晶質ウィスカおよびプレートレ
ットが融液から直接にならびに基体上に形成される。こ
うして、この方法は他の処理に用いるために比較的短時
間に高品質ＫＰ、５結晶性結晶性全材料に作成する場合
に便利な技術である。
ットが融液から直接にならびに基体上に形成される。こ
うして、この方法は他の処理に用いるために比較的短時
間に高品質ＫＰ、５結晶性結晶性全材料に作成する場合
に便利な技術である。
本明細書で用いるｒｍ−ｖ型半導体」は周期律表第曹族
および第■族の元素の化合物からなる金属間半導体ある
いは化合物半導体と普通呼ばれる半導体、例えばぐ燐化
アルミニウム、砒化アルミニウム、アンチモン化アルミ
ニウム、燐化ガリウム、砒化ガリウム、アンチモン化ガ
リウム、燐化インジウム、砒化イ／ゾウム、アンチモン
化インジウムである。
および第■族の元素の化合物からなる金属間半導体ある
いは化合物半導体と普通呼ばれる半導体、例えばぐ燐化
アルミニウム、砒化アルミニウム、アンチモン化アルミ
ニウム、燐化ガリウム、砒化ガリウム、アンチモン化ガ
リウム、燐化インジウム、砒化イ／ゾウム、アンチモン
化インジウムである。
こうして、前記の目的、以上の説明から明らかなように
前記の目的は有効に達成されておシ、この方法の実施お
よび製品には特定の変更を行なうことができるので、明
細書の発明の詳細な説明の欄および図面に含まれるすべ
ての事項は説明のためのものであって、発明を限定する
ものではないことが明らかであろう。
前記の目的は有効に達成されておシ、この方法の実施お
よび製品には特定の変更を行なうことができるので、明
細書の発明の詳細な説明の欄および図面に含まれるすべ
ての事項は説明のためのものであって、発明を限定する
ものではないことが明らかであろう。
同様に、特許請求の範囲は発明の一般的および特定の特
徴の全部ならびに特許請求の範囲の文言に含まれる事項
の全部を包含するよう意図されていることが理解される
べきである。
徴の全部ならびに特許請求の範囲の文言に含まれる事項
の全部を包含するよう意図されていることが理解される
べきである。
とシわけ、特許請求の範囲における成分あるいは化合物
はその意味を失なわない限）そりした成分の混合物をも
含むものとして意図されていることを理解されるべきで
ある。
はその意味を失なわない限）そりした成分の混合物をも
含むものとして意図されていることを理解されるべきで
ある。
第１〜３図は本発明の方法の実施における加熱されたア
ンプルの使用方法を説明する一連の概略縦断面図である
。 ２０・・・アンプル、２２・・・ポリホスフィト充填利
別、２４・・・基体、２６・・・結晶膜。 以下全白
ンプルの使用方法を説明する一連の概略縦断面図である
。 ２０・・・アンプル、２２・・・ポリホスフィト充填利
別、２４・・・基体、２６・・・結晶膜。 以下全白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ポリホスフィト融液からポリホスフィト結晶の液
相成長方法。 ２、前記ポリホスフィトがＫＰ、５である特許請求の範
囲第１項記載の方法。 ３、前記ポリホスフィト結晶がニッケルをドーグされる
特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４、前記ポリホスフィト結晶を基体上に成長する特許請
求の範囲第１項から第３項までのいずれかに記載の方法
。 ５、前記基体が水晶である特許請求の範囲第４項記載の
方法。 ６、前記基体がニッケルである特許請求の範囲第４項記
載の方法０ ７、前記基体が■−■型半導体である特許請求の範囲第
４項記載の方法。 ８、前記■−ｖ型半導体が砒化ガリウムである特許請求
の範囲第７項記載の方法。 ９、前記■−■族半導体が燐化ガリウムである特許請求
の範囲第７項記載の方法。 １０、 Ａ）ポリホスフィト充填材料を実質的に６５０
℃〜６７０℃の温度を有する融液に加熱し、そして Ｂ）該融液を徐冷してポリホスフィト結晶を形成する、 工程を含む特許請求の範囲第１項から第３項までのいず
れかに記載の方法。 １１、０）前記融液を基体と接触させて前記徐冷工程中
に該基体上に前記結晶を形成する、工程を更に含む特許
請求の範囲第１０項記載の方法。 １２、 Ｄ）前記融液を前記徐冷工程の終了時に前記基
体から除去する、 工程を更に含む特許請求の範囲第１１項記載の方法。 １３、Ｅ）前記徐冷工程を融液が実質的に６３０〜６４
０℃の温度に達したときに終了する、特許請求の範囲第
１２項記載の方法。 １４、前記充填材料を前記加熱工程前に密閉アンノルに
含める特許請求の範囲第１０項から第１３項までのいず
れかに記載の方法。 １５、前記アンプルを前記加熱工程前に真空排気する特
許請求の範囲第１４項記載の方法。 １６、前記密閉アンプルを前記加熱工程後に傾けて前記
融液を基体と接触させる特許請求の範囲第１５項記載の
方法。 １７、前記徐冷工程を実質的に６〜ｂ 速度で行なう特許請求の範囲第１０項から第１３項まで
のいずれかに記載の方法。 １８、前記基体が■−ｖ型半導体である特許請求の範囲
第１０項から第１３項までのいずれかに記載の方法。 １９、前記基体が燐化ガリウムである特許請求の範囲第
１８項記載の方法。 加、前記基体が砒化ガリウムである特許請求の範囲第１
８項記載の方法。 ２１、前記融液が金属ドーパントを含む特許請求の範囲
第１０項から第１３項までのいずれかに記載の方法。 ２２、前記ドーＡ？ントが二、ケルである特許請求の範
囲第２１項記載の方法。 ２３、 Ｊリホスフィド融液から成長したポリホスフィ
ト結晶。 ス、前記ポリホスフィトがＫＰ、５である特許請求の範
囲第２３項記載のポリホスフィト結晶。 四、前記ポリホスフ（ド結晶がニッケルでドーグされて
いる特許請求の範囲第２３項または第２４項記載のポリ
ホスフィト結晶。 あ、前記ポリホスフィト結晶を基体上に成長した特許請
求の範囲第２３項から第２５項までのいずれかに記載の
ポリホスフ（ド結晶。 ２７、前記基体が水晶である特許請求の範囲第ｚｃｓ項
記載のポリホスフィト結晶Ｏ 四、前記基体がニッケルである特許請求の範囲第２６項
記載の４リホスフイド結晶。 四、前記基体が■−■凰半導体である特許請求の範囲第
２６項記載のポリホスフィト結晶。 （資）、前記基体が砒化ガリウムである特許請求の範囲
第２９項記載の、１＋７ホスフイド。 ３１、前記基′体が燐化ガリウムである特許請求の範囲
第２９項記載のポリホスフィト。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US509158 | 1983-06-29 | ||
| US06/509,158 US4591408A (en) | 1982-11-16 | 1983-06-29 | Liquid phase growth of crystalline polyphosphide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027698A true JPS6027698A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=24025528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133477A Pending JPS6027698A (ja) | 1983-06-29 | 1984-06-29 | 液相成長法およびポリホスフイド結晶 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4591408A (ja) |
| EP (1) | EP0132954A2 (ja) |
| JP (1) | JPS6027698A (ja) |
| KR (1) | KR850000779A (ja) |
| AU (1) | AU2993184A (ja) |
| DK (1) | DK317884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330395A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-09 | Nec Corp | 薄膜結晶の成長方法と薄膜結晶成長用治具 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818636A (en) * | 1981-12-30 | 1989-04-04 | Stauffer Chemical Company | Films of catenated phosphorus materials, their preparation and use, and semiconductor and other devices employing them |
| US6030458A (en) * | 1997-02-14 | 2000-02-29 | Chorus Corporation | Phosphorus effusion source |
| US11975979B2 (en) | 2018-06-20 | 2024-05-07 | University Of Houston System | Unusual high thermal conductivity in boron arsenide bulk crystals |
| KR102307523B1 (ko) * | 2019-10-30 | 2021-09-30 | 울산과학기술원 | 폴리포스파이드 전구체의 제조방법, 결정성 적린 박막의 제조방법 및 전자 소자 응용 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3810794A (en) * | 1970-09-24 | 1974-05-14 | Varian Associates | Preparation of gap-si heterojunction by liquid phase epitaxy |
-
1983
- 1983-06-29 US US06/509,158 patent/US4591408A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-06-27 AU AU29931/84A patent/AU2993184A/en not_active Abandoned
- 1984-06-28 DK DK317884A patent/DK317884A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-06-28 EP EP84304408A patent/EP0132954A2/en not_active Withdrawn
- 1984-06-29 KR KR1019840003739A patent/KR850000779A/ko not_active Abandoned
- 1984-06-29 JP JP59133477A patent/JPS6027698A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330395A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-09 | Nec Corp | 薄膜結晶の成長方法と薄膜結晶成長用治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR850000779A (ko) | 1985-03-09 |
| EP0132954A2 (en) | 1985-02-13 |
| DK317884A (da) | 1984-12-30 |
| DK317884D0 (da) | 1984-06-28 |
| US4591408A (en) | 1986-05-27 |
| AU2993184A (en) | 1985-01-03 |
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