JPS6028093A - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6028093A JPS6028093A JP58134303A JP13430383A JPS6028093A JP S6028093 A JPS6028093 A JP S6028093A JP 58134303 A JP58134303 A JP 58134303A JP 13430383 A JP13430383 A JP 13430383A JP S6028093 A JPS6028093 A JP S6028093A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- magnetic
- substrate
- photomask
- marks
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高密度のバブルメモリチップの製造に好適な磁
気バブルメモリ素子の製造方法に関する。
気バブルメモリ素子の製造方法に関する。
従来、磁気バブルメモリ素子のチップを製造するのには
、非磁性ガーネット結晶からなる円板形の基板に磁気バ
ブルを保持するバブル磁性膜を結晶生成等により形成し
、この上に高透磁率の磁性材からなる転送パターンをフ
ォトリングラフィ技術で形成している。この場合、基板
とマスクの位置合わせとしては、従来はあまり精度を必
要としないので基板に設けたオリフラＤを基準に用いて
いる程度であった。
、非磁性ガーネット結晶からなる円板形の基板に磁気バ
ブルを保持するバブル磁性膜を結晶生成等により形成し
、この上に高透磁率の磁性材からなる転送パターンをフ
ォトリングラフィ技術で形成している。この場合、基板
とマスクの位置合わせとしては、従来はあまり精度を必
要としないので基板に設けたオリフラＤを基準に用いて
いる程度であった。
しかし、近年、磁気バブルが２μｍ以下になり高密度化
するにつれて転送パターンも非常に小さくなり、この結
果、バブル磁性膜に生ずる磁気バブルの結晶依存性が増
してくるようになってきた。
するにつれて転送パターンも非常に小さくなり、この結
果、バブル磁性膜に生ずる磁気バブルの結晶依存性が増
してくるようになってきた。
第１図に示すように、マイナルーブのバブル転送路１上
を、磁気バブルは回転磁界の駆動によって移動してゆく
が、バブル転送路１の中心線２に対して左側の転送路１
ａと右側の転送路１ｂとでは、磁気バブルの移動方向は
逆になる。このため、転送路１ａの方向を磁気バブルが
最も移動し易い結晶方位に選ぶと、転送路１ｂは磁気バ
ブルの移動性が悪くなるという問題がある０ 第２図は、バブル磁性膜の結晶方位とバブル転送路の方
向との関係において、動作マージンがどのように変化す
るかを示す説明図である○結晶軸方向を図のように設定
したバブル磁性膜上ニ３０゜毎に方向の異なるバブル転
送路を形成したとすると、１つのバブル転送路に対して
左右の転送路における動作マージンが図のようになる。
を、磁気バブルは回転磁界の駆動によって移動してゆく
が、バブル転送路１の中心線２に対して左側の転送路１
ａと右側の転送路１ｂとでは、磁気バブルの移動方向は
逆になる。このため、転送路１ａの方向を磁気バブルが
最も移動し易い結晶方位に選ぶと、転送路１ｂは磁気バ
ブルの移動性が悪くなるという問題がある０ 第２図は、バブル磁性膜の結晶方位とバブル転送路の方
向との関係において、動作マージンがどのように変化す
るかを示す説明図である○結晶軸方向を図のように設定
したバブル磁性膜上ニ３０゜毎に方向の異なるバブル転
送路を形成したとすると、１つのバブル転送路に対して
左右の転送路における動作マージンが図のようになる。
ここで、各放射線は第１図の中心線２に相当し、その放
射線の左右に付した記号は転送路１ａ 、 １ｂ の動
作マージンの程度を表わしている。○印は動作マージン
が最も広く、Ｘ印は最も狭く、Δ印はその中間である。
射線の左右に付した記号は転送路１ａ 、 １ｂ の動
作マージンの程度を表わしている。○印は動作マージン
が最も広く、Ｘ印は最も狭く、Δ印はその中間である。
このような各方向のバブル転送路のうち、両側がΔ印の
ものが綜合的に動作マージンがよいことになり、バブル
磁性膜の結晶方位に対してバブル転送路の方向を正確に
合わせる必要がある。このため、基板に対してマスクを
精度よく位置合わせする必要があるが、従来は基板のオ
リフラＤを使用しているために精度よい位置合わせはで
きなかった。
ものが綜合的に動作マージンがよいことになり、バブル
磁性膜の結晶方位に対してバブル転送路の方向を正確に
合わせる必要がある。このため、基板に対してマスクを
精度よく位置合わせする必要があるが、従来は基板のオ
リフラＤを使用しているために精度よい位置合わせはで
きなかった。
本発明は従来のような問題を解決するためになされたも
のであゃ、その目的とするところは、バブル転送路の方
向をバブル磁性膜の所定の結晶方位に精度よく合わせる
ことができるような磁気バブルメモリ素子の製造方法を
提供することにある。
のであゃ、その目的とするところは、バブル転送路の方
向をバブル磁性膜の所定の結晶方位に精度よく合わせる
ことができるような磁気バブルメモリ素子の製造方法を
提供することにある。
本発明はこのような目的を達成するために、基板側に第
１のマークを形成し、バブル転送路のパターンを鳴する
ホトマスクに第２のマークを形成し、両マークを合わせ
て基板とホトマスクの位置合わせするようにしたもので
ある。
１のマークを形成し、バブル転送路のパターンを鳴する
ホトマスクに第２のマークを形成し、両マークを合わせ
て基板とホトマスクの位置合わせするようにしたもので
ある。
以下、実施例にエリ本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施例に用いる基板の平面図である
。３は非磁性ガーネット結晶板からなる基板、４は基板
３の表面にエピタキシャル生成により形成されたバブル
磁性膜、５ａ、５ｂ、５ｃはバブル磁性膜４に設けられ
た第１のマーク、６は基板３に形成されたオリフラＤで
ある。このマーク５ａ 、５ｂ 、５ｃはバブル磁性膜
４を液相成長させる過程で目印として形成する方法、又
、ホトマスクを用いてパターン形成する方法等によって
設けられる。又、マークの各位置は図示のほか任意の位
Ｒに設定できる。
。３は非磁性ガーネット結晶板からなる基板、４は基板
３の表面にエピタキシャル生成により形成されたバブル
磁性膜、５ａ、５ｂ、５ｃはバブル磁性膜４に設けられ
た第１のマーク、６は基板３に形成されたオリフラＤで
ある。このマーク５ａ 、５ｂ 、５ｃはバブル磁性膜
４を液相成長させる過程で目印として形成する方法、又
、ホトマスクを用いてパターン形成する方法等によって
設けられる。又、マークの各位置は図示のほか任意の位
Ｒに設定できる。
このマーク５ａ 、５ｂ 、５ｃはバブル磁性膜４の結
晶方位に対して一定の関係に配置さ扛ているので、マー
クから結晶力位が明らかになる。
晶方位に対して一定の関係に配置さ扛ているので、マー
クから結晶力位が明らかになる。
第４図は基板３にホトマスクを位置合せした状態の平面
図であり、１はホトマスク、８はホトマスク膜上のコン
テイギユアスディスク形のバブル転送路パターン領域、
９ａ、９ｂ、９ｃ はホトマスク１に設けられた第２の
マークである。このマーク９ａ 、 ９ｂ 、 ９ｃは
バブル転送路の方向に対して一定の関係に配置されてい
る。マーク９ｍ。
図であり、１はホトマスク、８はホトマスク膜上のコン
テイギユアスディスク形のバブル転送路パターン領域、
９ａ、９ｂ、９ｃ はホトマスク１に設けられた第２の
マークである。このマーク９ａ 、 ９ｂ 、 ９ｃは
バブル転送路の方向に対して一定の関係に配置されてい
る。マーク９ｍ。
９ｂ 、９ｃをそれぞれマークＳａ Ｔ ５ ｂ−＋
５ ｅ Ｋ一致させて基板３にホトマスクＴを位置合わ
せすることにより、パズル磁性膜４の結晶方向とバブル
転送路の方向とを所望の関係に正確に保持することがで
きる。そしてホトマスクを介してバブル磁性膜４にイオ
ン注入することにより、動作マージンの高いコンテイギ
ユアスディスク形イオン注入デバイスを製造することが
できる。
５ ｅ Ｋ一致させて基板３にホトマスクＴを位置合わ
せすることにより、パズル磁性膜４の結晶方向とバブル
転送路の方向とを所望の関係に正確に保持することがで
きる。そしてホトマスクを介してバブル磁性膜４にイオ
ン注入することにより、動作マージンの高いコンテイギ
ユアスディスク形イオン注入デバイスを製造することが
できる。
第５図は他の実施例に用いる基板の平面図である０１３
は非磁性ガーネット結晶板からなる基板、１４はバブル
磁性膜、１５ａ 、１５ｂ 、１５ｃ 。
は非磁性ガーネット結晶板からなる基板、１４はバブル
磁性膜、１５ａ 、１５ｂ 、１５ｃ 。
１５ｄ は基板ＩＱ）周辺に９０°間隔で形成された第
１のマークとしての溝、１６はオリフラＤである。なお
、バブル磁性膜１４は溝を形成した基板１３上に液相成
長させる。ホトマスクのマークはこの溝に合わせで設け
ることはいうまでもない。
１のマークとしての溝、１６はオリフラＤである。なお
、バブル磁性膜１４は溝を形成した基板１３上に液相成
長させる。ホトマスクのマークはこの溝に合わせで設け
ることはいうまでもない。
このように本発明に係る磁気バブルメモリ素子の製造方
法によると、バブル転送路の方向をバブル磁性膜の所定
の結晶方位に精度よく合わせることができるため、動作
マージンが十分にとれ、素子のパズル転送特性を大幅に
向上でき、特に高密度の素子に効果がある。
法によると、バブル転送路の方向をバブル磁性膜の所定
の結晶方位に精度よく合わせることができるため、動作
マージンが十分にとれ、素子のパズル転送特性を大幅に
向上でき、特に高密度の素子に効果がある。
第１図はバブル転送路の概略図、第２図は結晶方位と転
送路方向と動作マージンの関係を示す説明図、第３図は
本発明の一実施例に用いる基板の平面図、第４図はこの
基板にホトマスクを位置合わせした状態の平面図、第５
図は他の実施例の基板の平面図である。 ３・・自・基板、４・・・・バブル磁性膜、５ａ 、５
ｂ 、５ｃ １１ｅ・・第１のマーク、１・ａｓｓホト
マスク、９ａ 、９ｂ 、９ｃ ｅφＩＩｅＭ２のマー
ク。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
送路方向と動作マージンの関係を示す説明図、第３図は
本発明の一実施例に用いる基板の平面図、第４図はこの
基板にホトマスクを位置合わせした状態の平面図、第５
図は他の実施例の基板の平面図である。 ３・・自・基板、４・・・・バブル磁性膜、５ａ 、５
ｂ 、５ｃ １１ｅ・・第１のマーク、１・ａｓｓホト
マスク、９ａ 、９ｂ 、９ｃ ｅφＩＩｅＭ２のマー
ク。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に磁気バブルを保持するバブル磁性膜を形成
し、この上にホトマスクを用いて所定のパターンを形成
する磁気バブルメモリ素子の製造方法において、基板側
に第１のマークを形成し、ホトマスクに第２のマークを
形成し、第２のマークを第１のマークに合わせて基板と
ホトマスクの位置合わせを行なう磁気バプルメそり素子
の製造方法。 ２、第１のマークはバブル磁性膜上に設けた特許請求の
範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ３、第１のマークは基板周辺部に溝を形成して設けた特
許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134303A JPS6028093A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134303A JPS6028093A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028093A true JPS6028093A (ja) | 1985-02-13 |
Family
ID=15125130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134303A Pending JPS6028093A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028093A (ja) |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58134303A patent/JPS6028093A/ja active Pending
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