JPS6028265A - 電荷転送デバイス - Google Patents
電荷転送デバイスInfo
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- JPS6028265A JPS6028265A JP58137130A JP13713083A JPS6028265A JP S6028265 A JPS6028265 A JP S6028265A JP 58137130 A JP58137130 A JP 58137130A JP 13713083 A JP13713083 A JP 13713083A JP S6028265 A JPS6028265 A JP S6028265A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電荷転送デバイス、特に、電荷を所定の方向に
転送するための１つ若しくは複数の電荷転送路とを具え
た電荷転送デバイスに関するものである。
転送するための１つ若しくは複数の電荷転送路とを具え
た電荷転送デバイスに関するものである。
（従来技術）
上に述べた様な電荷転送デバイスは、例えば、インター
・ライン型ＣＣＤ固体撮像素子に於ける垂直転送レジス
タと水平転送レジスタとの組合せ、或いは、フレーム転
送ｆｉｃｃＤ固体撮像素子に於ける垂直転送レジスタか
ら成る蓄積部と読み出し用水平転送レジスタとの組合せ
、或いは、ライン・アドレス型ＣＯＤ固体撮像素子に於
ける水平転送レジスタと垂直転送レジスタとの組合せに
見ることが出来る。
・ライン型ＣＣＤ固体撮像素子に於ける垂直転送レジス
タと水平転送レジスタとの組合せ、或いは、フレーム転
送ｆｉｃｃＤ固体撮像素子に於ける垂直転送レジスタか
ら成る蓄積部と読み出し用水平転送レジスタとの組合せ
、或いは、ライン・アドレス型ＣＯＤ固体撮像素子に於
ける水平転送レジスタと垂直転送レジスタとの組合せに
見ることが出来る。
ところで従来のこれら固体撮像素子にあっては、その水
平（又は垂直）転送レジスタと垂直（又は水平）転送レ
ジスタとの接続部は例えば第１図に示す如き構成となっ
ていた。即ち、図に於て、ＲＨは水平（又は垂直）転送
レジスタ、ＲＶは垂直（又は水平）転送レジスタで、図
示対し漣交し、該転送レジスタＩｔ Ｖに於ける転送レ
ジスタＲＨの合流点の１つの転送セルｒｔｖｂ。
平（又は垂直）転送レジスタと垂直（又は水平）転送レ
ジスタとの接続部は例えば第１図に示す如き構成となっ
ていた。即ち、図に於て、ＲＨは水平（又は垂直）転送
レジスタ、ＲＶは垂直（又は水平）転送レジスタで、図
示対し漣交し、該転送レジスタＩｔ Ｖに於ける転送レ
ジスタＲＨの合流点の１つの転送セルｒｔｖｂ。
長さは転送レジスタＩｔ Ｈの幅と等しくなっている。
尚、図中の矢印Ｈ及び■は電荷の転送方向を示す。又、
几ＦＩａ、Ｒｖａは１つの転送セルを示す。
几ＦＩａ、Ｒｖａは１つの転送セルを示す。
ここで、電荷の高速転送時に於ても転送効率久Ｒ力ゝ
さ傘＃芸￥山は夫導ければＢゝい程良いことが知られて
いる。これに対し第１図に示した構成荷の高速転送時に
於てこの合流点（ＲＶａ）で電荷の転送動車が悪化し、
良好な電荷の高速転送は到底望めなくなって来るもので
ある。
いる。これに対し第１図に示した構成荷の高速転送時に
於てこの合流点（ＲＶａ）で電荷の転送動車が悪化し、
良好な電荷の高速転送は到底望めなくなって来るもので
ある。
（目 的）
本発明は上に述べた様な事情に鑑みて為されたもので、
冒頭に述べた様な、電荷を所定の方向に転送するための
１つ又は複数の第１の電荷転送路と、該第１の電荷転送
路により転送されの電荷転送路とを具えた電荷転送デバ
イスとして、これら第１及び第２の電荷転送路の接合部
得る新規な電荷転送デバイスを提供することを目的とす
るものである。
冒頭に述べた様な、電荷を所定の方向に転送するための
１つ又は複数の第１の電荷転送路と、該第１の電荷転送
路により転送されの電荷転送路とを具えた電荷転送デバ
イスとして、これら第１及び第２の電荷転送路の接合部
得る新規な電荷転送デバイスを提供することを目的とす
るものである。
本発明の他の目的は電荷の高速転送が可能で、従って、
高速読み出しが可能な固体撮像素子を提供することに在
る。
高速読み出しが可能な固体撮像素子を提供することに在
る。
本発明の更に他の目的は以下に続く添付の図面を参照し
た実施例の説明に関する記載から明らかになるであろう
。
た実施例の説明に関する記載から明らかになるであろう
。
（実施例）
以下、本発明の実施例について添附の図面を参照して説
明する。
明する。
第２図は本発明の４つの実施例の、特に本発明に関係す
る要部の構成を示すもので、図中、第１図に於けると同
一符号のものは同じものを示す。
る要部の構成を示すもので、図中、第１図に於けると同
一符号のものは同じものを示す。
先ず、第２図（ａ）に示す第１の実施例は、電荷を図中
、矢印Ｈで示す方向に転送するための第１の電荷転送路
としての水平（又は垂直）転送レジスタ几Ｈの電荷出力
部と、これに対する、電荷を図中、矢印Ｖで示す、Ｈと
直交する方向に転送するだめの第２の電荷転送路として
の垂路としての連結レジスタＩＬｃＩにより連結する様
にしたものである。尚、ＲＣａは連結レジスタＲＣ１の
１つの転送セルを示す○ 次に第２図（ｂ）に示す第２の実施例は、上記水平（又
は垂直）転送レジスタＲＨの出力部と、これに対する垂
直（又は水平）転送レジスタＲＶの入力部とを、斜行部
と円弧部とを結合して成る連結レジスタＲＣ２により連
結する様にしたものである。
、矢印Ｈで示す方向に転送するための第１の電荷転送路
としての水平（又は垂直）転送レジスタ几Ｈの電荷出力
部と、これに対する、電荷を図中、矢印Ｖで示す、Ｈと
直交する方向に転送するだめの第２の電荷転送路として
の垂路としての連結レジスタＩＬｃＩにより連結する様
にしたものである。尚、ＲＣａは連結レジスタＲＣ１の
１つの転送セルを示す○ 次に第２図（ｂ）に示す第２の実施例は、上記水平（又
は垂直）転送レジスタＲＨの出力部と、これに対する垂
直（又は水平）転送レジスタＲＶの入力部とを、斜行部
と円弧部とを結合して成る連結レジスタＲＣ２により連
結する様にしたものである。
次に第２図（Ｃ）に示す第３の実施例は、上記水平（又
は垂直）転送レジスタＲＩ−（の出力部と、これに対す
る垂直（又は水平）転送レジスタＫＶの入力部とを、円
弧状の連結レジスタＲ，Ｃ３によシ連結する様にしたも
のである。
は垂直）転送レジスタＲＩ−（の出力部と、これに対す
る垂直（又は水平）転送レジスタＫＶの入力部とを、円
弧状の連結レジスタＲ，Ｃ３によシ連結する様にしたも
のである。
第２図（ａ）〜（Ｃ）に示した３つの実施例は倒れも水
平（又は垂直）転送レジスタＲ，ｌ（の端部と垂直（又
は水平）転送レジスタＲＶの中間部とを連結する様にし
た場合の例であるが、最後に、第２図（ｄ）に示す第４
の実施例は第２図（Ｃ）の第３の実施例に於けると同様
の円弧状の連結レジスタ■七Ｃ４により両レジスタＬＬ
Ｈ，ＲＶの端部同士を連結する様にしたものである。
平（又は垂直）転送レジスタＲ，ｌ（の端部と垂直（又
は水平）転送レジスタＲＶの中間部とを連結する様にし
た場合の例であるが、最後に、第２図（ｄ）に示す第４
の実施例は第２図（Ｃ）の第３の実施例に於けると同様
の円弧状の連結レジスタ■七Ｃ４により両レジスタＬＬ
Ｈ，ＲＶの端部同士を連結する様にしたものである。
以上に示しだ４つの実施例にあっては、連結用レジスタ
ＲＣＩ ；ＲＣ２；ＲＣａ ；ＦＬＣ４は、何れも、２
つの転送レジスタＲＨ及びＲＶの夫々に対して実質的に
鈍角を為す様にしてこれら転送レジスタＲＨ及びＲＶの
出力部及び入力部に接続されているもので、これにより
両レジスタＲＨ及びＲＶの出力部及び入力部並びに連結
従って、電荷の転送時に於ても転送効率を劣化させるこ
となく効率の良い且つ良好な電荷転送が可能となる。
ＲＣＩ ；ＲＣ２；ＲＣａ ；ＦＬＣ４は、何れも、２
つの転送レジスタＲＨ及びＲＶの夫々に対して実質的に
鈍角を為す様にしてこれら転送レジスタＲＨ及びＲＶの
出力部及び入力部に接続されているもので、これにより
両レジスタＲＨ及びＲＶの出力部及び入力部並びに連結
従って、電荷の転送時に於ても転送効率を劣化させるこ
となく効率の良い且つ良好な電荷転送が可能となる。
尚、図から理解される様に、電荷の転送方向は図中の矢
印と逆向きであっても良く、その場合にも同様の効果が
秦せられるものである。
印と逆向きであっても良く、その場合にも同様の効果が
秦せられるものである。
次に第３〜６図を参照して、例えば第２図（Ｃ）に示し
た本発明の第３の実施例をライン・アドレス型のＣＣＤ
固体撮イ象素子に適用した場合の例について説明する。
た本発明の第３の実施例をライン・アドレス型のＣＣＤ
固体撮イ象素子に適用した場合の例について説明する。
先ず、第３図に於て、ＰＳは光−電荷変換セルで、図示
の如く列及び行に沿ってマ） ＩＪクス状に配列されて
いる。尚、この時の各行の配列を夫々ＰＡ、 −ＰＡ２
ｎ とする。ＲＨ，〜ｌ（。は光−”電荷変換セルＰＳ
の各行配列の電荷を水平転送するための水平転送レジス
タで、図示の如く、光−電荷変換セルＰＳＯ行配列の２
つに対し１つの割合で、即ち、隣接する２つの光−電荷
変換セルＰＳＯ行配列に対し１つが共用される様にして
配置されている。ＯＦＤ、〜０ＦＤｎ＋１はオーバー・
フロー・ドレインで、水平転送レジスタＲＨと交互する
様に、同じく光−電荷変換セルＰＳの行配列の２つに対
し１つの割合で、即ち、２つの光−電荷変換セルＩ−”
Ｓの行配列に対し１つが共用される様にして配置され
ている。ＳＧ。
の如く列及び行に沿ってマ） ＩＪクス状に配列されて
いる。尚、この時の各行の配列を夫々ＰＡ、 −ＰＡ２
ｎ とする。ＲＨ，〜ｌ（。は光−”電荷変換セルＰＳ
の各行配列の電荷を水平転送するための水平転送レジス
タで、図示の如く、光−電荷変換セルＰＳＯ行配列の２
つに対し１つの割合で、即ち、隣接する２つの光−電荷
変換セルＰＳＯ行配列に対し１つが共用される様にして
配置されている。ＯＦＤ、〜０ＦＤｎ＋１はオーバー・
フロー・ドレインで、水平転送レジスタＲＨと交互する
様に、同じく光−電荷変換セルＰＳの行配列の２つに対
し１つの割合で、即ち、２つの光−電荷変換セルＩ−”
Ｓの行配列に対し１つが共用される様にして配置され
ている。ＳＧ。
〜５Ｇ２ｎは各光−電荷変換セルＰＳＯ行配列と水平転
送レジスタＲＨｉとの間に配置されたシフト・ゲー）、
ＯＧ、〜０Ｇ２ｎは各光−電荷変換セ＃ Ｐ ８ （７
）行配列トオーバー・フロー・ドレインＯＦＤ ｉとの
間に配置されたオーバー・フロー・ドレイン・ゲートで
ある。几Ｖは水平転送レジスタ几Ｈｉにより水平転送さ
れて来る電荷を垂直転送するだめの垂直転送レジスタで
、各水平転送レジスタＲＨ１〜几Ｈｎの電荷出力部と、
これに対する垂直転送レジスタＲｖの電荷入力部は、第
２図（Ｃ）で説明した様な円弧状の連結レジスタ几Ｃ３
，〜几Ｃ３ｏによシ連結されている。ＯＰは垂直転送レ
ジスタＫＶにより垂直転送されて来る電荷を電圧に変換
して出力する出力アンプである。
送レジスタＲＨｉとの間に配置されたシフト・ゲー）、
ＯＧ、〜０Ｇ２ｎは各光−電荷変換セ＃ Ｐ ８ （７
）行配列トオーバー・フロー・ドレインＯＦＤ ｉとの
間に配置されたオーバー・フロー・ドレイン・ゲートで
ある。几Ｖは水平転送レジスタ几Ｈｉにより水平転送さ
れて来る電荷を垂直転送するだめの垂直転送レジスタで
、各水平転送レジスタＲＨ１〜几Ｈｎの電荷出力部と、
これに対する垂直転送レジスタＲｖの電荷入力部は、第
２図（Ｃ）で説明した様な円弧状の連結レジスタ几Ｃ３
，〜几Ｃ３ｏによシ連結されている。ＯＰは垂直転送レ
ジスタＫＶにより垂直転送されて来る電荷を電圧に変換
して出力する出力アンプである。
第４図は、駆動方式として特に単相駆動方式を採用した
場合の上記撮像素子の、第３図中、Ａで示す部分を拡大
して示すものである。
場合の上記撮像素子の、第３図中、Ａで示す部分を拡大
して示すものである。
図に於て、ＶＢはグアーチャル・バリア、ＶＷはヴアー
チャル・ウェル、ＣＢはクロックド・バリア、ＣＷＵク
ロックド拳ウェルで、シリコン基板に対するイオン打込
み等の手段により、ポテンシャル的に、第５図に示す如
く、常に、Ｐ （ＶＢ ）〉Ｐ （ＶＷ）、Ｐ（ＣＢ）
）Ｐ（Ｃｗ）ｏＰＪ係に在り、且つ、クロックド・バリ
アＣＢ及びクロックド・ウニ／Ｉ／ＣＷについては、そ
れらの上に形成された共通のポリシリコン電極に対する
印加電圧に応じて、例えば−１５ボルトの電圧が印加さ
れた場合にはポテンシャルの関係はＰ（ＣＢ））Ｐ（Ｃ
Ｗ））Ｐ（ＶＢ））Ｐ（ＶＷ）となり、又、零ポルトの
電圧が印加された場合にはＰ（ＶＢ）＞Ｐ（ＶＷ）＞Ｐ
（ＣＢ）＞Ｐ（ＣＷ） となる様に形成されている。
チャル・ウェル、ＣＢはクロックド・バリア、ＣＷＵク
ロックド拳ウェルで、シリコン基板に対するイオン打込
み等の手段により、ポテンシャル的に、第５図に示す如
く、常に、Ｐ （ＶＢ ）〉Ｐ （ＶＷ）、Ｐ（ＣＢ）
）Ｐ（Ｃｗ）ｏＰＪ係に在り、且つ、クロックド・バリ
アＣＢ及びクロックド・ウニ／Ｉ／ＣＷについては、そ
れらの上に形成された共通のポリシリコン電極に対する
印加電圧に応じて、例えば−１５ボルトの電圧が印加さ
れた場合にはポテンシャルの関係はＰ（ＣＢ））Ｐ（Ｃ
Ｗ））Ｐ（ＶＢ））Ｐ（ＶＷ）となり、又、零ポルトの
電圧が印加された場合にはＰ（ＶＢ）＞Ｐ（ＶＷ）＞Ｐ
（ＣＢ）＞Ｐ（ＣＷ） となる様に形成されている。
ここで、水平、垂直及び連結レジスタＲ，Ｈｉ。
ＲＶ及び几Ｃ３ｉに於ける各１つの転送セルはＣＢ−Ｃ
Ｗ−ＶＢ−ＶＷの１組を以って構成されており、又、シ
フト・ゲー） ＳＧ１及びオーバー・フロー・ドレイン
・ゲートＯＧｉはＣＢ及びＣＷを以って構成されておシ
、更に光−電荷変換セルＰＳはＶＢを以って構成されて
いる。尚、電荷変換セルＰＳを除く全ての部分は遮光層
によって遮光されているものである。
Ｗ−ＶＢ−ＶＷの１組を以って構成されており、又、シ
フト・ゲー） ＳＧ１及びオーバー・フロー・ドレイン
・ゲートＯＧｉはＣＢ及びＣＷを以って構成されておシ
、更に光−電荷変換セルＰＳはＶＢを以って構成されて
いる。尚、電荷変換セルＰＳを除く全ての部分は遮光層
によって遮光されているものである。
Ｃ３ｌｄチヤンネル・ストップである。ＢＥは各レジス
タＲＩ（、ＲＶ及びＲＣ３の個々の転送セルに対する電
極で、これには単相の転送パルスφＴが共通的に印加さ
れる。ＳＥｌはシフト・ゲ−トＳＧｉの電極で、これに
はシフト・パルス≠８１が印加される。０ｆｆｉはオー
バー・フロー・ドレイン・ゲートＯＧｌの電極で、これ
にはリセット・パルスφＲ１が印加される。
タＲＩ（、ＲＶ及びＲＣ３の個々の転送セルに対する電
極で、これには単相の転送パルスφＴが共通的に印加さ
れる。ＳＥｌはシフト・ゲ−トＳＧｉの電極で、これに
はシフト・パルス≠８１が印加される。０ｆｆｉはオー
バー・フロー・ドレイン・ゲートＯＧｌの電極で、これ
にはリセット・パルスφＲ１が印加される。
さて、以上の構成に於て、今、転送レジスタＲＨ、Ｉｔ
Ｃ３、ＲＶに対しその電極ＲＥを通じて転送パルスφ
Ｔを附与している状態で、該転送パルスφＴと同期した
適宜のタイミングでシフト・ゲー）ＳＧ、に対しその電
極ＳＥ、を通じてシフト・パルスφ８１を附与すると、
これにより第１番目の光−電荷変換セルＰＳＯ行配列Ｆ
Ａ、の電荷がシフト・ゲートＳＧ１を通じて水平転送レ
ジスタＲＨ，に取り込まれ、そして、該水平転送レジス
タＲＨ，及び連結レジスタＲＣ３，を通じて垂直転送レ
ジスタ几Ｖに入力された後、該垂直転送レジスタ１１．
Ｖを通じて垂直転送されて最終的に出力アンプＯＰに
よシミ圧に変換されて出力される。次にシフト・ゲート
Ｓ０３に対しその電極ＳＥ、を通じてシフト・パルスφ
８３を附与すると、これにより第３番目の光−電荷変換
セルＰＳＯ行配列ＰＡ、の電荷がシフト・ゲー）ＳＧ、
、を通じて水平転送レジスタＲＨ２に取シ込まれ、そし
て、該水平転送レジスタｆｔＨ２及び連結レジスタＲＣ
３，を通じて垂直転送レジスタＲＶに入力された後、同
様に垂直転送されて出力アンプＯＰにより電圧に変換さ
れて出力される。以下、同様に奇数番目のシフト・ゲー
トｓＧ、・ＳＧ、、・山・・。
Ｃ３、ＲＶに対しその電極ＲＥを通じて転送パルスφ
Ｔを附与している状態で、該転送パルスφＴと同期した
適宜のタイミングでシフト・ゲー）ＳＧ、に対しその電
極ＳＥ、を通じてシフト・パルスφ８１を附与すると、
これにより第１番目の光−電荷変換セルＰＳＯ行配列Ｆ
Ａ、の電荷がシフト・ゲートＳＧ１を通じて水平転送レ
ジスタＲＨ，に取り込まれ、そして、該水平転送レジス
タＲＨ，及び連結レジスタＲＣ３，を通じて垂直転送レ
ジスタ几Ｖに入力された後、該垂直転送レジスタ１１．
Ｖを通じて垂直転送されて最終的に出力アンプＯＰに
よシミ圧に変換されて出力される。次にシフト・ゲート
Ｓ０３に対しその電極ＳＥ、を通じてシフト・パルスφ
８３を附与すると、これにより第３番目の光−電荷変換
セルＰＳＯ行配列ＰＡ、の電荷がシフト・ゲー）ＳＧ、
、を通じて水平転送レジスタＲＨ２に取シ込まれ、そし
て、該水平転送レジスタｆｔＨ２及び連結レジスタＲＣ
３，を通じて垂直転送レジスタＲＶに入力された後、同
様に垂直転送されて出力アンプＯＰにより電圧に変換さ
れて出力される。以下、同様に奇数番目のシフト・ゲー
トｓＧ、・ＳＧ、、・山・・。
５Ｇ２ｎ−１を順番に駆動することにより光−電荷変換
セルＰＳの奇数行の配列ＰＡ、、ＰＡ、、・・・・・・
。
セルＰＳの奇数行の配列ＰＡ、、ＰＡ、、・・・・・・
。
ＰＡ２ｎ−、の電荷を順次読み出すことが出来、斯くし
て、テレビジョンの奇数フィールドの信号を得ることが
出来る。
て、テレビジョンの奇数フィールドの信号を得ることが
出来る。
奇数行の配列ＰＡ、、ＰＡ□・・・甲、 ＰＡ２４１−
１の読み出しを終了した後、引き続き、同様の操作で偶
数行の配列ｆ’Ａ２．ＰＡ４．・・・・・・、ＰＡ２ｎ
の電荷を読み出すことにより偶数フィールドの信号を得
ることが出来る。
１の読み出しを終了した後、引き続き、同様の操作で偶
数行の配列ｆ’Ａ２．ＰＡ４．・・・・・・、ＰＡ２ｎ
の電荷を読み出すことにより偶数フィールドの信号を得
ることが出来る。
ここで、光−電荷変換セルＰＳの各行の配列ＰＡ、〜Ｐ
Ａ２ｎ の始端（左端）から垂直転送レジスタｌ（、Ｖ
の終端までの間には各行配列ＰＡ、〜ＰＡ２ｎ毎に夫々
異なった転送路長があるため、上記の読み出しに際して
は、例えば、行配列ＰＡｉの最後の電荷が連結レジスタ
ｋＬｃ３； と垂直転送レジスタ几■との合流点に達し
た時点で、この合流点から水平ブランキング期間公達れ
た垂直転送セルに次の行配列ＰＡｉ＋２の最初の電荷が
位置している様に各行配列ＰＡ、−ＰＡ２ｎで読み出し
の開始のタイミングを少しずつ進める様にする必要があ
る。そして、この様に操作することによシ各ライン信号
が所定の水平ブランキング期間をおいて時間的に連続し
て得られる様になる。
Ａ２ｎ の始端（左端）から垂直転送レジスタｌ（、Ｖ
の終端までの間には各行配列ＰＡ、〜ＰＡ２ｎ毎に夫々
異なった転送路長があるため、上記の読み出しに際して
は、例えば、行配列ＰＡｉの最後の電荷が連結レジスタ
ｋＬｃ３； と垂直転送レジスタ几■との合流点に達し
た時点で、この合流点から水平ブランキング期間公達れ
た垂直転送セルに次の行配列ＰＡｉ＋２の最初の電荷が
位置している様に各行配列ＰＡ、−ＰＡ２ｎで読み出し
の開始のタイミングを少しずつ進める様にする必要があ
る。そして、この様に操作することによシ各ライン信号
が所定の水平ブランキング期間をおいて時間的に連続し
て得られる様になる。
尚、ここに示す撮像素子によりＮＴＳＣ方式に準拠した
レート（６０フィールド／秒）で信号を得る場合、各光
−電荷変換セルＰＳの受光時間、即ち、電荷蓄積時間は
ｌ／３０秒となって、感度アップが図られる。一方、こ
の撮像素子をステイル・ビデオに於けるフレーム撮像に
用いる場合にはシャッタ等を用いて必要な蓄積時間の経
ｉと共に光−電荷変換セルＰＳを遮光して、この遮光状
態で上述の様に２フィールド読み出しを行う様にすれば
良い。
レート（６０フィールド／秒）で信号を得る場合、各光
−電荷変換セルＰＳの受光時間、即ち、電荷蓄積時間は
ｌ／３０秒となって、感度アップが図られる。一方、こ
の撮像素子をステイル・ビデオに於けるフレーム撮像に
用いる場合にはシャッタ等を用いて必要な蓄積時間の経
ｉと共に光−電荷変換セルＰＳを遮光して、この遮光状
態で上述の様に２フィールド読み出しを行う様にすれば
良い。
因みに、電荷蓄積中に何れかの光−電荷変換セルＰＳに
於て電荷のオーバー・フローを生じた場合にはその行配
列ＰＡｉに付属するオーバー・フロー・ドレイン・ゲー
トＯＧｉを通じて電荷のオーバー・フロー分がオーバー
・フロー・ドレインＯＦＤ ｉに流れ込んでクリアされ
るものであるが、一方、このオーバー・フロー・ドレイ
ン・ゲイトＯＧｉを適宜制御することによシ上述の電荷
蓄積時間の調整が可能となる。即ち、具体的には、各行
配列ＰＡｉの読み出しに対して所定時間先行してこれに
付属するオーバー・フロー・ドレイン・ゲートＯＧｉに
その電極ＯＥｉを通じてリセット婆パルスφｕｉを附与
すると、これによシ行配列ＰＡｉのそれまでの蓄積電荷
が該ゲ） ＯＧｉ ヲ通シてオーバー・フロー−ドレイ
ン０ＦＤｉに流れ込んでクリアされ、そして、その後、
シフト・ゲートＳＧｉにシフト・パルスφｉが附与され
るまでの間に蓄積された電荷が信号電荷として取り出さ
れる様になるものであるから、リセット・パルスφ８１
を附与して後、シフト・パルスφｓｉを附与するまでの
時間間隔を適宜調整することにより蓄積時間の調整が可
能になる訳である。
於て電荷のオーバー・フローを生じた場合にはその行配
列ＰＡｉに付属するオーバー・フロー・ドレイン・ゲー
トＯＧｉを通じて電荷のオーバー・フロー分がオーバー
・フロー・ドレインＯＦＤ ｉに流れ込んでクリアされ
るものであるが、一方、このオーバー・フロー・ドレイ
ン・ゲイトＯＧｉを適宜制御することによシ上述の電荷
蓄積時間の調整が可能となる。即ち、具体的には、各行
配列ＰＡｉの読み出しに対して所定時間先行してこれに
付属するオーバー・フロー・ドレイン・ゲートＯＧｉに
その電極ＯＥｉを通じてリセット婆パルスφｕｉを附与
すると、これによシ行配列ＰＡｉのそれまでの蓄積電荷
が該ゲ） ＯＧｉ ヲ通シてオーバー・フロー−ドレイ
ン０ＦＤｉに流れ込んでクリアされ、そして、その後、
シフト・ゲートＳＧｉにシフト・パルスφｉが附与され
るまでの間に蓄積された電荷が信号電荷として取り出さ
れる様になるものであるから、リセット・パルスφ８１
を附与して後、シフト・パルスφｓｉを附与するまでの
時間間隔を適宜調整することにより蓄積時間の調整が可
能になる訳である。
以上に説明した各タイミング・パルスφＳＩ＋φＲｉ及
びこれによる出力信号の一例の概略を第６図に示す。
びこれによる出力信号の一例の概略を第６図に示す。
さて、以上、第３〜６図で説明した固体撮像素子にあっ
ては、水平転送レジスタＲＨｉと垂直転送レジスタＦＬ
ｖとの間に連結レジスタＲＣ３１を設けたことによシ転
送動車を良好に維持しつつ電荷の高速転送が可能となる
ものである。即ち、一般にライン・アドレス型の撮＠素
子に於ては各ラインの信号をテレビジョンの水平走査ｖ
−） （ＮＴＳＣ方式では１５．．７５ Ｉ（Ｈｚ
）で走査しなければならず、例えば、水平方向の画素数
を７８０程度とするとＮＴＳＣ方式の場合には１４ＭＨ
ｚ程度と云う様に非常に高速で１ラインを走査しなけれ
ばならない訳であるが、その場合で送効出を良好に維持
し得るものである。又、上述の様に各光−電荷変換セル
ＰＳの行配列の間に２本のシフト・ゲー）ＳＧ及び水平
転送レジスタ１１． Ｈ或いはオーバー・フロー・トレ
インＯＦＤを配して、それらの垂直方向の幅を適宜選ぶ
ことにより各隣接する光−電荷変換セルＰＳＯ行配列に
ついて上下構造が互いに異なっているにも拘らず光−電
荷変換セルＰＳの垂直方向のピッチを一定にすることが
出来、これによシ垂直次に第７〜９図を参照して、第２
図（Ｃ）に示した本発明の第３の実施例を採用して成る
ライン・アドレス型のＣＣＤ固体撮像素子の他の例につ
いて説明する。尚、第７〜９図中、第３〜６図に於ける
と同一符号のものは同じ構成のものを示す。
ては、水平転送レジスタＲＨｉと垂直転送レジスタＦＬ
ｖとの間に連結レジスタＲＣ３１を設けたことによシ転
送動車を良好に維持しつつ電荷の高速転送が可能となる
ものである。即ち、一般にライン・アドレス型の撮＠素
子に於ては各ラインの信号をテレビジョンの水平走査ｖ
−） （ＮＴＳＣ方式では１５．．７５ Ｉ（Ｈｚ
）で走査しなければならず、例えば、水平方向の画素数
を７８０程度とするとＮＴＳＣ方式の場合には１４ＭＨ
ｚ程度と云う様に非常に高速で１ラインを走査しなけれ
ばならない訳であるが、その場合で送効出を良好に維持
し得るものである。又、上述の様に各光−電荷変換セル
ＰＳの行配列の間に２本のシフト・ゲー）ＳＧ及び水平
転送レジスタ１１． Ｈ或いはオーバー・フロー・トレ
インＯＦＤを配して、それらの垂直方向の幅を適宜選ぶ
ことにより各隣接する光−電荷変換セルＰＳＯ行配列に
ついて上下構造が互いに異なっているにも拘らず光−電
荷変換セルＰＳの垂直方向のピッチを一定にすることが
出来、これによシ垂直次に第７〜９図を参照して、第２
図（Ｃ）に示した本発明の第３の実施例を採用して成る
ライン・アドレス型のＣＣＤ固体撮像素子の他の例につ
いて説明する。尚、第７〜９図中、第３〜６図に於ける
と同一符号のものは同じ構成のものを示す。
ここに示す撮像素子にあっては、第７図に示す様に光−
電荷変換セルＰ、Ｓの行配列ＰＡ、〜ＰＡｎと水平転送
レジスタＲＨ，−ＲＨｎとがシフト・ゲ−） ＳＧ、〜
８Ｇ２ｎ−１を介し交互に配置されているものである。
電荷変換セルＰ、Ｓの行配列ＰＡ、〜ＰＡｎと水平転送
レジスタＲＨ，−ＲＨｎとがシフト・ゲ−） ＳＧ、〜
８Ｇ２ｎ−１を介し交互に配置されているものである。
第８図に示す様に、単相駆動方式とした場合、各レジス
タＲＨｉ、几Ｃ３ｉ及びＲ，■の各１つの転送セルは前
述の例の場合と同様、ＣＢ−ＣＷ−ＶＢ−ＶＷの１組を
以って構成されており、又、シフト・ゲー） ＳＧｉは
ＣＢ及びＣＷを以って構成されている。
タＲＨｉ、几Ｃ３ｉ及びＲ，■の各１つの転送セルは前
述の例の場合と同様、ＣＢ−ＣＷ−ＶＢ−ＶＷの１組を
以って構成されており、又、シフト・ゲー） ＳＧｉは
ＣＢ及びＣＷを以って構成されている。
ここに示す例にあっては、前述の例とは異なり、シフト
・ゲートＳＧｉ 、連結レジスタＲＣ３ｉ、垂直転送レ
ジスタＲＶ及び出力アンプＯＰが遮光されていて、水平
転送レジスタＲＨｉは光−電荷変換セルＰＳと同じ様に
遮光されておらず、光−電荷変換セルの機能をも有する
様に為されている。又、そのために、レジスタＲＣ３ｉ
及びＲｖの各転送セルの電極ＢＥは共通接続されている
が、水平転送レジスタＩ−ＬＨｉの各転送セルの電極几
ＨＥｉについては各水平転送レジスタＲＨｉ毎に共通接
続されていて、夫々、水平転送パルスφｒｎｉが附与さ
れる様に為されている。
・ゲートＳＧｉ 、連結レジスタＲＣ３ｉ、垂直転送レ
ジスタＲＶ及び出力アンプＯＰが遮光されていて、水平
転送レジスタＲＨｉは光−電荷変換セルＰＳと同じ様に
遮光されておらず、光−電荷変換セルの機能をも有する
様に為されている。又、そのために、レジスタＲＣ３ｉ
及びＲｖの各転送セルの電極ＢＥは共通接続されている
が、水平転送レジスタＩ−ＬＨｉの各転送セルの電極几
ＨＥｉについては各水平転送レジスタＲＨｉ毎に共通接
続されていて、夫々、水平転送パルスφｒｎｉが附与さ
れる様に為されている。
以上の外は前述の例の場合と同様の構成である０
さて、以上の構成に於て、例えばステイル・ビデオに於
けるフレーム撮像を行うには、所定の蓄積時間の経過と
共にシャッタ等の手段によシ光−電荷変換セルＰＳ及び
水平転送レジスタＲＨｉを遮光し、そして、連結レジス
タＲＣ３ｉ及び垂直転送レジスタ几■にその共通電極Ｂ
Ｅを通じて転送パルスφＴを附与している状態で、第１
番目の水平転送レジスタＲＨ，にその電極ＲＨＢ。
けるフレーム撮像を行うには、所定の蓄積時間の経過と
共にシャッタ等の手段によシ光−電荷変換セルＰＳ及び
水平転送レジスタＲＨｉを遮光し、そして、連結レジス
タＲＣ３ｉ及び垂直転送レジスタ几■にその共通電極Ｂ
Ｅを通じて転送パルスφＴを附与している状態で、第１
番目の水平転送レジスタＲＨ，にその電極ＲＨＢ。
に水平転送パルスφＴＲＩを附与すると、これにより該
水平転送レジスタＲＨ１の各転送セルのＶＷの領域にそ
れまでに光励起により発生し蓄積されていた電荷が該水
平転送レジスタ几Ｈ１により水平転送されて連結レジス
タＲＣ３＋ を通じて垂直転送レジスタＲＶに入力され
、該垂直転送レジスタＲＶにより垂直転送されて出力ア
ンプＯＰにより電圧に変換されて出力される。次いで、
同様に第２番目の水平転送レジスタＲＨ２を水平転送パ
ルスφＴＨ２により駆動すると該水平転送レジスタＲＨ
２の電荷が読み出される。以下、同様に、水平転送レジ
スタＲＨ，、几Ｈ４，・・・・・・、 ＲＨｎを順次駆
動することにより各水平転送レジスタＲＨ，〜ｆ（Ｈｎ
の電荷が読み出され、斯くしてテレビジョンの奇数フィ
ールドの信号が得られる。
水平転送レジスタＲＨ１の各転送セルのＶＷの領域にそ
れまでに光励起により発生し蓄積されていた電荷が該水
平転送レジスタ几Ｈ１により水平転送されて連結レジス
タＲＣ３＋ を通じて垂直転送レジスタＲＶに入力され
、該垂直転送レジスタＲＶにより垂直転送されて出力ア
ンプＯＰにより電圧に変換されて出力される。次いで、
同様に第２番目の水平転送レジスタＲＨ２を水平転送パ
ルスφＴＨ２により駆動すると該水平転送レジスタＲＨ
２の電荷が読み出される。以下、同様に、水平転送レジ
スタＲＨ，、几Ｈ４，・・・・・・、 ＲＨｎを順次駆
動することにより各水平転送レジスタＲＨ，〜ｆ（Ｈｎ
の電荷が読み出され、斯くしてテレビジョンの奇数フィ
ールドの信号が得られる。
この様にして水平転送レジスタＲＨ，〜ＲＨｎの電荷、
即ち、奇数フィールドの信号の読み出しを終了した後、
次にシフト・ゲートＳＧＩにその電極ＳＥ、を通じてシ
フト・パルスφｓ１を附与すると、第１番目の光−電荷
変換セルＰＳＯ行配列ＰＡ、の電荷が水平転送レジスタ
ＲＨ，に取り込まれ、次いで、この水平転送レジスタ几
Ｈ，を水平転送パルスφＴＨＩにて駆動することにより
“述と同様にして第１番目の行配列ＰＡ、の電荷の藺み
出しが行われる。次にシフト・ゲートＳＧ３にその電極
ＳＥ、を通じてシフト・）くルスφＳ３を附与すると第
２の行配列ＰＡ２の電荷が第２の水平転送レジスタＲＨ
２に取り込まれ、その後、この水平転送レジスタＲＨ２
を水平転送ノくルスφＴＨ２ニて１駆動することにより
この第２番目の行配列ＰＡ２の電荷が読み出される。以
下、同様にシフト・ゲートｓＧ、 、 ｓＧ７．−、−
、５ｏ２ｎ−、を介して行配列ＰＡ、 、 ＰＡ、 、
・・・・・、 ＰＡｎ の電荷を水平転送レジスタ）Ｌ
Ｈ，、Ｒ）Ｉ４．・・・・・・、ＲＨｎ に順次取り込
み、且つ、これら水平転送レジスタＲ１（、、ｆＬｆ（
４゜・・・・・・、几Ｈｎ を駆動することによ、！７
谷行配列ＰＡ。
即ち、奇数フィールドの信号の読み出しを終了した後、
次にシフト・ゲートＳＧＩにその電極ＳＥ、を通じてシ
フト・パルスφｓ１を附与すると、第１番目の光−電荷
変換セルＰＳＯ行配列ＰＡ、の電荷が水平転送レジスタ
ＲＨ，に取り込まれ、次いで、この水平転送レジスタ几
Ｈ，を水平転送パルスφＴＨＩにて駆動することにより
“述と同様にして第１番目の行配列ＰＡ、の電荷の藺み
出しが行われる。次にシフト・ゲートＳＧ３にその電極
ＳＥ、を通じてシフト・）くルスφＳ３を附与すると第
２の行配列ＰＡ２の電荷が第２の水平転送レジスタＲＨ
２に取り込まれ、その後、この水平転送レジスタＲＨ２
を水平転送ノくルスφＴＨ２ニて１駆動することにより
この第２番目の行配列ＰＡ２の電荷が読み出される。以
下、同様にシフト・ゲートｓＧ、 、 ｓＧ７．−、−
、５ｏ２ｎ−、を介して行配列ＰＡ、 、 ＰＡ、 、
・・・・・、 ＰＡｎ の電荷を水平転送レジスタ）Ｌ
Ｈ，、Ｒ）Ｉ４．・・・・・・、ＲＨｎ に順次取り込
み、且つ、これら水平転送レジスタＲ１（、、ｆＬｆ（
４゜・・・・・・、几Ｈｎ を駆動することによ、！７
谷行配列ＰＡ。
〜ＰＡｎの電荷が読み出され、斯くして偶数フィールド
の信号が得られる様になる。
の信号が得られる様になる。
次に、通常のムービー・ビデオに於けるインターレース
撮像に際しては、先ず、第１番目の水平転送レジスタＲ
Ｈ，に水平転送〕（ルスφＴＨＩを附与してその蓄積電
荷を読み出すことにより奇数フィールドの第１ラインの
信号を得、次いでシフト・ゲートＳＧ２にシフト・パル
スφｓ２を附与することにより第１番目の行配列ＰＡ、
の電荷を第２番目の水平転送レジスタ几Ｈ２に取り込ん
で該水平転送レジスタＲＨ２に於てその蓄積電荷に加算
すると共に、該水平転送レジスタＲＪ（２を水平転送パ
ルスφＴ１［２にて駆動することにより奇数フィールド
の第２ラインの信号を得、次に、シフト・ゲートＳＧ、
にシフト・パルスφｓ４ヲ附与することによシ第２番目
の行配列ＰＡ２の電荷を第３＠目の水平転送レジスタｌ
ｔＨ，に取り込んで同様に電荷加算を行うと共に、該水
平伝送レジスタＲＨ，を駆動して第３ラインの信号を得
、以下、同様に、シフト・ゲー） ＳＧ６．ＳＧ、、・
・・・・・、５Ｇ２ｎ−２を介して行配列ＰＡ、、、Ｐ
Ａ４．・・・・・・。
撮像に際しては、先ず、第１番目の水平転送レジスタＲ
Ｈ，に水平転送〕（ルスφＴＨＩを附与してその蓄積電
荷を読み出すことにより奇数フィールドの第１ラインの
信号を得、次いでシフト・ゲートＳＧ２にシフト・パル
スφｓ２を附与することにより第１番目の行配列ＰＡ、
の電荷を第２番目の水平転送レジスタ几Ｈ２に取り込ん
で該水平転送レジスタＲＨ２に於てその蓄積電荷に加算
すると共に、該水平転送レジスタＲＪ（２を水平転送パ
ルスφＴ１［２にて駆動することにより奇数フィールド
の第２ラインの信号を得、次に、シフト・ゲートＳＧ、
にシフト・パルスφｓ４ヲ附与することによシ第２番目
の行配列ＰＡ２の電荷を第３＠目の水平転送レジスタｌ
ｔＨ，に取り込んで同様に電荷加算を行うと共に、該水
平伝送レジスタＲＨ，を駆動して第３ラインの信号を得
、以下、同様に、シフト・ゲー） ＳＧ６．ＳＧ、、・
・・・・・、５Ｇ２ｎ−２を介して行配列ＰＡ、、、Ｐ
Ａ４．・・・・・・。
ＰＡｎ−１の電荷を順に水平転送レジスタ几Ｈ４＋ＲＩ
−１３，・・・・・・、 ＲＨ９に取り込んで電荷加算
を行うと共に、これら水平転送レジスタｌ（、Ｈ，〜■
ＬＨｎを順に駆動することにより奇数フィールドの信号
を得ることが出来る。
−１３，・・・・・・、 ＲＨ９に取り込んで電荷加算
を行うと共に、これら水平転送レジスタｌ（、Ｈ，〜■
ＬＨｎを順に駆動することにより奇数フィールドの信号
を得ることが出来る。
この様にして行配列ＰＡｉと水平転送レジスタ１１Ｊ（
ｉ ＋ 、との電荷加算及びその読み出しによ如奇数フ
ィールドの信号を得た後、今贋は、シフト・ゲートＳＧ
、にその電極ＳＢ、を介してシフト・パルスφＩ１１を
附与することにより第１番目の行配列ＰＡ、の電荷を第
１番目の水平転送レジスタ１（、Ｈ，に取り込んで両者
の電荷加算を行うと共に、該水平転送レジスタａＨＩ’
ｚ水平転送パルスφＴＲＩにて駆動することによシミ荷
を読み出して偶数フィールドの第１ラインの信号を得、
以下、同様に、シフト・ゲートＳＧ、 、 ８０Ｓ、
、、、、、、、 ５Ｇｚｎ−。
ｉ ＋ 、との電荷加算及びその読み出しによ如奇数フ
ィールドの信号を得た後、今贋は、シフト・ゲートＳＧ
、にその電極ＳＢ、を介してシフト・パルスφＩ１１を
附与することにより第１番目の行配列ＰＡ、の電荷を第
１番目の水平転送レジスタ１（、Ｈ，に取り込んで両者
の電荷加算を行うと共に、該水平転送レジスタａＨＩ’
ｚ水平転送パルスφＴＲＩにて駆動することによシミ荷
を読み出して偶数フィールドの第１ラインの信号を得、
以下、同様に、シフト・ゲートＳＧ、 、 ８０Ｓ、
、、、、、、、 ５Ｇｚｎ−。
を介して行配列ＰＡ２． ＰＡ、 、・・・・・・、
ＰＡｎ の電荷を水平転送レジスタＩもＨ２，几Ｈ１，
・・・・・・、 ｉ（、ｌ−１ｎに順に取り込んで各水
平転送レジスタ几Ｈ７〜ｌもＨｎを順に駆動することに
よシ偶数フィールドの信号を得ることが出来る。
ＰＡｎ の電荷を水平転送レジスタＩもＨ２，几Ｈ１，
・・・・・・、 ｉ（、ｌ−１ｎに順に取り込んで各水
平転送レジスタ几Ｈ７〜ｌもＨｎを順に駆動することに
よシ偶数フィールドの信号を得ることが出来る。
以上のステイル・ビデオに於けるフレーム撮像時の各タ
イミング・パルスφｓＩ＋φＴｕｉ 及びこれにより得
られる出力信号の一例の概略を第９図（ａ）に、又、ム
ービー・ビデオに於けるインターレース撮像時の各タイ
ミング・パルスφｓｉ＋φｔｕｉ及びこれにより得られ
る出力信号の一例の概略を第９図（ｂ）に示す。
イミング・パルスφｓＩ＋φＴｕｉ 及びこれにより得
られる出力信号の一例の概略を第９図（ａ）に、又、ム
ービー・ビデオに於けるインターレース撮像時の各タイ
ミング・パルスφｓｉ＋φｔｕｉ及びこれにより得られ
る出力信号の一例の概略を第９図（ｂ）に示す。
以上、第７〜９図で説明した撮像素子の例に於ても前述
第３〜６図で説明しだ撮像素子の例の場合と同様の効果
が得られる。
第３〜６図で説明しだ撮像素子の例の場合と同様の効果
が得られる。
尚、第７〜９図で説明した撮像素子の例に於けるアンチ
・プルーミングの手段としては例えば、特開昭５５−１
８０６４号公報に於て開示されの実施例を固体撮像素子
に適用した場合の例を示したが、第２図（ａ）、 （ｂ
）に示す第１．第２の実施例と同様に適用可能である。
・プルーミングの手段としては例えば、特開昭５５−１
８０６４号公報に於て開示されの実施例を固体撮像素子
に適用した場合の例を示したが、第２図（ａ）、 （ｂ
）に示す第１．第２の実施例と同様に適用可能である。
又、第３〜９図には本発明の実施例の適用例としてライ
ン・アドレス壓固体撮像金製を示したが、勿論、インタ
ー・ライン型の固体撮像素子やフレーム転送型の固体撮
像素子に於ても電荷の高速転送を必要とする場合には本
発明の実施例は十分効果的なものである。又、斯かる固
体撮像素子に限らず、信号処理或いはメモリ用に用いら
れる電荷転送デバイスにも本発明は十分適用可能である
０（効 果） 以上詳述した様に本発明によれば、電荷を所定の方向に
転送するだめの１つ又は複数の第１の電荷転送路と、該
第１の電荷転送路により転の第２の電荷転送路とを具え
た電荷転送デバイスとして、これら第１及び第２の電荷
転送路のく為し得るもので、斯種電荷転送デバイスに於
て極めて有益なものである。
ン・アドレス壓固体撮像金製を示したが、勿論、インタ
ー・ライン型の固体撮像素子やフレーム転送型の固体撮
像素子に於ても電荷の高速転送を必要とする場合には本
発明の実施例は十分効果的なものである。又、斯かる固
体撮像素子に限らず、信号処理或いはメモリ用に用いら
れる電荷転送デバイスにも本発明は十分適用可能である
０（効 果） 以上詳述した様に本発明によれば、電荷を所定の方向に
転送するだめの１つ又は複数の第１の電荷転送路と、該
第１の電荷転送路により転の第２の電荷転送路とを具え
た電荷転送デバイスとして、これら第１及び第２の電荷
転送路のく為し得るもので、斯種電荷転送デバイスに於
て極めて有益なものである。
第１図ｔよ従来の電荷転送デバイスの、特に本発明に関
係する要部の構成を示す模式図、第２図（ａ）、 （ｂ
）、 （Ｃ）及び（ｄ）は本発明に係る電荷転送デバイ
スの４つの実施例の、特に本発明に関係する要部の構成
を示す模式図、 第３図は第２図（Ｃ）に示した第３の実施例をライン・
アドレス型ＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合の一例の
該素子の構成を示す模式図、第４図は単相駆動方式とし
た場合の、第３図中、Ａで示す部分の拡大詳細図、 第５図は第４図中の１つの電荷転送セルのポテンシャル
構造を説明するだめの模式図、第６図は第３図示撮像素
子の駆動時のタイミーング・チャート、 第７図は第２図（Ｃ）に示した第３の実施例をライン・
・アドレス型ＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合の他の
例の該素子の構成を示す模式図、第８図は単相駆動方式
とした場合の、第７図中、Ｂで示す部分の拡大詳細図、 第９図（ａ）及び（ｂ）は第７図示撮像素子のステイル
・ビデオに於けるフレーム撮像時及びムービー・ビデオ
に於けるインターレース撮像時のりイミング・チャート
である。 ＲＩ−ｆ ： ＦＬＩ（、−ＩＬＩ（ｎ、、、第１の電
荷転送路、ＲＶ・・・第２の電荷転送路、几Ｃ１；ＲＣ
２１Ｃ３；ＲＣ４；Ｉ（、Ｃ，〜ＲＣ３ｎ ・・第３の
電荷転送路、ＰＳ・・・光−重荷変換セル、ＳＧ・・・
シフト・ゲート、ＯＧ・・・オーバー・フロー・ドレイ
ン・ケー）、ＯＦＤ・・・オーバー・フロー・ドレイン
、ＯＰ・・・出力アンプ。
係する要部の構成を示す模式図、第２図（ａ）、 （ｂ
）、 （Ｃ）及び（ｄ）は本発明に係る電荷転送デバイ
スの４つの実施例の、特に本発明に関係する要部の構成
を示す模式図、 第３図は第２図（Ｃ）に示した第３の実施例をライン・
アドレス型ＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合の一例の
該素子の構成を示す模式図、第４図は単相駆動方式とし
た場合の、第３図中、Ａで示す部分の拡大詳細図、 第５図は第４図中の１つの電荷転送セルのポテンシャル
構造を説明するだめの模式図、第６図は第３図示撮像素
子の駆動時のタイミーング・チャート、 第７図は第２図（Ｃ）に示した第３の実施例をライン・
・アドレス型ＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合の他の
例の該素子の構成を示す模式図、第８図は単相駆動方式
とした場合の、第７図中、Ｂで示す部分の拡大詳細図、 第９図（ａ）及び（ｂ）は第７図示撮像素子のステイル
・ビデオに於けるフレーム撮像時及びムービー・ビデオ
に於けるインターレース撮像時のりイミング・チャート
である。 ＲＩ−ｆ ： ＦＬＩ（、−ＩＬＩ（ｎ、、、第１の電
荷転送路、ＲＶ・・・第２の電荷転送路、几Ｃ１；ＲＣ
２１Ｃ３；ＲＣ４；Ｉ（、Ｃ，〜ＲＣ３ｎ ・・第３の
電荷転送路、ＰＳ・・・光−重荷変換セル、ＳＧ・・・
シフト・ゲート、ＯＧ・・・オーバー・フロー・ドレイ
ン・ケー）、ＯＦＤ・・・オーバー・フロー・ドレイン
、ＯＰ・・・出力アンプ。
Claims (3)
- （１）電荷を所定の方向に転送するだめの第１の電荷転
送路と、該第１の電荷転送路によシ転ための第２の電荷
転送路と、該第１の電荷転送路の電荷出力部と該第２の
電荷転送路の電荷入力部とを連結するだめの第３０′亀
荷転送路であって、これら第１及び第２の電荷転送路の
夫々に対して実質的に鈍角を為す様にして該第１及び第
２の電荷転送路に接続さｈた第３の電荷転送路とを具え
たことを特徴とする電荷転送デバイス。 - （２）夫々電荷を所定の方向に転送するだめの複数の第
１の電荷転送路と、該第１の電荷転送転送路の夫々によ
る電荷の転送方向とＡ１１ＩＩ父する方向に転送するた
めの１つの第２の電荷転送路と、該複数の第１の電荷転
送路の各電荷出力部とこれに対応する該第２の電荷転送
路の複数の電荷入力部とを連結するだめの複数の第３の
電荷転送路であって、これら第１及び第２の電荷転送路
の夫々に対して実質的に鈍角を為す様にして該第１及び
第２の電荷転送路に接続された第３の電荷転送路とを具
えたことを特徴とする電荷転送デバイス。 - （３）行及び列に沿って配列された複数の光−電荷変換
素子と、該光−電荷変換素子により得られた電荷を該光
−電荷変換素子の配列の行又は列方向に転送するための
複数の第１の電荷転送路と、該第１の電荷転送路により
転送めの１つの第２の電荷転送路と、該複数の第１の電
荷転送路の各電荷出力部とこれに対応する該第２の電荷
転送路の複数の電荷入力部とを連結するための複数の第
３の電荷転送路であって、これら第１及び第２の電荷転
送路の夫々に対して実質的に鈍角を為す様にして該第１
及び第２の電荷転送路に接続された第３の電荷転送路と
を具えたことか特徴とする電荷転送デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137130A JPS6028265A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 電荷転送デバイス |
| US07/220,889 US4811068A (en) | 1983-07-27 | 1988-06-16 | Charge transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137130A JPS6028265A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 電荷転送デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028265A true JPS6028265A (ja) | 1985-02-13 |
| JPH035673B2 JPH035673B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15191517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137130A Granted JPS6028265A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 電荷転送デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4811068A (ja) |
| JP (1) | JPS6028265A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105578A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| WO2006033345A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Shimadzu Corporation | 裏面照射型撮像素子 |
| US7176972B2 (en) | 2000-03-28 | 2007-02-13 | Link Research Corporation | Fast imaging device and fast photographing device |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930005746B1 (ko) * | 1990-10-13 | 1993-06-24 | 금성일렉트론 주식회사 | 지그재그 인터라인 고체 촬상소자 |
| JP2949861B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | Ｃｃｄリニアイメージセンサ |
| JP4326050B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2009-09-02 | ハイスペック合資会社 | 高速撮像素子 |
| US6392260B1 (en) * | 1999-04-29 | 2002-05-21 | Dalsa, Inc. | Architecture for a tapped CCD array |
| JP3879987B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2007-02-14 | 日本ビクター株式会社 | 撮像装置 |
| US20050052720A1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-10 | Kenneth Tetterington | Two-dimensional laser projection system |
| US7508436B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | Method for capturing a sequence of images in close succession |
| JP2009026849A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | 電荷転送装置及び撮像装置 |
| JP5105453B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-12-26 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | 撮像素子、半導体装置、及び撮像方法、撮像装置 |
| US8773564B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-07-08 | Truesense Imaging, Inc. | Image sensor with charge multiplication |
| US8479374B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-07-09 | Truesense Imaging, Inc. | Method of producing an image sensor having multiple output channels |
| US8601674B2 (en) | 2010-12-20 | 2013-12-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Method for producing an image sensor with charge multiplication output channel and charge sensing output channel |
| US8395689B2 (en) * | 2010-12-20 | 2013-03-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with charge multiplication output channel and charge sensing output channel |
| US8643758B2 (en) | 2010-12-20 | 2014-02-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Method for processing an image captured by an image sensor having a charge multiplication output channel and a charge sensing output channel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561068A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Matsushita Electronics Corp | Charge transfer device |
| JPS5698866A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Buried channel charge coupled semiconductor device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3934261A (en) * | 1973-05-07 | 1976-01-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Two-dimensional transfer in charge transfer devices |
| US3971003A (en) * | 1974-11-18 | 1976-07-20 | Rca Corporation | Charge coupled device imager |
| US4270144A (en) * | 1976-02-12 | 1981-05-26 | Hughes Aircraft Company | Charge coupled device with high speed input and output |
| DE2912801A1 (de) * | 1979-03-30 | 1980-10-09 | Siemens Ag | Monolithisch integrierte filterschaltung |
| US4251834A (en) * | 1979-05-29 | 1981-02-17 | Texas Instruments Incorporated | Block output CCD imager |
| US4381516A (en) * | 1980-04-03 | 1983-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge-coupled device having a channel and an electrode for changing a transfer direction of charge signals |
| JPS5915370A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-26 | Canon Inc | 信号処理装置 |
| US4513313A (en) * | 1982-12-07 | 1985-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device |
| US4623620A (en) * | 1983-08-02 | 1986-11-18 | Stichting Vrienden Van De Stichting Dr. Karl Landsteiner | Enucleated granulocytes, their preparation and use |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP58137130A patent/JPS6028265A/ja active Granted
-
1988
- 1988-06-16 US US07/220,889 patent/US4811068A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561068A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Matsushita Electronics Corp | Charge transfer device |
| JPS5698866A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Buried channel charge coupled semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105578A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| US7176972B2 (en) | 2000-03-28 | 2007-02-13 | Link Research Corporation | Fast imaging device and fast photographing device |
| WO2006033345A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Shimadzu Corporation | 裏面照射型撮像素子 |
| US7518170B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-04-14 | Takeharu Etoh | Back illuminated imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035673B2 (ja) | 1991-01-28 |
| US4811068A (en) | 1989-03-07 |
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