JPS6028955A - 第二アミンの製造方法 - Google Patents
第二アミンの製造方法Info
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- JPS6028955A JPS6028955A JP58122545A JP12254583A JPS6028955A JP S6028955 A JPS6028955 A JP S6028955A JP 58122545 A JP58122545 A JP 58122545A JP 12254583 A JP12254583 A JP 12254583A JP S6028955 A JPS6028955 A JP S6028955A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はヘアリンス、v&雑用柔軟剤などとして広く用
いられている第四アンモニム塩の製造原料および医薬、
農薬、香料の合成原料および中間体などとして有用な第
二アミンを選択的に製造する方法に関する。
いられている第四アンモニム塩の製造原料および医薬、
農薬、香料の合成原料および中間体などとして有用な第
二アミンを選択的に製造する方法に関する。
更に詳しくはオキシムを特定の反応剤で還元することに
よる第二アミンの新規な製造方法に関する。
よる第二アミンの新規な製造方法に関する。
第二アミンは種々の物質の製造原料に使用されている。
例えば、ヘキサメチレンイミンはモリネート除草剤など
の除草剤製造原料として有用であり、また種々の第二ア
ミンが香It 、医紫の有用な原料であるゲラニオール
やネロールの合成原石としておよび香料の有用な原料で
あるゲラニルアミンの製造原料としても有用である。こ
の他にも第二アミンは種々農薬および医薬の製造原料ど
して有用である。更に分子内に二つの長鎖アルキル基を
有する長鎖脂肪族第二アミンはヘアリンス、繊維用柔軟
剤などとして広く用いられている第四アンモニウム塩の
製造原料として有用な物質である。
の除草剤製造原料として有用であり、また種々の第二ア
ミンが香It 、医紫の有用な原料であるゲラニオール
やネロールの合成原石としておよび香料の有用な原料で
あるゲラニルアミンの製造原料としても有用である。こ
の他にも第二アミンは種々農薬および医薬の製造原料ど
して有用である。更に分子内に二つの長鎖アルキル基を
有する長鎖脂肪族第二アミンはヘアリンス、繊維用柔軟
剤などとして広く用いられている第四アンモニウム塩の
製造原料として有用な物質である。
このように石川な第二アミンを選択的に製造Jる方法と
しては、P−フェニレンジアミン等の第一アミンを水素
およびptまたはPd触媒の存在下アルデヒドまたはケ
トンで還元アルキル化して第二アミンを製造りる方法(
特開昭57−123148号公報)が知られているが、
この方法は高価な触媒を必要としており、また出発物質
として第一アミンを使用するものである。
しては、P−フェニレンジアミン等の第一アミンを水素
およびptまたはPd触媒の存在下アルデヒドまたはケ
トンで還元アルキル化して第二アミンを製造りる方法(
特開昭57−123148号公報)が知られているが、
この方法は高価な触媒を必要としており、また出発物質
として第一アミンを使用するものである。
他の方法としては脂肪酸をアンモニアでニトリル化し、
Ni触媒の存在下水素を添加することによって還元して
第二アミンを製造する方法(特開昭56−29546号
公報)が知られているが、マ元に加圧および高温を必要
とし°τおり、また出発物質としてニトリルを使用する
ものである。
Ni触媒の存在下水素を添加することによって還元して
第二アミンを製造する方法(特開昭56−29546号
公報)が知られているが、マ元に加圧および高温を必要
とし°τおり、また出発物質としてニトリルを使用する
ものである。
出発物質どじてのオキシムからアミンを製造づる方法と
しては、Ntなどの触媒の存在下オキシムに水素−を作
用させることによって還元してアミンを製造する方法(
特開昭50−116406号公報)が知られているが、
この方法は第一アミンを主生成物として製造する方法で
ある。またオキシムにLiAJ!H+を作用させること
によって還元してアミンを製造する方法(J 、 Or
L CIlem、17゜294〜297(1852)
;以下この文献を文献Aと称する)も知られているが、
第一アミンが主生成物として生成される。すなわち文献
Aでは特定のオキシム、例えばアセトフェノンオキシム
をオキシムとして使用した場合、主生成物である第一ア
ミンのα−フェニルエチルアミン(収率5G%)の他に
第二アミンであるN−エチルアニリン(収率16%)も
削性することが記載されているが、本発明で目的とする
第二アミンを高選択的に生成づるbのではない。すなわ
ち従来技術においてオキシム、特に脂肪族オキシムおよ
び脂環式オキシムからのアミンの製造方法では本発明で
目的とする第二アミンを^収率でかつ高選択的に製造で
ることは困難であった。
しては、Ntなどの触媒の存在下オキシムに水素−を作
用させることによって還元してアミンを製造する方法(
特開昭50−116406号公報)が知られているが、
この方法は第一アミンを主生成物として製造する方法で
ある。またオキシムにLiAJ!H+を作用させること
によって還元してアミンを製造する方法(J 、 Or
L CIlem、17゜294〜297(1852)
;以下この文献を文献Aと称する)も知られているが、
第一アミンが主生成物として生成される。すなわち文献
Aでは特定のオキシム、例えばアセトフェノンオキシム
をオキシムとして使用した場合、主生成物である第一ア
ミンのα−フェニルエチルアミン(収率5G%)の他に
第二アミンであるN−エチルアニリン(収率16%)も
削性することが記載されているが、本発明で目的とする
第二アミンを高選択的に生成づるbのではない。すなわ
ち従来技術においてオキシム、特に脂肪族オキシムおよ
び脂環式オキシムからのアミンの製造方法では本発明で
目的とする第二アミンを^収率でかつ高選択的に製造で
ることは困難であった。
更に本発明者は下式に示したようにオキシムスルホナー
トをトリアルキルアルミニウムで処理してイミンを生成
し、更にジイソブチルアルミニウムハイドライドで還元
してα−アルキル第ユニアミン製造する方法を提案した
(J、△In、CIlem。
トをトリアルキルアルミニウムで処理してイミンを生成
し、更にジイソブチルアルミニウムハイドライドで還元
してα−アルキル第ユニアミン製造する方法を提案した
(J、△In、CIlem。
Soc、103.7368−7370<1981) )
。
。
(式中R’ 、R” ’ 、1>よびR21はそれぞれ
炭化水素基を示す)しかしこの方法Cは二段階で目的物
質を1昇ること、およびオキシムをスルホナートにする
ためにメシル化またはトシル化しな【ノればならないこ
となどにより煩雑である。
炭化水素基を示す)しかしこの方法Cは二段階で目的物
質を1昇ること、およびオキシムをスルホナートにする
ためにメシル化またはトシル化しな【ノればならないこ
となどにより煩雑である。
そこで本発明者は上記の状況に鑑み、目的とする第二ア
ミンを穏和な条件で高収率〇かつ高選択的に製造する方
法を鋭意研究した結果、本発明に到達した。
ミンを穏和な条件で高収率〇かつ高選択的に製造する方
法を鋭意研究した結果、本発明に到達した。
(式中い およびR2は同一または相異なる水素または
炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基に
は反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良く
、更にRL とR2が結合して環を形成していても良い
)で表わされるオキシムを一般式R3R4AJ!H(式
中R3およびR’L;L同一または相異なる水素まIC
は炭素数1〜15の炭化水素基を示す)で表わされる水
素化アルミニラ11で還元することを特徴とする第二ア
ミンの製造方法を特徴とするものである。
炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基に
は反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良く
、更にRL とR2が結合して環を形成していても良い
)で表わされるオキシムを一般式R3R4AJ!H(式
中R3およびR’L;L同一または相異なる水素まIC
は炭素数1〜15の炭化水素基を示す)で表わされる水
素化アルミニラ11で還元することを特徴とする第二ア
ミンの製造方法を特徴とするものである。
本発明において用いられるオキシムは
相異なる水素または炭素数1〜30の炭化水素基を表わ
し、該炭化水素基には反応に影響を及ぽざない官能基を
含有していても良く、更に1≧1 とR2が結合して環
を形成していても良い)で表わされる化合物であり、好
ましくはケトキシムである。具体的にはアセトキシム、
ペンシフTノンAキシム、シクロへキサノンオキシム、
プロピオフェノンオキシム、アセトフェノンオキシム、
α−テ1−ラロンオキシム、6−ウンデカノンオキシム
、シクロドデカノンオキシム、ジメトキシアセトフェノ
ンオキシム、ジフェニルアtel・キシム、ジベンジル
アセ1−キシム、ヘキリデカノフエノンオキシム、9−
へブタデカノンオキシム等を例示できる。これらのオキ
シムは公知の方法によって、例えば対応づるケ]〜ンと
ヒドロキシルアミン塩酸塩とを弱塩基性で縮合させる方
法等によって得られる。
し、該炭化水素基には反応に影響を及ぽざない官能基を
含有していても良く、更に1≧1 とR2が結合して環
を形成していても良い)で表わされる化合物であり、好
ましくはケトキシムである。具体的にはアセトキシム、
ペンシフTノンAキシム、シクロへキサノンオキシム、
プロピオフェノンオキシム、アセトフェノンオキシム、
α−テ1−ラロンオキシム、6−ウンデカノンオキシム
、シクロドデカノンオキシム、ジメトキシアセトフェノ
ンオキシム、ジフェニルアtel・キシム、ジベンジル
アセ1−キシム、ヘキリデカノフエノンオキシム、9−
へブタデカノンオキシム等を例示できる。これらのオキ
シムは公知の方法によって、例えば対応づるケ]〜ンと
ヒドロキシルアミン塩酸塩とを弱塩基性で縮合させる方
法等によって得られる。
本発明において用いられる反応剤としCの水素化アルミ
ニウムは一般式R3R4A11(式中R3およびR4は
同−又は相異なる水素または炭素数1〜15の炭化水素
基を示す)で表わされる化合物であり、好ましくはジア
ルキルアルミニウムハイドライドである。具体的にはジ
デシルアルミニウムハイドライド、ジデシアルミニウム
ハイドライド、メチルエチルアルミニウムハイドライド
、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、エチルイ
ソプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルア
ルミニウムハイドライド、ジ−n−ブチルアルミニウム
ハイドライド、ジアキルアルミニウムハイドライド、ジ
オクチルアルミニウムハイドライド、ジデシルアルミニ
ウムハイドライド等を例示できる。特にIJTましくは
ジイソブチルアルミニウムハイドライドである。
ニウムは一般式R3R4A11(式中R3およびR4は
同−又は相異なる水素または炭素数1〜15の炭化水素
基を示す)で表わされる化合物であり、好ましくはジア
ルキルアルミニウムハイドライドである。具体的にはジ
デシルアルミニウムハイドライド、ジデシアルミニウム
ハイドライド、メチルエチルアルミニウムハイドライド
、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、エチルイ
ソプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルア
ルミニウムハイドライド、ジ−n−ブチルアルミニウム
ハイドライド、ジアキルアルミニウムハイドライド、ジ
オクチルアルミニウムハイドライド、ジデシルアルミニ
ウムハイドライド等を例示できる。特にIJTましくは
ジイソブチルアルミニウムハイドライドである。
還元は溶媒の存在下または不存在下で実施される。該溶
媒としてはオキシムと反応剤との反応に影響を及ぼさな
い溶媒が挙げられ、例えばベキ4Jン、ヘプタン等の脂
肪族炭化水素、メチルシフ1」ヘキサン、シクロヘキサ
ン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ジクロルメタン、モノクロルベン
ゼン等のハロゲン化炭化水素、ジAキ号ン、テトラヒト
11フラン、ジメトキシエタン、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル等のエーテル類を例示できる。
媒としてはオキシムと反応剤との反応に影響を及ぼさな
い溶媒が挙げられ、例えばベキ4Jン、ヘプタン等の脂
肪族炭化水素、メチルシフ1」ヘキサン、シクロヘキサ
ン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ジクロルメタン、モノクロルベン
ゼン等のハロゲン化炭化水素、ジAキ号ン、テトラヒト
11フラン、ジメトキシエタン、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル等のエーテル類を例示できる。
オキシムに対する反応剤のモル比は通常1以ヒ、好まし
くは3〜10程度である。反応剤が少なtJさ゛れば還
元が不完全になり、多すぎてもそれによる顕著な効果は
ない。
くは3〜10程度である。反応剤が少なtJさ゛れば還
元が不完全になり、多すぎてもそれによる顕著な効果は
ない。
不活性溶媒の量は臨界的ではないが、通常1モルのオキ
シムに対して1〜20J2程度用いる。
シムに対して1〜20J2程度用いる。
還元は通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気トで実施す
る。
る。
オキシム、ジアルキルアルミニウム、ハイドライド、不
活性溶媒の添加順序は任意である。
活性溶媒の添加順序は任意である。
還元温度は一50〜150℃、好ましくは一10〜30
℃である。還元温度が低ずぎると反応速度が低下する。
℃である。還元温度が低ずぎると反応速度が低下する。
また^1ぎると副反応を起す恐れがある。
還元時間は種々の他の条件により相違するが、通常0.
5〜5時間程度である。
5〜5時間程度である。
反応生成物は周知の精製法、例えば溶媒抽出、濾過、蒸
留、クロマlルブラフィー処理等を適宜使用することに
より、目的とする第二アミンを精製単離することができ
る。
留、クロマlルブラフィー処理等を適宜使用することに
より、目的とする第二アミンを精製単離することができ
る。
本発明によって第二アミンを製造ツれば、穏和な条件で
、高選択性がかつ凸収尋4で容易に目的物が得られる点
で大きな工業的価値がある。
、高選択性がかつ凸収尋4で容易に目的物が得られる点
で大きな工業的価値がある。
以下に実施例をあげて、本発明を更に詳細に説明するが
、本発明は以下実施例により限定されるものではない。
、本発明は以下実施例により限定されるものではない。
実施例1
アセトフェノンオキシム(135mQ 、1 mmol
)の無水ジクロルメタン溶液(1omf)にアルゴン
雰囲気下O℃でジイソブチルアルミニウムハイドライド
(1Mヘキサン溶液51rL、e、5IrLmol)を
滴下し、撹拌下O℃で2時間反応した。還元反応終了後
、無水ジクロルメタン201nRで希釈し、フッ化ナト
リウム(840mg 、20yamol )で処即し、
続いて水(0,27m A 、15yrtmol )で
処理した。
)の無水ジクロルメタン溶液(1omf)にアルゴン
雰囲気下O℃でジイソブチルアルミニウムハイドライド
(1Mヘキサン溶液51rL、e、5IrLmol)を
滴下し、撹拌下O℃で2時間反応した。還元反応終了後
、無水ジクロルメタン201nRで希釈し、フッ化ナト
リウム(840mg 、20yamol )で処即し、
続いて水(0,27m A 、15yrtmol )で
処理した。
該懸濁液を0℃で30分間激しく攪拌し、濾過し、ジク
ロルメタンで洗浄し、溶媒を除去して前色の油状物質を
得た。該油状物質をシリカゲルを一1E lj4しだカ
ラムクロマトにより精製してN−エチルアニリン(11
1TrLo 、収率92%)を得た。
ロルメタンで洗浄し、溶媒を除去して前色の油状物質を
得た。該油状物質をシリカゲルを一1E lj4しだカ
ラムクロマトにより精製してN−エチルアニリン(11
1TrLo 、収率92%)を得た。
実施例2〜6
オキシムとして表−1の化合物を使用し、かつ表−1の
反応温度および反応時間で還元反応を実施したことを除
いて実施例1ど全く同様に第二アミンを製造した。その
結果を表−1に示づ。
反応温度および反応時間で還元反応を実施したことを除
いて実施例1ど全く同様に第二アミンを製造した。その
結果を表−1に示づ。
表−1
手続補正書輸発〉
昭和58年8月26日
1、事件の表示
昭和58年 特許願 第122545号2、発明の名称
第二アミンの製造方法
3、補正をする者
代表者 森 岨 東 三
4、代理人
住 所 東京都千代田区神田北乗物町16番地〒101
英 ビル3階 6、補正の内容 別紙のとおり 補 正 の 内 容 1、特許請求の範囲の項を別紙の如く訂正する。
英 ビル3階 6、補正の内容 別紙のとおり 補 正 の 内 容 1、特許請求の範囲の項を別紙の如く訂正する。
2、発明の詳細な説明の項のうち下記事項を訂正する。
(1)明l1ll書第2頁2行目に「第四アンモニム塩
」とあるを「第四アンモニウムJmJ訂正。
」とあるを「第四アンモニウムJmJ訂正。
(2)同頁16行目の「種々」と「農薬」との間に「の
」を加入。
」を加入。
(3)明細m第4頁3行目に「(1852) Jとある
をr (1952) Jと訂正。
をr (1952) Jと訂正。
(4)同頁末行に「ハイドライドJとあるを「ヒドリド
Jと訂正。
Jと訂正。
(5)明細書第5頁の3行目化学反応式のすぐ下に[(
式中R1、R1tおよびR21はそれぞれ炭化水素基を
示す)」とあるを1(式中11′ 、R1l 、R2r
、R1およびR31はそれぞれ炭化水−素基を示す)
」ど訂正。
式中R1、R1tおよびR21はそれぞれ炭化水素基を
示す)」とあるを1(式中11′ 、R1l 、R2r
、R1およびR31はそれぞれ炭化水−素基を示す)
」ど訂正。
(6)明細書第7頁15行目、16行目、16〜11行
目、17行目、18行目、19行目および20行目に「
ハイドライド」とあるを夫々「ヒドリドJと訂正、1(
7)明細書第5頁1行目、2行目、3行目、3〜4行目
および5行目に「ハイドライド」とあるを夫々「ヒドリ
ド」と訂正。
目、17行目、18行目、19行目および20行目に「
ハイドライド」とあるを夫々「ヒドリドJと訂正、1(
7)明細書第5頁1行目、2行目、3行目、3〜4行目
および5行目に「ハイドライド」とあるを夫々「ヒドリ
ド」と訂正。
(8)同頁10行目に「脂遠式」とあるを「脂環式」と
訂正。
訂正。
(9)明細書第9頁4〜5行目に「ハイドライド」とあ
るを「ヒドリド」と訂正。
るを「ヒドリド」と訂正。
(10)同頁16行目に「高選択性がかつ」とあるを「
高選択性でかつ」と訂正。
高選択性でかつ」と訂正。
(11)同頁19行目の「以下」と「実施例」と間に1
の」を加入。
の」を加入。
(12)明細書第10頁4〜5行目に「ハイドライド」
とあるを[ヒドリド]と訂正。
とあるを[ヒドリド]と訂正。
(13)明細側11頁表1最上欄に「第二アミンの収率
]とあるを[第二アミンの収率く%)」と訂正。
]とあるを[第二アミンの収率く%)」と訂正。
特許請求の範囲
tI
\。。
(式中R1およびR2は同一または相異なる水素または
炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基に
は反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良く
、更にR′ どR2が結合して環を形成し【いても良い
)で表わされるAキシムを一般式R3R4A、eH(式
中R3A3J、び1り4は同一または相異なる水素また
は炭素数1〜15の炭化水素基を示1)で表わされる水
素化アルミニウムで還元づることを特徴とづる第二アミ
ンの製造方法。
炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基に
は反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良く
、更にR′ どR2が結合して環を形成し【いても良い
)で表わされるAキシムを一般式R3R4A、eH(式
中R3A3J、び1り4は同一または相異なる水素また
は炭素数1〜15の炭化水素基を示1)で表わされる水
素化アルミニウムで還元づることを特徴とづる第二アミ
ンの製造方法。
手続補正書泊発)
昭和59年9月5日
2、発明の名称
第二アミンの製造方法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都港区赤坂1丁目7番7号(束合ビル)名
称 有限会社 東洋ストウファ−・ケミ)Jル4、代
理人 住 所 東京都千代田区神田北乗物町16番地〒101
英 ビル3階 5、補正の対象 R” + R2’およびR3はそれぞれ炭化水素基を示
す」と訂正。
称 有限会社 東洋ストウファ−・ケミ)Jル4、代
理人 住 所 東京都千代田区神田北乗物町16番地〒101
英 ビル3階 5、補正の対象 R” + R2’およびR3はそれぞれ炭化水素基を示
す」と訂正。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 \。。 (式中R′ およびR2は同一または相異なる水素また
は炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基
には反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良
く、更にR1とR2が結合して環を形成しでいても良い
)で表わされるオキシムを一般式R3R4AJ!ト1(
式中R3およびR4は同一または相異なる水素または炭
素数1〜15の炭化水素基を示す)て表わされる水素化
アルミニウムで還元することを特徴とづる第二アミンの
製造方法。 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58122545A JPS6028955A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 第二アミンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58122545A JPS6028955A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 第二アミンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028955A true JPS6028955A (ja) | 1985-02-14 |
| JPS6345662B2 JPS6345662B2 (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=14838520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58122545A Granted JPS6028955A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 第二アミンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016042171A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58122545A patent/JPS6028955A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016042171A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345662B2 (ja) | 1988-09-12 |
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