JPS6028955A - 第二アミンの製造方法 - Google Patents

第二アミンの製造方法

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JPS6028955A
JPS6028955A JP58122545A JP12254583A JPS6028955A JP S6028955 A JPS6028955 A JP S6028955A JP 58122545 A JP58122545 A JP 58122545A JP 12254583 A JP12254583 A JP 12254583A JP S6028955 A JPS6028955 A JP S6028955A
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JP
Japan
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oxime
aluminum hydride
secondary amine
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hydrocarbon group
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JP58122545A
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JPS6345662B2 (ja
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Takashi Yamamoto
尚 山本
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TOYO SUTOUFUAA CHEM KK
Tosoh Finechem Corp
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TOYO SUTOUFUAA CHEM KK
Tosoh Finechem Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はヘアリンス、v&雑用柔軟剤などとして広く用
いられている第四アンモニム塩の製造原料および医薬、
農薬、香料の合成原料および中間体などとして有用な第
二アミンを選択的に製造する方法に関する。
更に詳しくはオキシムを特定の反応剤で還元することに
よる第二アミンの新規な製造方法に関する。
第二アミンは種々の物質の製造原料に使用されている。
例えば、ヘキサメチレンイミンはモリネート除草剤など
の除草剤製造原料として有用であり、また種々の第二ア
ミンが香It 、医紫の有用な原料であるゲラニオール
やネロールの合成原石としておよび香料の有用な原料で
あるゲラニルアミンの製造原料としても有用である。こ
の他にも第二アミンは種々農薬および医薬の製造原料ど
して有用である。更に分子内に二つの長鎖アルキル基を
有する長鎖脂肪族第二アミンはヘアリンス、繊維用柔軟
剤などとして広く用いられている第四アンモニウム塩の
製造原料として有用な物質である。
このように石川な第二アミンを選択的に製造Jる方法と
しては、P−フェニレンジアミン等の第一アミンを水素
およびptまたはPd触媒の存在下アルデヒドまたはケ
トンで還元アルキル化して第二アミンを製造りる方法(
特開昭57−123148号公報)が知られているが、
この方法は高価な触媒を必要としており、また出発物質
として第一アミンを使用するものである。
他の方法としては脂肪酸をアンモニアでニトリル化し、
Ni触媒の存在下水素を添加することによって還元して
第二アミンを製造する方法(特開昭56−29546号
公報)が知られているが、マ元に加圧および高温を必要
とし°τおり、また出発物質としてニトリルを使用する
ものである。
出発物質どじてのオキシムからアミンを製造づる方法と
しては、Ntなどの触媒の存在下オキシムに水素−を作
用させることによって還元してアミンを製造する方法(
特開昭50−116406号公報)が知られているが、
この方法は第一アミンを主生成物として製造する方法で
ある。またオキシムにLiAJ!H+を作用させること
によって還元してアミンを製造する方法(J 、 Or
L CIlem、17゜294〜297(1852) 
;以下この文献を文献Aと称する)も知られているが、
第一アミンが主生成物として生成される。すなわち文献
Aでは特定のオキシム、例えばアセトフェノンオキシム
をオキシムとして使用した場合、主生成物である第一ア
ミンのα−フェニルエチルアミン(収率5G%)の他に
第二アミンであるN−エチルアニリン(収率16%)も
削性することが記載されているが、本発明で目的とする
第二アミンを高選択的に生成づるbのではない。すなわ
ち従来技術においてオキシム、特に脂肪族オキシムおよ
び脂環式オキシムからのアミンの製造方法では本発明で
目的とする第二アミンを^収率でかつ高選択的に製造で
ることは困難であった。
更に本発明者は下式に示したようにオキシムスルホナー
トをトリアルキルアルミニウムで処理してイミンを生成
し、更にジイソブチルアルミニウムハイドライドで還元
してα−アルキル第ユニアミン製造する方法を提案した
(J、△In、CIlem。
Soc、103.7368−7370<1981) )
。
(式中R’ 、R” ’ 、1>よびR21はそれぞれ
炭化水素基を示す)しかしこの方法Cは二段階で目的物
質を1昇ること、およびオキシムをスルホナートにする
ためにメシル化またはトシル化しな【ノればならないこ
となどにより煩雑である。
そこで本発明者は上記の状況に鑑み、目的とする第二ア
ミンを穏和な条件で高収率〇かつ高選択的に製造する方
法を鋭意研究した結果、本発明に到達した。
(式中い およびR2は同一または相異なる水素または
炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基に
は反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良く
、更にRL とR2が結合して環を形成していても良い
)で表わされるオキシムを一般式R3R4AJ!H(式
中R3およびR’L;L同一または相異なる水素まIC
は炭素数1〜15の炭化水素基を示す)で表わされる水
素化アルミニラ11で還元することを特徴とする第二ア
ミンの製造方法を特徴とするものである。
本発明において用いられるオキシムは 相異なる水素または炭素数1〜30の炭化水素基を表わ
し、該炭化水素基には反応に影響を及ぽざない官能基を
含有していても良く、更に1≧1 とR2が結合して環
を形成していても良い)で表わされる化合物であり、好
ましくはケトキシムである。具体的にはアセトキシム、
ペンシフTノンAキシム、シクロへキサノンオキシム、
プロピオフェノンオキシム、アセトフェノンオキシム、
α−テ1−ラロンオキシム、6−ウンデカノンオキシム
、シクロドデカノンオキシム、ジメトキシアセトフェノ
ンオキシム、ジフェニルアtel・キシム、ジベンジル
アセ1−キシム、ヘキリデカノフエノンオキシム、9−
へブタデカノンオキシム等を例示できる。これらのオキ
シムは公知の方法によって、例えば対応づるケ]〜ンと
ヒドロキシルアミン塩酸塩とを弱塩基性で縮合させる方
法等によって得られる。
本発明において用いられる反応剤としCの水素化アルミ
ニウムは一般式R3R4A11(式中R3およびR4は
同−又は相異なる水素または炭素数1〜15の炭化水素
基を示す)で表わされる化合物であり、好ましくはジア
ルキルアルミニウムハイドライドである。具体的にはジ
デシルアルミニウムハイドライド、ジデシアルミニウム
ハイドライド、メチルエチルアルミニウムハイドライド
、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、エチルイ
ソプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルア
ルミニウムハイドライド、ジ−n−ブチルアルミニウム
ハイドライド、ジアキルアルミニウムハイドライド、ジ
オクチルアルミニウムハイドライド、ジデシルアルミニ
ウムハイドライド等を例示できる。特にIJTましくは
ジイソブチルアルミニウムハイドライドである。
還元は溶媒の存在下または不存在下で実施される。該溶
媒としてはオキシムと反応剤との反応に影響を及ぼさな
い溶媒が挙げられ、例えばベキ4Jン、ヘプタン等の脂
肪族炭化水素、メチルシフ1」ヘキサン、シクロヘキサ
ン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ジクロルメタン、モノクロルベン
ゼン等のハロゲン化炭化水素、ジAキ号ン、テトラヒト
11フラン、ジメトキシエタン、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル等のエーテル類を例示できる。
オキシムに対する反応剤のモル比は通常1以ヒ、好まし
くは3〜10程度である。反応剤が少なtJさ゛れば還
元が不完全になり、多すぎてもそれによる顕著な効果は
ない。
不活性溶媒の量は臨界的ではないが、通常1モルのオキ
シムに対して1〜20J2程度用いる。
還元は通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気トで実施す
る。
オキシム、ジアルキルアルミニウム、ハイドライド、不
活性溶媒の添加順序は任意である。
還元温度は一50〜150℃、好ましくは一10〜30
℃である。還元温度が低ずぎると反応速度が低下する。
また^1ぎると副反応を起す恐れがある。
還元時間は種々の他の条件により相違するが、通常0.
5〜5時間程度である。
反応生成物は周知の精製法、例えば溶媒抽出、濾過、蒸
留、クロマlルブラフィー処理等を適宜使用することに
より、目的とする第二アミンを精製単離することができ
る。
本発明によって第二アミンを製造ツれば、穏和な条件で
、高選択性がかつ凸収尋4で容易に目的物が得られる点
で大きな工業的価値がある。
以下に実施例をあげて、本発明を更に詳細に説明するが
、本発明は以下実施例により限定されるものではない。
実施例1 アセトフェノンオキシム(135mQ 、1 mmol
 )の無水ジクロルメタン溶液(1omf)にアルゴン
雰囲気下O℃でジイソブチルアルミニウムハイドライド
(1Mヘキサン溶液51rL、e、5IrLmol)を
滴下し、撹拌下O℃で2時間反応した。還元反応終了後
、無水ジクロルメタン201nRで希釈し、フッ化ナト
リウム(840mg 、20yamol )で処即し、
続いて水(0,27m A 、15yrtmol )で
処理した。
該懸濁液を0℃で30分間激しく攪拌し、濾過し、ジク
ロルメタンで洗浄し、溶媒を除去して前色の油状物質を
得た。該油状物質をシリカゲルを一1E lj4しだカ
ラムクロマトにより精製してN−エチルアニリン(11
1TrLo 、収率92%)を得た。
実施例2〜6 オキシムとして表−1の化合物を使用し、かつ表−1の
反応温度および反応時間で還元反応を実施したことを除
いて実施例1ど全く同様に第二アミンを製造した。その
結果を表−1に示づ。
表−1 手続補正書輸発〉 昭和58年8月26日 1、事件の表示 昭和58年 特許願 第122545号2、発明の名称 第二アミンの製造方法 3、補正をする者 代表者 森 岨 東 三 4、代理人 住 所 東京都千代田区神田北乗物町16番地〒101
 英 ビル3階 6、補正の内容 別紙のとおり 補 正 の 内 容 1、特許請求の範囲の項を別紙の如く訂正する。
2、発明の詳細な説明の項のうち下記事項を訂正する。
(1)明l1ll書第2頁2行目に「第四アンモニム塩
」とあるを「第四アンモニウムJmJ訂正。
(2)同頁16行目の「種々」と「農薬」との間に「の
」を加入。
(3)明細m第4頁3行目に「(1852) Jとある
をr (1952) Jと訂正。
(4)同頁末行に「ハイドライドJとあるを「ヒドリド
Jと訂正。
(5)明細書第5頁の3行目化学反応式のすぐ下に[(
式中R1、R1tおよびR21はそれぞれ炭化水素基を
示す)」とあるを1(式中11′ 、R1l 、R2r
 、R1およびR31はそれぞれ炭化水−素基を示す)
」ど訂正。
(6)明細書第7頁15行目、16行目、16〜11行
目、17行目、18行目、19行目および20行目に「
ハイドライド」とあるを夫々「ヒドリドJと訂正、1(
7)明細書第5頁1行目、2行目、3行目、3〜4行目
および5行目に「ハイドライド」とあるを夫々「ヒドリ
ド」と訂正。
(8)同頁10行目に「脂遠式」とあるを「脂環式」と
訂正。
(9)明細書第9頁4〜5行目に「ハイドライド」とあ
るを「ヒドリド」と訂正。
(10)同頁16行目に「高選択性がかつ」とあるを「
高選択性でかつ」と訂正。
(11)同頁19行目の「以下」と「実施例」と間に1
の」を加入。
(12)明細書第10頁4〜5行目に「ハイドライド」
とあるを[ヒドリド]と訂正。
(13)明細側11頁表1最上欄に「第二アミンの収率
]とあるを[第二アミンの収率く%)」と訂正。
特許請求の範囲 tI \。。
(式中R1およびR2は同一または相異なる水素または
炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基に
は反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良く
、更にR′ どR2が結合して環を形成し【いても良い
)で表わされるAキシムを一般式R3R4A、eH(式
中R3A3J、び1り4は同一または相異なる水素また
は炭素数1〜15の炭化水素基を示1)で表わされる水
素化アルミニウムで還元づることを特徴とづる第二アミ
ンの製造方法。
手続補正書泊発) 昭和59年9月5日 2、発明の名称 第二アミンの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区赤坂1丁目7番7号(束合ビル)名
 称 有限会社 東洋ストウファ−・ケミ)Jル4、代
理人 住 所 東京都千代田区神田北乗物町16番地〒101
 英 ビル3階 5、補正の対象 R” + R2’およびR3はそれぞれ炭化水素基を示
す」と訂正。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 \。。 (式中R′ およびR2は同一または相異なる水素また
    は炭素数1〜30の炭化水素基を表わし、該炭化水素基
    には反応に影響を及ぼさない官能基を含有していても良
    く、更にR1とR2が結合して環を形成しでいても良い
    )で表わされるオキシムを一般式R3R4AJ!ト1(
    式中R3およびR4は同一または相異なる水素または炭
    素数1〜15の炭化水素基を示す)て表わされる水素化
    アルミニウムで還元することを特徴とづる第二アミンの
    製造方法。 。
JP58122545A 1983-07-06 1983-07-06 第二アミンの製造方法 Granted JPS6028955A (ja)

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JPS6345662B2 JPS6345662B2 (ja) 1988-09-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016042171A (ja) * 2014-08-19 2016-03-31 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016042171A (ja) * 2014-08-19 2016-03-31 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

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