JPS6029227B2 - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6029227B2 JPS6029227B2 JP52099597A JP9959777A JPS6029227B2 JP S6029227 B2 JPS6029227 B2 JP S6029227B2 JP 52099597 A JP52099597 A JP 52099597A JP 9959777 A JP9959777 A JP 9959777A JP S6029227 B2 JPS6029227 B2 JP S6029227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- lead frame
- gate
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なりードフレームに関する。
現在、電子部品特にトランジスタやＩＣ等の半導体装置
は、モールドレジンによって封止を行なうのが一般的で
ある。この種の半導体装置の製作にあたっては、タブ、
タブリードそれにこれを取り囲む複数本のりード端子を
フレーム（枠）と一体にしたり−ドフレームを用意し、
そのタブ上に半導体べレットを固着し、そのべレットの
外部電極とりードフレームのりード端子とを導電体によ
って電気接続した状態でこれをモールド金型に装填し、
ゲート（金型のモールドレジン流入口）から溶融してい
るモールドレジンをキャビティ内に注入し、それらをモ
ールドレジンによって封止し、しかる後、金型から取り
出してリード端子間の接続部分を切り離すようにしてい
る。
は、モールドレジンによって封止を行なうのが一般的で
ある。この種の半導体装置の製作にあたっては、タブ、
タブリードそれにこれを取り囲む複数本のりード端子を
フレーム（枠）と一体にしたり−ドフレームを用意し、
そのタブ上に半導体べレットを固着し、そのべレットの
外部電極とりードフレームのりード端子とを導電体によ
って電気接続した状態でこれをモールド金型に装填し、
ゲート（金型のモールドレジン流入口）から溶融してい
るモールドレジンをキャビティ内に注入し、それらをモ
ールドレジンによって封止し、しかる後、金型から取り
出してリード端子間の接続部分を切り離すようにしてい
る。
しかしながら、この種のレジンモールドした半導体装置
においては、レジンモールド内にボイドが多発しており
、これが原因となって素子特性の劣化や製品の信頼度を
低下させている。
においては、レジンモールド内にボイドが多発しており
、これが原因となって素子特性の劣化や製品の信頼度を
低下させている。
この種のボィドは、モールド金型におけるキャビテイに
モールドレジンを注入するゲートの近傍に多いことから
、ゲートからキャビティにモールドレジンが注入される
際に、空気を巻き込み、これがボイドを発生させるもの
と考えられる。
モールドレジンを注入するゲートの近傍に多いことから
、ゲートからキャビティにモールドレジンが注入される
際に、空気を巻き込み、これがボイドを発生させるもの
と考えられる。
そこで、本発明は、以上の観点に基づいて、ポィドの発
生を皆無とするために、新規なりードフレームを提供せ
んとするものである。以下、本発明を添付図面に例示し
たその好適な実施例について詳述する。
生を皆無とするために、新規なりードフレームを提供せ
んとするものである。以下、本発明を添付図面に例示し
たその好適な実施例について詳述する。
本発明にかかるリードフレーム１はモールドレジンを注
入するゲートの近傍に配置されるリード端子２ａに、注
入されたモールドレジンが衝突するような突起部３をも
つことを特徴とするものであり、他の部分は従来のもの
と同様な態様である（第１図）。
入するゲートの近傍に配置されるリード端子２ａに、注
入されたモールドレジンが衝突するような突起部３をも
つことを特徴とするものであり、他の部分は従来のもの
と同様な態様である（第１図）。
図示しているものは、フラットパッケージ用のりードフ
レーム１で、４は、ＩＣなどの素子べレツトをダイボン
ディングするためのタブであり、２はダィボンディング
された素子べレットにおける外部電極と導電体によって
電気接続されるリード端子、５はモールド金型における
ゲート部に配置されるモールドレジン受板で、この部分
からモールドレジンが注入されるようになっている。６
は、これらの支持する枠体（フレーム）である。
レーム１で、４は、ＩＣなどの素子べレツトをダイボン
ディングするためのタブであり、２はダィボンディング
された素子べレットにおける外部電極と導電体によって
電気接続されるリード端子、５はモールド金型における
ゲート部に配置されるモールドレジン受板で、この部分
からモールドレジンが注入されるようになっている。６
は、これらの支持する枠体（フレーム）である。
このような構造のリードフレーム１は、レジンモールド
の際に、注入されたモールドレジンがモールド金型にお
けるゲートより噴出したのち、すぐにその近傍に設けて
いる突起部３に当たることより、モールドレジンの注入
スピードが下がると共に、キヤビティ内においてモール
ドレジンがゲート近傍から埋め込まれる状態となるため
に、レジンモールド中に空気が巻き込まれることがなし
・。
の際に、注入されたモールドレジンがモールド金型にお
けるゲートより噴出したのち、すぐにその近傍に設けて
いる突起部３に当たることより、モールドレジンの注入
スピードが下がると共に、キヤビティ内においてモール
ドレジンがゲート近傍から埋め込まれる状態となるため
に、レジンモールド中に空気が巻き込まれることがなし
・。
そのため、空気の巻き込みがない状態でレジンモールド
できるため、ボイドのないすぐれたレジンモールド製品
を得ることができる。つぎに、上述したりードフレーム
１を使用したレジンモールド半導体装置をその封止工程
と共に説明する。
できるため、ボイドのないすぐれたレジンモールド製品
を得ることができる。つぎに、上述したりードフレーム
１を使用したレジンモールド半導体装置をその封止工程
と共に説明する。
リードフレーム１におけるダム４に秦子べレット７をダ
ィボンディングし、ベレット７の外部電極とりード端子
２とを金細線などの導電体８によって相互接続したもの
をモールド機におけるモールド金型９〜１０に装填する
（第２図）。
ィボンディングし、ベレット７の外部電極とりード端子
２とを金細線などの導電体８によって相互接続したもの
をモールド機におけるモールド金型９〜１０に装填する
（第２図）。
図において９は、モールド下金型で、１０はモールド上
金型を示す。そして、モールドレジンからなるタブレッ
トを温度と圧力を用いて溶融し、粘度の低い状態にして
モールド機の図示しないプランジヤにより押圧してラン
ナ９ａ、ゲート９ｂを通してモールド金型９〜１０のキ
ャビティ１１内に溶融状態のモールドレジン１２を注入
する。
金型を示す。そして、モールドレジンからなるタブレッ
トを温度と圧力を用いて溶融し、粘度の低い状態にして
モールド機の図示しないプランジヤにより押圧してラン
ナ９ａ、ゲート９ｂを通してモールド金型９〜１０のキ
ャビティ１１内に溶融状態のモールドレジン１２を注入
する。
そうすると、溶融状態のモールドレジン１２はキャビテ
ィ１１内にゲート９ｂ先端部から噴射してリードフレー
ム１におけるリード端子２ａに設けた突起部３に衝突し
ながらキャビティ１１内をゲート９ｂ側から埋め込まれ
て行く（第２図〜第６図）。このとき、キャビティ１１
内に存在する空気がモールドレジン１２によって追い出
される形をもってゲート９と反対側に設けられている空
気抜き孔１３を通して排気される。
ィ１１内にゲート９ｂ先端部から噴射してリードフレー
ム１におけるリード端子２ａに設けた突起部３に衝突し
ながらキャビティ１１内をゲート９ｂ側から埋め込まれ
て行く（第２図〜第６図）。このとき、キャビティ１１
内に存在する空気がモールドレジン１２によって追い出
される形をもってゲート９と反対側に設けられている空
気抜き孔１３を通して排気される。
上述したように、本発明にかかるリードフレームを用い
たレジンモールド半導体装置は、レジン封止時に、ゲー
ト９ｂからキャビテイ１１内に噴射されたモールドレジ
ン１２がリードフレーム１における突起部３に衝突した
のちキャビティ１１内をゲート９ｂ側からモールドして
いくため、ゲート９ｂから噴出したモールドレジン１２
の注入スピードが下がると共に、キャビティ１１内の空
気がモールドレジン１２によって取り囲まれて逃げ口を
失なうということがない。
たレジンモールド半導体装置は、レジン封止時に、ゲー
ト９ｂからキャビテイ１１内に噴射されたモールドレジ
ン１２がリードフレーム１における突起部３に衝突した
のちキャビティ１１内をゲート９ｂ側からモールドして
いくため、ゲート９ｂから噴出したモールドレジン１２
の注入スピードが下がると共に、キャビティ１１内の空
気がモールドレジン１２によって取り囲まれて逃げ口を
失なうということがない。
そのため、モールドレジン１２に空気が巻き込まれるこ
とがなし、。したがって本発明にかかるリードフレーム
を用いた半導体装置は、ボィドのないレジンモールド製
品となり、気密性のすぐれた封止構造をもつため、高性
能でかつ高信頼度のデバイスである。
とがなし、。したがって本発明にかかるリードフレーム
を用いた半導体装置は、ボィドのないレジンモールド製
品となり、気密性のすぐれた封止構造をもつため、高性
能でかつ高信頼度のデバイスである。
本発明は、種々の用途に適うリードフレームに適用でき
、ボィドの発生がないすぐれた気密性をもつレジンモー
ルド製品を提供できるものである。
、ボィドの発生がないすぐれた気密性をもつレジンモー
ルド製品を提供できるものである。
第１図は、本発明にかかるリードフレームを示す平面図
、第２図〜第６図は本発明のリードフレームを用いたレ
ジンモールド半導体装置をその封止工程と共に説明する
ための断面図である。 １……リードフレーム、２，２ａ……リード端子、３・
・・・・・突起部、９・・・・・・モールド下金型、９
ａ．・・・・・ランナ、９ｂ……ゲート、１０……モー
ルド上金型、１１・・・・・・キャビティ、１２・・・
・・・モールドレジン、１３・…・・空気抜き孔。 繁ｌ図 第２図 賄３図 茶４図 嫌５図 累５図
、第２図〜第６図は本発明のリードフレームを用いたレ
ジンモールド半導体装置をその封止工程と共に説明する
ための断面図である。 １……リードフレーム、２，２ａ……リード端子、３・
・・・・・突起部、９・・・・・・モールド下金型、９
ａ．・・・・・ランナ、９ｂ……ゲート、１０……モー
ルド上金型、１１・・・・・・キャビティ、１２・・・
・・・モールドレジン、１３・…・・空気抜き孔。 繁ｌ図 第２図 賄３図 茶４図 嫌５図 累５図
Claims (1)
- １ 素子ペレツトを固着すべきタブと、前記タブを支持
するタブリードと、前記タブ周縁から四方に延在する複
数のリードと、前記複数のリード間を連結するダムとを
有するリードフレームにおいて、前記ダムのモールド金
型のゲートに対応する部分の近傍に配置された前記複数
のリードの少くとも１つに、注入されたレジンが衝突す
るような突起部を設けたことを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52099597A JPS6029227B2 (ja) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52099597A JPS6029227B2 (ja) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | リ−ドフレ−ム |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59244416A Division JPS60180153A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5433663A JPS5433663A (en) | 1979-03-12 |
| JPS6029227B2 true JPS6029227B2 (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=14251497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52099597A Expired JPS6029227B2 (ja) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029227B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157610A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 |
| TW199235B (en) * | 1991-05-27 | 1993-02-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | Method to enclose semiconductor devices in resin and semiconductor apparatuses |
| JP2586831B2 (ja) * | 1994-09-22 | 1997-03-05 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止用金型および半導体装置の製造方法 |
| JP3411448B2 (ja) * | 1996-07-03 | 2003-06-03 | 沖電気工業株式会社 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
-
1977
- 1977-08-22 JP JP52099597A patent/JPS6029227B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5433663A (en) | 1979-03-12 |
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